JPH04364759A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH04364759A JPH04364759A JP14024991A JP14024991A JPH04364759A JP H04364759 A JPH04364759 A JP H04364759A JP 14024991 A JP14024991 A JP 14024991A JP 14024991 A JP14024991 A JP 14024991A JP H04364759 A JPH04364759 A JP H04364759A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に係り、特に、高温熱処理に対して安定なバリア
メタルを有し、良好なオーミック接触性を有する半導体
装置及びその製造方法に関する。
造方法に係り、特に、高温熱処理に対して安定なバリア
メタルを有し、良好なオーミック接触性を有する半導体
装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置で一般的に使用される
配線材料として、アルミニウムが挙げられる。このアル
ミニウムは、加熱されたシリコン基板上に付着されると
、表面自然酸化膜層を還元し、且つ、シリコンと合金層
を形成する。このため、シリコン基板との密着性が良く
、表面不純物濃度が高い場合には、良好なオーミック接
合を形成する。しかしながらその反面、純粋なアルミニ
ウムとシリコン基板との界面では、シリコンがアルミニ
ウム側に拡散するため、この時に消費されるシリコン層
が不均一であるとアルミニウムスパイクが生じ、当該ス
パイクが接合を突き抜けた場合には、接合が短絡される
という問題があった。
配線材料として、アルミニウムが挙げられる。このアル
ミニウムは、加熱されたシリコン基板上に付着されると
、表面自然酸化膜層を還元し、且つ、シリコンと合金層
を形成する。このため、シリコン基板との密着性が良く
、表面不純物濃度が高い場合には、良好なオーミック接
合を形成する。しかしながらその反面、純粋なアルミニ
ウムとシリコン基板との界面では、シリコンがアルミニ
ウム側に拡散するため、この時に消費されるシリコン層
が不均一であるとアルミニウムスパイクが生じ、当該ス
パイクが接合を突き抜けた場合には、接合が短絡される
という問題があった。
【０００３】この問題を解決するために、前記アルミニ
ウムにシリコンを１〜２％程度添加してシリコンが当該
アルミニウムに拡散するのを防ぐ方法が知られている。 しがしながらこの方法は、アルミニウム中の過剰シリコ
ン、即ち、ｐ形不純物となるアルミニウムを含んだシリ
コンが熱処理によりシリコン基板表面に析出するため、
コンタクト抵抗が増加するという問題があった。また、
アルミニウム配線中にシリコン粒が析出することも、配
線を微細化する上で問題があった。
ウムにシリコンを１〜２％程度添加してシリコンが当該
アルミニウムに拡散するのを防ぐ方法が知られている。 しがしながらこの方法は、アルミニウム中の過剰シリコ
ン、即ち、ｐ形不純物となるアルミニウムを含んだシリ
コンが熱処理によりシリコン基板表面に析出するため、
コンタクト抵抗が増加するという問題があった。また、
アルミニウム配線中にシリコン粒が析出することも、配
線を微細化する上で問題があった。
【０００４】そこで、このような問題を解決するために
、アルミニウムとシリコン基板との間に、例えば、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷ等のバリアメタルを挟むことで、アルミニウ
ム、シリコン、多結晶シリコン、シリサイド等の相互拡
散を阻止する従来例が提供されている。
、アルミニウムとシリコン基板との間に、例えば、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷ等のバリアメタルを挟むことで、アルミニウ
ム、シリコン、多結晶シリコン、シリサイド等の相互拡
散を阻止する従来例が提供されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようにアルミニウムとシリコン基板との間にバリアメタ
ルを挟むことで相互拡散を阻止する従来例は、シリコン
基板と当該バリアメタルとの間に存在する自然酸化膜の
影響により、抵抗が増大するという問題があった。さら
に、バリアメタルとして使用しているＴｉＮ、ＴｉＷ等
は、耐熱性に問題があり、例えば、５００℃程度の熱処
理に対しても安定性を確保することが困難であり、高温
熱処理を必要とする半導体装置に使用することができな
いという問題があった。
