JP2006505959A - 縁部を有する多層ウェハの急速熱アニール方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、半導体材料から選択された材料製の、縁部を有する多層ウェハ（１０）を熱処理する方法を提供する。この方法は、アニール中、縁部による熱吸収の局所差を考慮に入れて、縁部で加熱を局所的かつ選択的に適合させることを特徴とする。

Description

本発明は、半導体材料から選択された材料より成る、縁部を有する多層ウェハに熱処理を施す方法に関する。

本明細書で用いる用語「縁部を有する多層ウェハ」は、以下の２つの特徴を有する半導体材料のウェハを意味する。
・ウェハは「多層」ウェハであり、すなわち、少なくとも２つの層のアセンブリから構成される。
・多層ウェハは「縁部」を有し、すなわち、厚みに段差がある周縁部（本発明が関するウェハの種類は、ほぼ円形であることを理解されたい）を有する。というのは、典型的には、ウェハの少なくとも１つの上部層が周縁部に存在せず、そこには１つ（または複数）の下部層のみが存在するからである。

また、本発明の好ましい（しかし限定的ではない）応用例は、以下の層のアセンブリを含む、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）型のウェハに関する。
・シリコンの頂部作用層
・酸化物で構成される絶縁中間層
・底部支持層

この種のウェハを得るのによく適した方法は、弱部域が形成される転写法である。このような状況下では、シリコンの作用層は、弱部域が形成されたシリコン基板から得られる。

この種の方法の一例は、Ｓｍａｒｔｃｕｔ（登録商標）型の方法である。

ＳＯＩウェハがその基板から弱部域で切り離されるとき、シリコン層の中央部分（上から見てほとんどの部分を占める）だけが実際に基板から切り離される。

ウェハの周辺領域は、実際には切り離されることはなく、したがって、その結果得られるＳＯＩウェハは下向きの段差の形の「縁部」を有することになる。

この様子をごく概略的に図１に示す。ここでは、切り離し後のＳＯＩウェハ１０が示されており、このウェハは、支持層１００、絶縁層１０１、およびシリコン作用層１０２を含み、層１０１と１０２が、幅が数ミリメートルの周縁部１０００を画定している。

ＳＯＩは、本発明の応用例のうちの一例にすぎず、本明細書では単に説明のためだけに用いることを強調しておく。本発明は、半導体材料から選択される材料より成る、縁部を有するどんなタイプの多層ウェハにも適用可能である。

この種のウェハには、例えば、ウェハの１つまたは複数の層の組成を改変する、２つの層の間の接合面を安定させる、構造欠陥を修復する、および／またはウェハの表面状態を改善する等の目的で、一般に熱処理が施される。

このような熱処理（またはアニール操作）は、多種多様な方式で実施することができる。

したがって、本発明の応用例では、いくつかのアニール操作が、「低い」温度と呼ばれる温度範囲で実施される。

本発明の例では、「低い」温度は慣例により約５００℃から６００℃よりも低いと定義される。

この定義は、専ら本発明の説明のためだけのものであり、必ずしも本発明の技術分野において普遍的に受け入れられている定義に相当するわけではないことを理解されたい。

アニールはまた、「高い」温度で、すなわち約５００℃から６００℃よりも高い温度でも行うことができる。

高温アニールの１つの具体的な方式は、急速熱処理（ＲＴＰ）として知られているものである。

ＲＴＰ方式では、処理温度は一般に非常に高く（典型的には約９５０℃以上）、アニールの継続時間は数分程度に抑えられる。

したがって、温度が約１１００℃から１２５０℃に達する急速熱アニール（ＲＴＡ）をＳＯＩタイプのウェハに施す場合、アニールの合計継続時間は、ほんの数十秒程度であることが周知である。

この種のアニールの効果は、ウェハの表面を滑らかにすることである。

この種のウェハの粗さ仕様は、実効値（ｒｍｓ）で５オングストローム（Å）を超えてはならないのが普通である。

ウェハ（特にＳＯＩウェハ）はまた、他のタイプのＲＴＰアニール、例えば、急速熱酸化（ＲＴＯ）タイプのアニールを施すこともできる。酸化雰囲気下で実施されるこの種のアニールは、ウェハの表面を酸化させる働きをする。

