CN109244131B - 一种高速晶体管及其制造方法 - Google Patents
一种高速晶体管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109244131B CN109244131B CN201811243002.8A CN201811243002A CN109244131B CN 109244131 B CN109244131 B CN 109244131B CN 201811243002 A CN201811243002 A CN 201811243002A CN 109244131 B CN109244131 B CN 109244131B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- voltage modulation
- speed transistor
- undoped
- drain electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管及其制造方法，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域的栅电极；由于通过超宽禁带半导体材料体系制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。
Description
技术领域
本发明属于电子技术领域，尤其涉及高速晶体管及其制造方法。
背景技术
传统市场上的高速晶体管具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元，其中，第一氧化物半导体层从铟锡氧化物中选出，第二氧化物半导体层从锌氧化物中选出。由于铟锡氧化物和锌氧化物禁带宽度较小，器件材料自身击穿电压较小，且频率性能和功率性能差，从而导致高速晶体管的稳定性差。
传统的高速晶体管存在铟锡氧化物和锌氧化物禁带宽度较小从而导致高速晶体管的稳定性差的缺陷。
发明内容
本发明提供了一种高速晶体管及其制造方法，旨在解决传统技术高速晶体管中存在铟锡氧化物和锌氧化物禁带宽度较小从而导致高速晶体管的稳定性差的问题。
本发明是这样实现的，一种高速晶体管，包括：
衬底层；
设置在所述衬底层上表面的沟道层；
设置在所述沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
设置在所述第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
设置在所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的电压调制层；
间隔设置在所述电压调制层上表面的源电极和漏电极；及
设置在所述电压调制层上表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间区域的栅电极。
在其中一个实施例中，还包括分别设置在所述源电极区域和所述漏电极区域的两个N型掺杂层。
在其中一个实施例中，所述N型掺杂层的上表面为所述电压调制层上表面。
在其中一个实施例中，所述N型掺杂层的下表面位于所述沟道层上表面和所述沟道层下表面之间。
在其中一个实施例中，所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层为高Si掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
在其中一个实施例中，所述电压调制层为第二非掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
在其中一个实施例中，所述沟道层为非掺杂Ga2O3层。
本发明还提供一种高速晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在衬底上表面生长沟道层；
在所述沟道层上表面生长第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
在所述第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面化学气相沉淀或分子束外延高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
在所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面生长电压调制层；
在所述电压调制层上表面形成栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间区域。
在其中一个实施例中，所述在所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面生长电压调制层之后还包括：
在所述电压调制层上表面的源电极区域和漏电极区域进行离子注入和退火以形成两个N型掺杂层；
所述在所述电压调制层上表面形成栅电极、源电极和漏电极具体为：
分别在两个所述N型掺杂层上形成源电极和漏电极，在所述源电极和所述漏电极之间区域形成栅电极。
在其中一个实施例中，所述N型掺杂层的上表面为所述电压调制层上表面。
在其中一个实施例中，所述N型掺杂层的下表面位于所述沟道层上表面和所述沟道层下表面之间。
在其中一个实施例中，所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层为高Si掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
在其中一个实施例中，所述电压调制层为第二非掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
在其中一个实施例中，所述沟道层为非掺杂Ga2O3层。
本发明实施例通过宽禁带半导体材料体系(氧化镓禁带宽度为4.8ev，氧化铝禁带宽度为6.2ev)制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1-x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术发明，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的高速晶体管的一种结构示意图；
图2为本发明实施例提供的高速晶体管的另一种结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种高速晶体管的制作方法中生长高掺杂(AlxGa1-x)2O3层一种示意图；
图4为本发明实施例提供的一种高速晶体管的制作方法中制作栅电极、源电极和漏电极一种示意图；
图5为本发明实施例提供的一种高速晶体管的制作方法中进行离子注入一种示意图；
图6为本发明实施例提供的一种高速晶体管的制作方法中形成两个N型掺杂层一种示意图；
图7为本发明实施例提供的一种高速晶体管的制作方法中制作栅电极、源电极和漏电极一种示意图；
上述图中标号含义如下：
101-衬底层；102-沟道层；103-第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；104-高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；105-电压调制层；106-源电极；107-漏电极；108-栅电极；109-N型掺杂层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1示出了本发明实施例提供的高速晶体管的模块结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下：
高速晶体管包括衬底层01、沟道层02、第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层03、高掺杂(AlxGa1-x)2O3层04、电压调制层05、源电极06、漏电极07以及栅电极08。
其中，沟道层02设置在衬底层01上表面；第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层03设置在沟道层02上表面；高掺杂(AlxGa1-x)2O3层04设置在第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层03上表面；电压调制层05设置在高掺杂(AlxGa1-x)2O3层04上表面；源电极06和漏电极07间隔设置在电压调制层05上表面；栅电极08设置在电压调制层05上表面，且位于源电极06和漏电极07之间区域。
如图2所示，高速晶体管还包括分别设置在源电极06区域和漏电极07区域的两个N型掺杂层09。N型掺杂层09的上表面为电压调制层05上表面。N型掺杂层09的下表面位于沟道层02上表面和沟道层02下表面之间。
N型掺杂层09的载流子为电子，使得具有N型掺杂的N型掺杂层09具有较高的载流子浓度，且N型掺杂层09与源电极06和漏电极07形成欧姆接触，故有效降低了高速晶体管的电阻。
高掺杂(AlxGa1-x)2O3层04为高Si掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