ようにアルミニウムとシリコン基板との間にバリアメタ
ルを挟むことで相互拡散を阻止する従来例は、シリコン
基板と当該バリアメタルとの間に存在する自然酸化膜の
影響により、抵抗が増大するという問題があった。さら
に、バリアメタルとして使用しているＴｉＮ、ＴｉＷ等
は、耐熱性に問題があり、例えば、５００℃程度の熱処
理に対しても安定性を確保することが困難であり、高温
熱処理を必要とする半導体装置に使用することができな
いという問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、高温熱処理に対して安定なバ
リアメタルを有し、良好なオーミック接触性を有する半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする
。
を課題とするものであり、高温熱処理に対して安定なバ
リアメタルを有し、良好なオーミック接触性を有する半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする
。
【０００７】
【問題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔を有
し、バリアメタルを介して、当該コンタクト孔の導通部
にて当該半導体基板と接続する配線を有する半導体装置
において、前記バリアメタルは、ルチル型構造を形成で
きる金属とルチル型構造を有する金属酸化物とからなる
ことを特徴とする半導体装置を提供するものである。
に本発明は、半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔を有
し、バリアメタルを介して、当該コンタクト孔の導通部
にて当該半導体基板と接続する配線を有する半導体装置
において、前記バリアメタルは、ルチル型構造を形成で
きる金属とルチル型構造を有する金属酸化物とからなる
ことを特徴とする半導体装置を提供するものである。
【０００８】そして、半導体基板上の絶縁膜にコンタク
ト孔を開口する第１工程と、スパッタリング法によりル
チル型構造を形成できる金属を堆積する第２工程と、低
温熱処理を行う第３工程と、ルチル型構造を有する金属
酸化物を堆積する第４工程と、からなることを特徴とす
る半導体装置の製造方法を提供するものである。
ト孔を開口する第１工程と、スパッタリング法によりル
チル型構造を形成できる金属を堆積する第２工程と、低
温熱処理を行う第３工程と、ルチル型構造を有する金属
酸化物を堆積する第４工程と、からなることを特徴とす
る半導体装置の製造方法を提供するものである。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明によれば、バリアメタルが
ルチル型構造（一般式ＭＯ２ 、但し、Ｍは金属）を形
成できる金属とルチル型構造を有する金属酸化物とから
なることで、当該金属が、半導体基板上に形成された自
然酸化膜を還元して、ルチル型構造を有する金属酸化物
に変化する。このため、前記自然酸化膜が消滅する結果
、自然酸化膜による抵抗の増大を防ぐことができる。ま
た、前記金属がルチル型構造を有する金属酸化物に変化
することで、半導体基板との密着性を向上することがで
きる。そして、ルチル型構造を有する金属酸化物は、耐
熱性に優れ、導電性が高く、且つ、安定した相互拡散防
止効果を有するため、良好なバリアメタルを有する半導
体装置を得ることができる。
ルチル型構造（一般式ＭＯ２ 、但し、Ｍは金属）を形
成できる金属とルチル型構造を有する金属酸化物とから
なることで、当該金属が、半導体基板上に形成された自
然酸化膜を還元して、ルチル型構造を有する金属酸化物
に変化する。このため、前記自然酸化膜が消滅する結果
、自然酸化膜による抵抗の増大を防ぐことができる。ま
た、前記金属がルチル型構造を有する金属酸化物に変化
することで、半導体基板との密着性を向上することがで
きる。そして、ルチル型構造を有する金属酸化物は、耐
熱性に優れ、導電性が高く、且つ、安定した相互拡散防
止効果を有するため、良好なバリアメタルを有する半導
体装置を得ることができる。
【００１０】また、請求項２記載の発明によれば、スパ
ッタリング法によりルチル型構造を形成できる金属を堆
積し、これに低温熱処理を行うことで、当該半導体基板
に支障を来すことなく該半導体基板上に形成された自然
酸化膜を還元して消滅することができる。また、前記金
属をルチル型構造を有する金属酸化物に変化することが
できるため、半導体基板との密着性を向上することがで
きる。そして、ルチル型構造を有する金属酸化物を堆積
することで、耐熱性に優れ、導電性が高く、且つ、安定
した相互拡散防止効果を有するバリアメタルを有する半
導体装置の製造方法を提供することができる。
ッタリング法によりルチル型構造を形成できる金属を堆
積し、これに低温熱処理を行うことで、当該半導体基板
に支障を来すことなく該半導体基板上に形成された自然
酸化膜を還元して消滅することができる。また、前記金
属をルチル型構造を有する金属酸化物に変化することが
できるため、半導体基板との密着性を向上することがで
きる。そして、ルチル型構造を有する金属酸化物を堆積
することで、耐熱性に優れ、導電性が高く、且つ、安定
した相互拡散防止効果を有するバリアメタルを有する半
導体装置の製造方法を提供することができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図１ないし図３は、本発明に係る半
導体装置の製造工程を示す部分断面図である。図１に示
す工程では、シリコン基板１上にＳｉＯ２ 膜２を形成
し、これにコンタクト孔を開口する。ここで、コンタク
ト孔の導通部には、自然酸化膜３が形成される。その後
、スパッタリング法により、Ａｒ（アルゴン）雰囲気で
、シリコン基板１の全面にルチル型構造を形成できる金
属としてＲｕ（ルテニウム）を堆積し膜厚５０Å程度の
Ｒｕからなる金属層４を形成する。このＲｕは、低抵抗
で、且つ、還元能力を有している。
参照して説明する。図１ないし図３は、本発明に係る半
導体装置の製造工程を示す部分断面図である。図１に示
す工程では、シリコン基板１上にＳｉＯ２ 膜２を形成
し、これにコンタクト孔を開口する。ここで、コンタク
ト孔の導通部には、自然酸化膜３が形成される。その後
、スパッタリング法により、Ａｒ（アルゴン）雰囲気で
、シリコン基板１の全面にルチル型構造を形成できる金
属としてＲｕ（ルテニウム）を堆積し膜厚５０Å程度の
Ｒｕからなる金属層４を形成する。このＲｕは、低抵抗
で、且つ、還元能力を有している。
【００１２】次いで、図２に示す工程では、図１に示す
工程で得たシリコン基板１を２００℃、Ｏ２ 雰囲気に
て、低温熱処理を行う。この低温熱処理により、自然酸
化膜３がＲｕに還元され、自然酸化膜３は消滅する。そ
して、Ｒｕからなる金属層４の一部がＲｕＯｘ に変化
して、金属層４がＲｕとＲｕＯｘ とからなるバリアメ
タル層５となる。この反応により、シリコン基板１とＲ
ｕとＲｕＯｘ とからなるバリアメタル層５との密着性
が向上する。そして、自然酸化膜３が消滅したことによ
り、この部分の抵抗が増加することもない。
工程で得たシリコン基板１を２００℃、Ｏ２ 雰囲気に
て、低温熱処理を行う。この低温熱処理により、自然酸
化膜３がＲｕに還元され、自然酸化膜３は消滅する。そ
して、Ｒｕからなる金属層４の一部がＲｕＯｘ に変化
して、金属層４がＲｕとＲｕＯｘ とからなるバリアメ
タル層５となる。この反応により、シリコン基板１とＲ
ｕとＲｕＯｘ とからなるバリアメタル層５との密着性
が向上する。そして、自然酸化膜３が消滅したことによ
り、この部分の抵抗が増加することもない。
【００１３】次に、図３に示す工程では、反応性スパッ
タリング法により、図２に示す工程で得たシリコン基板
１の全面にＲｕＯｘ を堆積し、膜厚２００Å程度のＲ
ｕＯｘ からなるバリアメタル層６を形成する。この時
、Ａｒ：Ｏ２ ＝２：３の割合で供給した。このＲｕＯ
ｘ は、耐熱性に優れ、導電性が高く、且つ、安定した
相互拡散防止効果を有するため、良好なバリアメタルと
なる。
タリング法により、図２に示す工程で得たシリコン基板
１の全面にＲｕＯｘ を堆積し、膜厚２００Å程度のＲ
ｕＯｘ からなるバリアメタル層６を形成する。この時
、Ａｒ：Ｏ２ ＝２：３の割合で供給した。このＲｕＯ
ｘ は、耐熱性に優れ、導電性が高く、且つ、安定した
相互拡散防止効果を有するため、良好なバリアメタルと
なる。
【００１４】このように、本実施例のバリアメタル層は
、ＲｕとＲｕＯｘ とからなるバリアメタル層５とＲｕ
Ｏｘ からなるバリアメタル層６により構成される。そ
の後、図３に示す工程で得たシリコン基板１上にＡｌ等
の配線を公知の方法により形成する等して半導体装置を
完成する。尚、本実施例では、ルチル型構造を形成でき
る金属としてＲｕを用いたが、これに限らず、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｔｉ等、還元能力を有し、低抵抗な物質であれば、
ルチル型構造を形成できる他の金属を使用してもよい。
、ＲｕとＲｕＯｘ とからなるバリアメタル層５とＲｕ
Ｏｘ からなるバリアメタル層６により構成される。そ
の後、図３に示す工程で得たシリコン基板１上にＡｌ等
の配線を公知の方法により形成する等して半導体装置を
完成する。尚、本実施例では、ルチル型構造を形成でき
る金属としてＲｕを用いたが、これに限らず、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｔｉ等、還元能力を有し、低抵抗な物質であれば、
ルチル型構造を形成できる他の金属を使用してもよい。
【００１５】また、ルチル型構造を有する金属酸化物と
して、ＲｕＯｘ を用いたが、これに限らず、ＺｒＯｘ
、ＨｆＯｘ 、ＴｉＯｘ 等、ルチル型構造を有する
他の金属酸化物を使用してもよい。そして、図２に示す
工程では、金属層４のＲｕの一部をＲｕＯｘ に変化し
て、金属層４をＲｕとＲｕＯｘ とからなるバリアメタ
ル層５としたが、自然酸化膜３の量等により、金属層４
のＲｕの全部をＲｕＯｘ に変化してもよい。
して、ＲｕＯｘ を用いたが、これに限らず、ＺｒＯｘ
、ＨｆＯｘ 、ＴｉＯｘ 等、ルチル型構造を有する
他の金属酸化物を使用してもよい。そして、図２に示す
工程では、金属層４のＲｕの一部をＲｕＯｘ に変化し
て、金属層４をＲｕとＲｕＯｘ とからなるバリアメタ
ル層５としたが、自然酸化膜３の量等により、金属層４
のＲｕの全部をＲｕＯｘ に変化してもよい。
【００１６】また、図３に示す工程では、反応性スパッ
タリング法により、ＲｕＯｘ を堆積したが、この方法
に限らず、酸化雰囲気でシリコン基板１の表面を酸化し
てＲｕＯｘ を堆積してもよい。
タリング法により、ＲｕＯｘ を堆積したが、この方法
に限らず、酸化雰囲気でシリコン基板１の表面を酸化し
てＲｕＯｘ を堆積してもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、バリアメタルをルチル型構造を形成できる金
属とルチル型構造を有する金属酸化物とで構成したこと
で、半導体基板上に形成された自然酸化膜を還元するこ
とができる結果、当該自然酸化膜を消滅することができ
、この部分の抵抗の増大を防ぐことができる。また、前
記金属がルチル型構造を有する金属酸化物に変化するこ
とで、半導体基板との密着性を向上することができる。 そして、ルチル型構造を有する金属酸化物は、耐熱性に
優れ、導電性が高く、且つ、安定した相互拡散防止効果
を有する。この結果、高温熱処理に対して安定なバリア
メタルを有し、良好なオーミック接触性を有する半導体
装置を提供することができる。
によれば、バリアメタルをルチル型構造を形成できる金
属とルチル型構造を有する金属酸化物とで構成したこと
で、半導体基板上に形成された自然酸化膜を還元するこ
とができる結果、当該自然酸化膜を消滅することができ
、この部分の抵抗の増大を防ぐことができる。また、前
記金属がルチル型構造を有する金属酸化物に変化するこ
とで、半導体基板との密着性を向上することができる。 そして、ルチル型構造を有する金属酸化物は、耐熱性に
優れ、導電性が高く、且つ、安定した相互拡散防止効果
を有する。この結果、高温熱処理に対して安定なバリア
メタルを有し、良好なオーミック接触性を有する半導体
装置を提供することができる。
【００１８】また、請求項２記載の発明によれば、半導
体基板に支障を来すことなく当該半導体基板上に形成さ
れた自然酸化膜を還元して消滅することができ、さらに
、前記金属をルチル型構造を有する金属酸化物に変化す
ることができる。そして、ルチル型構造を有する金属酸
化物を堆積することで、耐熱性に優れ、導電性が高く、
且つ、安定した相互拡散防止効果を有するバリアメタル
を得ることができる。この結果、高温熱処理に対して安
定なバリアメタルを有し、良好なオーミック接触性を有
する半導体装置の製造方法を提供することができる。
体基板に支障を来すことなく当該半導体基板上に形成さ
れた自然酸化膜を還元して消滅することができ、さらに
、前記金属をルチル型構造を有する金属酸化物に変化す
ることができる。そして、ルチル型構造を有する金属酸
化物を堆積することで、耐熱性に優れ、導電性が高く、
且つ、安定した相互拡散防止効果を有するバリアメタル
を得ることができる。この結果、高温熱処理に対して安
定なバリアメタルを有し、良好なオーミック接触性を有
する半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の部分断面図
である。
である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の部分断面図
である。
である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の部分断面図
である。
である。
１ シリコン基板
２ ＳｉＯ２ 膜
３ 自然酸化膜
４ 金属層
５ バリアメタル層
６ バリアメタル層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔
を有し、バリアメタルを介して、当該コンタクト孔の導
通部にて当該半導体基板と接続する配線を有する半導体
装置において、前記バリアメタルは、ルチル型構造を形
成できる金属とルチル型構造を有する金属酸化物とから
なることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔
を開口する第１工程と、スパッタリング法によりルチル
型構造を形成できる金属を堆積する第２工程と、低温熱
処理を行う第３工程と、ルチル型構造を有する金属酸化
物を堆積する第４工程と、からなることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14024991A JPH04364759A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14024991A JPH04364759A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364759A true JPH04364759A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15264384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14024991A Pending JPH04364759A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364759A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065718A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| EP0629002A1 (en) * | 1993-06-07 | 1994-12-14 | Motorola Inc. | Semiconductor device and ferroelectric capacitor |
| DE19620022C2 (de) * | 1995-05-17 | 2002-09-19 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zur Herstellung einer Diffusionssperrmetallschicht in einer Halbleitervorrichtung |
| JP2008159720A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置並びに半導体装置の製造方法 |
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1991
- 1991-06-12 JP JP14024991A patent/JPH04364759A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065718A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| EP0629002A1 (en) * | 1993-06-07 | 1994-12-14 | Motorola Inc. | Semiconductor device and ferroelectric capacitor |
| US5407855A (en) * | 1993-06-07 | 1995-04-18 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material |
| US5510651A (en) * | 1993-06-07 | 1996-04-23 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material |
| DE19620022C2 (de) * | 1995-05-17 | 2002-09-19 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zur Herstellung einer Diffusionssperrmetallschicht in einer Halbleitervorrichtung |
| JP2008159720A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置並びに半導体装置の製造方法 |
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