したがって、本発明が適用されるウェハは、様々なタイプのアニールを施すことができる。

本出願人は、この種のウェハに実施されるアニール操作が欠点を伴うことに注目してきた。

より正確にいうと、本出願人は、（ＲＴＡ、ＲＴＯ等を含む）ＲＴＰタイプのアニール操作によって、ウェハに「スリップ・ライン」として知られる欠陥が生じることに注目してきた。

このようなスリップ・ラインは、特に、アニール炉内の三次元における温度のばらつき（すなわち、すべての点において温度が厳密に同一ではない）によって生じ、また、これらのスリップ・ラインは、上述の極めて高レベルの熱応力の作用の下で発達することになる。

また、これらのスリップ・ラインは、一般にウェハの周辺領域から出現し始めることが認められている。

縁部を有する多層ウェハでは、ウェハの周辺部のこのスリップ・ライン現象は特に深刻である。

したがって、ＲＴＰタイプのアニールではスリップ・ラインが生じる傾向があり、この欠点は、特に本発明が対象とするウェハ（半導体材料から選択された材料より成る、縁部を有する多層ウェハ）ではより一層深刻になる。

この種の熱処理は、極めて急速な温度上昇を伴うので、ウェハが極めて高レベルの熱応力にさらされることになる。

この重大な欠点は、１つまたは複数の熱源から熱を輻射させて実施されるアニールでは、より深刻であることが観察されるはずである。典型的な具体例は、熱輻射を発する赤外線ランプを用いるＲＴＰアニールであり、この処理ではウェハがランプに面して配置される。

この欠点は、アニールが熱伝導によって実施されるときは、（ウェハを取り囲む熱伝導ガスで充填されたアニール炉内で行われるので）それほど深刻でない。

ＲＴＰ方式を用いないアニール（すなわち低温で実施されるアニール）では、この欠点は、それほど深刻でない。

しかし、別の欠点が残る。すなわち、低温のアニールを用いても、ウェハの変形が依然として観察されることがある。

このような変形は、通常は、ある程度はウェハの曲がりまたはねじれに関連し、例えば、ウェハの反りのばらつきとして観察される。

反りは、完全に平坦であるべき「理想的」なウェハに比べて、ウェハの最大の変形を表す。

このような反りは、ＲＴＰ方式で実施されるアニールでも観察されることがある。

したがって、半導体材料から選択された材料より成る、縁部を有する多層ウェハに対して実施されるアニールが欠点を伴うことが明らかである。

本発明の目的は、これらの欠点を解消することである。

この目的を達成するために、第１の態様では、本発明は、半導体材料から選択された材料より成る、縁部を有する多層ウェハを熱処理する方法を提供する。この方法は、アニール中、リングによる熱吸収の局所差を考慮に入れるように、縁部で加熱を局所的かつ選択的に適合させることを特徴とする。

このような方法は、特に、縁部を有する多層ウェハの問題に関係する。本出願人が提起するこの問題は、そのような多層ウェハの縁部における熱吸収率の差に関連する。

この点に関して、いくつかの文献では、ウェハを局所的に加熱する解決策、例えば、ウェハの様々な領域に面して配置された複数の赤外線ランプに選択的に電力供給することが提案されていることに触れておく。

しかし、それらの文献はいずれも、上述の特定の問題を解決することを全く追求してはいない。それらの文献の教示は、概して、縁部のない簡単な単一層ウェハの処理に限られており、このウェハ処理では、本発明が基づく特定の問題は生じない。

また、他の文献では、熱伝導リングを用いて、ウェハの周辺部で加熱を適合させる解決策が提案されていることも明記しておく。

しかし、それらの文献の教示は、縁部作用を回避するために、熱的連続性を確立することに限られており、その縁部作用は上述の特定の問題には該当しない。

上述の従来技術に関する文献の例には、特に以下のものが含まれる。
・ＷＯ０１／６９６５６号（熱を吸収するとともにその熱をそれが取り囲むウェハに戻す、従来の方式で動作するリングを開示するが、具体的には、本発明が基づく特定の問題に対処するためにリングまたはその配置を適合させることは全く行ってはいない）。
・ＵＳ２００１／０３６２１９号およびＵＳ５９３７１４２号では、多層ウェハではないウェハで、局所的に加熱を適合させることが提案されている。
・ＵＳ６２３５５４３およびＵＳ６１８４４９８号では、欠陥が生じる条件に応じて後で加熱を適合させる目的で、ウェハに欠陥が生じる条件を特許付けすることのできるシステムが提案されているが、このウェハもやはり多層ウェハではない。
・ＥＰ３９９６６２号、ＥＰ１１９７９８９号、ＵＳ４９５８０６１号、およびＵＳ６０５１５１２号では、熱伝導リングおよびその実施方法がいくつか提案されている。