高Si掺杂(AlxGa1-x)2O3层增强了下层材料非掺杂AlxGa1-x)2O3材料的压应变，极化效应增强，从而形成了异质结材料，调制出异质结二维电子气，提高了器件的频率特性。
电压调制层05为第二非掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
电压调制层05起电容作用，用于调制栅极加在异质结上的电压。
其中，沟道层02为非掺杂Ga2O3层。衬底可以为单晶衬底或多晶衬底，例如，Ga2O3衬底或GaN衬底。
具体实施中，高掺杂(AlxGa1-x)2O3层04的厚度可以为0.5至5nm，掺杂浓度1019至1021/cm3。第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层03的厚度可以为0.05至2μm。电压调制层05的厚度可以为15至50nm。源电极06或漏电极07可以为Ti、Al、Ni、Au或者Pt。栅电极08可以为Ni、Pt或Au。
与一种高速晶体管实施例相对应，本发明还提供了一种高速晶体管的制造方法的一种实施例。
一种高速晶体管的制造方法，方法包括步骤301至步骤305。
在步骤301中，在衬底上表面生长沟道层；
在步骤302中，在沟道层上表面生长第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
在步骤303中，如图4所示，在第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面化学气相沉淀或分子束外延高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
在步骤304中，在高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面生长电压调制层；
在步骤305中，如图5所示，在电压调制层上表面形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极位于源电极和漏电极之间区域。
可以通过光刻和金属沉积工艺及快速热退火制备源电极和漏电极，快速热退火工艺可以为在N2或空气或氩气气氛下，温度为500-800摄氏度，时长为3-10分钟。
可以通过光刻和金属沉积工艺制备栅电极。
与一种高速晶体管实施例相对应，本发明还提供了一种高速晶体管的制造方法的另一种实施例。
一种高速晶体管的制造方法，方法包括步骤401至步骤406。
在步骤401中，在衬底上表面生长沟道层。
在步骤402中，在沟道层上表面生长第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
在步骤403中，在第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面化学气相沉淀或分子束外延高掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
在步骤404中，在高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面生长电压调制层。
在步骤405中，如图6所示，在电压调制层上表面的源电极区域和漏电极区域进行离子注入和退火以形成两个N型掺杂层。
离子注入能量可以为20至150KeV，注入剂量可以为1015至1018。
通过退火减少了两个N型掺杂层的晶格损伤，提高了离子活性。退火温度可以为500至1000摄氏度，退火时长可以为10至60分钟。
在步骤406中，如图7所示，分别在两个N型掺杂层上形成源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间区域形成栅电极。
本发明实施例通过包括衬底层、沟道层、第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层、高掺杂(AlxGa1-x)2O3层、电压调制层、源电极、漏电极以及栅电极。其中，沟道层设置在衬底层上表面；第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层设置在沟道层上表面；高掺杂(AlxGa1-x)2O3层设置在第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面；电压调制层设置在高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面；源电极和漏电极间隔设置在电压调制层上表面；栅电极设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域；由于通过宽禁带半导体材料体系(氧化镓禁带宽度为4.8ev，氧化铝禁带宽度为6.2ev)制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1-x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (14)
1.一种高速晶体管，其特征在于，包括：
衬底层；
设置在所述衬底层上表面的沟道层；
设置在所述沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
设置在所述第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
设置在所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面的电压调制层；
间隔设置在所述电压调制层上表面的源电极和漏电极；及
设置在所述电压调制层上表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间区域的栅电极。
2.根据权利要求1所述的高速晶体管，其特征在于，还包括分别设置在所述源电极区域和所述漏电极区域的两个N型掺杂层。
3.根据权利要求2所述的高速晶体管，其特征在于，所述N型掺杂层的上表面为所述电压调制层上表面。
4.根据权利要求2所述的高速晶体管，其特征在于，所述N型掺杂层的下表面位于所述沟道层上表面和所述沟道层下表面之间。
5.根据权利要求1所述的高速晶体管，其特征在于，所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层为高Si掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
6.根据权利要求1所述的高速晶体管，其特征在于，所述电压调制层为第二非掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
7.根据权利要求1所述的高速晶体管，其特征在于，所述沟道层为非掺杂Ga2O3层。
8.一种高速晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在衬底上表面生长沟道层；
在所述沟道层上表面生长第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
在所述第一非掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面化学气相沉淀或分子束外延高掺杂(AlxGa1-x)2O3层；
在所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面生长电压调制层；
在所述电压调制层上表面形成栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间区域。
9.根据权利要求8所述的高速晶体管的制造方法，其特征在于，所述在所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层上表面生长电压调制层之后还包括：
在所述电压调制层上表面的源电极区域和漏电极区域进行离子注入和退火以形成两个N型掺杂层；
所述在所述电压调制层上表面形成栅电极、源电极和漏电极具体为：
分别在两个所述N型掺杂层上形成源电极和漏电极，在所述源电极和所述漏电极之间区域形成栅电极。
10.根据权利要求9所述的高速晶体管的制造方法，其特征在于，所述N型掺杂层的上表面为所述电压调制层上表面。
11.根据权利要求9所述的高速晶体管的制造方法，其特征在于，所述N型掺杂层的下表面位于所述沟道层上表面和所述沟道层下表面之间。
12.根据权利要求8所述的高速晶体管的制造方法，其特征在于，所述高掺杂(AlxGa1-x)2O3层为高Si掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
13.根据权利要求8所述的高速晶体管的制造方法，其特征在于，所述电压调制层为第二非掺杂(AlxGa1-x)2O3层。
14.根据权利要求8所述的高速晶体管的制造方法，其特征在于，所述沟道层为非掺杂Ga2O3层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811243002.8A CN109244131B (zh) | 2018-10-24 | 2018-10-24 | 一种高速晶体管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811243002.8A CN109244131B (zh) | 2018-10-24 | 2018-10-24 | 一种高速晶体管及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109244131A CN109244131A (zh) | 2019-01-18 |
