JP3427795B2 - 薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜キャパシタの製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜キャパシタの製造方法Info
- Publication number
- JP3427795B2 JP3427795B2 JP24546899A JP24546899A JP3427795B2 JP 3427795 B2 JP3427795 B2 JP 3427795B2 JP 24546899 A JP24546899 A JP 24546899A JP 24546899 A JP24546899 A JP 24546899A JP 3427795 B2 JP3427795 B2 JP 3427795B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- pzt
- heat treatment
- main component
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1225—Deposition of multilayers of inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1283—Control of temperature, e.g. gradual temperature increase, modulation of temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1295—Process of deposition of the inorganic material with after-treatment of the deposited inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02304—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment formation of intermediate layers, e.g. buffer layers, layers to improve adhesion, lattice match or diffusion barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02356—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment to change the morphology of the insulating layer, e.g. transformation of an amorphous layer into a crystalline layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゾルゲル法によって、
ＰＺＴ等の強誘電体よりなる結晶化薄膜及びそれを用い
たキャパシタを５００℃以下の低温で製造する方法に関
する。
ＰＺＴ等の強誘電体よりなる結晶化薄膜及びそれを用い
たキャパシタを５００℃以下の低温で製造する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電体薄膜を不揮発性メモリの容量絶
縁膜として用いる応用において、メモリの集積度の向上
にはメモリセル面積の減少が不可欠であり、そのために
は現在の高集積ＤＲＡＭで採用されているような導電性
プラグ上に直接強誘電体薄膜キャパシタを作製する構造
が必要である。その場合、強誘電体薄膜キャパシタ作製
時の酸化雰囲気中での熱処理により導電性プラグやそれ
に付随する拡散バリア層（例えばＴｉＮ／Ｔｉ）が酸化
され導電性が失われることが最も懸念される。従ってこ
のような酸化を防ぐため強誘電体薄膜キャパシタ作製時
の温度を５００℃以下、望ましくは４５０℃以下に低減
することが求められている。
縁膜として用いる応用において、メモリの集積度の向上
にはメモリセル面積の減少が不可欠であり、そのために
は現在の高集積ＤＲＡＭで採用されているような導電性
プラグ上に直接強誘電体薄膜キャパシタを作製する構造
が必要である。その場合、強誘電体薄膜キャパシタ作製
時の酸化雰囲気中での熱処理により導電性プラグやそれ
に付随する拡散バリア層（例えばＴｉＮ／Ｔｉ）が酸化
され導電性が失われることが最も懸念される。従ってこ
のような酸化を防ぐため強誘電体薄膜キャパシタ作製時
の温度を５００℃以下、望ましくは４５０℃以下に低減
することが求められている。
【０００３】一方不揮発性メモリ用強誘電体薄膜材料と
しては、残留分極が大きく６００℃前後で作製できるＰ
ｂ系の強誘電体、特にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 (以下Ｐ
ＺＴと略す)およびＰＺＴにＬａ、Ｎｂ等の微量添加物
を加えた材料が適していることが広く知られている。さ
らにその作製手法としては、有機金属原料を適当な溶媒
に溶解してそれを基板上に塗布焼成するゾルゲル法が、
安価な設備で良質な薄膜を再現性良く得られるという利
点を持ち、有力な成膜手法と考えられている。
しては、残留分極が大きく６００℃前後で作製できるＰ
ｂ系の強誘電体、特にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 (以下Ｐ
ＺＴと略す)およびＰＺＴにＬａ、Ｎｂ等の微量添加物
を加えた材料が適していることが広く知られている。さ
らにその作製手法としては、有機金属原料を適当な溶媒
に溶解してそれを基板上に塗布焼成するゾルゲル法が、
安価な設備で良質な薄膜を再現性良く得られるという利
点を持ち、有力な成膜手法と考えられている。
【０００４】例えばジャーナル・オブ・マテリアル・リ
サーチ1993年第８巻339頁（C. K. Kwok et al., J. Mat
er. Res. 8, 339 (1993)には、ゾルゲル法によるＰｂＴ
ｉＯ 3（以下ＰＴと略す）バッファ層を用いてＺｒ／Ｔ
ｉ＝５３／４７のＰＺＴが５００℃でペロブスカイト単
一相となることが報告されている。ここではＰＺＴ薄膜
作製プロセスは図２に示すとおりであり、ＰＴ層はＰＺ
Ｔ塗布前に結晶化されている。また、サファイア基板上
の結果であって、強誘電性等の電気特性に関しては何ら
報告はされていない。
サーチ1993年第８巻339頁（C. K. Kwok et al., J. Mat
er. Res. 8, 339 (1993)には、ゾルゲル法によるＰｂＴ
ｉＯ 3（以下ＰＴと略す）バッファ層を用いてＺｒ／Ｔ
ｉ＝５３／４７のＰＺＴが５００℃でペロブスカイト単
一相となることが報告されている。ここではＰＺＴ薄膜
作製プロセスは図２に示すとおりであり、ＰＴ層はＰＺ
Ｔ塗布前に結晶化されている。また、サファイア基板上
の結果であって、強誘電性等の電気特性に関しては何ら
報告はされていない。
【０００５】また、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス1996年35巻4896頁（H. Suzuk
i et al., Jpn. J. Appl. Phys. 35, 4896(1996)には、
ゾルゲル法ＰＺＴがＰＴバッファ層を用いて４５０℃で
