JPH03214717A - 電気的セラミック酸化物装置用電極 - Google Patents
電気的セラミック酸化物装置用電極Info
- Publication number
- JPH03214717A JPH03214717A JP2187331A JP18733190A JPH03214717A JP H03214717 A JPH03214717 A JP H03214717A JP 2187331 A JP2187331 A JP 2187331A JP 18733190 A JP18733190 A JP 18733190A JP H03214717 A JPH03214717 A JP H03214717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- ruthenium
- rhodium
- osmium
- iridium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 79
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 33
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910000487 osmium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910003450 rhodium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- JIWAALDUIFCBLV-UHFFFAOYSA-N oxoosmium Chemical compound [Os]=O JIWAALDUIFCBLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N oxorhodium Chemical compound [Rh]=O SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 29
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 8
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 12
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O Chemical class [Ru]=O ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N [O].[Cu].[Y].[Ba] Chemical compound [O].[Cu].[Y].[Ba] BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0744—Manufacture or deposition of electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/268—Monolayer with structurally defined element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮皿豆Ｉ
本発明は、電気的セラミック酸化物装置に関するもので
ある。更に詳細には、本発明は、ルテニウム、イリジウ
ム、オスミウム、ロジウム及びこれらの金属の導電性酸
化物の何れかによって構成される電極を持った電気的セ
ラミック酸化物装置に関するものである。これらの電極
は、例えば、マイクロ電子メモリ、高温超導電体、電気
光学装置用の強誘電体コンデンサ用に使用するような電
気的セラミック酸化物に対して良好なコンタクトを形成
する。
ある。更に詳細には、本発明は、ルテニウム、イリジウ
ム、オスミウム、ロジウム及びこれらの金属の導電性酸
化物の何れかによって構成される電極を持った電気的セ
ラミック酸化物装置に関するものである。これらの電極
は、例えば、マイクロ電子メモリ、高温超導電体、電気
光学装置用の強誘電体コンデンサ用に使用するような電
気的セラミック酸化物に対して良好なコンタクトを形成
する。
比米及ｌ
米国特許第４，５０７，１８３号（Ｔｈｏｍａｓ ｅ
ｔ ａｌ．）に記載される如く、電解セルにおいてル
テニウムは従来電極物質として使用されている。ルテニ
ウム、オスミウム、ロジウム、イリジウムをコンデンサ
及び抵抗としてマイクロ電子に適用することは、米国特
許第４，２２７，０３９号（Ｓｈｉｂａｓａｋｉ）及び
米国法定発明登録番号Ｈ５４６ （Ｓｃｈｎａｂｌｅ）
に開示されている。米国特許第４，１８４，１９２号（
Ｙｏｓｈｉｄａ ｅｔ ａｌ．）に記載される如《
、固有抵抗が低いために、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、レニウム、オスミウム、イリジウムの酸化物は
、固体電解コンデンサにおけるカソードコレクタとして
機能することが可能である。米国特許第４，１８４，１
９２号は、更に、固有抵抗及び酸化性能力のために、ル
テニウム、ロジウム、レニウム、オスミウム、イリジウ
ムの酸化物を電解物質として使用した場合には、固体電
解コンデンサ（米国特許第４，１８６，４２３号）の性
能が改善されることを記載している。
ｔ ａｌ．）に記載される如く、電解セルにおいてル
テニウムは従来電極物質として使用されている。ルテニ
ウム、オスミウム、ロジウム、イリジウムをコンデンサ
及び抵抗としてマイクロ電子に適用することは、米国特
許第４，２２７，０３９号（Ｓｈｉｂａｓａｋｉ）及び
米国法定発明登録番号Ｈ５４６ （Ｓｃｈｎａｂｌｅ）
に開示されている。米国特許第４，１８４，１９２号（
Ｙｏｓｈｉｄａ ｅｔ ａｌ．）に記載される如《
、固有抵抗が低いために、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、レニウム、オスミウム、イリジウムの酸化物は
、固体電解コンデンサにおけるカソードコレクタとして
機能することが可能である。米国特許第４，１８４，１
９２号は、更に、固有抵抗及び酸化性能力のために、ル
テニウム、ロジウム、レニウム、オスミウム、イリジウ
ムの酸化物を電解物質として使用した場合には、固体電
解コンデンサ（米国特許第４，１８６，４２３号）の性
能が改善されることを記載している。
最近、ルテニウム酸化物の導電性のために、集積回路に
おけるシリコンとアルミニウムとの間の１１ 反応バリアとして研究されるようになった。反応バリア
として、それは、アルミニウム内のシリコンの高い溶解
性及び拡散性によって発生される電気的コンタクトの劣
化を防止する。この点に関しては、Ｋｏｌｗａ ｅｔ
ａｌ．著「反応的にスパッタした酸化物拡散バリア
の微細構造（Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ
Ｒｅａｃｔｉｖｅｌｙ Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ Ｏ
ｘｉｄｅ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｂａｒｉｅｒｓ）
Ｊ．１７ジャナル・オブ・エレクトリカルマテリアルズ
、４２５ （１９８８）．Ｋｒｕｓｉｎ Ｅｌｂａｕ
ｍｅｔ ａｌ．著［大規模集積化メタリゼーション用
の反応的にスバッタした二酸化ルテニウムの特性（Ｃｈ
ａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆＲｅａｃｔｉｖ
ｅｌｙ ＳｐｕｔｔｅｒｅｄＲｕｔｈｅｎｉｕｍ
Ｄｉｏｘｉｄｅ ｆｏｒＶｅｒｙ Ｌａｒｇｅ
Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ．ｄ Ｍｅｔａｌ
ｌｉｚａｔｉｏｎ）Ｊ、５０アブライド・フィジックス
・レター、１８７９ （１９８７）等の文献を参照する
とよい。シリ１２ コン及び二酸化シリコン基板に対するルテニウム酸化物
の良好な接着性は、Ｇｒｅｅｎ ｅｔ ａｌ 著「
ルテニウム及び二酸化ルテニウム膜の化学蒸着（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
ｏｆ Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ ａｎｄ Ｒｕｔｈ
ｅｎｉｕｍ Ｄｉｏｘｉｄｅ Ｆｉ１ｍｓ）Ｊ．１
３２ジャーナル・エレクトロケミカル・ソサエティ２６
７７ （１９８５）の文献に記載されている。
おけるシリコンとアルミニウムとの間の１１ 反応バリアとして研究されるようになった。反応バリア
として、それは、アルミニウム内のシリコンの高い溶解
性及び拡散性によって発生される電気的コンタクトの劣
化を防止する。この点に関しては、Ｋｏｌｗａ ｅｔ
ａｌ．著「反応的にスパッタした酸化物拡散バリア
の微細構造（Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ
Ｒｅａｃｔｉｖｅｌｙ Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ Ｏ
ｘｉｄｅ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｂａｒｉｅｒｓ）
Ｊ．１７ジャナル・オブ・エレクトリカルマテリアルズ
、４２５ （１９８８）．Ｋｒｕｓｉｎ Ｅｌｂａｕ
ｍｅｔ ａｌ．著［大規模集積化メタリゼーション用
の反応的にスバッタした二酸化ルテニウムの特性（Ｃｈ
ａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆＲｅａｃｔｉｖ
ｅｌｙ ＳｐｕｔｔｅｒｅｄＲｕｔｈｅｎｉｕｍ
Ｄｉｏｘｉｄｅ ｆｏｒＶｅｒｙ Ｌａｒｇｅ
Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ．ｄ Ｍｅｔａｌ
ｌｉｚａｔｉｏｎ）Ｊ、５０アブライド・フィジックス
・レター、１８７９ （１９８７）等の文献を参照する
とよい。シリ１２ コン及び二酸化シリコン基板に対するルテニウム酸化物
の良好な接着性は、Ｇｒｅｅｎ ｅｔ ａｌ 著「
ルテニウム及び二酸化ルテニウム膜の化学蒸着（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
ｏｆ Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ ａｎｄ Ｒｕｔｈ
ｅｎｉｕｍ Ｄｉｏｘｉｄｅ Ｆｉ１ｍｓ）Ｊ．１
３２ジャーナル・エレクトロケミカル・ソサエティ２６
７７ （１９８５）の文献に記載されている。
多様な電気的セラミック酸化物が存在しており、例えば
、マイクロ電子メモリ用の強誘電体コンデンサ（例えば
、チタン酸ｉ９ＰｂＴｉＯｓ、ジルコン酸チタン酸鉛ｒ
ＰＺＴＪ ．ランタンドープＰＺＴｒＰＬｚＴ」、及び
チタン酸ハリウムＢａＴ ｉ Ｏ ａ等）、電気光学装
置（例えば、ＰＬＺＴ、二オブ酸リチウムＬ ｉ Ｎ
ｂ ０ ３．チタン酸ビスマスＢｉｉＴｉａＯ＋ｉ等）
、及び高温度超導電体（例えば、イットリウムバリウム
銅酸化物ＹＢａ２ｃｕａｏ７）として使用されているか
