JP3981142B2 - 強誘電体キャパシタおよびその製造方法 - Google Patents
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また本発明の誘電体キャパシタの製造方法は、基板上に酸化シリコン膜を形成するステップと、前記酸化シリコン膜上に柱状多結晶からなるイリジウム層を形成し、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に酸化イリジウムを形成して下部電極を形成するステップと、前記下部電極の前記酸化物誘電体層に接する側に白金とイリジウムの合金層を形成するステップと、前記下部電極上に酸化物誘電体層を形成するステップと、前記酸化物誘電体層上に上部電極を形成するステップと、を備えたことを特徴とする。
また本発明は、上記誘電体キャパシタの製造方法において、前記下部電極を形成するステップは、少なくとも前記酸化物誘電体層に接する側にイリジウムと白金の合金層を設けて熱処理することにより、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に酸化イリジウムを形成するステップであるものを含む。
なお、この発明において、「キャパシタ」とは絶縁体の両側に電極が設けられた構造を指すものであり、電気の蓄積に用いられるか否かにかかわらず、この構造を有するものを含む概念である。
すなわち、本発明の強誘電体キャパシタおよび高誘電率を有する誘電体キャパシタは、白金とイリジウムとの合金層を有する下部電極、下部電極の上に、下部電極の前記合金層に接するように形成された誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備えている。
4 酸化シリコン層
8 強誘電体層
10 上部電極
12 下部電極
90 高誘電率を有する誘電体層
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に形成された酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜上に形成された柱状多結晶からなるイリジウム層と前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に形成された酸化イリジウムを有する下部電極と、
前記下部電極上に形成された酸化物誘電体層と、
前記酸化物誘電体層上に形成された上部電極と、を備え
前記下部電極の前記酸化物誘電体層に接する側に白金とイリジウムの合金層が形成されている、
誘電体キャパシタ。 - 基板上に酸化シリコン膜を形成するステップと、
前記酸化シリコン膜上に柱状多結晶からなるイリジウム層を形成し、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に酸化イリジウムを形成して下部電極を形成するステップと、
前記下部電極の前記酸化物誘電体層に接する側に白金とイリジウムの合金層を形成するステップと、
前記下部電極上に酸化物誘電体層を形成するステップと、
前記酸化物誘電体層上に上部電極を形成するステップと、を備えた誘電体キャパシタの製造方法。 - 請求項2に記載の誘電体キャパシタの製造方法であって、
前記下部電極を形成するステップは、少なくとも前記酸化物誘電体層に接する側にイリジウムと白金の合金層を設けて熱処理することにより、前記柱状多結晶からなるイリジウム層の結晶間に酸化イリジウムを形成するステップである、
誘電体キャパシタの製造方法。
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