JPH10107218A - 電極配線 - Google Patents
電極配線Info
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- JPH10107218A JPH10107218A JP8254071A JP25407196A JPH10107218A JP H10107218 A JPH10107218 A JP H10107218A JP 8254071 A JP8254071 A JP 8254071A JP 25407196 A JP25407196 A JP 25407196A JP H10107218 A JPH10107218 A JP H10107218A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極配線材料として金属酸化物又は酸素を含
む金属を用いた場合にも酸化されにくい拡散防止膜を下
地との間に設けた電極配線構造を提供すること。 【解決手段】 ｐ−タイプＳｉ基板１上に形成された層
間絶縁膜５ａ、５ｂのコンタクトホール５ｃ内にｎ+ 多
結晶Ｓｉ層７が埋め込まれ、このｎ+ 多結晶Ｓｉ層７上
に金属酸化物からなる電極配線（ＲｕＯ2 膜９）が形成
され、この電極配線（ＲｕＯ2 膜９）とｎ+ 多結晶Ｓｉ
層７との間に酸化されにくいＷＮX 膜８が形成される。
む金属を用いた場合にも酸化されにくい拡散防止膜を下
地との間に設けた電極配線構造を提供すること。 【解決手段】 ｐ−タイプＳｉ基板１上に形成された層
間絶縁膜５ａ、５ｂのコンタクトホール５ｃ内にｎ+ 多
結晶Ｓｉ層７が埋め込まれ、このｎ+ 多結晶Ｓｉ層７上
に金属酸化物からなる電極配線（ＲｕＯ2 膜９）が形成
され、この電極配線（ＲｕＯ2 膜９）とｎ+ 多結晶Ｓｉ
層７との間に酸化されにくいＷＮX 膜８が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電極配線に係わり、
特にキャパシタの電極配線に関する。
特にキャパシタの電極配線に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴
い、回路の微細化は進む一方であり、例えばキャパシタ
について言えばそのセル面積は非常に小さくなってい
る。セル面積が小さくなるとキャパシタ容量も小さくな
ってしまうが、キャパシタの容量は感度やソフトエラー
等の点からそれほど小さくできないという問題点があ
る。
い、回路の微細化は進む一方であり、例えばキャパシタ
について言えばそのセル面積は非常に小さくなってい
る。セル面積が小さくなるとキャパシタ容量も小さくな
ってしまうが、キャパシタの容量は感度やソフトエラー
等の点からそれほど小さくできないという問題点があ
る。
【０００３】これを解決する方法としてキャパシタを３
次元的に形成してセル面積をできるだけ大きくしてキャ
パシタ容量を稼ぐことが行われているが、キャパシタの
加工及び電極、絶縁膜の成膜が困難になりつつある。そ
こで、キャパシタ絶縁膜に誘電率の高い膜を用いること
が検討されている。
次元的に形成してセル面積をできるだけ大きくしてキャ
パシタ容量を稼ぐことが行われているが、キャパシタの
加工及び電極、絶縁膜の成膜が困難になりつつある。そ
こで、キャパシタ絶縁膜に誘電率の高い膜を用いること
が検討されている。
【０００４】誘電率の高い絶縁膜として代表的なものに
ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜がある。ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜
を用いる場合、ストレージノード電極としてＰｔのよう
に酸化性雰囲気でも酸化されない貴金属を用いる方法が
ある。Ｐｔを用いた場合のストレージノード電極の形成
方法について図１１を用いて説明すると以下のようにな
る。
ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜がある。ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜
を用いる場合、ストレージノード電極としてＰｔのよう
に酸化性雰囲気でも酸化されない貴金属を用いる方法が
ある。Ｐｔを用いた場合のストレージノード電極の形成
方法について図１１を用いて説明すると以下のようにな
る。
【０００５】ｐ−タイプＳｉ基板１１１上に素子分離領
域１１２を形成した後、トランジスタのゲート絶縁膜１
１３ａ，ゲート電極（ワード線）１１３ｂ、ｎ+ 拡散層
１１４を形成し、層間絶縁膜１１５ａを堆積して平坦化
した後、ビット線１１６を形成する。その後さらに、層
間絶縁膜１１５ｂを堆積して平坦化した後、コンタクト
ホール１１５ｃを開口し、ｎ+ 多結晶Ｓｉ１１７を堆積
する。さらにｎ+ 多結晶Ｓｉ１１７をエッチバック又は
研磨によりその上面を後退させ、コンタクトホール１１
５ｃ内部に選択的に埋め込む。（図１１（ａ））。
域１１２を形成した後、トランジスタのゲート絶縁膜１
１３ａ，ゲート電極（ワード線）１１３ｂ、ｎ+ 拡散層
１１４を形成し、層間絶縁膜１１５ａを堆積して平坦化
した後、ビット線１１６を形成する。その後さらに、層
間絶縁膜１１５ｂを堆積して平坦化した後、コンタクト
ホール１１５ｃを開口し、ｎ+ 多結晶Ｓｉ１１７を堆積
する。さらにｎ+ 多結晶Ｓｉ１１７をエッチバック又は
研磨によりその上面を後退させ、コンタクトホール１１
５ｃ内部に選択的に埋め込む。（図１１（ａ））。
【０００６】次に、拡散防止膜としてＴｉＮ膜１１８を
堆積し、さらにＰｔ膜１１９を堆積する（図１１
（ｂ））。さらに、反応性イオンエッチングによってＰ
ｔ膜１１９を加工し（図１１（ｃ））、続いてＴｉＮ膜
１１８を反応性イオンエッチングによって加工する（図
１１（ｄ））。
堆積し、さらにＰｔ膜１１９を堆積する（図１１
（ｂ））。さらに、反応性イオンエッチングによってＰ
ｔ膜１１９を加工し（図１１（ｃ））、続いてＴｉＮ膜
１１８を反応性イオンエッチングによって加工する（図
１１（ｄ））。
【０００７】しかしながら、上記方法においてはＰｔ膜
１１９の加工が非常に困難であるという問題がある。ま