又は使用することが可能である。これらの電気的セラミ
ック酸化物の特性は、典型的に、高温度（例えば、５０
０゜Ｃ乃至１１００゜Ｃ）において酸化性雰囲気中にお
いて熱処理することによって最適化させることが可能で
ある。マイクロ電子において及びその他の適用において
一鍜的に使用される多くの電極物質乃至は材料は、この
ような条件下において使用するのに適したものではない
。その例として、アルミニウムは電気的セラミック酸化
物物質と共に反応するか又は溶融し、一方タングステン
及びモリブデンは破壊的に酸化され、シリ→ノイド及び
ポリシリコンは、高｝品度において電気的セラミック酸
化物と反応するか、又は電気的セラミック酸化物と接触
する表面において酸化される。
、マイクロ電子メモリ用の強誘電体コンデンサ（例えば
、チタン酸ｉ９ＰｂＴｉＯｓ、ジルコン酸チタン酸鉛ｒ
ＰＺＴＪ ．ランタンドープＰＺＴｒＰＬｚＴ」、及び
チタン酸ハリウムＢａＴ ｉ Ｏ ａ等）、電気光学装
置（例えば、ＰＬＺＴ、二オブ酸リチウムＬ ｉ Ｎ
ｂ ０ ３．チタン酸ビスマスＢｉｉＴｉａＯ＋ｉ等）
、及び高温度超導電体（例えば、イットリウムバリウム
銅酸化物ＹＢａ２ｃｕａｏ７）として使用されているか
又は使用することが可能である。これらの電気的セラミ
ック酸化物の特性は、典型的に、高温度（例えば、５０
０゜Ｃ乃至１１００゜Ｃ）において酸化性雰囲気中にお
いて熱処理することによって最適化させることが可能で
ある。マイクロ電子において及びその他の適用において
一鍜的に使用される多くの電極物質乃至は材料は、この
ような条件下において使用するのに適したものではない
。その例として、アルミニウムは電気的セラミック酸化
物物質と共に反応するか又は溶融し、一方タングステン
及びモリブデンは破壊的に酸化され、シリ→ノイド及び
ポリシリコンは、高｝品度において電気的セラミック酸
化物と反応するか、又は電気的セラミック酸化物と接触
する表面において酸化される。
更に、電極金属の酸化物が高い固有抵抗を有していると
、電気的セラミック酸化物電極物質の反応が、その電極
と電気的セラミック酸化物との間に酸化された電極物質
からなる界面誘電体層を形成する。このことは、電気的
セラミック酸化物と直列にコンデンサを形成することと
なり、その電気的セラミック酸化物を横断して発生する
電圧降下を減少させる。マイクロ電子メモリ用の強電解
コンデンサとして電気的セラミック酸化物を適用する場
合、結果的に格納乃至は記憶効率が減少される。強誘電
体コンデンサ物質の誘電定数は、典型的に、形成される
場合のある非強誘電体界面層の誘電定数のｌＯ倍を超え
るものであるから、コンデンサへ印加される電圧の９０
％が強誘電体コンデンサを横断して降下されるべきもの
である場合には、その界面層は、強誘電体コンデンサよ
りも約１００倍薄くなければならない。マイクロ電子回
路内に組込まれている薄膜強誘電体コンデンサは典型的
に５０００人の厚さを有しているので、このことは、酸
化した電極物質からなる界面誘電体層が５０人（即ち、
基本的に酸化物が存在しないこと）未満の厚さであるこ
とを必要とする。超導電体等のような電気的セラミック
酸化物装置においは、この界面酸化物はオーミックな導
通を禁止する。
、電気的セラミック酸化物電極物質の反応が、その電極
と電気的セラミック酸化物との間に酸化された電極物質
からなる界面誘電体層を形成する。このことは、電気的
セラミック酸化物と直列にコンデンサを形成することと
なり、その電気的セラミック酸化物を横断して発生する
電圧降下を減少させる。マイクロ電子メモリ用の強電解
コンデンサとして電気的セラミック酸化物を適用する場
合、結果的に格納乃至は記憶効率が減少される。強誘電
体コンデンサ物質の誘電定数は、典型的に、形成される
場合のある非強誘電体界面層の誘電定数のｌＯ倍を超え
るものであるから、コンデンサへ印加される電圧の９０
％が強誘電体コンデンサを横断して降下されるべきもの
である場合には、その界面層は、強誘電体コンデンサよ
りも約１００倍薄くなければならない。マイクロ電子回
路内に組込まれている薄膜強誘電体コンデンサは典型的
に５０００人の厚さを有しているので、このことは、酸
化した電極物質からなる界面誘電体層が５０人（即ち、
基本的に酸化物が存在しないこと）未満の厚さであるこ
とを必要とする。超導電体等のような電気的セラミック
酸化物装置においは、この界面酸化物はオーミックな導
通を禁止する。
集積回路において、又はテスト装置として製造され且つ
回路適用のために検査される強誘電体セ１５ ラミック酸化物コンデンサは、電極物質の酸化物から構
成される界面誘電体層の問題を回避するために、電極物
質として貴金属（例えば、プラチナ、パラジウム、金）
を使用している。しかしなから、貴金属は多数の欠点を
有しており、例えば、価格が高価であり、シリコン酸化
物、窒化シリコン、セラミック酸化物に対する接着性が
悪《、且つアルミニウムに対して固有抵抗が高いので、
貴金属電極を使用するコンデンサの他の回路要素との相
互接続は、アルミニウム相互接続部がコンデンサの電極
とコンタクトする全ての点において反応バリアを使用す
ることを必要としている。
回路適用のために検査される強誘電体セ１５ ラミック酸化物コンデンサは、電極物質の酸化物から構
成される界面誘電体層の問題を回避するために、電極物
質として貴金属（例えば、プラチナ、パラジウム、金）
を使用している。しかしなから、貴金属は多数の欠点を
有しており、例えば、価格が高価であり、シリコン酸化
物、窒化シリコン、セラミック酸化物に対する接着性が
悪《、且つアルミニウムに対して固有抵抗が高いので、
貴金属電極を使用するコンデンサの他の回路要素との相
互接続は、アルミニウム相互接続部がコンデンサの電極
とコンタクトする全ての点において反応バリアを使用す
ることを必要としている。
薄膜強誘電体セラミック酸化物コンデンサ用の電極物質
として、インジウム酸化物及びインジウムー錫酸化物も
使用されている。しかしなから、これらの化合物は、集
積回路におけるコンデンサに対する電極として良好に動
作するのにはその導電性が不十分であり、回路内におい
て顕著な電圧降下を発生することなしに延長させた長さ
を使用ｌ６ ずることが可能であるように導電性物質が可及的に導電
度が高いものであることが望ましいことが判明している
。
として、インジウム酸化物及びインジウムー錫酸化物も
使用されている。しかしなから、これらの化合物は、集
積回路におけるコンデンサに対する電極として良好に動
作するのにはその導電性が不十分であり、回路内におい
て顕著な電圧降下を発生することなしに延長させた長さ
を使用ｌ６ ずることが可能であるように導電性物質が可及的に導電
度が高いものであることが望ましいことが判明している
。
１一追
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、マイクロ電子メモリ
用の強誘電体コンデンサ、高温超導電体、及び電気光学
装置等のような電気的セラミック酸化物物質と使用する
のに適した電極を提供することを目的とする。電気的セ
ラミック酸化物物質の特性を最適化するのに必要とされ
る高温酸化性条件下でこれらの電極は電気的且つ物理的
に安定なものでなけばならない。本発明の別の目的とす
るところは、妥当なコストで高い導電性を与え且つ電極
物質の酸化物形態でこのような導電性を維持する電気的
セラミック酸化物物質用の電極を提供することである。
した如き従来技術の欠点を解消し、マイクロ電子メモリ
用の強誘電体コンデンサ、高温超導電体、及び電気光学
装置等のような電気的セラミック酸化物物質と使用する
のに適した電極を提供することを目的とする。電気的セ
ラミック酸化物物質の特性を最適化するのに必要とされ
る高温酸化性条件下でこれらの電極は電気的且つ物理的
に安定なものでなけばならない。本発明の別の目的とす
るところは、妥当なコストで高い導電性を与え且つ電極
物質の酸化物形態でこのような導電性を維持する電気的
セラミック酸化物物質用の電極を提供することである。
本発明の更に別の目的とするところは、高々５５０℃ま
での温度でアルミニウム及びシリコンに対して良好な電
気的及び物理的なコンタクトをすることが可能な電極を
提供することである。本発明の更に別の目的とするとこ
ろは、例えば、シリコンの酸化物及び窒化物等のような
マイクロ電子において一般的に遭遇する表面に対して及
び電気的セラミック酸化物に対して良好な接着性を有す
る電極を提供することである。
での温度でアルミニウム及びシリコンに対して良好な電
気的及び物理的なコンタクトをすることが可能な電極を
提供することである。本発明の更に別の目的とするとこ
ろは、例えば、シリコンの酸化物及び窒化物等のような
マイクロ電子において一般的に遭遇する表面に対して及
び電気的セラミック酸化物に対して良好な接着性を有す
る電極を提供することである。
薩一滅
上述した如き目的及びそれらに関連する目的は、一般的
な電気的リード物質へ電気的セラミック酸化物物質を接
続する界面電極を持った電気的セラミック酸化物装置を
使用することによって達成することが可能であり、該界
面電極は、電気的酸化物セラミック物質と反応して悪影
響を与えることがない特性を有するものである。本発明
は、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、
及びこれらの金属の酸化物（それらの全ては良好な電気
的導体である）からなるグループから選択した物質から
なる物体を具備する界面電極を使用している。
な電気的リード物質へ電気的セラミック酸化物物質を接
続する界面電極を持った電気的セラミック酸化物装置を
使用することによって達成することが可能であり、該界
面電極は、電気的酸化物セラミック物質と反応して悪影
響を与えることがない特性を有するものである。本発明
は、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、
及びこれらの金属の酸化物（それらの全ては良好な電気
的導体である）からなるグループから選択した物質から
なる物体を具備する界面電極を使用している。
本発明の別の実施例においては、二つの物体を具備する
界面電極を使用しており、即ち、第一物体は、ルテニウ
ム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロジ
ウム酸化物からなるグループから選択される物質を有し
ており、且つ第二物体は、ルテニウム、イリジウム、オ
スミウム、ロジウムからなるグループから選択される物
質を有しており、第二物体は電気的リード物質と第一物
体との間に配設されている。この第二物体は、電気的リ
ード物質と第一物体との間に界面酸化物層が形成される
ことを防止する。
界面電極を使用しており、即ち、第一物体は、ルテニウ
ム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロジ
ウム酸化物からなるグループから選択される物質を有し
ており、且つ第二物体は、ルテニウム、イリジウム、オ
スミウム、ロジウムからなるグループから選択される物
質を有しており、第二物体は電気的リード物質と第一物
体との間に配設されている。この第二物体は、電気的リ
ード物質と第一物体との間に界面酸化物層が形成される
ことを防止する。
本発明は、高温度において良好な電気的及び物理的な安
定性を発揮し、酸化物形態においても高導電性を与え、
コストが妥当であり、アルミニウムに対して良好なコン
タクトを与え、アルミニウムに対するコンタクト抵抗が
低く、且つマイクロ電子物質に対する接着性が良好な電
気的セラミック酸化物装置用の電極を提供している。
定性を発揮し、酸化物形態においても高導電性を与え、
コストが妥当であり、アルミニウムに対して良好なコン
タクトを与え、アルミニウムに対するコンタクト抵抗が
低く、且つマイクロ電子物質に対する接着性が良好な電
気的セラミック酸化物装置用の電極を提供している。
１上土
以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
ｌ９
本発明は、化学的に同様な金属である、ルテニウム、イ
リジウム、オスミウム、ロジウム及びそれらの酸化物の
物理的特性を使用して電気的セラミック酸化物装置用の
電極を形成する。以下の表１が示す如く、これらの金属
及びそれらの酸化物は非常に良好な電気的導体である。
リジウム、オスミウム、ロジウム及びそれらの酸化物の
物理的特性を使用して電気的セラミック酸化物装置用の
電極を形成する。以下の表１が示す如く、これらの金属
及びそれらの酸化物は非常に良好な電気的導体である。
例えば、ルテニウムは約８ ＩｒΩ・ｃｍの固有抵抗を
有しており、それはプラヂナ（１１、ｕΩｃｍ）よりも
良好である。ルテニウム酸化物は、約４５μΩ・ｃｍの
固有抵抗を有しており、それはプラチナよりも４倍程度
悪いに過ぎず、ポリシノコンよりも２０（＠良好である
。
有しており、それはプラヂナ（１１、ｕΩｃｍ）よりも
良好である。ルテニウム酸化物は、約４５μΩ・ｃｍの
固有抵抗を有しており、それはプラチナよりも４倍程度
悪いに過ぎず、ポリシノコンよりも２０（＠良好である
。
２０
更に、これらの酸化物は、広い温度範囲に亘って安定な
ものである。ルテニウム酸化物は、少なくとも９００℃
迄の温度において高々数時間の期間に亘り酸素中におい
て安定である。従って、これらの酸化物は、特に酸化性
雰囲気中において高温度で性能を最適化される電気的セ
ラミック酸化物物質と共に使用するのに特に適している
。
ものである。ルテニウム酸化物は、少なくとも９００℃
迄の温度において高々数時間の期間に亘り酸素中におい
て安定である。従って、これらの酸化物は、特に酸化性
雰囲気中において高温度で性能を最適化される電気的セ
ラミック酸化物物質と共に使用するのに特に適している
。
更に、ルテニウムは、アルミニウム及びシリコンの両方
と共に５５０℃迄の温度において安定であることが判明
している。ルテニウムは、更に、シリコン及びアルミニ
ウムに対して良好な電気的コンタクトを形成する。これ
らの特性は、ルテニウム又はルテニウム酸化物電極を具
備するコンデンサを従来の処理技術を使用して最小の困
難性でマイクロ電子回路内へ相互接続させるのに理想的
である。
と共に５５０℃迄の温度において安定であることが判明
している。ルテニウムは、更に、シリコン及びアルミニ
ウムに対して良好な電気的コンタクトを形成する。これ
らの特性は、ルテニウム又はルテニウム酸化物電極を具
備するコンデンサを従来の処理技術を使用して最小の困
難性でマイクロ電子回路内へ相互接続させるのに理想的
である。
ルテニウム及びルテニウム酸化物は、例えばプラチナを
使用する場合に必要とされる接着促進剤に対する必要性
なしに、シリコン、二酸化シリコン、及びセラミック酸
化物に対する良好な接着性を与える。ルテニウムは、更
に、電気的セラミック酸化物物質用の電極物質として従
来使用されているプラチナ、パラジウム及び金と比較し
てより低価である。
使用する場合に必要とされる接着促進剤に対する必要性
なしに、シリコン、二酸化シリコン、及びセラミック酸
化物に対する良好な接着性を与える。ルテニウムは、更
に、電気的セラミック酸化物物質用の電極物質として従
来使用されているプラチナ、パラジウム及び金と比較し
てより低価である。
第１図は、本発明の一実施例に基づく電気的セラミック
酸化物装置の概略図である。電気的セラミック酸化物物
質１０は、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジ
ウム、又はこれらの物質の酸化物又はそれらの混合物か
らなる電気的導電性界面物質ｌＯからなる物体によって
共通電気的導電性リード千段１４（例えばアルミニウム
）へ接続されている。これらの酸化物は、電気的セラミ
ック酸化物物質に対して化学的に安定である。
酸化物装置の概略図である。電気的セラミック酸化物物
質１０は、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジ
ウム、又はこれらの物質の酸化物又はそれらの混合物か
らなる電気的導電性界面物質ｌＯからなる物体によって
共通電気的導電性リード千段１４（例えばアルミニウム
）へ接続されている。これらの酸化物は、電気的セラミ
ック酸化物物質に対して化学的に安定である。
金属のみを使用した場合には、電気的セラミック酸化物
と金属との界面に金属の酸化物を形成するものと考えら
れる。
と金属との界面に金属の酸化物を形成するものと考えら
れる。
界面物質ｌ２からなる物体は、好適には、セラミック酸
化物物質の特性を最適化するための加熱を行う前にセラ
ミック酸化物物質１０の上にルテニウム、イリジウム、
オスミウム又はロジウムの金属を付着形成させるか（こ
の場合には、酸素と共に加熱することにより、該金属を
酸化物へ変換させることが可能である）、又はセラミッ
ク物質上に金属酸化物を直接的に付着させることによっ
て形成することが可能である。一方、金属のみを電気的
セラミック酸化物物質上に付着形成し且つ酸化物へ変換
させない場合（例えば、酸素と共に加熱することにより
）、その界面物質は金属として留まり、電気的セラミッ
ク酸化物物質とその金属の界面に何らかの金属酸化物が
形成されるものと考えられる。
化物物質の特性を最適化するための加熱を行う前にセラ
ミック酸化物物質１０の上にルテニウム、イリジウム、
オスミウム又はロジウムの金属を付着形成させるか（こ
の場合には、酸素と共に加熱することにより、該金属を
酸化物へ変換させることが可能である）、又はセラミッ
ク物質上に金属酸化物を直接的に付着させることによっ
て形成することが可能である。一方、金属のみを電気的
セラミック酸化物物質上に付着形成し且つ酸化物へ変換
させない場合（例えば、酸素と共に加熱することにより
）、その界面物質は金属として留まり、電気的セラミッ
ク酸化物物質とその金属の界面に何らかの金属酸化物が
形成されるものと考えられる。
この時点において、従来のリード手段ｌ４を取付けるこ
とが可能である。しかしなから、界面物質１２が酸化物
形態であり（例えば、ルテニウム酸化物）且つ爾後の処
理期間中にその装置を充分に高い温度（例えば、４５０
℃）へ加熱する場合には、界面物質とリード手段との間
の電気的コンタクトは不良なものとなる場合がある。こ
のような高温は、電極の形成に無関係な処理において発
生する場合がある。例えば、従来の半導体処理に２３ ？いては、合金化、誘電体付着、又はパツケージング及
びタイ取付けのために４００℃乃至４５０゜Ｃの温度を
使用する場合がある。このような温度において不良なコ
ンタクトが発生する理由について以下に説明する。
とが可能である。しかしなから、界面物質１２が酸化物
形態であり（例えば、ルテニウム酸化物）且つ爾後の処
理期間中にその装置を充分に高い温度（例えば、４５０
℃）へ加熱する場合には、界面物質とリード手段との間
の電気的コンタクトは不良なものとなる場合がある。こ
のような高温は、電極の形成に無関係な処理において発
生する場合がある。例えば、従来の半導体処理に２３ ？いては、合金化、誘電体付着、又はパツケージング及
びタイ取付けのために４００℃乃至４５０゜Ｃの温度を
使用する場合がある。このような温度において不良なコ
ンタクトが発生する理由について以下に説明する。
例えば、ルテニウム酸化物等のような容易に還元可能な
酸化物を非常に還元性の強い元素又は化合物（例えば、
アルミニウム、シリコン又はチタンシリサイド）と接触
して加熱する場合には、温度及び時間が充分であると、
界面において酸化一還元反応が発生する。例えば、アル
ミニウム及びルテニウム酸化物の場合には、アルミニウ
ム酸化物とルテニウムが形成される。
酸化物を非常に還元性の強い元素又は化合物（例えば、
アルミニウム、シリコン又はチタンシリサイド）と接触
して加熱する場合には、温度及び時間が充分であると、
界面において酸化一還元反応が発生する。例えば、アル
ミニウム及びルテニウム酸化物の場合には、アルミニウ
ム酸化物とルテニウムが形成される。
３ＲｕＯ■＋ ２Ａ１ −一−１ ３Ｒｕ ＋ Ａ１
２０３このアルミニウム酸化物は、ルテニウム酸化物と
アルミニウムとの間に電気的絶縁層を形成する場合があ
り、それにより不良なコンタクトを発生する。この反応
が行われる速度は、温度及び時間が増加すると増加する
。３０分間で４００゜Ｃ又は４５０゜Ｃにおいて加熱を
行う典型的な合金化ブロ２ ４ セスにおいては、充分な反応が行われ、コンタクトの電
気的特性を劣化する場合がある．ルテニウムがアルミニ
ウムと接触する場合にはこの問題は発生することがない
。なぜならば、アルミニウム酸化物を形成するための酸
素が存在しないからである。ルテニウムは、又、それ自
身の酸化物と接触する場合も安定している。従って、ル
テニウムは、ルテニウム酸化物とアルミニウムとの間の
バリアとして作用することが可能である。第２図は、電
極を形成した後に高温処理に露呈される装置に対しての
このような形態の好適な実施例を示している。電気的セ
ラミック酸化物物質１０は、ルテニウム酸化物（又は、
上述した関連する金属の酸化物）からなる導電性界面物
質ｌ２からなる第一物体とコンタクト即ち接触している
。ルテニウム（又は、上述した関連する金属）からなる
導電性界面物質１６からなる第二物体が、ルテニウム酸
化物を電気的導電性リード手段（例えば、アルミニウム
）へ接続している。
２０３このアルミニウム酸化物は、ルテニウム酸化物と
アルミニウムとの間に電気的絶縁層を形成する場合があ
り、それにより不良なコンタクトを発生する。この反応
が行われる速度は、温度及び時間が増加すると増加する
。３０分間で４００゜Ｃ又は４５０゜Ｃにおいて加熱を
行う典型的な合金化ブロ２ ４ セスにおいては、充分な反応が行われ、コンタクトの電
気的特性を劣化する場合がある．ルテニウムがアルミニ
ウムと接触する場合にはこの問題は発生することがない
。なぜならば、アルミニウム酸化物を形成するための酸
素が存在しないからである。ルテニウムは、又、それ自
身の酸化物と接触する場合も安定している。従って、ル
テニウムは、ルテニウム酸化物とアルミニウムとの間の
バリアとして作用することが可能である。第２図は、電
極を形成した後に高温処理に露呈される装置に対しての
このような形態の好適な実施例を示している。電気的セ
ラミック酸化物物質１０は、ルテニウム酸化物（又は、
上述した関連する金属の酸化物）からなる導電性界面物
質ｌ２からなる第一物体とコンタクト即ち接触している
。ルテニウム（又は、上述した関連する金属）からなる
導電性界面物質１６からなる第二物体が、ルテニウム酸
化物を電気的導電性リード手段（例えば、アルミニウム