| CN109244131B true CN109244131B (zh) | 2024-03-15 |
Family
ID=65081800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811243002.8A Active CN109244131B (zh) | 2018-10-24 | 2018-10-24 | 一种高速晶体管及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109244131B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112968054A (zh) * | 2019-12-12 | 2021-06-15 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件 |
| CN111404023A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 激光器件和激光器件的制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165387A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ＧａＮ系電界効果トランジスタ |
| KR20160031751A (ko) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | 주식회사 유제이엘 | 반도체 소자 |
| CN208819889U (zh) * | 2018-10-24 | 2019-05-03 | 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 | 一种高速晶体管 |
-
2018
- 2018-10-24 CN CN201811243002.8A patent/CN109244131B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165387A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ＧａＮ系電界効果トランジスタ |
| KR20160031751A (ko) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | 주식회사 유제이엘 | 반도체 소자 |
| CN208819889U (zh) * | 2018-10-24 | 2019-05-03 | 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 | 一种高速晶体管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109244131A (zh) | 2019-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8698254B2 (en) | Tunnel field effect transistor and method for manufacturing same | |
| US10381489B2 (en) | Tunnel field effect trasnsistor | |
| EP2068355A1 (en) | Compound semiconductor device and process for producing the same | |
| US20130240901A1 (en) | Nitride semiconductor device | |
| CN110148625B (zh) | 一种氧化镓垂直结型场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN104037081A (zh) | 异质结晶体管及其制造方法 | |
| CN108365008B (zh) | 具有p型二维材料栅极增强型氮化镓场效应器件的制备方法 | |
| US10998435B2 (en) | Enhancement-mode device and method for manufacturing the same | |
| JP3792390B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2016051775A (ja) | Ｍｉｓ型半導体装置 | |
| CN113257924B (zh) | 带高阻层的肖特基二极管及其制备方法、功率二极管模块 | |
| JP2016058693A (ja) | 半導体装置、半導体ウェーハ、及び、半導体装置の製造方法 | |
| CN109244131B (zh) | 一种高速晶体管及其制造方法 | |
| JP5299805B2 (ja) | トランジスタ | |
| JP5276849B2 (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法 | |
| CN111653617B (zh) | 一种增强型氮化物功率器件及制作方法 | |
| CN117219676A (zh) | 一种异质pn结栅极的增强型HEMT器件 | |
| WO2021035946A1 (zh) | 高耐压高电子迁移率晶体管及其制备方法 | |
| CN110518067B (zh) | 基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用 | |
| CN112201689A (zh) | 基于ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN208819889U (zh) | 一种高速晶体管 | |
| JP6594272B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN113745333A (zh) | 一种含δ掺杂势垒层的常关型氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 | |
| CN114496788A (zh) | 一种p型沟道氮化镓晶体管及其制备方法 | |
| KR101935928B1 (ko) | 게이트 누설 전류가 감소된 고 전자 이동도 트랜지스터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20230801 Address after: 518000 107, building 37, chentian Industrial Zone, chentian community, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong Province Applicant after: Shenzhen Huaxun ark Intelligent Information Technology Co.,Ltd. Address before: 518102 East, 2nd floor, building 37, chentian Industrial Zone, Baotian 1st Road, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: SHENZHEN HUAXUN FANGZHOU MICROELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20231206 Address after: Building 7-6, Industrial Control Cloud Creation Port, No. 58 Hongtu Avenue, Honggutan District, Nanchang City, Jiangxi Province, 330000 Applicant after: Jiangxi Huaxun Fangzhou Intelligent Technology Co.,Ltd. Address before: 518000 107, building 37, chentian Industrial Zone, chentian community, Xixiang street, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen Huaxun ark Intelligent Information Technology Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |