JP2007184623A - 誘電体キャパシタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下部電極12と、下部電極12の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層8と、誘電体層8の上に形成された上部電極15と、を備えた誘電体キャパシタであって、少なくとも柱状結晶間にその酸化層であるPtO2層、RuOx層、ReOx層、OsOxのいずれか1つの酸化層を有する下部電極12と、下部電極12の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層8と、誘電体層8の上に形成された上部電極15と、を備え、前記酸化層は誘電体層8からの酸素の抜け出しを防止するように構成されている。
【選択図】図1
Description
この誘電体キャパシタは、少なくとも柱状結晶の酸化層であるWOx層、TiOx層、TaOx層、IrO2、PtO2層、RuOx層、ReOx層、PdOx層、OsOx層のいずれか1つの酸化層を有する下部電極、下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備え、前記酸化層は前記誘電体層からの酸素の抜け出しを防止するように構成されている。
4...酸化シリコン層
8...強誘電体層
12...下部電極
15...上部電極
90...高誘電率を有する誘電体層
Claims (2)
- 下部電極と、前記下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された上部電極と、を備えた誘電体キャパシタであって、
少なくとも柱状結晶間にその酸化層であるPtO2層、RuOx層、ReOx層、OsOx層のいずれか1つの酸化層を有する下部電極と、
下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層と、
誘電体層の上に形成された上部電極と、を備え、
前記酸化層は前記誘電体層からの酸素の抜け出しを防止するように構成されていることを特徴とする、誘電体キャパシタ。 - 下部電極を形成するステップと、下部電極の上に強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層を形成するステップと、誘電体層の上に上部電極を形成するステップとを備える誘電体キャパシタの製造方法であって、下部電極を形成するステップは、基板の上に少なくとも柱状結晶間にその酸化層であるPtO2層、RuOx層、ReOx層、PdOx層、OsOx層のいずれか1つの酸化層を有する層を形成し、前記酸化層は前記誘電体層からの酸素の抜け出しを防止するように構成されたことを特徴とする、誘電体キャパシタの製造方法。
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