）へ接続している。
第３（ａ）図及び第３（ｂ）図は、第１図及び第２図に
夫々示した電極を使用する電気的セラミック酸化物コン
デンサを示しており、その場合、電気的セラミック酸化
物物質１０は強誘電体セラミック酸化物誘電体物質であ
る。電気光学装置及び高温超導電体装置は、強誘電体セ
ラミック酸化物誘電体の代わりに適宜の電気的セラミッ
ク酸化物物質１０を置換することによって形成すること
が可能である。
夫々示した電極を使用する電気的セラミック酸化物コン
デンサを示しており、その場合、電気的セラミック酸化
物物質１０は強誘電体セラミック酸化物誘電体物質であ
る。電気光学装置及び高温超導電体装置は、強誘電体セ
ラミック酸化物誘電体の代わりに適宜の電気的セラミッ
ク酸化物物質１０を置換することによって形成すること
が可能である。
第４図を参照すると、本発明のマイクロ電子への特定の
適用例が示されている。例えばパターン形成したＣＭＯ
Ｓウエハ等のような半導体基板２２が、第一電極の一部
を構成するルテニウム酸化物２４からなる物体を支持し
ている。このルテニウム酸化物物体は、スパッタリング
又は化学蒸着（ＣＶＤ）によって基板２２上にルテニウ
ム膜を付着形成し、且つ爾後にそのルテニウムを以下に
記載する如くルテニウム酸化物へ変換させることによっ
て形成することが可能である。このルテニウム膜の厚さ
は約７５０人である。一方、ルテニウム酸化膜を、反応
によって基板上へスパツタ形成するか又は化学蒸着によ
って付着形成することも可能である。このルテニウム又
はルテニウム酸化物の膜は、マスキング及びエッチング
操作によってパターン形成する。
適用例が示されている。例えばパターン形成したＣＭＯ
Ｓウエハ等のような半導体基板２２が、第一電極の一部
を構成するルテニウム酸化物２４からなる物体を支持し
ている。このルテニウム酸化物物体は、スパッタリング
又は化学蒸着（ＣＶＤ）によって基板２２上にルテニウ
ム膜を付着形成し、且つ爾後にそのルテニウムを以下に
記載する如くルテニウム酸化物へ変換させることによっ
て形成することが可能である。このルテニウム膜の厚さ
は約７５０人である。一方、ルテニウム酸化膜を、反応
によって基板上へスパツタ形成するか又は化学蒸着によ
って付着形成することも可能である。このルテニウム又
はルテニウム酸化物の膜は、マスキング及びエッチング
操作によってパターン形成する。
次いで、ルテニウム又はルテニウム酸化物からなる物体
２４の上に電気的セラミック酸化物誘電体物質２６を付
着形成する。この電気的セラミック誘電体物質をパター
ン形成し且つ約１気圧において酸素中において５００℃
−７７５゜Ｃにおいてシンクする。ルテニウムを上述し
た如く物体２４として付着形成した場合には、このプロ
セスがルテニウム又はその一部をルテニウム酸化物へ変
換し、且つその厚さを増加させる。そのルテニウムが完
全に酸化されると，厚さは約１７５０人に増加する。酸
化が完全でない場合には、第一電極は、セラミック酸化
物物質をシンタするために使用される条件によって決定
される厚さを持ったルテニウム酸化物の領域によって、
ルテニウムからなる物体がセラミック酸化物から分離さ
れて構成される。
２４の上に電気的セラミック酸化物誘電体物質２６を付
着形成する。この電気的セラミック誘電体物質をパター
ン形成し且つ約１気圧において酸素中において５００℃
−７７５゜Ｃにおいてシンクする。ルテニウムを上述し
た如く物体２４として付着形成した場合には、このプロ
セスがルテニウム又はその一部をルテニウム酸化物へ変
換し、且つその厚さを増加させる。そのルテニウムが完
全に酸化されると，厚さは約１７５０人に増加する。酸
化が完全でない場合には、第一電極は、セラミック酸化
物物質をシンタするために使用される条件によって決定
される厚さを持ったルテニウム酸化物の領域によって、
ルテニウムからなる物体がセラミック酸化物から分離さ
れて構成される。
２７
電気的セラミック酸化物２６の反対側にルテニウム酸化
物２８（第二電極の一部を構成する）の物体が、例えば
、ルテニウム酸化物の反応性スバックリングによって、
ＣＶＤを使用するルテニウム酸化物の付着形成によって
、又はスパッタリング又はＣＶＤによるルテニウムの付
着形成によって形成される。ルテニウムが付着形成され
ると、ルテニウム酸化物は、例えば１５分間６５０゜Ｃ
において酸素中で加熱することにより、熱酸化によって
形成することが可能である。
物２８（第二電極の一部を構成する）の物体が、例えば
、ルテニウム酸化物の反応性スバックリングによって、
ＣＶＤを使用するルテニウム酸化物の付着形成によって
、又はスパッタリング又はＣＶＤによるルテニウムの付
着形成によって形成される。ルテニウムが付着形成され
ると、ルテニウム酸化物は、例えば１５分間６５０゜Ｃ
において酸素中で加熱することにより、熱酸化によって
形成することが可能である。
どのような方法でルテニウム酸化物からなる物体が形成
されようと、それは、次いで、金属ルテニウム３０から
なる物体で被覆され、それは爾後にアルミニウム（又は
、その他の従来の導体）相、互接続メタリゼーションと
コンタクトし且つルテニウム酸化物物体とアルミニウム
との間の相互作用を防止する。好適なアプローチは、例
えば、アルゴンと酸素との混合物を有するスパッタリン
グ雰囲気を使用して公知の技術によってルテニウム酸化
物を反応的にスパッタすることである。次い２ ８ で、真空室からウエハを除去することなしに、酸素の不
存在下においてスパッタリングによりルテニウム物体を
付着形成させる。従って、この複４合電極構成体は、単
一の処理ステップで構成される。一方ルテニウム酸化物
物体を付着したルテニウム物体の酸化によって形成する
場合には、ウエハをルテニウムの付加的な付着を行う処
理がなされる。
されようと、それは、次いで、金属ルテニウム３０から
なる物体で被覆され、それは爾後にアルミニウム（又は
、その他の従来の導体）相、互接続メタリゼーションと
コンタクトし且つルテニウム酸化物物体とアルミニウム
との間の相互作用を防止する。好適なアプローチは、例
えば、アルゴンと酸素との混合物を有するスパッタリン
グ雰囲気を使用して公知の技術によってルテニウム酸化
物を反応的にスパッタすることである。次い２ ８ で、真空室からウエハを除去することなしに、酸素の不
存在下においてスパッタリングによりルテニウム物体を
付着形成させる。従って、この複４合電極構成体は、単
一の処理ステップで構成される。一方ルテニウム酸化物
物体を付着したルテニウム物体の酸化によって形成する
場合には、ウエハをルテニウムの付加的な付着を行う処
理がなされる。
ルテニウム酸化物物体２８とルテニウム物体３０とを具
備する上部榎合電極を形成するために使用した物質を、
上部電極を形成する場合に付着した物質が底部電極へコ
ンタクトを形成すべき領域の上方に残留するように、ル
テニウム酸化物物体２８Ａ及びルテニウム物体３０Ａを
介してバクーン形成する。このように、上部及び底部電
極の両方の上のルテニウム酸化物物体は、ルテニウム物
体によって、分離され且つアルミニウムとの反応から保
護される。
備する上部榎合電極を形成するために使用した物質を、
上部電極を形成する場合に付着した物質が底部電極へコ
ンタクトを形成すべき領域の上方に残留するように、ル
テニウム酸化物物体２８Ａ及びルテニウム物体３０Ａを
介してバクーン形成する。このように、上部及び底部電
極の両方の上のルテニウム酸化物物体は、ルテニウム物
体によって、分離され且つアルミニウムとの反応から保
護される。
例えば、二酸化シリコン等のような絶縁性誘電体被覆３
２を、ルテニウム酸化物物体（２４＋２８Ａ）及びルテ
ニウム物体３０Ａから構成される複合底部電極、ルテニ
ウム酸化物物体２８とルテニウム物体３０から構成され
る複合上部電極、及び電気的セラミック酸化物２６上に
付着形成させる。誘電体被覆３２をエッチングして、上
部及び底部複合電極の夫々のルテニウム物体３０Ａ及び
３０を露出さぜる。
２を、ルテニウム酸化物物体（２４＋２８Ａ）及びルテ
ニウム物体３０Ａから構成される複合底部電極、ルテニ
ウム酸化物物体２８とルテニウム物体３０から構成され
る複合上部電極、及び電気的セラミック酸化物２６上に
付着形成させる。誘電体被覆３２をエッチングして、上
部及び底部複合電極の夫々のルテニウム物体３０Ａ及び
３０を露出さぜる。
従って、電極物質（ルテニウム酸化物及びルテニウム）
からなるこれら２つの物体は、共に底部電極（ルテニウ
ム酸化物（２４＋２８Ａ）及びそのルテニウムキャップ
３０Ａから構成されている）及び上部電極（ルテニウム
酸化物２８及びそのルテニウムキャップ３０から構成さ
れている）を形成する。電気的セラミック酸化物コンデ
ン→ノ゛（二つの電極と電気的セラミック酸化物誘電体
物質を包含している）の集積回路への電気的接続は、該
電極に対するアルミニウム接続３４を介して形成される
。
からなるこれら２つの物体は、共に底部電極（ルテニウ
ム酸化物（２４＋２８Ａ）及びそのルテニウムキャップ
３０Ａから構成されている）及び上部電極（ルテニウム
酸化物２８及びそのルテニウムキャップ３０から構成さ
れている）を形成する。電気的セラミック酸化物コンデ
ン→ノ゛（二つの電極と電気的セラミック酸化物誘電体
物質を包含している）の集積回路への電気的接続は、該
電極に対するアルミニウム接続３４を介して形成される
。
電気的セラミック酸化物物質とコンタクトしているルテ
ニウム酸化物及び導電性リード手段とコンタク１・シて
いるルテニウムから構成されるこれらの電極は、電気的
セラミック酸化物物質及びリード手段の両方が安定な電
極表面とのみコンタクトすることを確保している。
ニウム酸化物及び導電性リード手段とコンタク１・シて
いるルテニウムから構成されるこれらの電極は、電気的
セラミック酸化物物質及びリード手段の両方が安定な電
極表面とのみコンタクトすることを確保している。
ルテニウムはマイクロ電子電気的セラミック物質に対す
るコンタクトを形成するために従来使用されていた貴金
属よりも低価格であるが、例えばアルミニウム、ヂクン
、ポリシリコン、シリサイド等のような従来の導体物質
の上にキャップ即ち被覆体としてルテニウム又はルテニ
ウム酸化物を使用することにより材料コストを更に減少
させることが可能である。例えば、第一電極２４は、電
気的セラミック酸化物物質とコンタクトするルテニウム
酸化物からなる第一物体と従来の導体とルテニウム酸化
物との間に配設されておりルテニウム酸化物と従来の導
体との間のそのバリアとして作用するルテニウムからな
る第二物体とから構成されるキャップを持った従来の導
体で置換することが可能である。
るコンタクトを形成するために従来使用されていた貴金
属よりも低価格であるが、例えばアルミニウム、ヂクン
、ポリシリコン、シリサイド等のような従来の導体物質
の上にキャップ即ち被覆体としてルテニウム又はルテニ
ウム酸化物を使用することにより材料コストを更に減少
させることが可能である。例えば、第一電極２４は、電
気的セラミック酸化物物質とコンタクトするルテニウム
酸化物からなる第一物体と従来の導体とルテニウム酸化
物との間に配設されておりルテニウム酸化物と従来の導
体との間のそのバリアとして作用するルテニウムからな
る第二物体とから構成されるキャップを持った従来の導
体で置換することが可能である。
さらに、上述した本発明は、半導体製造におい３１
