JP2006319358A - 強誘電体キャパシタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板2と、前記基板2上に形成された酸化シリコン膜4と、前記酸化シリコン膜4上に形成された柱状多結晶からなるイリジウム層と前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に形成された酸化イリジウムを有する下部電極12と、前記下部電極12上に形成された酸化物誘電体層8と、前記酸化物誘電体層8上に形成された上部電極10と、を備え、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の上に白金層が形成されている。
【選択図】図6
Description
また本発明の誘電体キャパシタの製造方法は、基板上に酸化シリコン膜を形成するステップと、前記酸化シリコン膜上に柱状多結晶からなるイリジウム層を形成し、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に酸化イリジウムを形成して下部電極を形成するステップと、前記下部電極上に酸化物誘電体層を形成するステップと、前記酸化物誘電体層上に上部電極を形成するステップと、を備えたことを特徴とする。
また本発明の誘電体キャパシタの製造方法は、前記下部電極を形成するステップは、前記柱状多結晶からなるイリジウム層を形成した後、その上に白金層を設けて熱処理することにより、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に酸化イリジウムを形成するステップであるものを含む。
なお、この発明において、「キャパシタ」とは絶縁体の両側に電極が設けられた構造を指すものであり、電気の蓄積に用いられるか否かにかかわらず、この構造を有するものを含む概念である。
すなわち、本発明の強誘電体キャパシタおよび高誘電率を有する誘電体キャパシタは、白金とイリジウムとの合金層を有する下部電極、下部電極の上に、下部電極の前記合金層に接するように形成された誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備えている。
4 酸化シリコン層
8 強誘電体層
10 上部電極
12 下部電極
90 高誘電率を有する誘電体層
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に形成された酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜上に形成された柱状多結晶からなるイリジウム層と前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に形成された酸化イリジウムを有する下部電極と、
前記下部電極上に形成された酸化物誘電体層と、
前記酸化物誘電体層上に形成された上部電極と、を備え
前記柱状多結晶からなるイリジウム層の上に白金層が形成されている、
誘電体キャパシタ。 - 基板上に酸化シリコン膜を形成するステップと、
前記酸化シリコン膜上に柱状多結晶からなるイリジウム層を形成し、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に酸化イリジウムを形成して下部電極を形成するステップと、
前記下部電極上に酸化物誘電体層を形成するステップと、
前記酸化物誘電体層上に上部電極を形成するステップと、を備えた
誘電体キャパシタの製造方法。 - 請求項2に記載の誘電体キャパシタの製造方法であって、
前記下部電極を形成するステップは、前記柱状多結晶からなるイリジウム層を形成した後、その上に白金層を設けて熱処理することにより、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に酸化イリジウムを形成するステップである、
誘電体キャパシタの製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134710A (ja) * | 1994-01-13 | 2002-05-10 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
JP2006319357A (ja) * | 1994-01-13 | 2006-11-24 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタの製造方法 |
JP2007194655A (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-02 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
Citations (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222616A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | 宇部興産株式会社 | 耐熱性電極薄膜 |
JPH03214717A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-09-19 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | 電気的セラミック酸化物装置用電極 |
JPH03253065A (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-12 | Nec Corp | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
JPH03257858A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Nec Corp | 薄膜コンデンサ |
JPH0451407A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Toshiba Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
JPH0485878A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH0492468A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH0529567A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法 |
JPH0555514A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH05251258A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Corp | 薄膜コンデンサとその製造方法 |
JPH06151383A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置 |
JPH06204431A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-07-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH06204404A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置、並びに容量素子およびその製造方法 |
JPH06350029A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-22 | Texas Instr Inc <Ti> | 微小電子回路構造とその製法 |
JPH077137A (ja) * | 1993-01-27 | 1995-01-10 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロエレクトロニクス構造とその製法 |
JP3247023B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2002-01-15 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタ、不揮発性メモリおよびその製造方法 |
JP3349612B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2002-11-25 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3461398B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2003-10-27 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3689674B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2005-08-31 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3689703B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2005-08-31 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3689702B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2005-08-31 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタの製造方法 |
JP2005303324A (ja) * | 1994-01-13 | 2005-10-27 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
JP3810391B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2006-08-16 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタ |
JP3954339B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-08 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタ |
JP3954390B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-08 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタ |
JP3954635B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-08 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタの製造方法 |
-
2006
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Patent Citations (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222616A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | 宇部興産株式会社 | 耐熱性電極薄膜 |
JPH03214717A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-09-19 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | 電気的セラミック酸化物装置用電極 |
JPH03253065A (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-12 | Nec Corp | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
JPH03257858A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Nec Corp | 薄膜コンデンサ |
JPH0451407A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Toshiba Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
JPH0485878A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH0492468A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH0529567A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法 |
JPH0555514A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH05251258A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Corp | 薄膜コンデンサとその製造方法 |
JPH06151383A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置 |
JPH06204404A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置、並びに容量素子およびその製造方法 |
JPH06204431A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-07-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH077137A (ja) * | 1993-01-27 | 1995-01-10 | Texas Instr Inc <Ti> | マイクロエレクトロニクス構造とその製法 |
JPH06350029A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-22 | Texas Instr Inc <Ti> | 微小電子回路構造とその製法 |
JP3689674B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2005-08-31 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3349612B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2002-11-25 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3461398B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2003-10-27 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3247023B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2002-01-15 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタ、不揮発性メモリおよびその製造方法 |
JP3689703B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2005-08-31 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP3689702B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2005-08-31 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタの製造方法 |
JP2005303324A (ja) * | 1994-01-13 | 2005-10-27 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
JP3810391B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2006-08-16 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタ |
JP3954339B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-08 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタ |
JP3954390B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-08 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタ |
JP3954635B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-08 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタの製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134710A (ja) * | 1994-01-13 | 2002-05-10 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
JP2006319357A (ja) * | 1994-01-13 | 2006-11-24 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタの製造方法 |
JP2007194655A (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-02 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP4554631B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2010-09-29 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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