それらの文献はいずれも、本発明が基礎とする課題（多層ウェハの縁部における熱吸収率の差によって生じるスリップ・ライン等の欠陥の発生を防止すること）に取り組んではいない。

さらに、それらの文献はいずれも、特に多層ウェハに伴う問題については言及もしていない。

本発明の方法に戻ると、この方法の好ましいが非限定的な特徴は、以下の通りである。
・熱処理は、急速熱処理である。
・熱処理は、平滑化アニールである。
・熱処理は、酸化アニールである。
・加熱を適合させるために、ウェハの中央領域と縁部のそれぞれの熱吸収率が考慮に入れられる。
・前記熱吸収率は、ウェハの層を構成する材料の性質、および前記層のそれぞれの厚みに基づいて決定される。
・ウェハはＳＯＩウェハであり、縁部のないウェハの所与の加熱基準に比べて、縁部で加熱が選択的に低減される。
・加熱を適合させるために、縁部に面して位置する赤外線ランプへの電力供給が選択的に制御される。
・アニール中、ウェハが熱伝導構造の中に配置される。
・加熱を適合させるために、熱伝導構造の寸法が選択的に適合される。
・ウェハはＳＯＩウェハであり、縁部のないウェハのアニールに比べて、熱伝導構造の厚みが低減される。
・加熱を適合させるために、ウェハと熱伝導構造の間隔が選択的に適合される。
・ウェハはＳＯＩウェハであり、縁部のないウェハのアニールに比べて、ウェハと熱伝導構造の間隔が増大される。
・加熱を適合させるために、熱伝導構造の形状が選択的に適合される。
・ウェハはＳＯＩウェハであり、縁部のないウェハのアニールに比べて、ウェハに面する縁部が下方に傾斜している熱伝導構造が用いられる。
・ウェハは、熱吸収率がその中央領域とその縁部でほぼ等しくなるように選択される。
・ウェハの中央領域と縁部での熱吸収率をほぼ等しくするのに、ウェハ層の中央領域とその縁部を構成する材料の性質、および前記層のそれぞれの厚みが考慮に入れられる。

第２の態様では、本発明はまた、ＳＯＩウェハを熱処理する際の、上述の特徴のいずれか１つによる方法の使用を提案する。

最後に、第３の態様では、本発明は以下のものを提供する。
・上述の特徴のいずれか１つによる方法に用いる熱伝導構造であって、縁部による熱吸収の差にもかかわらず、ウェハの縁部でウェハ表面の残りの部分の温度とほぼ等しい温度が確立される助けとなるように、熱伝導構造の寸法が適合されることを特徴とする熱伝導構造。
・上述の特徴のいずれか１つによる方法で用いる熱伝導構造であって、縁部による熱吸収の差にもかかわらず、ウェハの縁部でウェハ表面の残りの部分の温度とほぼ等しい温度が確立される助けとなるように、熱伝導構造の形状が適合されることを特徴とする熱伝導構造。この構造の断面は、具体的には、内側に向かって下方に傾斜する縁部を有してもよい。

本発明の他の態様、目的および利点は、上述の図１に加えて、添付の図面を参照して行う、本発明の好ましい実施形態についての以下の説明を読めばより明確になるであろう。

まず図２を参照すると、縁部を有するウェハ１０にアニールを実施するアニール装置２０が示されている。

この装置は、ＲＴＰタイプのアニール、例えば平滑化を目的とするアニールを実施するのに適している。

このタイプの装置は、この種のアニールによって生じる欠点（スリップ・ラインや他の欠点）が特に深刻であるので、本発明を説明するのに選択したものである。

したがって、本発明の特に有利な応用例は、ＲＴＯアニール等のＲＴＰタイプのアニール、またはウェハ表面を滑らかにするＲＴＡタイプの仕上げアニールを用いるものである。

とはいえ、本発明はこの種のアニールに限られず、本明細書の冒頭で述べたアニールのすべての方式に適用できることを明記しておく。

したがって、装置２０を用いて、ＲＴＰ方式でない高温アニール、さらには低温アニールさえも実施することができる。

さらに、ＲＴＰタイプのアニール（この装置はその実施にも適している）では、本明細書の冒頭で述べたいくつかの欠点（特に反り）が、高温での保圧の前に実施される温度上昇中に生じることがある。