た、Ｐｔにかわる電極材料として金属酸化物が検討され
始めているが、この場合には、下地、例えばＳｉ膜等と
の界面に酸化されにくい拡散防止膜を形成することが必
要となってくる。従来は、ＴｉＮ膜が拡散防止膜として
用いられているが、金属酸化物電極を形成する時、キャ
パシタ下部電極上に金属酸化物からなる高誘電体膜を形
成する時、又はその後の熱処理時等にＴｉＮ膜の表面が
酸化されやすく、このため抵抗の増大、キャパシタ容量
の低下等の問題が生ずる。
１１９の加工が非常に困難であるという問題がある。ま
た、Ｐｔにかわる電極材料として金属酸化物が検討され
始めているが、この場合には、下地、例えばＳｉ膜等と
の界面に酸化されにくい拡散防止膜を形成することが必
要となってくる。従来は、ＴｉＮ膜が拡散防止膜として
用いられているが、金属酸化物電極を形成する時、キャ
パシタ下部電極上に金属酸化物からなる高誘電体膜を形
成する時、又はその後の熱処理時等にＴｉＮ膜の表面が
酸化されやすく、このため抵抗の増大、キャパシタ容量
の低下等の問題が生ずる。
【０００８】以上の問題は、電極配線材料として金属酸
化物を用いた電極配線構造一般に共通の問題であり、ま
た酸素を含む金属を用いた電極配線構造一般についても
同様である。
化物を用いた電極配線構造一般に共通の問題であり、ま
た酸素を含む金属を用いた電極配線構造一般についても
同様である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来、Ｐｔ膜を用いた場合、その加工が非常に困難である
という問題があり、Ｐｔにかわる電極配線材料として金
属酸化物又は酸素を含む金属を用いた場合には、下地と
の界面に酸化されにくい拡散防止膜を形成することが必
要となってくる。この拡散防止膜としてＴｉＮ膜を用い
た場合には、金属酸化物又は酸素を含む金属からなる電
極を形成する時、キャパシタ下部電極上に金属酸化物か
らなる高誘電体膜を形成する時、又はその後の熱処理時
等にＴｉＮ膜の表面が酸化されやすく、このため抵抗の
増大、キャパシタ容量の低下等の問題が生ずる。
来、Ｐｔ膜を用いた場合、その加工が非常に困難である
という問題があり、Ｐｔにかわる電極配線材料として金
属酸化物又は酸素を含む金属を用いた場合には、下地と
の界面に酸化されにくい拡散防止膜を形成することが必
要となってくる。この拡散防止膜としてＴｉＮ膜を用い
た場合には、金属酸化物又は酸素を含む金属からなる電
極を形成する時、キャパシタ下部電極上に金属酸化物か
らなる高誘電体膜を形成する時、又はその後の熱処理時
等にＴｉＮ膜の表面が酸化されやすく、このため抵抗の
増大、キャパシタ容量の低下等の問題が生ずる。
【００１０】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、電極配線材料として金属酸化物又は酸素を含む
金属を用いた場合にも酸化されにくい拡散防止膜を下地
との間に設けた電極配線構造を提供することを目的とす
る。
であり、電極配線材料として金属酸化物又は酸素を含む
金属を用いた場合にも酸化されにくい拡散防止膜を下地
との間に設けた電極配線構造を提供することを目的とす
る。
【００１１】
（概要）上述した問題を解決するために本発明は、基板
上に形成された金属酸化物又は酸素を含む金属からなる
電極配線と、この電極配線と前記基板との間に形成され
たＷＮX からなる導電膜とを有することを特徴とする電
極配線を提供する。
上に形成された金属酸化物又は酸素を含む金属からなる
電極配線と、この電極配線と前記基板との間に形成され
たＷＮX からなる導電膜とを有することを特徴とする電
極配線を提供する。
【００１２】かかる発明においては以下の態様が望まし
い。 （１）前記電極配線は、キャパシタの下部電極であるこ
と。 （２）前記キャパシタの下部電極上に形成されるキャパ
シタ絶縁膜は金属酸化物からなること。
い。 （１）前記電極配線は、キャパシタの下部電極であるこ
と。 （２）前記キャパシタの下部電極上に形成されるキャパ
シタ絶縁膜は金属酸化物からなること。
【００１３】（３）前記ＷＮX からなる導電膜の表面が
Ｗ2 Ｎの結晶構造をとること。 （４）前記ＷＮX からなる導電膜のｘの値が０．０５よ
りも大きいこと。 （５）前記ＷＮX からなる導電膜の表面の窒素組成が内
部の窒素組成よりも大きいこと。
Ｗ2 Ｎの結晶構造をとること。 （４）前記ＷＮX からなる導電膜のｘの値が０．０５よ
りも大きいこと。 （５）前記ＷＮX からなる導電膜の表面の窒素組成が内
部の窒素組成よりも大きいこと。
【００１４】（６）前記ＷＮX からなる導電膜は金属酸
化物又は酸素を含む金属からなる電極配線と接するこ
と。 （７）前記基板上にはシリコンからなる層が形成され、
このシリコンからなる層上に接して前記ＷＮX からなる
導電膜が形成されていること。
化物又は酸素を含む金属からなる電極配線と接するこ
と。 （７）前記基板上にはシリコンからなる層が形成され、
このシリコンからなる層上に接して前記ＷＮX からなる
導電膜が形成されていること。
【００１５】（８）前記シリコンからなる層と前記ＷＮ
X からなる導電膜の界面部における前記ＷＮX からなる
導電膜のｘの値が０．１よりも大きいこと。また本発明
は、基板上に形成された金属酸化物又は酸素を含む金属
からなる電極配線と、この電極配線と前記基板との間に
形成されたＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX からなる導
電膜とを有することを特徴とする電極配線を提供する。
X からなる導電膜の界面部における前記ＷＮX からなる
導電膜のｘの値が０．１よりも大きいこと。また本発明
は、基板上に形成された金属酸化物又は酸素を含む金属
からなる電極配線と、この電極配線と前記基板との間に
形成されたＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX からなる導
電膜とを有することを特徴とする電極配線を提供する。
【００１６】かかる発明においては以下の態様が望まし
い。 （１）前記電極配線は、キャパシタの下部電極であるこ
と。 （２）前記キャパシタの下部電極上に形成されるキャパ
シタ絶縁膜は金属酸化物からなること。
い。 （１）前記電極配線は、キャパシタの下部電極であるこ
と。 （２）前記キャパシタの下部電極上に形成されるキャパ
シタ絶縁膜は金属酸化物からなること。
【００１７】（３）前記ＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy Ｎ
X からなる導電膜の表面の窒素組成が内部の窒素組成よ
りも大きいこと。 （４）前記ＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX からなる導
電膜は金属酸化物又は酸素を含む金属からなる電極配線
と接すること。
X からなる導電膜の表面の窒素組成が内部の窒素組成よ
りも大きいこと。 （４）前記ＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX からなる導
電膜は金属酸化物又は酸素を含む金属からなる電極配線
と接すること。
【００１８】（５）前記基板上にはシリコンからなる層
が形成され、このシリコンからなる層上に接して前記Ｗ
Ｓｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX からなる導電膜が形成さ
れていること。
が形成され、このシリコンからなる層上に接して前記Ｗ
Ｓｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX からなる導電膜が形成さ
れていること。
【００１９】（６）前記ＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy Ｎ
X からなる導電膜は非晶質構造であること。なお、本発
明において、電極配線とは電極若しくは配線、又は電極
及び配線が混在した構造を指す。
X からなる導電膜は非晶質構造であること。なお、本発
明において、電極配線とは電極若しくは配線、又は電極
及び配線が混在した構造を指す。
【００２０】（作用）本発明によれば、電極材料として
金属酸化物又は酸素を含む金属を用いた電極配線におい
て、貴金属ではなくかつ酸化されにくいＷＮX からなる
導電膜、又はＷＳｉy ＮX 若しくはＴｉＳｉy ＮX から
なる導電膜を、金属酸化物又は酸素を含む金属からなる
電極配線と下地との間に介在させたので、金属酸化物又
は酸素を含む金属からなる電極を形成する時、キャパシ
タ下部電極上に金属酸化物からなる高誘電体膜を形成す
る時、又はその後の熱処理時等に前記導電膜の表面が酸
化されることを防止することができ、このため抵抗の増
大、キャパシタ容量の低下等の問題を防止することが可
能である。
金属酸化物又は酸素を含む金属を用いた電極配線におい
て、貴金属ではなくかつ酸化されにくいＷＮX からなる
導電膜、又はＷＳｉy ＮX 若しくはＴｉＳｉy ＮX から
なる導電膜を、金属酸化物又は酸素を含む金属からなる
電極配線と下地との間に介在させたので、金属酸化物又
は酸素を含む金属からなる電極を形成する時、キャパシ
タ下部電極上に金属酸化物からなる高誘電体膜を形成す
る時、又はその後の熱処理時等に前記導電膜の表面が酸
化されることを防止することができ、このため抵抗の増
大、キャパシタ容量の低下等の問題を防止することが可
能である。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による電極配線の実
施の形態を図面を参照しながら説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態を
説明するための断面図である。
施の形態を図面を参照しながら説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態を
説明するための断面図である。
【００２２】ｐ−タイプＳｉ基板１上に素子分離領域２
を形成した後、トランジスタのゲート絶縁膜３ａ，ゲー
ト電極（ワード線）３ｂ、ｎ+ 拡散層４を形成し、層間
絶縁膜５ａを堆積して平坦化した後、ビット線６を形成
する。その後さらに、層間絶縁膜５ｂを堆積して平坦化
した後、コンタクトホール５ｃを開口し、ｎ+ 多結晶Ｓ
ｉ層７を堆積する。さらにｎ+ 多結晶Ｓｉ層７をエッチ
バック又は研磨によりその上面を後退させ、コンタクト
ホール５ｃ内部に選択的に埋め込む（図１（ａ））。
を形成した後、トランジスタのゲート絶縁膜３ａ，ゲー
ト電極（ワード線）３ｂ、ｎ+ 拡散層４を形成し、層間
絶縁膜５ａを堆積して平坦化した後、ビット線６を形成
する。その後さらに、層間絶縁膜５ｂを堆積して平坦化
した後、コンタクトホール５ｃを開口し、ｎ+ 多結晶Ｓ
ｉ層７を堆積する。さらにｎ+ 多結晶Ｓｉ層７をエッチ
バック又は研磨によりその上面を後退させ、コンタクト
ホール５ｃ内部に選択的に埋め込む（図１（ａ））。
【００２３】次に、拡散防止膜としてＷＮX 膜８を堆積
し、さらに金属酸化膜、例えばＲｕＯ2 膜９を堆積する
（図１（ｂ））。ＷＮX 膜８の堆積は、例えばＷＮX か
らなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリン
グ法により行うか、Ｗからなるスパッタリングターゲッ
トを用いてＮ2 雰囲気下においてスパッタリング法によ
り行う。ＷＮX 膜８のｘの値は０．０５よりも大きいこ
とが後述する酸化防止の点で望ましい。またＲｕＯ2 膜
９の形成は、例えばＲｕＯ2 からなるスパッタリングタ
ーゲットを用いてスパッタリング法により行うか、Ｒｕ
からなるスパッタリングターゲットを用いてＯ2 雰囲気
下においてスパッタリング法により行う。
し、さらに金属酸化膜、例えばＲｕＯ2 膜９を堆積する
（図１（ｂ））。ＷＮX 膜８の堆積は、例えばＷＮX か
らなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリン
グ法により行うか、Ｗからなるスパッタリングターゲッ
トを用いてＮ2 雰囲気下においてスパッタリング法によ
り行う。ＷＮX 膜８のｘの値は０．０５よりも大きいこ
とが後述する酸化防止の点で望ましい。またＲｕＯ2 膜
９の形成は、例えばＲｕＯ2 からなるスパッタリングタ
ーゲットを用いてスパッタリング法により行うか、Ｒｕ
からなるスパッタリングターゲットを用いてＯ2 雰囲気
下においてスパッタリング法により行う。
【００２４】さらに、酸素を含むガス（Ｏ2 等）を用い
た反応性イオンエッチングによってＲｕＯ2 膜９を加工
する（図１（ｃ））。上記酸素を含むガスにハロゲンを
含むガス（例えばＣｌ2 、ＣＦ4 等）を少量（例えば２
〜３％乃至１０〜２０％）添加したガスをエッチングガ
スとして用いても良い。続いてハロゲンを含むガス（例
えばＣｌ2 、ＳＦ6 等）を用いた反応性イオンエッチン
グによってＷＮX 膜８を加工する（図１（ｄ））。ここ
で上記ハロゲンを含むガスに酸素を含むガス（例えばＯ
2 等）を添加したガスをエッチングガスとして用いても
良い。
た反応性イオンエッチングによってＲｕＯ2 膜９を加工
する（図１（ｃ））。上記酸素を含むガスにハロゲンを
含むガス（例えばＣｌ2 、ＣＦ4 等）を少量（例えば２
〜３％乃至１０〜２０％）添加したガスをエッチングガ
スとして用いても良い。続いてハロゲンを含むガス（例
えばＣｌ2 、ＳＦ6 等）を用いた反応性イオンエッチン
グによってＷＮX 膜８を加工する（図１（ｄ））。ここ
で上記ハロゲンを含むガスに酸素を含むガス（例えばＯ
2 等）を添加したガスをエッチングガスとして用いても
良い。
【００２５】次に、全面に金属酸化物からなる高誘電体
膜、例えばＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜１０を形成し、さら
にその上に上部電極、例えばＲｕＯ2 からなる電極１１
を形成する（図１（ｄ））。上記金属酸化物からなる高
誘電体膜を形成した後、酸化雰囲気下において当該高誘
電体膜を熱処理しても良く、これにより高誘電体膜の膜
質が向上する。
膜、例えばＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜１０を形成し、さら
にその上に上部電極、例えばＲｕＯ2 からなる電極１１
を形成する（図１（ｄ））。上記金属酸化物からなる高
誘電体膜を形成した後、酸化雰囲気下において当該高誘
電体膜を熱処理しても良く、これにより高誘電体膜の膜
質が向上する。
【００２６】本発明によれば、酸化されにくいＷＮX 膜
８を拡散防止膜として用いているため、金属酸化物から
なる電極配線（ＲｕＯ2 膜９）と下地（ｎ+ 多結晶Ｓｉ
層７）との間に介在させたので、金属酸化物電極（Ｒｕ
Ｏ2 膜９）を形成する時、当該金属酸化物電極（ＲｕＯ
2 膜９）をエッチングする時、キャパシタ下部電極（Ｒ
ｕＯ2 膜９）上に金属酸化物からなる高誘電体膜（Ｂａ
xＳｒ1-xＴｉＯ3膜１０）を形成する時、又はその後の
酸化雰囲気下等での熱処理時等に前記導電膜の表面が酸
化されることを防止することができる。このため抵抗の
増大、キャパシタ容量の低下等の問題を防止することが
可能である。
８を拡散防止膜として用いているため、金属酸化物から
なる電極配線（ＲｕＯ2 膜９）と下地（ｎ+ 多結晶Ｓｉ
層７）との間に介在させたので、金属酸化物電極（Ｒｕ
Ｏ2 膜９）を形成する時、当該金属酸化物電極（ＲｕＯ
2 膜９）をエッチングする時、キャパシタ下部電極（Ｒ
ｕＯ2 膜９）上に金属酸化物からなる高誘電体膜（Ｂａ
xＳｒ1-xＴｉＯ3膜１０）を形成する時、又はその後の
酸化雰囲気下等での熱処理時等に前記導電膜の表面が酸
化されることを防止することができる。このため抵抗の
増大、キャパシタ容量の低下等の問題を防止することが
可能である。
【００２７】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態を説明するための断面図である。図２におい
て図１と同一の部分には同一の符号を付して示し詳細な
説明は省略する。
の実施形態を説明するための断面図である。図２におい
て図１と同一の部分には同一の符号を付して示し詳細な
説明は省略する。
【００２８】第２の実施形態が第１の実施形態と異なる
点は、拡散防止膜としてのＷＮX 膜８を形成した後に、
ＷＮX 膜８の表面を、Ｗ2 Ｎの結晶構造をとりより酸化
されにくいＷＮX 膜８ａに変えた点である。
点は、拡散防止膜としてのＷＮX 膜８を形成した後に、
ＷＮX 膜８の表面を、Ｗ2 Ｎの結晶構造をとりより酸化
されにくいＷＮX 膜８ａに変えた点である。
【００２９】ＷＮX 膜８の表面をＷ2 Ｎの結晶構造をと
るＷＮX 膜８ａに変える方法としては次の方法が挙げら
れる。即ち、ＷＮX 膜８を加工した後に、５００〜９０
０℃のアンモニアを含む雰囲気中で表面を処理し、Ｗ2
Ｎの結晶構造をとるＷＮX 膜８ａを表面に形成する。な
お、窒化が十分に進んだ場合は、ＷＮX 膜８が全てＷ2
Ｎの結晶構造をとるＷＮX 膜８ａに変わっても良い。
るＷＮX 膜８ａに変える方法としては次の方法が挙げら
れる。即ち、ＷＮX 膜８を加工した後に、５００〜９０
０℃のアンモニアを含む雰囲気中で表面を処理し、Ｗ2
Ｎの結晶構造をとるＷＮX 膜８ａを表面に形成する。な
お、窒化が十分に進んだ場合は、ＷＮX 膜８が全てＷ2
Ｎの結晶構造をとるＷＮX 膜８ａに変わっても良い。
【００３０】本実施形態によれば、第１の実施形態より
も優れた酸化防止特性を得ることが可能である。 （第３の実施形態）図３は、本発明の第３の実施形態を
説明するための断面図である。図３において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
も優れた酸化防止特性を得ることが可能である。 （第３の実施形態）図３は、本発明の第３の実施形態を
説明するための断面図である。図３において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
【００３１】第３の実施形態が第１の実施形態と異なる
点は、拡散防止膜としてのＷＮX 膜８上にＷＮX 膜８よ
りも窒素組成がより大きくより酸化されにくいＷＮX 膜
８ｂを形成した点である。
点は、拡散防止膜としてのＷＮX 膜８上にＷＮX 膜８よ
りも窒素組成がより大きくより酸化されにくいＷＮX 膜
８ｂを形成した点である。
【００３２】ＷＮX 膜８ｂの形成方法としては、例えば
ＷＮX からなるスパッタリングターゲットを用いてスパ
ッタリング法により行うか、Ｗからなるスパッタリング
ターゲットを用いてＮ2 雰囲気下においてスパッタリン
グ法により行う。例えば、ＷＮX 膜８のｘの値を０．０
６、ＷＮX 膜８ｂのｘの値を０．１とする。
ＷＮX からなるスパッタリングターゲットを用いてスパ
ッタリング法により行うか、Ｗからなるスパッタリング
ターゲットを用いてＮ2 雰囲気下においてスパッタリン
グ法により行う。例えば、ＷＮX 膜８のｘの値を０．０
６、ＷＮX 膜８ｂのｘの値を０．１とする。
【００３３】本実施形態によっても、第１の実施形態よ
りも優れた酸化防止特性を得ることが可能である。 （第４の実施形態）図４は、本発明の第４の実施形態を
説明するための断面図である。図４において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
りも優れた酸化防止特性を得ることが可能である。 （第４の実施形態）図４は、本発明の第４の実施形態を
説明するための断面図である。図４において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
【００３４】第４の実施形態が第１の実施形態と異なる
点は、ｎ+ 多結晶Ｓｉ層７のかわりにＷＮX 膜８ｃを用
いた点である。即ち、コンタクトホール５ｃを開口した
後、ＷＮX 膜８ｃを全面に形成して、コンタクトホール
５ｃ内部に埋め込み、その上に金属酸化膜、例えばＲｕ
Ｏ2 膜９を全面に堆積し、さらにＲｕＯ2 膜９、ＷＮX
膜８ｃをキャパシタ下部電極形状に加工する。
点は、ｎ+ 多結晶Ｓｉ層７のかわりにＷＮX 膜８ｃを用
いた点である。即ち、コンタクトホール５ｃを開口した
後、ＷＮX 膜８ｃを全面に形成して、コンタクトホール
５ｃ内部に埋め込み、その上に金属酸化膜、例えばＲｕ
Ｏ2 膜９を全面に堆積し、さらにＲｕＯ2 膜９、ＷＮX
膜８ｃをキャパシタ下部電極形状に加工する。
【００３５】（第５の実施形態）図５は、本発明の第５
の実施形態を説明するための断面図である。図５におい
て図１と同一の部分には同一の符号を付して示し詳細な
説明は省略する。
の実施形態を説明するための断面図である。図５におい
て図１と同一の部分には同一の符号を付して示し詳細な
説明は省略する。
【００３６】第５の実施形態が第４の実施形態と異なる
点は、拡散防止膜としてのＷＮX 膜８ｃを形成した後
に、ＷＮX 膜８ｃの表面を、Ｗ2 Ｎの結晶構造をとりよ
り酸化されにくいＷＮX 膜８ｄに変えた点である。
点は、拡散防止膜としてのＷＮX 膜８ｃを形成した後
に、ＷＮX 膜８ｃの表面を、Ｗ2 Ｎの結晶構造をとりよ
り酸化されにくいＷＮX 膜８ｄに変えた点である。
【００３７】ＷＮX 膜８ｃの表面をＷ2 Ｎの結晶構造を
とるＷＮX 膜８ｄに変える方法としては第２の実施形態
で述べた方法を用いることが可能である。なおここで、
窒化が十分に進んだ場合は、ＷＮX 膜８ｃが全てＷ2 Ｎ
の結晶構造をとるＷＮX 膜８ｄに変わっても良い。
とるＷＮX 膜８ｄに変える方法としては第２の実施形態
で述べた方法を用いることが可能である。なおここで、
窒化が十分に進んだ場合は、ＷＮX 膜８ｃが全てＷ2 Ｎ
の結晶構造をとるＷＮX 膜８ｄに変わっても良い。
【００３８】本実施形態によっても、第１の実施形態よ
りも優れた酸化防止特性を得ることが可能である。 （第６の実施形態）図６は、本発明の第６の実施形態を
説明するための断面図である。図６において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
りも優れた酸化防止特性を得ることが可能である。 （第６の実施形態）図６は、本発明の第６の実施形態を
説明するための断面図である。図６において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
【００３９】第６の実施形態が第２の実施形態と異なる
点は、コンタクトホール５ｃ内部にｎ+ 多結晶Ｓｉ層７
を選択的に埋め込んだ後に、ＷＮX 膜８よりも窒素組成
がより大きくより酸化されにくいＷＮX 膜８ｅを形成
し、その上にＷＮX 膜８を形成した点である。ＷＮX 膜
８ｅもキャパシタ下部電極形状に加工する。
点は、コンタクトホール５ｃ内部にｎ+ 多結晶Ｓｉ層７
を選択的に埋め込んだ後に、ＷＮX 膜８よりも窒素組成
がより大きくより酸化されにくいＷＮX 膜８ｅを形成
し、その上にＷＮX 膜８を形成した点である。ＷＮX 膜
８ｅもキャパシタ下部電極形状に加工する。
【００４０】本実施形態によれば、前記した実施形態よ
りもさらに優れた酸化防止特性を得ることが可能であ
る。 （第７の実施形態）図７は、本発明の第７の実施形態を
説明するための断面図である。図７において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
りもさらに優れた酸化防止特性を得ることが可能であ
る。 （第７の実施形態）図７は、本発明の第７の実施形態を
説明するための断面図である。図７において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
【００４１】第７の実施形態が第１の実施形態と異なる
点は、拡散防止膜としてのＷＮX 膜８のかわりに酸化さ
れにくいＷＳｉy ＮX 膜７１を用いている点である。Ｗ
Ｓｉy ＮX 膜７１は非晶質構造であり、このため粒界を
通した不純物拡散が防止され、良好な電気特性を得るこ
とができる。ＷＳｉy ＮX 膜７１の堆積は、例えばＷＳ
ｉy ＮX からなるスパッタリングターゲットを用いてス
パッタリング法により行うか、タングステンシリサイド
（ＷＳｉy 等）からなるスパッタリングターゲットを用
いてＮ2 雰囲気下においてスパッタリング法により行
う。ＷＳｉy ＮX膜７１の組成は、例えばｘ＝１．０、
ｙ＝１．０である。
点は、拡散防止膜としてのＷＮX 膜８のかわりに酸化さ
れにくいＷＳｉy ＮX 膜７１を用いている点である。Ｗ
Ｓｉy ＮX 膜７１は非晶質構造であり、このため粒界を
通した不純物拡散が防止され、良好な電気特性を得るこ
とができる。ＷＳｉy ＮX 膜７１の堆積は、例えばＷＳ
ｉy ＮX からなるスパッタリングターゲットを用いてス
パッタリング法により行うか、タングステンシリサイド
（ＷＳｉy 等）からなるスパッタリングターゲットを用
いてＮ2 雰囲気下においてスパッタリング法により行
う。ＷＳｉy ＮX膜７１の組成は、例えばｘ＝１．０、
ｙ＝１．０である。
【００４２】（第８の実施形態）図８は、本発明の第８
の実施形態を説明するための断面図である。図８におい
て図１と同一の部分には同一の符号を付して示し詳細な
説明は省略する。
の実施形態を説明するための断面図である。図８におい
て図１と同一の部分には同一の符号を付して示し詳細な
説明は省略する。
【００４３】第８の実施形態が第７の実施形態と異なる
点は、ＷＳｉy ＮX 膜７１の上にＷＳｉy ＮX 膜７１よ
りも窒素組成がより大きくより酸化されにくいＷＳｉy
ＮX膜７１ａを形成した点である。
点は、ＷＳｉy ＮX 膜７１の上にＷＳｉy ＮX 膜７１よ
りも窒素組成がより大きくより酸化されにくいＷＳｉy
ＮX膜７１ａを形成した点である。
【００４４】ＷＳｉy ＮX 膜７１ａも非晶質構造であ
り、このため粒界を通した不純物拡散が防止され、良好
な電気特性を得ることができる。ＷＳｉy ＮX 膜７１ａ
の堆積は、ＷＳｉy ＮX 膜７１と同様の方法により行う
ことが可能である。ＷＳｉy ＮX 膜７１、ＷＳｉy ＮX
膜７１ａの組成は、例えばそれぞれｘ＝１．０、ｙ＝
１．０、ｘ＝１．０、ｙ＝１．５である。
り、このため粒界を通した不純物拡散が防止され、良好
な電気特性を得ることができる。ＷＳｉy ＮX 膜７１ａ
の堆積は、ＷＳｉy ＮX 膜７１と同様の方法により行う
ことが可能である。ＷＳｉy ＮX 膜７１、ＷＳｉy ＮX
膜７１ａの組成は、例えばそれぞれｘ＝１．０、ｙ＝
１．０、ｘ＝１．０、ｙ＝１．５である。
【００４５】本実施形態によれば、第７の実施形態より
もさらに優れた酸化防止特性を得ることが可能である。 （第９の実施形態）図９は、本発明の第９の実施形態を
説明するための断面図である。図９において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
もさらに優れた酸化防止特性を得ることが可能である。 （第９の実施形態）図９は、本発明の第９の実施形態を
説明するための断面図である。図９において図１と同一
の部分には同一の符号を付して示し詳細な説明は省略す
る。
【００４６】第９の実施形態が第７の実施形態と異なる
点は、拡散防止膜としてのＷＳｉyＮX 膜７１のかわり
にＴｉＳｉy ＮX 膜９１を用いている点である。ＴｉＳ
ｉyＮX 膜９１は非晶質構造であり、このため粒界を通
した不純物拡散が防止され、良好な電気特性を得ること
ができる。ＴｉＳｉy ＮX 膜９１の堆積は、例えばＴｉ
Ｓｉy ＮX からなるスパッタリングターゲットを用いて
スパッタリング法により行うか、タングステンシリサイ
ド（ＴｉＳｉy 等）からなるスパッタリングターゲット
を用いてＮ2 雰囲気下においてスパッタリング法により
行う。ＴｉＳｉy ＮX 膜９１の組成は、例えばｘ＝０．
６、ｙ＝１．６である。
点は、拡散防止膜としてのＷＳｉyＮX 膜７１のかわり
にＴｉＳｉy ＮX 膜９１を用いている点である。ＴｉＳ
ｉyＮX 膜９１は非晶質構造であり、このため粒界を通
した不純物拡散が防止され、良好な電気特性を得ること
ができる。ＴｉＳｉy ＮX 膜９１の堆積は、例えばＴｉ
Ｓｉy ＮX からなるスパッタリングターゲットを用いて
スパッタリング法により行うか、タングステンシリサイ
ド（ＴｉＳｉy 等）からなるスパッタリングターゲット
を用いてＮ2 雰囲気下においてスパッタリング法により
行う。ＴｉＳｉy ＮX 膜９１の組成は、例えばｘ＝０．
６、ｙ＝１．６である。
【００４７】（第１０の実施形態）図１０は、本発明の
第１０の実施形態を説明するための断面図である。図１
０において図１と同一の部分には同一の符号を付して示
し詳細な説明は省略する。
第１０の実施形態を説明するための断面図である。図１
０において図１と同一の部分には同一の符号を付して示
し詳細な説明は省略する。
【００４８】第１０の実施形態が第９の実施形態と異な
る点は、ＴｉＳｉy ＮX 膜９１の上にＴｉＳｉy ＮX 膜
９１よりも窒素組成がより大きくより酸化されにくいＴ
ｉＳｉy ＮX 膜９１ａを形成した点である。
る点は、ＴｉＳｉy ＮX 膜９１の上にＴｉＳｉy ＮX 膜
９１よりも窒素組成がより大きくより酸化されにくいＴ
ｉＳｉy ＮX 膜９１ａを形成した点である。
【００４９】ＴｉＳｉy ＮX 膜９１ａも非晶質構造であ
り、このため粒界を通した不純物拡散が防止され、良好
な電気特性を得ることができる。ＴｉＳｉy ＮX 膜９１
ａの堆積は、ＴｉＳｉy ＮX 膜９１と同様の方法により
行うことが可能である。ＴｉＳｉy ＮX 膜９１、ＴｉＳ
ｉy ＮX 膜９１ａの組成は、例えばそれぞれｘ＝０．
６、ｙ＝１．６、ｘ＝０．６、ｙ＝２．０である。
り、このため粒界を通した不純物拡散が防止され、良好
な電気特性を得ることができる。ＴｉＳｉy ＮX 膜９１
ａの堆積は、ＴｉＳｉy ＮX 膜９１と同様の方法により
行うことが可能である。ＴｉＳｉy ＮX 膜９１、ＴｉＳ
ｉy ＮX 膜９１ａの組成は、例えばそれぞれｘ＝０．
６、ｙ＝１．６、ｘ＝０．６、ｙ＝２．０である。
【００５０】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはない。例えば金属酸化物からなる高誘電体膜とし
て、ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜以外にＢａＴｉＯ3膜、Ｓｒ
ＴｉＯ3膜、ＰｂＺｒxＴｉ1-xＯ3膜、ＰｂxＬａ1-xＺｒ
yＴｉ1-yＯ3膜等のペロブスカイト型金属酸化物膜やＴ
ａ2 Ｏ5 膜等を用いることが可能である。また、導電性
の金属酸化膜としては、ＲｕＯ2 膜以外にＩｎ2 Ｏ3 膜
やＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜等を用いること
が可能である。
ことはない。例えば金属酸化物からなる高誘電体膜とし
て、ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜以外にＢａＴｉＯ3膜、Ｓｒ
ＴｉＯ3膜、ＰｂＺｒxＴｉ1-xＯ3膜、ＰｂxＬａ1-xＺｒ
yＴｉ1-yＯ3膜等のペロブスカイト型金属酸化物膜やＴ