て使用される従来のバリア技術と共に使用することが可
能である。コンデンサ技術によって決定されることのな
い理由により、バリアをイ吏用することが集積化が発生
する半導体技術の特徴である場合には、チタン、窒化チ
タン、チタンータングステン、又はタングステン等のよ
うな一般的に使用されるバリア物質を、悪影響を発生す
ることなく電極をコンタクトするために使用することが
可能である。
能である。コンデンサ技術によって決定されることのな
い理由により、バリアをイ吏用することが集積化が発生
する半導体技術の特徴である場合には、チタン、窒化チ
タン、チタンータングステン、又はタングステン等のよ
うな一般的に使用されるバリア物質を、悪影響を発生す
ることなく電極をコンタクトするために使用することが
可能である。
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
ではな《、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種
々の変形が可能であることは勿論である。
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
ではな《、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種
々の変形が可能であることは勿論である。
第１図及び第２図は本発明の実施例に基づいて構成され
た電気的セラミック酸化物装置を示した各概略図、第３
（ａ）図及び第３（ｂ）図は本発明を使用した電気的回
路を示した各説明図、第４図は本発明に基づく上部電極
及び底部電極を具備３２ する電気的セラミック酸化物コンデンサを示した集積回
路の一部を示した概略断面図、である。 （符号の説明） １０：電気的セラミック酸化物物質 ｌ２．界面物質 １４：電気的導電性リード手段 ｌ６・導電性界面物質 ２２：半導体基板 ２４：ルテニウム酸化物物体 ２６：電気的セラミック酸化物誘電体物質２８：ルテニ
ウム酸化物物体 ３０：金属ルテニウム物体 ３２：絶縁性誘電体被覆 ３４：アルミニウム相互接続
た電気的セラミック酸化物装置を示した各概略図、第３
（ａ）図及び第３（ｂ）図は本発明を使用した電気的回
路を示した各説明図、第４図は本発明に基づく上部電極
及び底部電極を具備３２ する電気的セラミック酸化物コンデンサを示した集積回
路の一部を示した概略断面図、である。 （符号の説明） １０：電気的セラミック酸化物物質 ｌ２．界面物質 １４：電気的導電性リード手段 ｌ６・導電性界面物質 ２２：半導体基板 ２４：ルテニウム酸化物物体 ２６：電気的セラミック酸化物誘電体物質２８：ルテニ
ウム酸化物物体 ３０：金属ルテニウム物体 ３２：絶縁性誘電体被覆 ３４：アルミニウム相互接続
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気的セラミック酸化物装置において、電気的セラ
ミック酸化物物質からなる第一物体、導電性リード手段
、前記第一物体を前記リード手段へ接続する界面物質か
らなる第二物体、を有しており、前記第二物体が、ルテ
ニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、ルテニウ
ム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロジ
ウム酸化物からなるグループから選択された物質からな
る第一部分を具備することを特徴とする電気的セラミッ
ク酸化物装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記第二物体の前
記第一部分が、ルテニウム酸化物、イリジウム酸化物、
オスミウム酸化物、ロジウム酸化物からなるグループか
ら選択されるものであり、且つ前記第二物体が、更に、
ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウムからな
るグループから選択される物質からなる第二部分を具備
しており、前記第二部分が、前記リード手段と前記第一
部分との間に配設されており、前記第二部分が、前記リ
ード手段と前記第一部分との間に界面酸化物層を形成す
ることを防止することを特徴とする電気的セラミック酸
化物装置。 ３、電気的セラミック酸化物コンデンサにおいて、ルテ
ニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、ルテニウ
ム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロジ
ウム酸化物からなるグループから選択した物質からなる
第一物体を具備する第一電極、第二電極、前記第一電極
と前記第二電極との間に配設されている電気的セラミッ
ク酸化物誘電体物質、を有することを特徴とする電気的
セラミック酸化物コンデンサ。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記第一物体が、
ルテニウム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化
物、ロジウム酸化物からなるグループから選択されるも
のであり、且つ前記第一電極が、更に、ルテニウム、イ
リジウム、オスミウム、ロジウムからなるグループから
選択される物質からなる第二物体を具備しており、前記
第一物体が、前記電気的セラミック酸化物誘電体物質と
前記第二物体との間に配設されていることを特徴とする
電気的セラミック酸化物コンデンサ。 ５、特許請求の範囲第３項において、前記第二電極が、
ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、ルテ
ニウム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、
ロジウム酸化物からなるグループから選択される物質か
らなる第一物体を具備していることを特徴とする電気的
セラミック酸化物コンデンサ。 ６、特許請求の範囲第５項において、前記第一及び第二
電極の各々における電気第一物体が、ルテニウム酸化物
、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロジウム酸化
物からなるグループから選択されるものであり、且つ前
記第一及び第二電極の各々が、更に、ルテニウム、イリ
ジウム、オスミウム、ロジウムからなるグループから選
択される物質からなる第二物体を具備しており、前記第
一物体が前記電気的セラミック酸化物誘電体物質と前記
第二物体との間に配設されていることを特徴とする電気
的セラミック酸化物コンデンサ。 ７、電気的セラミック酸化物電気光学装置において、ル
テニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、ルテニ
ウム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロ
ジウム酸化物からなるグループから選択される物質から
なる第一物体を具備する第一電極、第二電極、前記第一
電極と第二電極との間に配設されている電気的セラミッ
ク酸化物電気光学物質、を有することを特徴とする電気
的セラミック酸化物電気光学装置。 ８、特許請求の範囲第７項において、前記第一物体が、
ルテニウム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化
物、ロジウム酸化物からなるグループから選択されるも
のであり、且つ前記第一電極が、更に、ルテニウム、イ
リジウム、オスミウム、ロジウムからなるグループから
選択される物質からなる第二物体を具備しており、前記
第一物体が前記電気的セラミック酸化物電気光学物質と
前記第二物体との間に配設されていることを特徴とする
電気的セラミック酸化物電気光学装置。 ９、特許請求の範囲第７項において、前記第二電極が、
ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、ルテ
ニウム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、
ロジウム酸化物からなるグループから選択される物質か
らなる第一物体を具備していることを特徴とする電気的
セラミック酸化物電気光学装置。 １０、特許請求の範囲第９項において、前記第一及び第
二電極の各々における前記第一物体が、ルテニウム酸化
物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロジウム酸
化物からなるグループから選択されるものであり、且つ
前記第一及び第二電極の各々が、更に、ルテニウム、イ
リジウム、オスミウム、ロジウムからなるグループから
選択される物質からなる第二物体を具備しており、前記
第一物体が前記電気的セラミック酸化物電気光学物質と
前記第二物体との間に配設されていることを特徴とする
電気的セラミック酸化物電気光学装置。 １１、電気的セラミック酸化物超導電体装置において、
ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、ルテ
ニウム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、
ロジウム酸化物からなるグループから選択される物質か
らなる第一物体を具備する第一電極、第二電極、前記第
一電極と第二電極との間に配設されている電気的セラミ
ック酸化物超導電体物質、を有することを特徴とする電
気的セラミック酸化物超導電体装置。 １２、特許請求の範囲第１１項において、前記第一物体
が、ルテニウム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム
酸化物、ロジウム酸化物からなるグループから選択され
るものであり、且つ前記第一電極が、更に、ルテニウム
、イリジウム、オスミウム、ロジウムからなるグループ
から選択される物体からなる第二物体を具備しており、
前記第一物体が、前記電気的セラミック酸化物超導電体
物質と前記第二物体との間に配設されていることを特徴
とする電気的セラミック酸化物超導電体装置。 １３、特許請求の範囲第１１項において、前記第二電極
が、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、
ルテニウム酸化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化
物、ロジウム酸化物からなるグループから選択される物
質からなる第一物体を具備していることを特徴とする電
気的セラミック酸化物超導電体装置。 １４、特許請求の範囲第１３項において、前記第一及び
第二電極の各々における前記第一物体が、ルテニウム酸
化物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロジウム
酸化物からなるグループから選択されるものであり、且
つ前記第一及び第二電極の各々が、更に、ルテニウム、
イリジウム、オスミウム、ロジウムからなるグループか
ら選択される物質からなる第二物体を具備しており、前
記第一物体が前記電気的セラミック酸化物超導電体物質
と前記第二物体との間に配設されていることを特徴とす
る電気的セラミック酸化物超導電体装置。 １５、電気的セラミック酸化物物質へ電気的コンタクト
を形成する方法において、 （ａ）電気的セラミック酸化物基板を用意し、（ｂ）電
気的導電性リード手段を用意し、 （ｃ）前記基板と前記リード手段との間に電気的接続を
形成する、 上記各ステップを有しており、前記接続が、ルテニウム
、イリジウム、オスミウム、ロジウム、ルテニウム酸化
物、イリジウム酸化物、オスミウム酸化物、ロジウム酸
化物からなるグループから選択される物質からなる第一
物体を具備しているいることを特徴とする方法。 １６、特許請求の範囲第１５項において、前記第一物体
の物質が、ルテニウム酸化物、イリジウム酸化物、オス
ミウム酸化物、ロジウム酸化物からなるグループから選
択されるものであり、且つ、前記電気的接続が、更に、
ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウムからな
るグループから選択される物質からなる第二物体を具備
しており、前記第二物体が、前記第一物体と前記電気的
導電性リード手段との間に配設されていることを特徴と
する方法。 １７、特許請求の範囲第１６項において、前記第二物体
が、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウムか
らなるグループから選択される物質を付着させることに
よって形成され、且つ前記第一物体が、ルテニウム、イ
リジウム、オスミウム、ロジウムからなるグループから
選択される物質を酸素と共に反応性付着させることによ
り形成することを特徴とする方法。 １８、特許請求の範囲第１６項において、前記第二物体
が、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウムか
らなるグループから選択した物質をスパッタリングする
ことにより形成し、且つ前記第一物体が、ルテニウム、
イリジウム、オスミウム、ロジウムからなるグループか
ら選択した物質を酸素と共に反応性スパッタリングによ
って形成することを特徴とする方法。 １９、特許請求の範囲第１６項において、前記第一物体
が、前記第二物体の部分的酸化によって形成することを
特徴とする方法。 ２０、特許請求の範囲第１６項において、前記第二物体
が前記第一物体の部分的還元によって形成することを特
徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/380,942 US4982309A (en) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | Electrodes for electrical ceramic oxide devices |
| US380942 | 1995-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214717A true JPH03214717A (ja) | 1991-09-19 |
| JP3055791B2 JP3055791B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=23503041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2187331A Expired - Fee Related JP3055791B2 (ja) | 1989-07-17 | 1990-07-17 | 電気的セラミック酸化物装置用電極 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4982309A (ja) |
| EP (1) | EP0409018B1 (ja) |
| JP (1) | JP3055791B2 (ja) |
| KR (1) | KR0165885B1 (ja) |
| AU (1) | AU626701B2 (ja) |
| CA (1) | CA2021277A1 (ja) |
| DE (1) | DE69028664T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108752A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2002134710A (ja) * | 1994-01-13 | 2002-05-10 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
| JP2002261252A (ja) * | 1994-01-13 | 2002-09-13 | Rohm Co Ltd | 強誘電体キャパシタ |
| US6873517B2 (en) | 1995-07-07 | 2005-03-29 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor |
| JP2006319358A (ja) * | 1994-01-13 | 2006-11-24 | Rohm Co Ltd | 強誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
| JP2006319357A (ja) * | 1994-01-13 | 2006-11-24 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタの製造方法 |
| JP2007194655A (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-02 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332074A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導デバイス |
| US5053917A (en) * | 1989-08-30 | 1991-10-01 | Nec Corporation | Thin film capacitor and manufacturing method thereof |
| EP0415750B1 (en) * | 1989-08-30 | 1994-11-09 | Nec Corporation | Thin-film capacitors and process for manufacturing the same |
| DE69123422T2 (de) * | 1990-04-24 | 1997-06-05 | Ramtron Int Corp | Halbleiteranordnung mit ferroelektrischem material und verfahren zu deren herstellung |
| US5272295A (en) * | 1991-01-23 | 1993-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Electric contact and method for producing the same |
| JPH0555514A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP0636271B1 (en) * | 1992-04-13 | 1999-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multilayer electrodes for ferroelectric devices |
| JP3351856B2 (ja) * | 1992-04-20 | 2002-12-03 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 構造体およびコンデンサの製造方法 |
| US5191510A (en) * | 1992-04-29 | 1993-03-02 | Ramtron International Corporation | Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices |
| US5254217A (en) * | 1992-07-27 | 1993-10-19 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide |
| DE4225920A1 (de) * | 1992-08-05 | 1994-02-10 | Roederstein Kondensatoren | Kondensator, insbesondere Elektrolytkondensator |
| US5350705A (en) * | 1992-08-25 | 1994-09-27 | National Semiconductor Corporation | Ferroelectric memory cell arrangement having a split capacitor plate structure |
| JPH0783061B2 (ja) * | 1993-01-05 | 1995-09-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US6030847A (en) * | 1993-04-02 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
| US5392189A (en) | 1993-04-02 | 1995-02-21 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same |
| US6791131B1 (en) * | 1993-04-02 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
| US6531730B2 (en) | 1993-08-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same |
| US5381302A (en) * | 1993-04-02 | 1995-01-10 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same |
| US5478772A (en) * | 1993-04-02 | 1995-12-26 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
| US5407855A (en) * | 1993-06-07 | 1995-04-18 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material |
| US6052271A (en) | 1994-01-13 | 2000-04-18 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor including an iridium oxide layer in the lower electrode |
| US5909043A (en) * | 1994-06-02 | 1999-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Sacrificial oxygen sources to prevent reduction of oxygen containing materials |
| US5504041A (en) * | 1994-08-01 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials |
| US5489548A (en) * | 1994-08-01 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming high-dielectric-constant material electrodes comprising sidewall spacers |
| US5566045A (en) * | 1994-08-01 | 1996-10-15 | Texas Instruments, Inc. | High-dielectric-constant material electrodes comprising thin platinum layers |
| US5585300A (en) * | 1994-08-01 | 1996-12-17 | Texas Instruments Incorporated | Method of making conductive amorphous-nitride barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes |
| US5622893A (en) * | 1994-08-01 | 1997-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming conductive noble-metal-insulator-alloy barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes |
| US5554564A (en) * | 1994-08-01 | 1996-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes |
| US5589284A (en) * | 1994-08-01 | 1996-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Electrodes comprising conductive perovskite-seed layers for perovskite dielectrics |
| US5567636A (en) * | 1995-02-27 | 1996-10-22 | Motorola Inc. | Process for forming a nonvolatile random access memory array |
| KR100190558B1 (ko) * | 1995-03-04 | 1999-10-15 | 구본준 | 강유전체 및 이를 채용한 반도체장치의 커패시터 |
| KR100416733B1 (ko) * | 1995-03-20 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 강유전성캐패시터 |
| JP3380373B2 (ja) | 1995-06-30 | 2003-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| US5739049A (en) * | 1995-08-21 | 1998-04-14 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device having a capacitor and a method of forming metal wiring on a semiconductor substrate |
| US5708559A (en) * | 1995-10-27 | 1998-01-13 | International Business Machines Corporation | Precision analog metal-metal capacitor |
| US5838605A (en) * | 1996-03-20 | 1998-11-17 | Ramtron International Corporation | Iridium oxide local interconnect |
| KR100234361B1 (ko) * | 1996-06-17 | 1999-12-15 | 윤종용 | 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리장치 및그제조방법 |
| JP3396131B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2003-04-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH10209392A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Sony Corp | 半導体メモリセル用キャパシタの電極及び半導体メモリセル用キャパシタ、並びに、それらの作製方法 |
| US5773314A (en) * | 1997-04-25 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Plug protection process for use in the manufacture of embedded dynamic random access memory (DRAM) cells |
| US6063705A (en) * | 1998-08-27 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Precursor chemistries for chemical vapor deposition of ruthenium and ruthenium oxide |
| US6517616B2 (en) | 1998-08-27 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Solvated ruthenium precursors for direct liquid injection of ruthenium and ruthenium oxide |
| US6541067B1 (en) * | 1998-08-27 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Solvated ruthenium precursors for direct liquid injection of ruthenium and ruthenium oxide and method of using same |
| US6242299B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-06-05 | Ramtron International Corporation | Barrier layer to protect a ferroelectric capacitor after contact has been made to the capacitor electrode |
| KR20010097906A (ko) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | 김효근 | 오믹 접촉용 금속박막 및 그 제조방법 |
| US6461909B1 (en) | 2000-08-30 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Process for fabricating RuSixOy-containing adhesion layers |
| US6903005B1 (en) | 2000-08-30 | 2005-06-07 | Micron Technology, Inc. | Method for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics |
| FR2881567A1 (fr) * | 2005-02-01 | 2006-08-04 | Commissariat Energie Atomique | Condensateur a champ de claquage eleve |
| US20080032174A1 (en) * | 2005-11-21 | 2008-02-07 | Relion, Inc. | Proton exchange membrane fuel cells and electrodes |
| US7833645B2 (en) * | 2005-11-21 | 2010-11-16 | Relion, Inc. | Proton exchange membrane fuel cell and method of forming a fuel cell |
| TW200742851A (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-16 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Penicillin G biosensors and fabrication method thereof and sensing systems comprising the same |
| KR101206034B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | 산소결핍 금속산화물을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법 |
| US8026020B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-09-27 | Relion, Inc. | Proton exchange membrane fuel cell stack and fuel cell stack module |
| US9293778B2 (en) | 2007-06-11 | 2016-03-22 | Emergent Power Inc. | Proton exchange membrane fuel cell |
| US8003274B2 (en) * | 2007-10-25 | 2011-08-23 | Relion, Inc. | Direct liquid fuel cell |
| US8723654B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-05-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Interrupt generation and acknowledgment for RFID |
| US9092582B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-07-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Low power, low pin count interface for an RFID transponder |
| US9846664B2 (en) | 2010-07-09 | 2017-12-19 | Cypress Semiconductor Corporation | RFID interface and interrupt |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3320500A (en) * | 1965-12-27 | 1967-05-16 | Bell Telephone Labor Inc | Tantalum alloy capacitor |
| US3504244A (en) * | 1967-06-17 | 1970-03-31 | Nichicon Capacitor Ltd | Ceramic capacitor and method of manufacture |
| US4050956A (en) * | 1970-02-20 | 1977-09-27 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization | Chemical bonding of metals to ceramic materials |
| JPS57143203A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | Taiyo Yuden Kk | Conductive paste for forming conductive layer by baking on porcelain |
| JPS60170758A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Nec Corp | 半導体ガス検知素子 |
| JPS61237304A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-22 | キヤノン株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| US4872086A (en) * | 1988-10-20 | 1989-10-03 | Motorola, Inc. | Dielectric RF devices suited for use with superconductors |
| US5003428A (en) * | 1989-07-17 | 1991-03-26 | National Semiconductor Corporation | Electrodes for ceramic oxide capacitors |
-
1989
- 1989-07-17 US US07/380,942 patent/US4982309A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-07 DE DE69028664T patent/DE69028664T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-07 EP EP90112992A patent/EP0409018B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-16 KR KR1019900010777A patent/KR0165885B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-07-16 AU AU59008/90A patent/AU626701B2/en not_active Ceased
- 1990-07-16 CA CA002021277A patent/CA2021277A1/en not_active Abandoned
- 1990-07-17 JP JP2187331A patent/JP3055791B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108752A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2002134710A (ja) * | 1994-01-13 | 2002-05-10 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
| JP2002261252A (ja) * | 1994-01-13 | 2002-09-13 | Rohm Co Ltd | 強誘電体キャパシタ |
| JP2006319358A (ja) * | 1994-01-13 | 2006-11-24 | Rohm Co Ltd | 強誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
| JP2006319357A (ja) * | 1994-01-13 | 2006-11-24 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタの製造方法 |
| JP2007194655A (ja) * | 1994-01-13 | 2007-08-02 | Rohm Co Ltd | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
| JP4554631B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2010-09-29 | ローム株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
| US6873517B2 (en) | 1995-07-07 | 2005-03-29 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor |
| US7443649B2 (en) | 1995-07-07 | 2008-10-28 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0165885B1 (ko) | 1999-02-01 |
| KR910003760A (ko) | 1991-02-28 |
| DE69028664D1 (de) | 1996-10-31 |
| EP0409018A2 (en) | 1991-01-23 |
| CA2021277A1 (en) | 1991-01-18 |
| EP0409018A3 (en) | 1991-11-27 |
| AU626701B2 (en) | 1992-08-06 |
| DE69028664T2 (de) | 1997-04-17 |
| EP0409018B1 (en) | 1996-09-25 |
| AU5900890A (en) | 1991-01-17 |
| JP3055791B2 (ja) | 2000-06-26 |
| US4982309A (en) | 1991-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03214717A (ja) | 電気的セラミック酸化物装置用電極 | |
| US5003428A (en) | Electrodes for ceramic oxide capacitors | |
| US4464701A (en) | Process for making high dielectric constant nitride based materials and devices using the same | |
| KR100371891B1 (ko) | 마이크로 일렉트로닉 구조물 및 이의 형성 방법 | |
| US5736455A (en) | Method for passivating the sidewalls of a tungsten word line | |
| KR100269310B1 (ko) | 도전성확산장벽층을사용하는반도체장치제조방법 | |
| US5440174A (en) | Plurality of passive elements in a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit in which passive elements are arranged | |
| JP4240542B2 (ja) | 集積回路の電極構造とその作製方法 | |
| GB2373923A (en) | MIM capacitor for microwave ICs | |
| US5645976A (en) | Capacitor apparatus and method of manufacture of same | |
| JPS6190445A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100699397B1 (ko) | 박막 커패시터 장치용 개선된 전극 | |
| JPH0193149A (ja) | 半導体装置 | |
| KR980012492A (ko) | 강유전체막을 구비하는 캐패시터 및 그 제조방법 | |
| JP3120568B2 (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| JP2751864B2 (ja) | 酸素拡散バリア性電極とその製造方法 | |
| JP2645811B2 (ja) | 拡散バリヤ機能を有する半導体素子の電極形成方法 | |
| JPH10214944A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04364759A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1168048A (ja) | 半導体装置およびその形成方法 | |
| KR100504942B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| JPH10107218A (ja) | 電極配線 | |
| JPH02288361A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1187508A (ja) | 半導体素子の金属配線形成方法 | |
| JP3034348B2 (ja) | 半導体素子及び製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |