JP2006339446A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板1に狭い開口幅の第1の素子分離用溝8と広い開口幅の第2の素子分離用溝18を形成する。HDP膜9を第2の素子分離用溝18内が埋められる膜厚で形成し、CMP法で研磨して第1の素子分離用溝8側にできたボイド9aを露出させ、この内部にポリシラザン膜10を埋め込み形成し、外部に残ったポリシラザン膜10はCMP処理で除去する。容積の広い第2の素子分離用溝18内にはポリシラザン膜10を充填しないので、応力や固定電荷の問題を引き起こすことなくSTI2、5を形成できる。
【選択図】 図1
Description
以下、本発明を不揮発性記憶素子であるNAND型フラッシュメモリに適用した場合における第1の実施形態について図1ないし図13を参照して説明する。
まず、図3に示すように、シリコン基板1上に、熱酸化技術を用いて、厚さ約10nmのシリコン酸化膜11を形成する。これは前述したようにメモリセルトランジスタのゲート酸化膜として機能するものである。また、製造工程は図示しないが、このとき、周辺回路領域の高耐圧トランジスタを形成する部分にはゲート酸化膜として厚さ約40nmのシリコン酸化膜19を形成する。
次に、図5に示すように、フォトレジスト21をマスクとして、RIE(Reactive Ion Etching)法により、シリコン窒化膜20、第2の多結晶シリコン膜13、第1の多結晶シリコン膜12、シリコン酸化膜11、19、シリコン基板1をエッチングし、メモリセル領域には狭い(第1の)開口幅d1の第1の素子分離用溝8、周辺回路領域には広い(第2の)開口幅d2の第2の素子分離用溝18を形成する。続いて、アッシング技術をもちいてフォトレジスト21を除去する。
この後、RIE法により、図12に示すように、フォトレジスト22をマスクとしてメモリセル領域のHDP膜9及びポリシラザン膜10を100nm程度エッチングして掘り下げる加工をした後、アッシング技術を用いて、フォトレジスト22を除去する。
図14ないし図20は本発明の第2の実施形態を示すもので、以下、第1の実施形態と異なる部分について説明する。
図14は、図1に相当する模式的な断面図である。この図14において、狭い(第1の)開口幅の第1の素子分離用溝8には、第1の素子分離用絶縁膜としてTEOS膜23が埋め込み形成されており、この上部に発生しているボイド23aには塗布型酸化膜としてのポリシラザン膜10が充填されている。また、広い(第2の)開口幅の第2の素子分離用溝18には、側壁部および底面部に所定膜厚で第1の素子分離用絶縁膜であるTEOS膜23が形成され、その上に内部を充填するようにHDP膜24が埋め込み形成されている。
第1の実施形態と同様にしてシリコン基板1にシリコン酸化膜11、19を形成すると共に、多結晶シリコン膜12、13およびシリコン窒化膜20を形成する(図3参照)。続いて、第1および第2の素子分離用溝8、18を形成する(図4、図5参照)。
次に、図15に示すように、減圧CVDにて、TEOS膜23を50nm堆積し、続いてHDP法にてHDP膜24を500nm堆積する。TEOS膜23は、第1の素子分離用溝8内を埋めることができる程度の膜厚で形成される。図15(a)に示すように、メモリセル領域においては、第1の素子分離溝8内に形成したTEOS膜23には、内部にボイド23aが発生している。また、図15(b)に示すように、周辺回路領域においては、第2の素子分離用溝18内にTEOS膜23およびHDP膜24が順次積層形成された状態となっている。
次に、図17に示すように、フォトリソグラフィ技術により、フォトレジスト25をパターニングしてメモリセル領域以外(ここでは周辺回路領域)を覆うように加工する。
続いて図18に示すように、RIE法によりフォトレジスト25をマスクとして、メモリセル領域のTEOS膜23を50nmエッチングして掘り下げる処理を行う。これにより、図18(a)に示すように、第1の素子分離用溝8内のTEOS膜23のボイド23aが露出し、開口部23bが形成される。この後、アッシング技術を用いてフォトレジスト25を除去する。
この後、図20に示すように、RIE法によりポリシラザン膜10、TEOS膜23およびHDP膜24を200nmエッチングして掘り下げる。以後は、第1の実施形態と同様にしてシリコン窒化膜20を除去する工程を経て、ONO膜14、コントロールゲート電極を構成する第3の多結晶シリコン膜15、WSi膜16およびシリコン酸化膜17を積層形成することで、図14に示すような構成を得る。
図21ないし図25は本発明の第3の実施形態を示すもので、以下、第2の実施形態と異なる部分について説明する。なお、この実施形態では、第2の実施形態と同様にして第1の素子分離用絶縁膜としてTEOS膜23を用いると共に、第2の素子分離用絶縁膜としてHDP膜24を用いている。途中までの形成工程は第2の実施形態と同じであるが、形成する膜の膜厚が若干異なる部分がある。