ａ2 Ｏ5 膜等を用いることが可能である。また、導電性
の金属酸化膜としては、ＲｕＯ2 膜以外にＩｎ2 Ｏ3 膜
やＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜等を用いること
が可能である。
【００５１】さらにまた、酸素を含む金属からなる膜を
電極配線として用いる場合にも本発明を適用することが
可能である。即ち、酸素を含む金属からなる膜を電極配
線として用いた場合にも、その下地との間には酸化され
にくい拡散防止膜を用いることが必要となってくる。例
えば、周期律表第５、６周期で第７Ａ、８族に属する少
なくとも一つの金属元素からなり、酸素（Ｏ）を微量
（例えば０．００４〜５ａｔｏｍ％）含む膜を用いるこ
とが可能である。特に、酸素（Ｏ）を微量含むＲｕ、Ｏ
ｓ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ膜を用いると良い。
電極配線として用いる場合にも本発明を適用することが
可能である。即ち、酸素を含む金属からなる膜を電極配
線として用いた場合にも、その下地との間には酸化され
にくい拡散防止膜を用いることが必要となってくる。例
えば、周期律表第５、６周期で第７Ａ、８族に属する少
なくとも一つの金属元素からなり、酸素（Ｏ）を微量
（例えば０．００４〜５ａｔｏｍ％）含む膜を用いるこ
とが可能である。特に、酸素（Ｏ）を微量含むＲｕ、Ｏ
ｓ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｉｒ膜を用いると良い。
【００５２】さらに、ＷＮX 膜、ＷＳｉy ＮX 膜、Ｔｉ
Ｓｉy ＮX 膜の下地としてはｎ+ 多結晶Ｓｉ層以外にｐ
+ 多結晶Ｓｉ層等の多結晶Ｓｉ層や単結晶シリコン基板
等のシリコンからなる下地を用いることが可能である。
Ｓｉy ＮX 膜の下地としてはｎ+ 多結晶Ｓｉ層以外にｐ
+ 多結晶Ｓｉ層等の多結晶Ｓｉ層や単結晶シリコン基板
等のシリコンからなる下地を用いることが可能である。
【００５３】さらにまた、本発明はキャパシタ電極以外
の電極にも適用可能であり、例えば、液晶表示装置の金
属酸化物電極構造に対しても適用可能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施する
ことが可能である。
の電極にも適用可能であり、例えば、液晶表示装置の金
属酸化物電極構造に対しても適用可能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施する
ことが可能である。
【００５４】
【発明の効果】本発明による電極配線によれば、金属酸
化物又は酸素を含む金属からなる電極を形成する時、キ
ャパシタ下部電極上に金属酸化物からなる高誘電体膜を
形成する時、又はその後の熱処理時等において、金属酸
化物又は酸素を含む金属からなる電極と下地との間に介
在させた導電膜の表面が酸化されることを防止すること
ができ、このため抵抗の増大、キャパシタ容量の低下等
の問題を防止することが可能である。
化物又は酸素を含む金属からなる電極を形成する時、キ
ャパシタ下部電極上に金属酸化物からなる高誘電体膜を
形成する時、又はその後の熱処理時等において、金属酸
化物又は酸素を含む金属からなる電極と下地との間に介
在させた導電膜の表面が酸化されることを防止すること
ができ、このため抵抗の増大、キャパシタ容量の低下等
の問題を防止することが可能である。
【図１】 本発明の第１の実施形態を説明するための工
程断面図。
程断面図。
【図２】 本発明の第２の実施形態を説明するための断
面図。
面図。
【図３】 本発明の第３の実施形態を説明するための断
面図。
面図。
【図４】 本発明の第４の実施形態を説明するための断
面図。
面図。
【図５】 本発明の第５の実施形態を説明するための断
面図。
面図。
【図６】 本発明の第６の実施形態を説明するための断
面図。
面図。
【図７】 本発明の第７の実施形態を説明するための断
面図。
面図。
【図８】 本発明の第８の実施形態を説明するための断
面図。
面図。
【図９】 本発明の第９の実施形態を説明するための断
面図。
面図。
【図１０】 本発明の第１０の実施形態を説明するため
の断面図。
の断面図。
【図１１】 従来の技術を説明するための工程断面図。
１：ｐ−タイプＳｉ基板１ ２：素子分離領域 ３ａ：ゲート絶縁膜 ３ｂ：ゲート電極（ワード線） ４：ｎ+ 拡散層 ５ａ、５ｂ：層間絶縁膜 ５ｃ：コンタクトホール ６：ビット線 ７：ｎ+ 多結晶Ｓｉ層 ８、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ：ＷＮX 膜 ９：ＲｕＯ2 膜 １０：ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3膜 １１：ＲｕＯ2 からなる上部電極 ７１、７１ａ：ＷＳｉy ＮX 膜 ９１、９１ａ：ＴｉＳｉy ＮX 膜
Claims (16)
- 【請求項１】 基板上に形成された金属酸化物又は酸素
を含む金属からなる電極配線と、この電極配線と前記基
板との間に形成されたＷＮX からなる導電膜とを有する
ことを特徴とする電極配線。 - 【請求項２】 前記電極配線は、キャパシタの下部電極
であることを特徴とする請求項１記載の電極配線。 - 【請求項３】 前記キャパシタの下部電極上に形成され
るキャパシタ絶縁膜は金属酸化物からなることを特徴と
する請求項２記載の電極配線。 - 【請求項４】 前記ＷＮX からなる導電膜の表面がＷ2
Ｎの結晶構造をとることを特徴とする請求項１乃至３記
載の電極配線。 - 【請求項５】 前記ＷＮX からなる導電膜のｘの値が
０．０５よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至４
記載の電極配線。 - 【請求項６】 前記ＷＮX からなる導電膜の表面の窒素
組成が内部の窒素組成よりも大きいことを特徴とする請
求項１乃至５記載の電極配線。 - 【請求項７】 前記ＷＮX からなる導電膜は金属酸化物
又は酸素を含む金属からなる電極配線と接することを特
徴とする請求項１乃至６記載の電極配線。 - 【請求項８】 前記基板上にはシリコンからなる層が形
成され、このシリコンからなる層上に接して前記ＷＮX
からなる導電膜が形成されていることを特徴とする請求
項１乃至７記載の電極配線。 - 【請求項９】 前記シリコンからなる層と前記ＷＮX か
らなる導電膜の界面部における前記ＷＮX からなる導電
膜のｘの値が０．１よりも大きいことを特徴とする請求
項８記載の電極配線。 - 【請求項１０】 基板上に形成された金属酸化物又は酸
素を含む金属からなる電極配線と、この電極配線と前記
基板との間に形成されたＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy Ｎ
X からなる導電膜とを有することを特徴とする電極配
線。 - 【請求項１１】 前記電極配線は、キャパシタの下部電
極であることを特徴とする請求項１０記載の電極配線。 - 【請求項１２】 前記キャパシタの下部電極上に形成さ
れるキャパシタ絶縁膜は金属酸化物からなることを特徴
とする請求項１１記載の電極配線。 - 【請求項１３】 前記ＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX
からなる導電膜の表面の窒素組成が内部の窒素組成より
も大きいことを特徴とする請求項１０乃至１２記載の電
極配線。 - 【請求項１４】 前記ＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX
からなる導電膜は金属酸化物又は酸素を含む金属からな
る電極配線と接することを特徴とする請求項１０乃至１
３記載の電極配線。 - 【請求項１５】 前記基板上にはシリコンからなる層が
形成され、このシリコンからなる層上に接して前記ＷＳ
ｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX からなる導電膜が形成され
ていることを特徴とする請求項１０乃至１４記載の電極
配線。 - 【請求項１６】 前記ＷＳｉy ＮX 又はＴｉＳｉy ＮX
からなる導電膜は非晶質構造であることを特徴とする請
求項１０乃至１５記載の電極配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8254071A JPH10107218A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 電極配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8254071A JPH10107218A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 電極配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107218A true JPH10107218A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17259825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8254071A Pending JPH10107218A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 電極配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107218A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002094030A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6479344B2 (en) * | 1998-09-11 | 2002-11-12 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating DRAM capacitor |
| US6933190B2 (en) | 2000-08-25 | 2005-08-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a capacitor with rare metal electrode |
| JP2007306003A (ja) * | 2007-05-11 | 2007-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP8254071A patent/JPH10107218A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6479344B2 (en) * | 1998-09-11 | 2002-11-12 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating DRAM capacitor |
| US6933190B2 (en) | 2000-08-25 | 2005-08-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a capacitor with rare metal electrode |
| US7169663B2 (en) | 2000-08-25 | 2007-01-30 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with rare metal electrode |
| JP2002094030A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4567167B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2010-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007306003A (ja) * | 2007-05-11 | 2007-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
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