作製可能と記載されており、４５０℃でペロブスカイト
単一相が出来ている（Ｆｉｇ．４)が、強誘電性が示さ
れておらず、比誘電率も０．２μｍ程度では３０以下
（Ｆｉｇ．５）で実用に供するためには特性が全く不十
分である。この論文におけるＰＺＴ薄膜作製プロセスは
図３に示したとおりであり、ＰＴ層はＰＺＴ塗布前に３
５０℃にて有機熱分解されている。
アプライド・フィジックス1996年35巻4896頁（H. Suzuk
i et al., Jpn. J. Appl. Phys. 35, 4896(1996)には、
ゾルゲル法ＰＺＴがＰＴバッファ層を用いて４５０℃で
作製可能と記載されており、４５０℃でペロブスカイト
単一相が出来ている（Ｆｉｇ．４)が、強誘電性が示さ
れておらず、比誘電率も０．２μｍ程度では３０以下
（Ｆｉｇ．５）で実用に供するためには特性が全く不十
分である。この論文におけるＰＺＴ薄膜作製プロセスは
図３に示したとおりであり、ＰＴ層はＰＺＴ塗布前に３
５０℃にて有機熱分解されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
ゾルゲル法において、５００℃以下、望ましくは４５０
℃以下でＰｂ系の強誘電体、特にＰＺＴをベースとした
組成の良好な強誘電特性を持つ強誘電体薄膜（膜厚３０
０ｎｍ以下）及びそれを用いたキャパシタは実現されて
いなかった。
ゾルゲル法において、５００℃以下、望ましくは４５０
℃以下でＰｂ系の強誘電体、特にＰＺＴをベースとした
組成の良好な強誘電特性を持つ強誘電体薄膜（膜厚３０
０ｎｍ以下）及びそれを用いたキャパシタは実現されて
いなかった。
【０００７】本発明の目的は、安価な設備で良質な薄膜
を再現性良く得られる成膜手法であるゾルゲル法を用い
て、低温度で良質なＰＺＴ系強誘電体材料等を用いた薄
膜及びそれを用いたキャパシタの製造方法を提供するこ
とである。
を再現性良く得られる成膜手法であるゾルゲル法を用い
て、低温度で良質なＰＺＴ系強誘電体材料等を用いた薄
膜及びそれを用いたキャパシタの製造方法を提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にバッ
ファ層を形成した後、バッファ層が熱分解される前に強
誘電体薄膜材料を塗布し、バッファ層と強誘電体薄膜と
を一括して熱分解した後、結晶化熱処理を行うことを特
徴とする薄膜の製造方法である。本発明でいうバッファ
層とは、バッファ層上の薄膜の結晶化を促進するために
設けられるもので、シード形成層と称することもでき
る。このような方法で薄膜形成を行うことによってゾル
ゲル法による成膜温度を低温化することが可能となる。
ファ層を形成した後、バッファ層が熱分解される前に強
誘電体薄膜材料を塗布し、バッファ層と強誘電体薄膜と
を一括して熱分解した後、結晶化熱処理を行うことを特
徴とする薄膜の製造方法である。本発明でいうバッファ
層とは、バッファ層上の薄膜の結晶化を促進するために
設けられるもので、シード形成層と称することもでき
る。このような方法で薄膜形成を行うことによってゾル
ゲル法による成膜温度を低温化することが可能となる。
【０００９】これをＰＺＴ薄膜に応用した場合には、基
板上にＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ層を形成し
た後、前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ層が有
機熱分解前される前にＰＺＴを主成分とする薄膜材料を
塗布し、両層を一括して有機熱分解した後に結晶化熱処
理を行う工程により製造する。
板上にＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ層を形成し
た後、前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ層が有
機熱分解前される前にＰＺＴを主成分とする薄膜材料を
塗布し、両層を一括して有機熱分解した後に結晶化熱処
理を行う工程により製造する。
【００１０】さらに具体的には、基板上にＰｂＴｉＯ3
を主成分とするバッファ層を形成した後有機熱分解のお
こらない温度にてベークを行う工程と、前記ＰｂＴｉＯ
3を主成分とするバッファ層上にＰＺＴを主成分とする
薄膜材料を塗布し、有機熱分解のおこらない温度にてベ
ークを行った後に前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッ
ファ層とＰＺＴを主成分とする薄膜とを一括して有機熱
分解した後に結晶化熱処理を行う工程とを有することを
特徴とするＰＺＴ薄膜の製造方法である。
を主成分とするバッファ層を形成した後有機熱分解のお
こらない温度にてベークを行う工程と、前記ＰｂＴｉＯ
3を主成分とするバッファ層上にＰＺＴを主成分とする
薄膜材料を塗布し、有機熱分解のおこらない温度にてベ
ークを行った後に前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッ
ファ層とＰＺＴを主成分とする薄膜とを一括して有機熱
分解した後に結晶化熱処理を行う工程とを有することを
特徴とするＰＺＴ薄膜の製造方法である。
【００１１】ここで結晶化熱処理を行った後に再度ＰＺ
Ｔを主成分とする薄膜の塗布〜結晶化熱処理の工程まで
はＰＺＴ薄膜が所望の膜厚になるまで繰り返してもよ
い。またその際、最後に行われる結晶化熱処理の長さ
は、それ以前に行った結晶化熱処理よりも長めに行って
もよい。これは、このような低温度での結晶化の場合、
熱処理時間が長いほど強誘電特性をはじめとしてた特性
が向上するためである。各塗布層ごとに結晶化熱処理を
長時間行えば最後に行われる結晶化熱処理は不必要とな
るが、その場合、特に塗布回数を増やした場合に薄膜作
製に時間がかかりスループットが悪くなるという問題が
生じる。また、最初に塗った層がトータルでは最も長い
時間の熱処理を受けることになるため、各塗布層の結晶
化熱処理時間が変わってしまい各塗布層が均一な特性を
持たないような薄膜となる可能性がある。そのため、最
後に全体を結晶化熱処理を行う場合には長めに行うこと
が好ましくなる。
Ｔを主成分とする薄膜の塗布〜結晶化熱処理の工程まで
はＰＺＴ薄膜が所望の膜厚になるまで繰り返してもよ
い。またその際、最後に行われる結晶化熱処理の長さ
は、それ以前に行った結晶化熱処理よりも長めに行って
もよい。これは、このような低温度での結晶化の場合、
熱処理時間が長いほど強誘電特性をはじめとしてた特性
が向上するためである。各塗布層ごとに結晶化熱処理を
長時間行えば最後に行われる結晶化熱処理は不必要とな
るが、その場合、特に塗布回数を増やした場合に薄膜作
製に時間がかかりスループットが悪くなるという問題が
生じる。また、最初に塗った層がトータルでは最も長い
時間の熱処理を受けることになるため、各塗布層の結晶
化熱処理時間が変わってしまい各塗布層が均一な特性を
持たないような薄膜となる可能性がある。そのため、最
後に全体を結晶化熱処理を行う場合には長めに行うこと
が好ましくなる。
【００１２】また本発明は、基板上にＰｂＴｉＯ3を主
成分とするバッファ層を形成した後有機熱分解のおこら
ない温度にてベークを行う工程と、前記ＰｂＴｉＯ3を
主成分とするバッファ層上にＰＺＴを主成分とする薄膜
材料を塗布し、有機熱分解のおこらない温度にてベーク
を行った後に前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ
層とＰＺＴを主成分とする薄膜とを一括して有機熱分解
を行う工程と、全体を結晶化熱処理を行う工程とを有す
ることを特徴とするＰＺＴ薄膜の製造方法である。ここ
でも結晶化熱処理を行った後にＰＺＴを主成分とする薄
膜を塗布〜熱分解までの工程をＰＺＴ薄膜が所望の膜厚
になるまで繰り返した後に結晶化熱処理を行ってもよ
い。また、前記有機熱分解後、さらにＲＴＡ熱分解を行
ってもよく、 前記有機熱分解のかわりにＲＴＡ熱分解
を行ってもよい。
成分とするバッファ層を形成した後有機熱分解のおこら
ない温度にてベークを行う工程と、前記ＰｂＴｉＯ3を
主成分とするバッファ層上にＰＺＴを主成分とする薄膜
材料を塗布し、有機熱分解のおこらない温度にてベーク
を行った後に前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ
層とＰＺＴを主成分とする薄膜とを一括して有機熱分解
を行う工程と、全体を結晶化熱処理を行う工程とを有す
ることを特徴とするＰＺＴ薄膜の製造方法である。ここ
でも結晶化熱処理を行った後にＰＺＴを主成分とする薄
膜を塗布〜熱分解までの工程をＰＺＴ薄膜が所望の膜厚
になるまで繰り返した後に結晶化熱処理を行ってもよ
い。また、前記有機熱分解後、さらにＲＴＡ熱分解を行
ってもよく、 前記有機熱分解のかわりにＲＴＡ熱分解
を行ってもよい。
【００１３】通常の有機熱分解は温度レンジで３００℃
以上４００℃程度、処理時間は１０分程度、酸化性雰囲
気中（酸素ガス中やＨ2Ｏ／Ｏ2雰囲気中）で行われる
が、ここでいうＲＴＡ熱分解（ＲＴＡ＝Ｒａｐｉｄ Ｔ
ｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）とは処理雰囲気は
変わらないもののそれよりも少々高めの温度、すなわち
結晶化が開始される程度の温度（４３０〜４５０℃程
度）で数秒〜数分間、具体的には１５秒〜２分程度で熱
分解を行う処理である。ＰＺＴ塗布を数回行った後に結
晶化を行う場合、通常の有機熱分解のみを行って再度塗
布を行うと膜中の炭素等が十分に分解されずに不純物と
して膜中に残留してしまう不具合がおこり得るため、通
常の有機熱分解後にＲＴＡ熱分解を組み合わせることが
好ましい。
以上４００℃程度、処理時間は１０分程度、酸化性雰囲
気中（酸素ガス中やＨ2Ｏ／Ｏ2雰囲気中）で行われる
が、ここでいうＲＴＡ熱分解（ＲＴＡ＝Ｒａｐｉｄ Ｔ
ｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）とは処理雰囲気は
変わらないもののそれよりも少々高めの温度、すなわち
結晶化が開始される程度の温度（４３０〜４５０℃程
度）で数秒〜数分間、具体的には１５秒〜２分程度で熱
分解を行う処理である。ＰＺＴ塗布を数回行った後に結
晶化を行う場合、通常の有機熱分解のみを行って再度塗
布を行うと膜中の炭素等が十分に分解されずに不純物と
して膜中に残留してしまう不具合がおこり得るため、通
常の有機熱分解後にＲＴＡ熱分解を組み合わせることが
好ましい。
【００１４】以上説明したＰＺＴ薄膜の製造方法におい
ては、結晶化熱処理温度は、５００℃を越えるとＰＴバ
ッファ層がなくてもペロブスカイト相の結晶化がはじま
り、ＰＴバッファ層の効果が低減するために４３０〜５
００℃程度が好適である。ＰＺＴ中のＺｒとＴｉの組成
比によって熱処理温度は変化し、Ｔｉの比率が高いほど
低温でペロブスカイト相が生じやすく、結晶化熱処理温
度が低すぎると強誘電性を示さないパイロクロア相が生
じてしまうことが知られている。しかしながら本発明に
よれば４３０℃以上であればペロブスカイト相の結晶相
を得ることが可能となった。
ては、結晶化熱処理温度は、５００℃を越えるとＰＴバ
ッファ層がなくてもペロブスカイト相の結晶化がはじま
り、ＰＴバッファ層の効果が低減するために４３０〜５
００℃程度が好適である。ＰＺＴ中のＺｒとＴｉの組成
比によって熱処理温度は変化し、Ｔｉの比率が高いほど
低温でペロブスカイト相が生じやすく、結晶化熱処理温
度が低すぎると強誘電性を示さないパイロクロア相が生
じてしまうことが知られている。しかしながら本発明に
よれば４３０℃以上であればペロブスカイト相の結晶相
を得ることが可能となった。
【００１５】なお、結晶化や有機熱分解の他に熱処理と
してベーク処理があるが、これは溶媒を乾燥させるため
に行うものであって、溶媒の種類によって多少変化はす
るものの１００〜２５０℃程度で１０分程度、所望の雰
囲気下で熱処理を行うことで、有機熱分解をおこさずに
薄膜の乾燥を行うことが可能となる。
してベーク処理があるが、これは溶媒を乾燥させるため
に行うものであって、溶媒の種類によって多少変化はす
るものの１００〜２５０℃程度で１０分程度、所望の雰
囲気下で熱処理を行うことで、有機熱分解をおこさずに
薄膜の乾燥を行うことが可能となる。
【００１６】さらに本発明はＰＺＴ薄膜を用いたキャパ
シタの製造方法としても応用される。この際、ＰＺＴ薄
膜の結晶化まで行った後に上部電極を形成してもよい
が、好ましくは上部電極を形成した後にＰＴ薄膜〜ＰＺ
Ｔ薄膜を一括して結晶化することでより性能に優れた強
誘電性薄膜を得ることが可能となる。
シタの製造方法としても応用される。この際、ＰＺＴ薄
膜の結晶化まで行った後に上部電極を形成してもよい
が、好ましくは上部電極を形成した後にＰＴ薄膜〜ＰＺ
Ｔ薄膜を一括して結晶化することでより性能に優れた強
誘電性薄膜を得ることが可能となる。
【００１７】また、ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッフ
ァ層の膜厚は、得られるキャパシタの性能を考えれば薄
い方が好ましいが、ＰＺＴを主成分とする層の膜厚の１
０％以下であれば許容される。
ァ層の膜厚は、得られるキャパシタの性能を考えれば薄
い方が好ましいが、ＰＺＴを主成分とする層の膜厚の１
０％以下であれば許容される。
【００１８】次に本発明のキャパシタの製造方法におけ
る結晶化プロセスを図１に示す。図１（ａ）に示すのが
ＰＺＴ薄膜を結晶化した後に上部電極を形成した例であ
る。
る結晶化プロセスを図１に示す。図１（ａ）に示すのが
ＰＺＴ薄膜を結晶化した後に上部電極を形成した例であ
る。
【００１９】ＰＴは４５０℃以下で強誘電相であるペロ
ブスカイト相が結晶化するが、抗電界が大きく繰り返し
動作耐性も小さいためＰＴ単体ではメモリ用キャパシタ
としては適さない。しかし低温で結晶化する、ＰＺＴと
結晶構造や格子定数が近いという特性を生かしてＰＺＴ
成膜時のバッファ層として用いることにより、ＰＺＴ結
晶化のためのエネルギーを低減する効果を持つ。このよ
うな効果は、未結晶化状態の積層されたＰＴ層とＰＺＴ
層を熱処理する場合、結晶化のためのエネルギーが小さ
いＰＴ層の結晶化が先に始まりそれに連続してＰＺＴ層
が結晶化するというメカニズムによると考えられる。ま
た、このような連続的な結晶化はＰＴ層とＰＺＴ層との
界面が両者の相互拡散によってある程度の勾配を持って
いる場合の方が進行しやすい。従ってＰＴバッファ層の
ＰＺＴ結晶化温度低減効果は、ＰＺＴの結晶化以前の段
階でＰＺＴ／ＰＴ界面にある程度の相互拡散が起こって
おり、かつ未結晶化状態である両者を一括して結晶化す
る場合に最も効果的に得られる。このような状態を得る
ためゾルゲル法では、ＰＴバッファ層の有機熱分解を行
う前にＰＺＴ層を塗布し両者を一括して有機熱分解する
方法が有効である。一括の有機熱分解処理がＰＺＴ／Ｐ
Ｔの界面の相互拡散を引き起こすためである。この状態
でさらに結晶化熱処理を行うことによりバッファ層側か
らの連続した結晶化が進行し、４３０〜４５０℃前後と
いう低温度でＰＺＴの結晶化が可能となる。
ブスカイト相が結晶化するが、抗電界が大きく繰り返し
動作耐性も小さいためＰＴ単体ではメモリ用キャパシタ
としては適さない。しかし低温で結晶化する、ＰＺＴと
結晶構造や格子定数が近いという特性を生かしてＰＺＴ
成膜時のバッファ層として用いることにより、ＰＺＴ結
晶化のためのエネルギーを低減する効果を持つ。このよ
うな効果は、未結晶化状態の積層されたＰＴ層とＰＺＴ
層を熱処理する場合、結晶化のためのエネルギーが小さ
いＰＴ層の結晶化が先に始まりそれに連続してＰＺＴ層
が結晶化するというメカニズムによると考えられる。ま
た、このような連続的な結晶化はＰＴ層とＰＺＴ層との
界面が両者の相互拡散によってある程度の勾配を持って
いる場合の方が進行しやすい。従ってＰＴバッファ層の
ＰＺＴ結晶化温度低減効果は、ＰＺＴの結晶化以前の段
階でＰＺＴ／ＰＴ界面にある程度の相互拡散が起こって
おり、かつ未結晶化状態である両者を一括して結晶化す
る場合に最も効果的に得られる。このような状態を得る
ためゾルゲル法では、ＰＴバッファ層の有機熱分解を行
う前にＰＺＴ層を塗布し両者を一括して有機熱分解する
方法が有効である。一括の有機熱分解処理がＰＺＴ／Ｐ
Ｔの界面の相互拡散を引き起こすためである。この状態
でさらに結晶化熱処理を行うことによりバッファ層側か
らの連続した結晶化が進行し、４３０〜４５０℃前後と
いう低温度でＰＺＴの結晶化が可能となる。
【００２０】図１（ｂ）に示すのが上部電極を形成した
後にＰＴ薄膜及びＰＺＴ薄膜を結晶化した例である。こ
の方法によれば４３０〜４５０℃前後の低温で形成した
強誘電体薄膜キャパシタの低電界での分極反転特性をよ
り改善することが可能となる。
後にＰＴ薄膜及びＰＺＴ薄膜を結晶化した例である。こ
の方法によれば４３０〜４５０℃前後の低温で形成した
強誘電体薄膜キャパシタの低電界での分極反転特性をよ
り改善することが可能となる。
【００２１】結晶化熱処理の前に上部電極を形成するこ
とにより、結晶化前のＰＺＴ薄膜の上部界面をクランプ
して結晶化時に発生するＰＺＴ薄膜内部の応力を低減す
る、ＰＺＴと上部電極との界面をＰＺＴ結晶化と同時に
熱処理することにより界面での欠陥等を低減する、とい
う効果があり、その結果として低温で形成されたＰＺＴ
薄膜キャパシタの低電界での分極反転特性を向上させる
ことができる。
とにより、結晶化前のＰＺＴ薄膜の上部界面をクランプ
して結晶化時に発生するＰＺＴ薄膜内部の応力を低減す
る、ＰＺＴと上部電極との界面をＰＺＴ結晶化と同時に
熱処理することにより界面での欠陥等を低減する、とい
う効果があり、その結果として低温で形成されたＰＺＴ
薄膜キャパシタの低電界での分極反転特性を向上させる
ことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】（実施例１）強誘電体成膜基板と
してＰＴ薄膜（下部電極）を堆積した熱酸化Ｓｉ基板を
用いた。ＰＴバッファ層は、無水酢酸鉛（Ｐｂ（ＯＣＯ
ＣＨ3）2）とイソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ3Ｈ7）
4）をＰｂ／Ｔｉ＝１．１５／１．００となるように混
合した後１−メトキシ−２−プロパノールに溶解させ
０．０３ｍｏｌ／Ｋｇに調整した溶液を用いて、スピン
コーターにより２０００ｒｐｍにて塗布した。これを２
５０℃で１０分間空気中でベークした。次にＰＺＴ層
は、無水酢酸鉛（Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3）2）とテトライソ
プロポキシチタニウム（Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ 3Ｈ7）4）、
テトラターシャリブトキシジルコニウム（Ｚｒ（Ｏ−ｔ
−Ｃ4Ｈ9）4）をＰｂ／Ｚｒ／Ｔｉ＝１．１５／０．３
５／０．６５となるように混合した後１−メトキシ−２
−プロパノールに溶解させ０．４ｍｏｌ／Ｋｇに調整し
た溶液を用いて、上記ＰＴ塗布済みの基板上にスピンコ
ーターにより２０００ｒｐｍにて塗布した。これを２５
０℃で１０分間空気中でベークした後、４００℃で１０
分間酸素中で有機熱分解を行い、さらに４５０℃にて１
０分間酸素中で第１結晶化を行った。ＰＺＴ層塗布から
４５０℃での第１結晶化までの工程をもう一度繰り返し
て、最後に第２結晶化を４５０℃にて３０分間酸素中で
行い、膜厚２００ｎｍのＰＺＴ薄膜（以下ＰＺＴ−１）
を得た。上記のプロセスにおいてＰＺＴ層は２回に分け
て塗布・焼成されているが、１層目のＰＺＴは２層目の
ＰＺＴ塗布工程の前に第１結晶化によって結晶化が完了
しており、結晶化した１層目のＰＺＴが２層目のＰＺＴ
の結晶化をアシストする役割を果たすため、２層目のＰ
ＺＴ層塗布の前に改めてＰＴ層を必ずしも塗布する必要
はないが、得られた素子の強誘電性を鑑みながら必要に
応じて塗布しても構わない。
してＰＴ薄膜（下部電極）を堆積した熱酸化Ｓｉ基板を
用いた。ＰＴバッファ層は、無水酢酸鉛（Ｐｂ（ＯＣＯ
ＣＨ3）2）とイソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ3Ｈ7）
4）をＰｂ／Ｔｉ＝１．１５／１．００となるように混
合した後１−メトキシ−２−プロパノールに溶解させ
０．０３ｍｏｌ／Ｋｇに調整した溶液を用いて、スピン
コーターにより２０００ｒｐｍにて塗布した。これを２
５０℃で１０分間空気中でベークした。次にＰＺＴ層
は、無水酢酸鉛（Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3）2）とテトライソ
プロポキシチタニウム（Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ 3Ｈ7）4）、
テトラターシャリブトキシジルコニウム（Ｚｒ（Ｏ−ｔ
−Ｃ4Ｈ9）4）をＰｂ／Ｚｒ／Ｔｉ＝１．１５／０．３
５／０．６５となるように混合した後１−メトキシ−２
−プロパノールに溶解させ０．４ｍｏｌ／Ｋｇに調整し
た溶液を用いて、上記ＰＴ塗布済みの基板上にスピンコ
ーターにより２０００ｒｐｍにて塗布した。これを２５
０℃で１０分間空気中でベークした後、４００℃で１０
分間酸素中で有機熱分解を行い、さらに４５０℃にて１
０分間酸素中で第１結晶化を行った。ＰＺＴ層塗布から
４５０℃での第１結晶化までの工程をもう一度繰り返し
て、最後に第２結晶化を４５０℃にて３０分間酸素中で
行い、膜厚２００ｎｍのＰＺＴ薄膜（以下ＰＺＴ−１）
を得た。上記のプロセスにおいてＰＺＴ層は２回に分け
て塗布・焼成されているが、１層目のＰＺＴは２層目の
ＰＺＴ塗布工程の前に第１結晶化によって結晶化が完了
しており、結晶化した１層目のＰＺＴが２層目のＰＺＴ
の結晶化をアシストする役割を果たすため、２層目のＰ
ＺＴ層塗布の前に改めてＰＴ層を必ずしも塗布する必要
はないが、得られた素子の強誘電性を鑑みながら必要に
応じて塗布しても構わない。
【００２３】ＰＴバッファ層を塗布せずに同じプロセス
で作製したＰＺＴ薄膜（以下ＰＺＴ−４）は膜厚が１８
５ｎｍであったので、ＰＴバッファ層膜厚は約１５ｎｍ
程度である。
で作製したＰＺＴ薄膜（以下ＰＺＴ−４）は膜厚が１８
５ｎｍであったので、ＰＴバッファ層膜厚は約１５ｎｍ
程度である。
【００２４】ＰＺＴ−１のプロセスにおいて、ＰＴバッ
ファ層の２５０℃ベーク後に引き続いて酸素中４００℃
で１０分間の有機熱分解を行って得られたＰＺＴ薄膜
（以下ＰＺＴ−２）と、ＰＴバッファ層の２５０℃ベー
ク後に引き続いて酸素中４５０℃で１０分間の結晶化を
行って得られたＰＺＴ薄膜（以下ＰＺＴ−３）を同時に
作製した。ＰＺＴ−２はＰＺＴ層の塗布前にＰＴバッフ
ァ層を有機熱分解した場合、ＰＺＴ−３はＰＺＴ層の塗
布前にＰＴバッファ層を結晶化した場合の試料に相当す
る。ＰＺＴ−１〜４のＸ線回折を図４に示す。ＰＴバッ
ファ層がないＰＺＴ薄膜は常誘電相のパイロクロア相の
みが見られるのに対して、ＰＴバッファ層上のＰＺＴ薄
膜はペロブスカイト相が結晶化しており、ＰＴバッファ
層がＰＺＴ結晶化温度の低減効果を持つことは明らかで
ある。しかしながらＰＺＴ−２とＰＺＴ−３はペロブス
カイト相の強度が小さくパイロクロア相が混在しており
ＰＺＴ−１、即ちＰＴバッファ層とＰＺＴ層の一括有機
熱分解、一括結晶化を行った場合よりもペロブスカイト
相の結晶化度合いが小さいといえる。
ファ層の２５０℃ベーク後に引き続いて酸素中４００℃
で１０分間の有機熱分解を行って得られたＰＺＴ薄膜
（以下ＰＺＴ−２）と、ＰＴバッファ層の２５０℃ベー
ク後に引き続いて酸素中４５０℃で１０分間の結晶化を
行って得られたＰＺＴ薄膜（以下ＰＺＴ−３）を同時に
作製した。ＰＺＴ−２はＰＺＴ層の塗布前にＰＴバッフ
ァ層を有機熱分解した場合、ＰＺＴ−３はＰＺＴ層の塗
布前にＰＴバッファ層を結晶化した場合の試料に相当す
る。ＰＺＴ−１〜４のＸ線回折を図４に示す。ＰＴバッ
ファ層がないＰＺＴ薄膜は常誘電相のパイロクロア相の
みが見られるのに対して、ＰＴバッファ層上のＰＺＴ薄
膜はペロブスカイト相が結晶化しており、ＰＴバッファ
層がＰＺＴ結晶化温度の低減効果を持つことは明らかで
ある。しかしながらＰＺＴ−２とＰＺＴ−３はペロブス
カイト相の強度が小さくパイロクロア相が混在しており
ＰＺＴ−１、即ちＰＴバッファ層とＰＺＴ層の一括有機
熱分解、一括結晶化を行った場合よりもペロブスカイト
相の結晶化度合いが小さいといえる。
【００２５】ＰＺＴ−１〜４の表面を電子顕微鏡で観察
すると、ＰＺＴ−１では０．１〜０．３μｍ程度のペロ
ブスカイト結晶粒が緻密に生成しているのに対して、Ｐ
ＺＴ−２およびＰＺＴ−３では島状のペロブスカイト結
晶粒が低密度に存在し、のこりはパイロクロア微結晶粒
で埋め尽くされている構造であった。ＰＺＴ−４ではペ
ロブスカイト結晶粒は全く観察されなかった。
すると、ＰＺＴ−１では０．１〜０．３μｍ程度のペロ
ブスカイト結晶粒が緻密に生成しているのに対して、Ｐ
ＺＴ−２およびＰＺＴ−３では島状のペロブスカイト結
晶粒が低密度に存在し、のこりはパイロクロア微結晶粒
で埋め尽くされている構造であった。ＰＺＴ−４ではペ
ロブスカイト結晶粒は全く観察されなかった。
【００２６】ＰＺＴ−１〜３の表面にＤＣマグネトロン
スパッタ法にて直径３００μｍのＩｒ／ＩｒＯ2上部電
極を形成し、酸素中４５０℃でアニールを行った試料の
±５Ｖ印加時のヒステリシス曲線を図５に示す。ＰＺＴ
−１は強誘電性のヒステリシスを示し正の残留分極と負
の残留分極の差は２Ｐｒ＝３０．５μＣ／ｃｍ2であっ
たが、ＰＺＴ−２およびＰＺＴ−３は強誘電性を示さな
かった。ちなみに、ＰＺＴ−１に関して±５Ｖの双極性
パルスを連続印加して分極反転の繰り返しによる分極疲
労現象を測定したところ１０8サイクルまで残留分極の
減少が見られないことを確認した。
スパッタ法にて直径３００μｍのＩｒ／ＩｒＯ2上部電
極を形成し、酸素中４５０℃でアニールを行った試料の
±５Ｖ印加時のヒステリシス曲線を図５に示す。ＰＺＴ
−１は強誘電性のヒステリシスを示し正の残留分極と負
の残留分極の差は２Ｐｒ＝３０．５μＣ／ｃｍ2であっ
たが、ＰＺＴ−２およびＰＺＴ−３は強誘電性を示さな
かった。ちなみに、ＰＺＴ−１に関して±５Ｖの双極性
パルスを連続印加して分極反転の繰り返しによる分極疲
労現象を測定したところ１０8サイクルまで残留分極の
減少が見られないことを確認した。
【００２７】以上の結果から、４５０℃でＰＺＴ薄膜を
結晶化させる場合、積層されたＰＴバッファ層とＰＺＴ
層に対して一括して有機熱分解および結晶化を行うこと
が有効であることは明白である。なお、本実施例ではＰ
ＺＴ層は２回に分けて塗布焼成されているが、膜厚に応
じてＰＺＴ層の塗布回数を自由に変更できる。
結晶化させる場合、積層されたＰＴバッファ層とＰＺＴ
層に対して一括して有機熱分解および結晶化を行うこと
が有効であることは明白である。なお、本実施例ではＰ
ＺＴ層は２回に分けて塗布焼成されているが、膜厚に応
じてＰＺＴ層の塗布回数を自由に変更できる。
【００２８】（実施例２）実施例１と同じ基板、ＰＴバ
ッファ層用溶液、ＰＺＴ層用溶液を用いて、まず基板上
にＰＴ層をスピンコーターにより２０００ｒｐｍにて塗
布し、これを２５０℃で１０分間空気中でベークした。
次に実施例１と同じＰＺＴ層用溶液を用いて、上記ＰＴ
塗布済みの基板上にスピンコーターにより２０００ｒｐ
ｍにて塗布した。これを２５０℃で１０分間空気中でベ
ークした後、４００℃で１０分間酸素中で有機熱分解を
行い、さらに４５０℃酸素中にて３０秒間の急速加熱処
理（ＲＴＡ）を施した。ＰＺＴ層塗布から４５０℃酸素
中ＲＴＡまでの工程をもう一度繰り返し、膜厚約２００
ｎｍのＰＺＴ薄膜を得た。この段階でＰＺＴ層はペロブ
スカイト相に結晶化していないことを確認した。このＲ
ＴＡ処理は、短時間の４５０℃酸素処理をすることによ
りＰＺＴをペロブスカイト相に結晶化させることなく４
００℃より高い温度でより完全な有機熱分解を行うこと
を目的としている。得られたＰＺＴ薄膜表面にＤＣマグ
ネトロンスパッタ法にて直径３００μｍのＩｒ／ＩｒＯ
2上部電極を形成し、最後に結晶化熱処理を４５０℃に
て３０分間酸素中で行い、ＰＺＴ薄膜キャパシタ(以下
ＰＺＴ−５)を得た。比較対象として、本実施例のプロ
セスの上部電極形成前に酸素中４５０℃にて３０分間の
結晶化熱処理を施した後にＩｒ／ＩｒＯ2上部電極を形
成したＰＺＴ薄膜キャパシタ(以下ＰＺＴ−６)を作製し
た。
ッファ層用溶液、ＰＺＴ層用溶液を用いて、まず基板上
にＰＴ層をスピンコーターにより２０００ｒｐｍにて塗
布し、これを２５０℃で１０分間空気中でベークした。
次に実施例１と同じＰＺＴ層用溶液を用いて、上記ＰＴ
塗布済みの基板上にスピンコーターにより２０００ｒｐ
ｍにて塗布した。これを２５０℃で１０分間空気中でベ
ークした後、４００℃で１０分間酸素中で有機熱分解を
行い、さらに４５０℃酸素中にて３０秒間の急速加熱処
理（ＲＴＡ）を施した。ＰＺＴ層塗布から４５０℃酸素
中ＲＴＡまでの工程をもう一度繰り返し、膜厚約２００
ｎｍのＰＺＴ薄膜を得た。この段階でＰＺＴ層はペロブ
スカイト相に結晶化していないことを確認した。このＲ
ＴＡ処理は、短時間の４５０℃酸素処理をすることによ
りＰＺＴをペロブスカイト相に結晶化させることなく４
００℃より高い温度でより完全な有機熱分解を行うこと
を目的としている。得られたＰＺＴ薄膜表面にＤＣマグ
ネトロンスパッタ法にて直径３００μｍのＩｒ／ＩｒＯ
2上部電極を形成し、最後に結晶化熱処理を４５０℃に
て３０分間酸素中で行い、ＰＺＴ薄膜キャパシタ(以下
ＰＺＴ−５)を得た。比較対象として、本実施例のプロ
セスの上部電極形成前に酸素中４５０℃にて３０分間の
結晶化熱処理を施した後にＩｒ／ＩｒＯ2上部電極を形
成したＰＺＴ薄膜キャパシタ(以下ＰＺＴ−６)を作製し
た。
【００２９】図６にＰＺＴ−５とＰＺＴ−６の±５Ｖ印
加時のヒステリシス曲線を示す。結晶化した後に上部電
極を作製したＰＺＴ−６は強誘電性を持たないが、上部
電極形成後に結晶化を行ったＰＺＴ−５は矩形性の良い
ヒステリシス特性を示し、２Ｐｒ＝２６．８μＣ／ｃｍ
2が得られた。また図７にＰＺＴ−１とＰＺＴ−５の±
３Ｖ印加時のヒステリシス曲線を示す。ＰＺＴ−５の方
がヒステリシスの矩形性が高く３Ｖでも十分に飽和して
いることが分かる。またＰＺＴ−１の３Ｖでの２Ｐｒは
１６．８μＣ／ｃｍ2であったのに対し、ＰＺＴ−５の
３Ｖでの２Ｐｒは２３．７μＣ／ｃｍ2と残留分極値も
大きい。ちなみに、ＰＺＴ−５に関して±５Ｖの双極性
パルスを連続印加して分極反転の繰り返しによる分極疲
労現象を測定したところ１０8サイクルまで残留分極の
減少が見られないことを確認した。
加時のヒステリシス曲線を示す。結晶化した後に上部電
極を作製したＰＺＴ−６は強誘電性を持たないが、上部
電極形成後に結晶化を行ったＰＺＴ−５は矩形性の良い
ヒステリシス特性を示し、２Ｐｒ＝２６．８μＣ／ｃｍ
2が得られた。また図７にＰＺＴ−１とＰＺＴ−５の±
３Ｖ印加時のヒステリシス曲線を示す。ＰＺＴ−５の方
がヒステリシスの矩形性が高く３Ｖでも十分に飽和して
いることが分かる。またＰＺＴ−１の３Ｖでの２Ｐｒは
１６．８μＣ／ｃｍ2であったのに対し、ＰＺＴ−５の
３Ｖでの２Ｐｒは２３．７μＣ／ｃｍ2と残留分極値も
大きい。ちなみに、ＰＺＴ−５に関して±５Ｖの双極性
パルスを連続印加して分極反転の繰り返しによる分極疲
労現象を測定したところ１０8サイクルまで残留分極の
減少が見られないことを確認した。
【００３０】以上の結果から、４５０℃でＰＺＴ薄膜を
結晶化させる場合、ＰＺＴのペロブスカイト相への結晶
化の前に上部電極を形成しその後で結晶加熱処理を行う
ことで強誘電性の発現が促され、低電界での分極反転特
性が優れたＰＺＴ薄膜キャパシタを得られることは明ら
かである。
結晶化させる場合、ＰＺＴのペロブスカイト相への結晶
化の前に上部電極を形成しその後で結晶加熱処理を行う
ことで強誘電性の発現が促され、低電界での分極反転特
性が優れたＰＺＴ薄膜キャパシタを得られることは明ら
かである。
【００３１】なお、上記実施例では強誘電体薄膜として
Ｚｒ／Ｔｉ＝３５／６５のＰＺＴを、バッファ層として
ＰＴを用いているが、本発明の性格上，強誘電体薄膜と
してＺｒ／Ｔｉの異なるＰＺＴやＰＺＴをベースにドナ
ー添加物としてのＬａ、Ｎｂ等や、アクセプター添加
物、電気特性を改善するためのＣａ，Ｓｒ等の添加物を
数ｍｏｌ％程度添加した組成に対しても、結晶化温度の
絶対値が若干変化するものの、発明の効果そのものは変
わらない。同様にバッファ層としてＰＴをベースに同様
の添加物を数ｍｏｌ％程度添加した組成に対しても有効
である。
Ｚｒ／Ｔｉ＝３５／６５のＰＺＴを、バッファ層として
ＰＴを用いているが、本発明の性格上，強誘電体薄膜と
してＺｒ／Ｔｉの異なるＰＺＴやＰＺＴをベースにドナ
ー添加物としてのＬａ、Ｎｂ等や、アクセプター添加
物、電気特性を改善するためのＣａ，Ｓｒ等の添加物を
数ｍｏｌ％程度添加した組成に対しても、結晶化温度の
絶対値が若干変化するものの、発明の効果そのものは変
わらない。同様にバッファ層としてＰＴをベースに同様
の添加物を数ｍｏｌ％程度添加した組成に対しても有効
である。
【００３２】薄膜塗布を複数回行う場合、塗布を行う材
料は同じものであっても、組成（Ｚｒ／Ｔｉ比等）や添
加物量が異なるものを使用しても構わない。
料は同じものであっても、組成（Ｚｒ／Ｔｉ比等）や添
加物量が異なるものを使用しても構わない。
【００３３】また本発明ではバッファ層を介してＰＺＴ
を結晶化させるため下部電極材料の影響を受けにくく、
ＰＴ以外の下部電極材料、例えばＩｒ、ＩｒＯ2、Ｒ
ｕ、ＲｕＯ2、その他導電性酸化物電極に対しても十分
な効果を発揮することは言うまでもない。上部電極とし
ては、特に上部電極を形成してから結晶化を行う場合に
おいては酸化性雰囲気中でも導電性を保てる材料、例え
ばＩｒ、ＩｒＯ2、Ｒｕ、ＲｕＯ2、その他導電性酸化物
電極であれば特に限定されない。
を結晶化させるため下部電極材料の影響を受けにくく、
ＰＴ以外の下部電極材料、例えばＩｒ、ＩｒＯ2、Ｒ
ｕ、ＲｕＯ2、その他導電性酸化物電極に対しても十分
な効果を発揮することは言うまでもない。上部電極とし
ては、特に上部電極を形成してから結晶化を行う場合に
おいては酸化性雰囲気中でも導電性を保てる材料、例え
ばＩｒ、ＩｒＯ2、Ｒｕ、ＲｕＯ2、その他導電性酸化物
電極であれば特に限定されない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、安
価な設備で良質な薄膜を再現性良く得られる成膜手法で
あるゾルゲル法を用いて、低温度で残留分極の大きくか
つ分極疲労の少ない薄膜を得ることができ、またそれを
用いることで低電界での分極反転特性が優れたキャパシ
タを得ることができる。特にＰＺＴ薄膜では４３０℃程
度と従来なかった低温ゾルゲル法によって薄膜の形成が
可能となったため、導電性プラグや拡散バリア層等が酸
化されて導電性を失われることもなくなり、信頼性の高
い素子を得ることが可能となる。
価な設備で良質な薄膜を再現性良く得られる成膜手法で
あるゾルゲル法を用いて、低温度で残留分極の大きくか
つ分極疲労の少ない薄膜を得ることができ、またそれを
用いることで低電界での分極反転特性が優れたキャパシ
タを得ることができる。特にＰＺＴ薄膜では４３０℃程
度と従来なかった低温ゾルゲル法によって薄膜の形成が
可能となったため、導電性プラグや拡散バリア層等が酸
化されて導電性を失われることもなくなり、信頼性の高
い素子を得ることが可能となる。
【図１】 本発明によるＰＺＴ薄膜の結晶化プロセスを
示したフローチャートである。
示したフローチャートである。
【図２】 従来法によるＰＺＴ薄膜の結晶化プロセスを
示したフローチャートである。
示したフローチャートである。
【図３】 従来法によるＰＺＴ薄膜の結晶化プロセスを
示したフローチャートである。
示したフローチャートである。
【図４】 実施例１におけるＰＺＴ−１〜４のＸ線回折
を示す図である。
を示す図である。
【図５】 実施例１におけるＰＺＴ−１〜３の±５Ｖ印
加時のヒステリシス曲線を示す図である。
加時のヒステリシス曲線を示す図である。
【図６】 実施例２におけるＰＺＴ−５とＰＺＴ−６の
±５Ｖ印加時のヒステリシス曲線を示す図である。
±５Ｖ印加時のヒステリシス曲線を示す図である。
【図７】 ＰＺＴ−１とＰＺＴ−５の±３Ｖ印加時のヒ
ステリシス曲線を示す図である。
ステリシス曲線を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 27/10 ４５１
27/108
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/312
H01L 21/314
H01L 21/316
H01L 21/318
H01G 4/33
H01L 21/822
H01L 21/8242
H01L 27/04
H01L 27/10 451
H01L 27/108
Claims (17)
- 【請求項１】基板上にＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッ
ファ層を形成した後、前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とする
バッファ層が有機熱分解前される前にＰＺＴを主成分と
する薄膜材料を塗布し、両層を一括して有機熱分解した
後に４３０〜５００℃で結晶化熱処理を行う工程を有す
ることを特徴とするＰＺＴ薄膜の製造方法。 - 【請求項２】基板上にＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッ
ファ層を形成した後有機熱分解のおこらない温度にてベ
ークを行う工程と、 前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ層上にＰＺＴ
を主成分とする薄膜材料を塗布し、有機熱分解のおこら
ない温度にてベークを行った後に前記ＰｂＴｉＯ3を主
成分とするバッファ層とＰＺＴを主成分とする薄膜とを
一括して有機熱分解した後に４３０〜５００℃で結晶化
熱処理を行う工程とを有することを特徴とするＰＺＴ薄
膜の製造方法。 - 【請求項３】前記結晶化熱処理を行った後に再度ＰＺＴ
を主成分とする薄膜材料を塗布し、有機熱分解のおこら
ない温度にてベークし、有機熱分解した後に結晶化熱処
理を行う工程をＰＺＴ薄膜が所望の膜厚になるまで繰り
返すことを特徴とする請求項２記載のＰＺＴ薄膜の製造
方法。 - 【請求項４】ＰＺＴ薄膜が所望の厚さとなった後に行う
結晶化熱処理の長さが、それ以前に行った結晶化熱処理
よりも長いことを特徴とする請求項３記載のＰＺＴ薄膜
の製造方法。 - 【請求項５】基板上にＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッ
ファ層を形成した後有機熱分解のおこらない温度にてベ
ークを行う工程と、 前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ層上にＰＺＴ
を主成分とする薄膜材料を塗布し、有機熱分解のおこら
ない温度にてベークを行った後に前記ＰｂＴｉＯ3を主
成分とするバッファ層とＰＺＴを主成分とする薄膜とを
一括して有機熱分解を行う工程と、 全体を４３０〜５００℃で結晶化熱処理を行う工程とを
有することを特徴とするＰＺＴ薄膜の製造方法。 - 【請求項６】前記有機熱分解後、さらにＲＴＡ熱分解を
行うことを特徴とする請求項５記載のＰＺＴ薄膜の製造
方法。 - 【請求項７】前記有機熱分解のかわりにＲＴＡ熱分解を
行うことを特徴とする請求項５記載のＰＺＴ薄膜の製造
方法。 - 【請求項８】前記結晶化熱処理を行った後に、再度ＰＺ
Ｔを主成分とする薄膜材料を塗布し、有機熱分解のおこ
らない温度にてベークし、有機熱分解を行う工程をＰＺ
Ｔ薄膜が所望の膜厚になるまで繰り返した後に結晶化熱
処理を行うことを特徴とする請求項５から７のいずれか
に記載のＰＺＴ薄膜の製造方法。 - 【請求項９】下部電極上にＰｂＴｉＯ3を主成分とする
バッファ層を形成した後、前記ＰｂＴｉＯ3を主成分と
するバッファ層が有機熱分解前される前にＰＺＴを主成
分とする薄膜材料を塗布し、両層を一括して有機熱分解
した後に４３０〜５００℃で結晶化熱処理を行う工程を
有することを特徴とするＰＺＴ薄膜キャパシタの製造方
法。 - 【請求項１０】下部電極上にＰｂＴｉＯ3を主成分とす
るバッファ層を形成した後有機熱分解のおこらない温度
にてベークを行う工程と、 前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ層上にＰＺＴ
を主成分とする薄膜材料を塗布し、有機熱分解のおこら
ない温度にてベークを行った後に前記ＰｂＴｉＯ3を主
成分とするバッファ層とＰＺＴを主成分とする薄膜とを
一括して有機熱分解した後に４３０〜５００℃で結晶化
熱処理を行う工程と、 前記結晶化熱処理を行った後上部電極を形成する工程と
を有することを特徴とするＰＺＴ薄膜キャパシタの製造
方法。 - 【請求項１１】前記結晶化熱処理を行った後に再度ＰＺ
Ｔを主成分とする薄膜を塗布し、有機熱分解のおこらな
い温度にてベークし、有機熱分解した後に結晶化熱処理
を行う工程をＰＺＴ薄膜が所望の膜厚になるまで繰り返
すことを特徴とする請求項１０記載のＰＺＴ薄膜キャパ
シタの製造方法。 - 【請求項１２】ＰＺＴ薄膜が所望の厚さとなった後に行
う結晶化熱処理の長さが、それ以前に行った結晶化熱処
理よりも長いことを特徴とする請求項１１記載のＰＺＴ
薄膜キャパシタの製造方法。 - 【請求項１３】下部電極上にＰｂＴｉＯ3を主成分とす
るバッファ層を形成した後有機熱分解のおこらない温度
にてベークを行う工程と、 前記ＰｂＴｉＯ3を主成分とするバッファ層上にＰＺＴ
を主成分とする薄膜材料を塗布し、有機熱分解のおこら
ない温度にてベークを行った後に前記ＰｂＴｉＯ3を主
成分とするバッファ層とＰＺＴを主成分とする薄膜とを
一括して有機熱分解を行う工程と、 全体を４３０〜５００℃で結晶化熱処理を行う工程とを
有することを特徴とするＰＺＴ薄膜キャパシタの製造方
法。 - 【請求項１４】前記有機熱分解後、さらにＲＴＡ熱分解
を行うことを特徴とする請求項１３記載のＰＺＴ薄膜キ
ャパシタの製造方法。 - 【請求項１５】前記有機熱分解のかわりにＲＴＡ熱分解
を行うことを特徴とする請求項１３記載のＰＺＴ薄膜キ
ャパシタの製造方法。 - 【請求項１６】前記結晶化熱処理を行った後に、再度Ｐ
ＺＴを主成分とする薄膜材料を塗布し、有機熱分解のお
こらない温度にてベークし、有機熱分解を行う工程をＰ
ＺＴ薄膜が所望の膜厚になるまで繰り返した後に結晶化
熱処理を行うことを特徴とする請求項１３から１５のい
ずれかに記載のＰＺＴ薄膜キャパシタの製造方法。 - 【請求項１７】前記結晶化熱処理を行う前に上部電極層
を形成し、しかる後に結晶化熱処理を行うことを特徴と
する請求項１３から１６のいずれかに記載のＰＺＴ薄膜
キャパシタの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24546899A JP3427795B2 (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜キャパシタの製造方法 |
| US09/653,141 US6440751B1 (en) | 1999-08-31 | 2000-08-31 | Method of manufacturing thin film and thin film capacitor |
| KR1020000051034A KR20010030192A (ko) | 1999-08-31 | 2000-08-31 | 박막 및 박막 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24546899A JP3427795B2 (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜キャパシタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077100A JP2001077100A (ja) | 2001-03-23 |
| JP3427795B2 true JP3427795B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=17134119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24546899A Expired - Lifetime JP3427795B2 (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜キャパシタの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6440751B1 (ja) |
| JP (1) | JP3427795B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010030192A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7011726B1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-14 | Intel Corporation | Method of fabricating thin dielectric film and thin film capacitor including the dielectric film |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100275726B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2000-12-15 | 윤종용 | 강유전체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
-
1999
- 1999-08-31 JP JP24546899A patent/JP3427795B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-31 KR KR1020000051034A patent/KR20010030192A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-08-31 US US09/653,141 patent/US6440751B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001077100A (ja) | 2001-03-23 |
| KR20010030192A (ko) | 2001-04-16 |
| US6440751B1 (en) | 2002-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3188179B2 (ja) | 強誘電体薄膜素子の製造方法及び強誘電体メモリ素子の製造方法 | |
| KR100329533B1 (ko) | 페로브스카이트형산화물막을포함한전자장치와그제조방법및강유전체커패시터 | |
| EP0747937A2 (en) | Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof | |
| JP3476932B2 (ja) | 強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜被覆基板並びに強誘電体薄膜の製造方法 | |
| KR100478748B1 (ko) | 비스무스층구조의강유전성박막형성방법 | |
| US6440591B1 (en) | Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof | |
| JP2001007299A (ja) | 多層状電極の鉛ゲルマネート強誘電体構造およびその堆積方法 | |
| JP3891603B2 (ja) | 強誘電体薄膜被覆基板、キャパシタ構造素子、及び強誘電体薄膜被覆基板の製造方法 | |
| JP2002170938A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3349612B2 (ja) | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 | |
| JP4221576B2 (ja) | セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置 | |
| JP4609621B2 (ja) | 強誘電体キャパシタの製造方法 | |
| JP3427795B2 (ja) | 薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜キャパシタの製造方法 | |
| JP3292795B2 (ja) | 半導体メモリ素子の製造方法 | |
| JP3981142B2 (ja) | 強誘電体キャパシタおよびその製造方法 | |
| JPH0969614A (ja) | 強誘電体薄膜、誘電体薄膜及び強誘電体薄膜を含む集積回路の製造方法 | |
| JP3366212B2 (ja) | 強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子及び強誘電体メモリ装置 | |
| JP4074894B2 (ja) | 強誘電体メモリ及びその製造方法 | |
| JP2003092296A (ja) | 強誘電体キャパシタの製造方法 | |
| JPH08340084A (ja) | 誘電体薄膜の製造方法および該製造方法によって作製された誘電体薄膜 | |
| JP2000031411A (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPH09321234A (ja) | 強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子 | |
| JPH088403A (ja) | 強誘電体結晶薄膜被覆基板及び該基板を含む強誘電体薄膜素子及び該強誘電体薄膜素子の製造方法 | |
| JP3496528B2 (ja) | 強誘電体メモリ及びその製造方法 | |
| JP2001048645A (ja) | 強誘電体薄膜及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030121 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030408 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3427795 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090516 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516 Year of fee payment: 11 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
| SZ02 | Written request for trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z02 |
|
| SZ02 | Written request for trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z02 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |