JP6217260B2 - 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、強誘電体キャパシタを備えた半導体装置とその製造方法に関する。
現在、強誘電体メモリの微細化に伴い、キャパシタ面積の縮小と、強誘電体回路の２Ｔ２Ｃ方式から１Ｔ１Ｃ方式への移行が進められている。２Ｔ２Ｃ方式では、１個のメモリセルに２個のトランジスタと２個のキャパシタが設けられるが、１Ｔ１Ｃ方式では、１個のメモリセルに１個のトランジスタと１個のキャパシタが設けられる。
キャパシタ面積を縮小すると実質的に利用できる電荷量が小さくなり、１Ｔ１Ｃ方式では、回路動作マージンが２Ｔ２Ｃ方式よりも小さくなる。これを補うため、強誘電体膜に大きな分極反転量を持たせる。通常は、強誘電体膜としてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜が用いられている。強誘電体メモリの微細化にともない、強誘電体キャパシタの分極反転電圧を低くする要請もある。このための方法として、ＰＺＴ膜の薄膜化が進められている。
１Ｔ１Ｃに適用される材料として、分極反転量の大きいＰＺＴが有望であるが、成膜方法によって分極反転量は異なる。微細なキャパシタで、薄膜かつ大きな分極反転量を得る成膜方法として、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法が望ましい。
ＭＯＣＶＤ法では緻密な結晶を実現できるので、キャパシタの微細化や強誘電体膜の薄膜化を行っても、分極反転量は大きな値を維持できる。これは、スパッタ法やゾルゲル法などのように、所望の膜厚まで強誘電体膜をアモルファスで成膜した後に結晶化を行うプロセスでは実現できない特徴である。ＭＯＣＶＤ法は、結晶化しながら所望の膜厚まで成膜を行うため、結晶間のストレスが発生しにくく結晶粒界の隙間ができにくい。それゆえに緻密な膜が実現できる。
一般に、ＰＺＴ膜などの強誘電体膜の形成においては、強誘電体膜の結晶配向をそろえるために、下部電極に白金（Ｐｔ）を用いている（たとえば、特許文献１参照）。Ｐｔは、ＰＺＴ膜の結晶化に必要な高温に耐えられる材料であり、また、ＰＺＴ膜の結晶配向を一定方向にそろえることができる。ＰＺＴ膜の酸素空孔を抑制するために、下部電極として酸化イリジウム（ＩｒＯ2）や酸化ストロンチウムルテニウム（ＳｒＲｕＯ3）膜を用いる場合もある。この場合、ＰＺＴ膜を一定方向に配向させるために下地のＩｒＯ2膜やＳｒＲｕＯ3膜の結晶配向を整え、膜厚を最適化する。
ＰＺＴ膜を（１１１）方向に優先配向させるために、下部電極膜の下に（１１１）配向を助長させる膜を配置する構成も提案されている（たとえば、特許文献２参照）。
ペロブスカイト型の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法で形成する場合、表面のモフォロジーが悪化しやすいという問題点がある。ＭＯＣＶＤ法では結晶粒界間のストレスが少なくなるが、ストレスの解放は基板表面に向けて発生するため、表面モフォロジーが悪化しやすくなるのである。表面モフォロジーの悪い強誘電体膜を持つ強誘電体キャパシタでは、電界集中により信頼性が低下する。また、強誘電体キャパシタの上部電極部とのコンタクト不良を起こすおそれがある。したがって、強誘電体膜の表面モフォロジーを良好に保つことが望まれる。
そこで、強誘電体膜の表面のモフォロジーが良好な強誘電体キャパシタを有する半導体装置とその製造方法の提供を課題とする。
ひとつの態様では、半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された酸化ストロンチウムルテニウム膜と、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜上に形成された下部電極、及び前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型強誘電体膜、及び前記ペロブスカイト型強誘電体膜上に形成された上部電極を含む強誘電体キャパシタと、
を有し、前記酸化ストロンチウムルテニウム膜はアモルファスの膜であり、前記下部電極は白金またはイリジウムで形成されている。
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された酸化ストロンチウムルテニウム膜と、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜上に形成された下部電極、及び前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型強誘電体膜、及び前記ペロブスカイト型強誘電体膜上に形成された上部電極を含む強誘電体キャパシタと、
を有し、前記酸化ストロンチウムルテニウム膜はアモルファスの膜であり、前記下部電極は白金またはイリジウムで形成されている。
強誘電体膜の表面モフォロジーを良好に保つことができ、信頼性の高い強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造が可能となる。
発明者が見出した強誘電体膜の成膜における技術的課題を説明する。
一般に、強誘電体キャパシタの強誘電体膜に、チタン酸ジルコン酸鉛（以下、「ＰＺＴ」とする）などのペロブスカイト型強誘電体を使用する場合、耐熱性、抵抗率、強誘電体材料に対する安定性などの観点から、下部電極にイリジウム（Ｉｒ）もしくは白金（Ｐｔ）が使用される。これらの金属は自己配向性が強く、（１１１）方向に配向しやすい。そのため、下部電極上に形成する強誘電体膜も（１１１）に配向しやすくなる。ペロブスカイト型強誘電体膜の（１１１）配向は、基板表面に突起を作りやすい。（１１１）主配向の強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法で形成すると、表面の突起がさらに顕著になり、表面モフォロジーが悪化する。
そこで、ＰＺＴ等のペロブスカイト型強誘電体膜の配向を（１１１）主配向にしないことによって、表面モフォロジーを良好に保つことが考えられる。しかし、下部電極が（１１１）配向の強い膜であると、それを実現することは困難である。
実施形態では、Ｐｔ膜もしくはＩｒ膜の下方に、下部電極の一部として、あるいは下部電極の下地として、酸化ストロンチウムルテニウム（ＳｒＲｕＯ3）膜を配置する。ＳｒＲｕＯ3膜を配置することで、ＰｔもしくはＩｒ膜の自己配向性を抑制し、ＰｔまたはＩｒ膜上に成膜するペロブスカイト型強誘電体膜の（１１１）配向の顕在化を抑制する。下部電極の一部または下地となるＳｒＲｕＯ3は、特定の結晶配向をもたないものを使用する。
実施形態では、ペロブスカイト型強誘電体膜として、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒｘ、Ｔｉ１−ｘ）Ｏ３（０≦ｘ≦１））膜、あるいはＰＺＴにカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ランタン（Ｌａ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）及びタングステン（Ｗ）からなる群から選択された少なくとも１種の元素がドーピングされた膜を用いる。
図１〜図３を参照して、一実施形態に係る強誘電体メモリ（半導体装置）の製造工程を説明する。
図１（Ａ）に示すように、半導体基板１１上にトランジスタ１５を形成し、基板１１の全面に層間絶縁膜１６を形成する。トランジスタ１５は、ゲート絶縁膜１３を介して基板１１上に形成されるゲート電極１４と、ゲート絶縁膜１３直下のチャネル領域を挟んで基板１１に形成されるソース／ドレイン不純物拡散領域１２ａ、１２ｂを有する。
層間絶縁膜１６を貫通して、ソース／ドレイン不純物拡散領域の一方（たとえば、ドレイン領域１２ｂ）に到達する貫通孔を形成し、金属膜で貫通孔を充填してプラグ電極９を形成する。
図１（Ｂ）で、層間絶縁膜１６上に、密着膜としてＴｉＮ等の導電膜１７を形成する。一例として、層間絶縁膜１６上にＣＶＤ法やスパッタ法などでＴｉ膜を形成し、Ｔｉ膜に窒素雰囲気下で熱処理を施してＴｉＮ膜１７を形成する。窒化のための熱処理温度は、たとえば５００℃以上、６５０℃未満である。熱処理温度を６５０℃未満とすることでトランジスタ１５の特性への影響を抑制する。５００℃以上とすることで窒化処理を短縮化する。
図１（Ｃ）で、導電膜１７上に酸素バリア膜１８を形成する。ここでは、導電膜１７上にスパッタ法やＣＶＤ法などを用いて、ＴｉＡｌＮの酸素バリア膜１８を形成する。
図１（Ｄ）で、酸素バリア膜１８上に、第１下部電極膜１９を形成する。ここでは、酸素バリア膜１８上に、たとえばスパッタ法やＣＶＤ法を用いて第１下部電極膜１９を形成する。第１下部電極膜１９は、たとえばＩｒ膜１９である。
図２（Ａ）で、第１下部電極膜１９上に電極酸化膜２１を形成する。この例では、酸素ガスを供給しながらＩｒをスパッタリングして、第１下部電極膜１９上にＩｒＯｘの電極酸化膜２１を形成する。スパッタ法を用いることで、電極酸化膜２１が均一な膜厚で形成される。また、熱酸化と比較して低温で電極酸化膜２１を形成するため、あらかじめ形成されているトランジスタ１５などの他の素子に対する熱的影響が軽減される。スパッタ成膜時にチャンバ内に供給される酸素ガスの比率は、所望の特性を得るために適宜、変更可能である。実施形態では、酸素ガスとともに不活性ガスなどの他のガスを供給して混合ガスとし、混合ガス中の酸素の割合を、モル比率で５０％とする。これにより、十分に酸化された電極酸化膜２１が形成される。
図２（Ｂ）で、電極酸化膜２１上に、ＳｒＲｕＯ3膜２２（以下、「ＳＲＯ膜２２」と省略する）を形成する。ＳＲＯ膜２２の形成に、マグネトロンＤＣスパッタ装置を用いる。ターゲットとしてＳｒＲｕＯ3を用い、成膜パワー０．３ｋＷ、Ａｒ供給レート１００ｓｃｃｍ、６０℃で２秒の条件で成膜する。これにより、膜厚１ｎｍのＳＲＯ膜２２が得られる。成膜時間を調整することで、所望の膜厚を得ることができる。たとえば成膜時間を１０秒として、膜厚５ｎｍのＳＲＯ膜２２を形成することができる。
このようにして形成されるＳＲＯ膜は、アモルファスであり特定配向を有していない。一般に、ＳＲＯの結晶化温度は７００℃以上が必要であるが、それ以下の温度であればアモルファスとすることができる。また、ＩｒＯｘ膜２１とＳＲＯ膜２２は格子整合性が悪いため、ＩｒＯｘ膜２１の上にＳＲＯ膜２２を形成することで、ＳＲＯ膜２２をアモルファスに形成することがより容易になる。
図２（Ｃ）で、第２下部電極膜２３としてＰｔ膜２３を形成する。Ｐｔ膜２３の形成にマグネトロンＤＣスパッタ装置を用いる。Ｐｔのターゲットを用い、成膜パワー０．４ｋＷ、Ａｒ供給レートを１９９ｓｃｃｍ、１００℃で６０秒の条件とする。これにより、膜厚５０ｎｍのＰｔ膜２３を形成する。このＰｔ膜２３は、下地に特定の結晶配向を有しないＳＲＯ膜２２があるため、（１１１）方向への自己配向性が弱くなっている。
図３（Ａ）で、下部電極膜２３上に強誘電体膜２４を形成する。この例では、ＭＯＣＶＤ装置を用いてＭＯＣＶＤ法により強誘電体膜２４を形成する。ＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に供給する有機金属原料ガスの組み合わせとしては、例えばＰｂ（ＤＩＢＭ）２、Ｚｒ（ＤＩＢＭ）４、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）２（ＤＰＭ）２の組み合わせ、Ｐｂ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ（ＤＩＢＭ）４、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）２（ＤＰＭ）２の組み合わせ、Ｐｂ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ（ＩＢＰＭ）４、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）２（ＤＰＭ）２の組み合わせ、Ｐｂ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ（ＯｉＰｒ）（ＤＰＭ）３、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）２（ＤＰＭ）２の組み合わせ、Ｐｂ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ（ＯｉＰｒ）２（ＤＰＭ）２、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）２（ＤＰＭ）２の組み合わせなどが挙げられる。ここで、ＤＩＢＭはＣ9Ｈ15Ｏ2（ジイソブチリルメタナト）、ＩＢＰＭはＣ10Ｈ17Ｏ2（イソブチリルピバロイルメタナト）、ＤＰＭはＣ11Ｈ19Ｏ2（ジピバロイルメタナト）、ＯｉＰｒはＯ−ｉ−Ｃ3Ｈ7をそれぞれ示している。
これらの原料と酸素を流しながら、半導体基板１１の加熱温度を、例えば６２０℃として成膜する。一例として、酸素の流量は２０００ｓｃｃｍであり、酸素ガス中の酸素量が有機金属原料ガスを反応させるために必要な酸素量以上としている。形成時間は、例えば６００秒程度である。
図３（Ｂ）で、強誘電体膜２４上に、スパッタ法やＣＶＤ法により上部電極膜２５を形成する。上部電極膜２４として、たとえばＩｒＯ2膜２４を形成する。下地のＳＲＯ膜２２の存在により、強誘電体膜２４の（１１１）配向が抑制され、表面モフォロジーは良好である。したがって、上部電極膜２５と強誘電体膜２４の間で良好なコンタクト接触が得られる。
図３（Ｃ）で、導電膜１７〜上部電極膜２５までの積層構造を、フォトリソグラフィ技術などによりパターニングして、強誘電体キャパシタ３０を有する半導体装置１が得られる。図３（Ｃ）では、便宜上Ｐｔ膜２３を下部電極としているが、Ｉｒ膜１９、ＩｒＯ2膜２１、ＳＲＯ膜２２、Ｐｔ膜２３の積層を下部電極（Pt/SRO/IrO2/Ir）と称してもよい。
図４は、下部電極構成の違いによるＰＺＴ膜２４の配向強度の違いを示す図である。サンプルとして、シリコン基板上のＳｉＯ2膜上に異なる構成で下部電極を形成し、下部電極上にＰＺＴ膜を形成して、Ｘ線回折装置を用いてＰＺＴ膜の結晶配向測定を実施した。
サンプルとして、ＩｒＯ2膜上にＳＲＯ膜なしで厚さ５０ｎｍのＰｔ膜を形成し、Ｐｔ膜上にＰＺＴを形成したサンプル４０ａ（PZT/Pt）、ＩｒＯ2膜上に厚さ１ｎｍのＳＲＯ膜上に厚さ５０ｎｍのＰｔ膜を形成し、Ｐｔ膜上にＰＺＴを形成したサンプル４０ｂ（PZT/Pt/SRO_1nm）、ＩｒＯ2膜上に厚さ５ｎｍのＳＲＯ膜上に厚さ５０ｎｍのＰｔ膜を形成し、Ｐｔ膜上にＰＺＴを形成したサンプル４０ｃ（PZT/Pt/SRO_5nm）を作製した。
図４（Ａ）は各サンプルでのＰＺＴ（１００）配向強度（任意単位）を示す。図４（Ｂ）は各サンプルでのＰＺＴ（１１１）配向強度（任意単位）を示す。図４（Ｃ）は各サンプルでのＰＺＴのランダム配向強度を示す。Ｐｔ膜の下にＳＲＯ膜を有していないサンプル４０ａでは、ＰＺＴ膜の結晶が（１１１）に優先配向している。これに対して、図４（Ｃ）に示すように、Ｐｔ膜の下にＳＲＯ膜を１ｎｍ形成したサンプル４０ｂでは、全体的に結晶配向強度が弱く、配向方位のばらつきが増加してランダム配向の傾向を示している。
Ｐｔ膜の下にＳＲＯ膜を５ｎｍ形成したサンプル４０ｃでは、（１１１）配向強度はＳＲＯを配置しないサンプル４０ａと同程度であるが、（１００）配向強度が高くなっている。サンプル４０ｃでは、他の配向方位の出現が強くなったことにより、結晶全体としてみたときに図４（Ｃ）に示すようにランダム配向の傾向が認められる。Ｐｔ膜の下にＳＲＯ膜を配置することで、ＰＺＴ結晶配向のランダム性が高まったことがわかる。
ＳＲＯ膜を薄く形成した場合は、結晶が全体的に配向の小さいランダムな状態で成長するため、ＰＺＴ膜の表面モフォロジーは平坦になる。一方、ＳＲＯ膜を５ｎｍ程度の厚さに形成した場合には、ＰＺＴ（１００）成分とＰＺＴ（１１１）成分の双方で結晶性が向上しているため、ＰＺＴ膜表面のモフォロジーは若干犠牲になるが、ＰＺＴ（１１１）配向により大きな分極特性が得られることが期待できる。
上記のサンプルは、ＳｒＲｕＯ3膜上にＰｔ膜を成長させたが、Ｐｔ膜の代わりにＩｒ膜を用いても、ＰＺＴ膜の配向性に関して同様の結果が得られると考えられる。
図５は、ＰＺＴ（１１１）強度と、ＰＺＴの表面平坦性の関係を示す図である。ＰＺＴ（１１１）強度が小さくなるほど、ＰＺＴ表面は平坦になる。ＰＺＴ（１１１）強度が小さいということは、突起を生じさせるＰＺＴ（１１１）結晶が少ないことを意味し、表面の平坦性は増す。図４のサンプル４０ｂのように、ＰＺＴ（１１１）強度自体が小さい場合は、ＰＺＴ（１００）が多いか否かは平坦性とはあまり関係がない。この意味で、サンプル４０ｂのＰＺＴ膜の表面平坦性は十分に担保されている。なお、図４と図５の強度値は必ずしも連動していないが、これは、ＰＺＴ（１１１）強度は測定系で変化する相対的なものだからである。
一方、ＰＺＴ（１１１）強度が大きい場合でも、ＰＺＴ（１００）強度も大きければ、ＰＺＴ（１００）配向面をもつ結晶の絶対量が増えた、あるいはＰＺＴ（１００）の配向が揃ったという要素が含まれる。この場合は、ＰＺＴ（１１１）強度単独で平坦性が決まるのではなく、他の配向との関係で平坦性が決まる。図４のサンプル４０ｃの場合、ＰＺＴ（１００）配向強度が大きいため、その平坦性を評価するには、ＰＺＴ（１００）強度に対するＰＺＴ（１１１）強度の比（以下、「強度比」とする）を用いるのが適切である。
図６は、下地にＳＲＯを配置しないPZT/Ptのサンプル４０ａと、下地に厚さ５ｎｍのＳＲＯを配置したPZT/Pt/SRO_5nmのサンプル４０ｃの強度比を示す図である。サンプル４０ａではＰＺＴ（１１１）配向が優位であるため、強度比は５よりも大きい。これに対してサンプル４０ｃは、ＰＺＴ（１００）配向が揃ってきているため、強度比は３．７程度である。
図７は、ＰＺＴ（１１１）／ＰＺＴ（１００）強度比と表面平坦性の関係を示す図である。強度比が小さいほど、すなわち、ＰＺＴ（１１１）の割合が小さくなるほど、表面は平坦になる。電界集中を防止し、上部電極膜とのコンタクトを確保するためには、ＰＺＴ（１００）強度に対するＰＺＴ（１１１）強度の比（強度比）は３．８以下であることが望ましい。
以上から、下部電極の下地に厚さが１〜５ｎｍのＳＲＯ膜を配置することで、下部電極の（１１１）配向性を乱して、下部電極上に形成されるＰＺＴ（１１１）配向を抑制することができる。これによって、ＰＺＴ膜の表面の平坦性を保つことができる。
特に、下部電極が（１１１）に自己配向するＰｔやＩｒで形成される場合に、下地にＳＲＯ膜を挿入する効果は大きい。ＰｔあるいはＩｒの（１１１）配向を劣化させることによって、その上に形成されるＰＺＴが（１００）、（００１）、（１０１）、（１１０）面が主体の配向をとる。その結果、ＰＺＴのモフォロジーを良好に保ったまま結晶成長させることができる。
ＰｔとＳＲＯは格子定数のマッチングが良いため剥がれにくい。ＳＲＯ膜をＩｒＯ2とＰｔの界面に挿入する場合、ＳＲＯはＩｒＯ2上で無配向の結晶となりやすい。また、ＳＲＯとＩｒＯ2は酸化物同士のため、界面親和性が高く、剥がれにくい。
なお、下部電極上に形成される強誘電体膜は、ＰＺＴに限定されず、ペロブスカイト型酸化物強誘電体など任意の材料であっても、下部電極の一部として、あるいは下地としてＳＲＯを配置する構成を適用することができる。Ｐｔ膜あるいはＩｒ膜で構成される下部電極と半導体基板の間に１〜５ｎｍの厚さのＳＲＯ膜を配置することで、下部電極上に形成される強誘電体膜の（１１１）方向への結晶配向を抑制して、ランダムな配向に成長させることができる。また、実施形態の構成と方法は、強誘電体膜をＭＯＣＶＤ法で形成する場合に特に有効であるが、スパッタ法やゾルゲル法でＰＺＴ膜を形成する場合にも適用可能である。
以下の説明に対し、以下の付記を提示する。
（付記１）
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された酸化ストロンチウムルテニウム膜と、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜上に形成された下部電極、及び前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型強誘電体膜、及び前記ペロブスカイト型強誘電体膜上に形成された上部電極を含む強誘電体キャパシタと
を有することを特徴とする半導体装置。
（付記２）
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜は特定の結晶配向を持たない膜であることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜の膜厚は１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記強誘電体膜の（１００）配向Ｘ線回折強度に対する（１１１）配向Ｘ線回折強度の強度比は３．８以下であることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
（付記５）
前記強誘電体キャパシタは、前記酸化ストロンチウムルテニウム膜の下方に位置する酸化イリジウム膜、
をさらに含むことを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６）
前記下部電極は白金またはイリジウムで形成されていることを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
（付記７）
前記強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛、または前記チタン酸ジルコン酸鉛にカルシウム、ストロンチウム、ランタン、ニオブ、タンタル、イリジウム、及びタングステンからなる群から選択される少なくとも１種の元素がドーピングされた膜であることを特徴とする付記１〜６のいずれかに記載の半導体装置。
（付記８）
半導体基板上に、酸化ストロンチウムルテニウム膜を形成し、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜上に下部電極膜を形成し、
前記下部電極膜上にペロブスカイト型強誘電体膜と上部電極膜を形成して強誘電体キャパシタを形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜を、特定の結晶配向を持たない膜に形成することを特徴とする付記８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜を膜厚１ｎｍ〜５ｎｍに形成することを特徴とする付記８または９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記半導体基板上に酸化イリジウム膜を形成し、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜を前記酸化イリジウム膜上に形成する、
ことを特徴とする付記８〜１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
前記下部電極を白金またはイリジウムで形成することを特徴とする付記８〜１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）
前記強誘電体膜を、チタン酸ジルコン酸鉛で、または前記チタン酸ジルコン酸鉛にカルシウム、ストロンチウム、ランタン、ニオブ、タンタル、イリジウム、及びタングステンからなる群から選択される少なくとも１種の元素をドーピングして形成することを特徴とする付記８〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
（付記１４）
前記強誘電体膜を有機金属気相成長法により形成することを特徴とする付記８〜１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１）
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された酸化ストロンチウムルテニウム膜と、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜上に形成された下部電極、及び前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型強誘電体膜、及び前記ペロブスカイト型強誘電体膜上に形成された上部電極を含む強誘電体キャパシタと
を有することを特徴とする半導体装置。
（付記２）
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜は特定の結晶配向を持たない膜であることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜の膜厚は１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記強誘電体膜の（１００）配向Ｘ線回折強度に対する（１１１）配向Ｘ線回折強度の強度比は３．８以下であることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置。
（付記５）
前記強誘電体キャパシタは、前記酸化ストロンチウムルテニウム膜の下方に位置する酸化イリジウム膜、
をさらに含むことを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６）
前記下部電極は白金またはイリジウムで形成されていることを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
（付記７）
前記強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛、または前記チタン酸ジルコン酸鉛にカルシウム、ストロンチウム、ランタン、ニオブ、タンタル、イリジウム、及びタングステンからなる群から選択される少なくとも１種の元素がドーピングされた膜であることを特徴とする付記１〜６のいずれかに記載の半導体装置。
（付記８）
半導体基板上に、酸化ストロンチウムルテニウム膜を形成し、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜上に下部電極膜を形成し、
前記下部電極膜上にペロブスカイト型強誘電体膜と上部電極膜を形成して強誘電体キャパシタを形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜を、特定の結晶配向を持たない膜に形成することを特徴とする付記８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜を膜厚１ｎｍ〜５ｎｍに形成することを特徴とする付記８または９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記半導体基板上に酸化イリジウム膜を形成し、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜を前記酸化イリジウム膜上に形成する、
ことを特徴とする付記８〜１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
前記下部電極を白金またはイリジウムで形成することを特徴とする付記８〜１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）
前記強誘電体膜を、チタン酸ジルコン酸鉛で、または前記チタン酸ジルコン酸鉛にカルシウム、ストロンチウム、ランタン、ニオブ、タンタル、イリジウム、及びタングステンからなる群から選択される少なくとも１種の元素をドーピングして形成することを特徴とする付記８〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
（付記１４）
前記強誘電体膜を有機金属気相成長法により形成することを特徴とする付記８〜１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
１ 半導体装置
１１ 半導体基板
１５ トランジスタ
２１ ＩｒＯ2膜（電極酸化膜）
２２ ＳＲＯ膜
２３ Ｐｔ膜（下部電極膜）
２４ ＰＺＴ膜（強誘電体膜）
３０ 強誘電体キャパシタ
１１ 半導体基板
１５ トランジスタ
２１ ＩｒＯ2膜（電極酸化膜）
２２ ＳＲＯ膜
２３ Ｐｔ膜（下部電極膜）
２４ ＰＺＴ膜（強誘電体膜）
３０ 強誘電体キャパシタ
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された酸化ストロンチウムルテニウム膜と、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜上に形成された下部電極、及び前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型強誘電体膜、及び前記ペロブスカイト型強誘電体膜上に形成された上部電極を含む強誘電体キャパシタと
を有し、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜はアモルファスの膜であり、前記下部電極は白金またはイリジウムで形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記酸化ストロンチウムルテニウム膜の膜厚は１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記ペロブスカイト型強誘電体膜の（１００）配向Ｘ線回折強度に対する（１１１）配向Ｘ線回折強度の強度比は３．８以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記強誘電体キャパシタは、前記酸化ストロンチウムルテニウム膜の下方に位置する酸化イリジウム膜、
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。 - 半導体基板上に、アモルファスの酸化ストロンチウムルテニウム膜を形成し、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜上に白金またはイリジウムで下部電極膜を形成し、
前記下部電極膜上にペロブスカイト型強誘電体膜と上部電極膜を形成して強誘電体キャパシタを形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化ストロンチウムルテニウム膜を膜厚１ｎｍ〜５ｎｍに形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板上に酸化イリジウム膜を形成し、
前記酸化ストロンチウムルテニウム膜を前記酸化イリジウム膜上に形成する、
ことを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
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