この図では、図３ａから３ｃと同様に、ウェハ１０は、２つの層だけが見えるように示されている。とはいえ、上述のように、ウェハはどんなタイプのウェハでもよい。

本発明の好ましい応用例では、ウェハ１０はＳＯＩウェハである。

このウェハは、半導体材料から選択された材料より成る、縁部を有するどんな多層ウェハでもよい。

具体的には、ウェハは、シリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）ウェハ、または（任意の種類からなる、例えばＳｉ製の）支持基板上にＳｉＧｅ製の薄膜層を有するウェハとすることができ、この部類のウェハは、一般に、その縁部で、ＳＯＩウェハと同じく熱応力に伴う問題を有し、ＳＯＩウェハを以下で本明細書の例として用いる。

この点に関して、ＳＯＩウェハに関して述べる以下の説明は、具体的には、上述の部類のウェハにそのままあてはまることも明記しておく。

ウェハはまた、ＳＯＱタイプ（シリコン・オン・クオーツ）の多層ウェハとすることもできる。

いずれにしても、本発明が適用されるウェハは、縁部を有する多層ウェハであり、そうしたウェハに対して、本発明は、縁部による熱吸収のどんな差にも対処する有利な解決策を提供する。

ウェハ１０は、ウェハに面して配設された赤外線ランプＬによって加熱される。

ユニット２００は、ランプへの電力供給を制御する働きをする。

以下で説明するように、ユニット２００は、それぞれのランプから個別に発せられるパワーを制御するように、様々なランプへの電力供給を選択的かつ個別に制御するのに適している。

その結果、各ランプによって発せられるパワーを個別に制御することが可能になる。

この技術に関するさらなる説明については、例えば文献、ＷＯ０１／６９６５６号を参照することができ、ここでは、様々なランプを個別に制御する（急速熱アニール用の）アニール装置が示されている。

（装置の断面を示す）図２には、ウェハ１０を取り囲むとともに、ウェハから間隔を置いて配置された熱伝導構造２１も示されていることが分かる。

したがって、この構造２１は、ウェハ１０の周りで同心円状に配置された閉リングの形である。

「エッジ・リング」と一般に呼ばれるこの構造は、ウェハ１０の縁部を越えて、一定量の熱吸収伝導を確立する働きをする。

このような構造がなければ、ウェハの周辺で、縁部干渉現象（ｉｎｔｅｒｆｅｒｉｎｇ ｅｄｇｅ ｅｆｆｅｃｔ）が生じることになる。

このようなエッジ・リングの一例が、ＷＯ０１／６９６５６号の文献（エッジ・リング１７）で見られる。

本発明が解決しようとするいくつかの欠点は、ウェハの周縁部領域から出現し始める（スリップ・ラインの発生では特にそうである）。

しかし、ウェハの周りに熱伝導構造を配置するだけでは、これらの欠点の解決にはならないことを強調しておく。

従来技術では、エッジ・リングの機能は、ウェハの縁部を越えて熱吸収のある程度の連続性を確立することに限られている。

このため、エッジ・リングは通常、「基本」断面が矩形である。

以下で説明するように、本発明の一実施形態では、エッジ・リングの中央に配置したウェハの周縁部に、局所的かつ選択的な加熱を適合させる特定の機能を実施するように、このようなエッジ・リングを改良することが提案される。

さらに、周知のエッジ・リングでは、エッジ・リングと、そのエッジ・リングが取り囲むウェハの間隔とは、通常、ウェハを熱処理中に膨張可能にする目的だけで寸法設定される。

本発明では、ウェハにより多くのまたはより少ない熱量を戻すために、この間隔をウェハの縁部での熱吸収率に応じて選択的に適合させることができる（エッジ・リングとウェハの間隔がより狭いとき、より多くの熱が戻ることになる）。

この局所的吸収率を用いてウェハの縁部での加熱を増大させたいときは、その間隔を狭くする。一方、ウェハの縁部での吸収係数のために、その縁部での加熱を減少させる必要がある場合は、その間隔を広くする。

ウェハの周縁部を考慮に入れるために、前記リングに面するランプＬに選択的に電力供給し、それによってそれらランプは前記縁部の固有の熱吸収特性に適合した熱力を輻射するようにする。

したがって、ＳＯＩウェハでは、
・ＳＯＩの多層構造を有する中央領域では、熱吸収率は、ＳＯＩの厚みに応じて、０．４から０．８の範囲にある。
・一方、周縁部は異なる熱吸収率を有する。例えば、支持体がシリコンより成る場合、この率は約０．７でよい。

したがって、中央領域と縁部領域とでは、同じようには赤外線熱輻射を吸収も反射もしないことが理解されるであろう。

これらの差は、これらの２つの領域の表面上で局所的な温度差を引き起こし、したがって、スリップ・ラインの発生を助長することになる。

縁部による熱吸収のこの差が考慮に入れられるように選択的かつ局所的に縁部で加熱を適合させることにより、ウェハのこれら両方の領域の表面にわたってほぼ等しい温度が確立されるようになり、それによってスリップ・ラインの発生が防止される。

装置２０には、混合ガス、例えば水素とアルゴンの混合気体が充填されるが、純粋なアルゴンを充填することもできる。

ウェハは、大部分がランプＬから直接届く赤外線輻射によって加熱されるが、その加熱の一部分は、混合ガスを介した熱伝導による。

このため、前記ウェハに面する様々なランプを選択的に制御することにより、ウェハ温度の局所的な制御が容易になる。

様々なランプに与えられる選択コマンドを規定するために、ウェハの中央領域と縁部のそれぞれの熱吸収率が主に考慮される。

これらの熱吸収率は、実質的に、ウェハのこれらの２つの領域の層を構成する材料の性質および前記層のそれぞれの厚みに基づいて決定される。

したがって、図４は、シリコン基板上の酸化物層上にシリコン層を備えたウェハの簡単な例を示す。

この図では、これらの２つの層の相対的な厚みに応じて熱吸収率が変動することが分かる。

当然ながら、どんなタイプの多層ウェハでも、その様々な層の性質に応じて、同等のグラフを作成することが可能である。

複合構造である（すなわち、様々な層を積み重ねて構築される）ＳＯＩウェハでは、ＳＯＩ自体に相当する中央領域では、シリコンの周縁部よりも吸収される熱が少ないことが一般に判明している。

このような場合、非複合構造を加熱する場合に比べて、ウェハの中央領域を縁部よりも多く加熱するのが適当である。

半導体材料から選択された材料より成る、縁部を有する多層ウェハでは、装置のランプへの電力供給は、２つの領域の熱吸収率に応じて、中央領域を選択的に周辺領域よりも多くまたは少なく加熱するように適合される。すなわち、
・縁部がウェハの中央領域よりも低い熱吸収率を有する場合、中央領域よりも縁部で加熱がより強化される。
・逆の状況があてはまる場合、中央領域で加熱がより強化される。

したがって、多層ウェハの各層の熱吸収率を決定することにより、多層ウェハの様々な領域に加えられる加熱を適合させることが可能になる。

この加熱の適合化は、上述したように、様々な赤外線ランプに供給する電力を選択的に適合させることによって実施できることを理解されたい。

しかし、ヒータ手段へのそのような選択的な電力供給の代替手段として、またはそれと組み合わせて他の手段によって加熱を適合させることもできる。

いずれにせよ、熱吸収率は、具体的には図４に示すタイプのグラフを用いて決定することができる。このグラフは、多層ウェハの、ウェハ材料の性質およびウェハの厚みの関数として熱吸収率を示している。

したがって、赤外線ランプへの選択的な電力供給を用いる場合、ウェハの様々な領域で実際に吸収される熱量をより均一にするための第１の手段が利用可能になる。

これらの第１の手段は、熱伝導構造を利用しない本発明の第１の実装形態に対応する。

この実装形態では、構造の使用は任意選択であり、省略することもできる。

しかし、以下で説明するように、ウェハの様々な領域で実際に吸収される熱量をより均一にするための第２の手段が構成されるように、このような熱伝導構造を適合させうまく実装することができる。

熱伝導構造のこのような適合化／実装が、本発明の第２の実装形態を構成する。

この第２の実装形態は、任意選択で第１の実装形態と組み合わせることができる。

図２に示す熱伝導構造２１に戻ると、この構造は、図２に示すように、ウェハの周りに、ウェハと同じ高さに配置することができる。

使用するアニール炉に伴う制約に応じて、この熱伝導構造は、別法として、ウェハの周りではあるが、ウェハよりも下に配置することもでき、それによって、ウェハを、水平経路をたどってそのアニール位置に移動させることが可能になる。

図３ａから３ｃは、３種類の熱伝導構造を示す。

図３ａは、一定の厚みの矩形断面を有する、この種の構造の従来の構成を示す。

本発明の第２の実施形態では、この種の熱伝導構造を、前記縁部による熱吸収の局所差を考慮に入れて、ウェハの縁部で局所的に温度が適合されるようにその寸法を選択的に適合させて使用することが可能である。

構造２１（すなわち図３ａから３ｃに示す断面の幅が広い方）がより厚くなると、ウェハの縁部の温度を増大させる傾向がある。

したがって、ウェハの中央領域と縁部のそれぞれの熱吸収率の関数として、熱伝導構造の厚みを変えることが可能である。

縁部が中央領域よりも熱吸収率が高いＳＯＩの例に戻ると、熱伝導構造の厚みは、縁部のないウェハをアニールする場合よりも薄い。

また、ウェハと熱伝導構造２１の間隔ｅを選択的に適合させることも可能である。

この間隔を広くすると、ウェハの縁部での温度を下げる一助となる。

上述のＳＯＩの例では、間隔ｅは、縁部のないウェハのアニールに比べて広くすべきである。

縁部の加熱を局所的かつ選択的に適合させるために、熱伝導構造の形状を選択的に適合させることも可能である。

したがって、図３ｂおよび３ｃは、構造２１の特定の形状の断面を示す。すなわち、
・図３ｂに示すように、この断面は、内側に向かって下方に傾斜した形状とすることができる。
・図３ｃに示すように、この断面は、同じく内側に向かって下方に傾斜した表面を有する、丸みのある頂部を有することもできる。

具体的には、断面がウェハに面して下方に傾斜した熱伝導構造２１を用いると、前記ウェハの縁部の温度を下げる一助となる。

したがって、この解決策は、上述のＳＯＩウェハの例によく適合する。

構造２１の寸法、間隔ｅの大きさ、および構造２１の形状に関する上述の処置は、互いに組み合わせて用いることができることを強調しておく。

これらの処置はまた、ランプＬへの選択的な電力供給と組み合わせて用いることもできる（上述の本発明の２つの実装形態を共に組み合わせる）。

本発明の第３の実装形態では、図４に示す種類のグラフを用いて、縁部を有するが、その中央領域とその縁部で熱吸収率がほぼ等しい多層ウェハを選択することも可能である。

これは、ウェハ層のこれらの２つの領域を構成する材料の性質、およびこれらの層のそれぞれの厚みを考慮に入れることによって実現することができる。

具体的には、所与の材料の層を有するウェハを加工する場合、ウェハの中央領域と縁部で熱吸収率がほぼ等しくなるように、各層の厚みを適合させることが可能である。

この第３の実装形態では、ウェハの熱吸収率が（ウェハ全体で、または局所的に）改変されるように、複数の層または層部分を選択的に加えることも可能である。

こうすると、熱特性が改変されたウェハが得られる。

具体的には、これによって、ウェハに所望の熱吸収率を与えるために、ウェハの様々な層で可能な厚みの範囲を広げることが可能になる。

選択された熱特性を有する層を加えると、やはりウェハに所望の熱吸収率を与える目的で、ウェハの他の層で選択できる層の厚みの許容範囲を広げることができる。

可能な厚みの範囲のこのような広がりは、当該ウェハに関して、（ＳＯＩウェハに対応する）図４と同様のグラフを作成することによって特徴付けることができる。

本発明のこの第３の実装形態もまた、上述の最初の２つの実装形態の一方または両方と組み合わせることができる。

ウェハ層の厚みの選択、および／または特別な層の挿入は、上述の処置（ランプＬに選択的に電力供給すること、熱伝導構造２１の特性を適合させること）のすべてと組み合わせて実施することができ、それによってウェハの中央領域と縁部のそれぞれの熱吸収率の差を最小限に抑えることが可能になる。

剥ぎ取り後のＳＯＩウェハを示す概略図である。 本発明によるアニールを実施可能とする装置の概略図である。 従来の熱アニールで実装される熱伝導構造を示す概略図である。 本発明のアニール操作で実装される熱伝導構造を示す概略図である。 本発明のアニール操作で実装される熱伝導構造を示す概略図である。 多層ウェハの熱吸収率の値をウェハの各層のそれぞれの厚みの関数として示すグラフである（Ｔｉｍａｎｓ他著、「半導体製造技術ハンドブック、２２４ページ、２０００年」から引用）。

Claims (21)

1. 半導体材料から選択された材料より成る、縁部を有する多層ウェハを熱処理する方法であって、アニール中、前記縁部による熱吸収の局所差を考慮に入れるように、前記縁部で加熱を局所的かつ選択的に適合させることを特徴とする方法。
2. 前記熱処理が急速熱処理であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記熱処理が平滑化アニールであることを特徴とする前記請求項１に記載の方法。
4. 前記熱処理が酸化アニールであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
5. 加熱を適合させるために、前記ウェハの中央領域と前記縁部のそれぞれの熱吸収率が考慮に入れられることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の方法。
6. 前記熱吸収率が、前記ウェハの層を構成する前記材料の性質、および前記層のそれぞれの厚みに基づいて決定されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
7. 前記ウェハがＳＯＩウェハであり、縁部のないウェハに対する所与の加熱基準に比べて、前記縁部で加熱が選択的に低減されることを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の方法。
8. 加熱を適合させるために、前記縁部に面した位置にある赤外線ランプへの電力供給が選択的に制御されることを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載の方法。
9. アニール中、前記ウェハが熱伝導構造内部に配置されることを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の方法。
10. 前記加熱を適合させるために、前記熱伝導構造の寸法が選択的に適合されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 前記ウェハがＳＯＩウェハであり、縁部のないウェハのアニールに比べて、前記熱伝導構造の厚みが低減されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
12. 前記加熱を適合させるために、前記ウェハと前記熱伝導構造の間隔が選択的に適合されることを特徴とする請求項９乃至１１いずれかに記載の方法。
13. 前記ウェハがＳＯＩウェハであり、縁部のないウェハのアニールに比べて、前記ウェハと前記熱伝導構造の前記間隔が増大されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
14. 前記加熱を適合させるために、前記熱伝導構造の形状が選択的に適合されることを特徴とする請求項１０乃至１４いずれかに記載の方法。
15. 前記ウェハがＳＯＩウェハであり、縁部のないウェハのアニールに比べて、前記ウェハに面する縁部が下方に傾斜している熱伝導構造が使用されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
16. 前記ウェハが、熱吸収率がその中央領域とその縁部でほぼ等しくなるように選択されることを特徴とする請求項１乃至１５いずれかに記載の方法。
17. 前記ウェハの前記中央領域と前記縁部での前記係数をほぼ等しくするために、前記ウェハ層の前記中央領域とその縁部を構成する前記材料の前記性質、および前記層の前記それぞれの厚みが考慮に入れられることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
18. ＳＯＩウェハを熱処理する際の請求項１乃至１７いずれかに記載の方法の使用。
19. 請求項１乃至１６いずれかに記載の方法に用いる熱伝導構造であって、前記縁部による熱吸収の前記差にもかかわらず、前記ウェハの縁部で前記ウェハ表面の残りの部分の温度とほぼ等しい前記温度が確立される助けとなるように、前記熱伝導構造の前記寸法が適合されることを特徴とする熱伝導構造。
20. 請求項１乃至１６いずれかに記載の方法に用いる熱伝導構造であって、前記縁部による熱吸収の前記差にもかかわらず、前記ウェハの縁部で前記ウェハ表面の前記残りの部分の温度とほぼ等しい前記温度が確立される助けとなるように、前記熱伝導構造の前記形状が適合されることを特徴とする熱伝導構造。
21. 前記構造の断面が、内側に向かって下方に傾斜する表面を有することを特徴とする請求項２０に記載の熱伝導構造。

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