以上のようにして第2の実施形態で示した図20の状態を得ることができる。そして、このような第3の実施形態によっても第2の実施形態と同様の作用効果を得ることができるようになる。
図26および図27は本発明の第4の実施形態を示すもので、第1の実施形態と異なるところは次の通りである。前述した第1の実施形態においては、図6においてHDP膜9を堆積した後に、CMP法によりHDP膜9を研磨してボイド9aを露出させたが、RIE法によりメモリセル領域のHDP膜9をエッチングしてボイド9aを露出させてもよい。
本発明は、上記実施例にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
上記各実施形態においては、塗布型酸化膜としてSOG膜のうちのポリシラザン膜を用いたが、これに限らず、同じ特性が得られるSOG膜ならば、種類を問わず用いることができる。
素子分離用絶縁膜として用いたHDP膜やTEOS膜は、これらに限らず、これに代わる種々の絶縁膜を用いることができる。
各種の膜の膜厚や形成条件は適宜変更することができる。
Claims (5)
- 第1の開口幅を有する第1の素子分離用溝と前記第1の開口幅より広い第2の開口幅を有する第2の素子分離用溝がそれぞれ複数形成された半導体基板と、
前記第1の素子分離用溝内に上部が部分的に開口するように充填されると共に前記第2の素子分離用溝を埋めるように形成された素子分離用絶縁膜と、
前記第1の素子分離用溝の前記素子分離用絶縁膜の開口部分を充填するように形成された塗布型酸化膜と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 第1の開口幅を有する第1の素子分離用溝と前記第1の開口幅より広い第2の開口幅を有する第2の素子分離用溝がそれぞれ複数形成された半導体基板と、
前記第1の素子分離用溝内に上部が部分的に開口するように充填されると共に前記第2の素子分離用溝の底面および側壁を覆うように形成された第1の素子分離用絶縁膜と、
前記第1の素子分離用溝の前記第1の素子分離用絶縁膜の開口部分を充填するように形成された塗布型酸化膜と、
前記第2の素子分離用溝を埋めるように前記第1の素子分離用絶縁膜の上に形成された第2の素子分離用絶縁膜と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第1の素子分離用絶縁膜はTEOS(Tetra-EthOxy-Silane)膜であり、前記第2の素子分離用絶縁膜はHDP(High Density Plasma)膜であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極膜およびストッパ膜を順次形成する工程と、
前記ストッパ膜、ゲート電極膜、ゲート絶縁膜および半導体基板をエッチングして、第1の開口幅を有する第1の素子分離用溝および前記第1の開口幅よりも広い第2の開口幅を有する第2の素子分離用溝を形成する工程と、
前記第1の素子分離用溝内に素子分離用絶縁膜を埋め込む工程であって、前記第1の素子分離溝内の素子分離絶縁膜は上部に空孔部を有するよう埋め込む工程と、
前記素子分離用絶縁膜をCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理により前記ストッパ膜の上面まで研磨して前記空孔部を開口露出させる工程と、
前記開口された空孔部内を埋めるように塗布型酸化膜を充填する工程と、
前記塗布型酸化膜をCMP処理により前記ストッパ膜の上面まで研磨する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極膜およびストッパ膜を順次形成する工程と、
前記ストッパ膜、ゲート電極膜、ゲート絶縁膜および半導体基板をエッチングして、第1の開口幅を有する第1の素子分離用溝および前記第1の開口幅よりも広い第2の開口幅を有する第2の素子分離用溝を形成する工程と、
前記第1および第2の素子分離用溝内に第1の素子分離用絶縁膜を埋め込む工程であって、前記第1の素子分離溝内の前記第1の素子分離絶縁膜は上部に空孔部を有するよう、また前記第2の素子分離溝内の前記第1の素子分離絶縁膜は前記第2の素子分離溝の底面および側壁に沿って所定の膜厚で形成されるよう前記第1の素子分離絶縁膜を埋め込む工程と、
前記第1の素子分離絶縁膜が底面および側面に形成された前記第2の素子分離用溝内を埋めるように第2の素子分離用絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の素子分離用絶縁膜および前記第1の素子分離用絶縁膜をCMP処理により前記ストッパ膜の上面まで研磨する工程と、
前記第1の素子分離用溝に形成された前記第1の素子分離用絶縁膜を掘り下げることにより前記空孔部を開口露出させる工程と、
前記空孔部内を充填するように塗布型酸化膜を形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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