KR910003760A - 전기 세라믹 산화물 디바이스용 전극 - Google Patents

전기 세라믹 산화물 디바이스용 전극 Download PDF

Info

Publication number
KR910003760A
KR910003760A KR1019900010777A KR900010777A KR910003760A KR 910003760 A KR910003760 A KR 910003760A KR 1019900010777 A KR1019900010777 A KR 1019900010777A KR 900010777 A KR900010777 A KR 900010777A KR 910003760 A KR910003760 A KR 910003760A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide
osmium
rhodium
ruthenium
iridium
Prior art date
Application number
KR1019900010777A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0165885B1 (ko
Inventor
에이치. 세퍼드 윌리암
Original Assignee
존 지. 웨브
내셔날 세미컨덕터 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 존 지. 웨브, 내셔날 세미컨덕터 코포레이션 filed Critical 존 지. 웨브
Publication of KR910003760A publication Critical patent/KR910003760A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0165885B1 publication Critical patent/KR0165885B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/016—Thin-film circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0744—Manufacture or deposition of contacts or electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y10T29/435—Solid dielectric type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/268—Monolayer with structurally defined element

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

전기 세라믹 산화물 디바이스용 전극
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 본 발명을 도시하는 전기 세라믹 산화물 디바이스의 개략도.
제3(a)도 및 제3(b)도는 본 발명을 사용한 전기회로.

Claims (20)

  1. 전기 세라믹 산화물 재료의 제1몸체, 전기 도전 리드 수단, 상기 제1몸체를르 상기 리드 수단에 접속시킨 계면 재료의 제2몸체를 포함하며. 상기 제2몸체는 루테늄, 이라듐, 오스뮴, 로듐, 루테늄 산화물, 이라듐 산화물 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제1부분을 포한하는 전기 세라믹 산화물 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2몸체의 제1부분은 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 상기 제2몸체는 류테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제2부분을 더욱이 포함하고, 상기 제2부분은 상리 리드 수단 및 상기 제1부분사이에 배치됨으로써 상기 제2부분이 상기 리드 수단 및 상기 제1부분 사이에 계면 산화물의형성을 방지하는 전기 세라믹 산화물 디바이스.
  3. 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐, 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제1몸체를 포함하는 제1전극, 제2전극, 상기 제1 및 상기 제2전극 사이에 배치된 전기 세라믹 산화물 유전 재료를 포함하는 전기 세라믹 산화물 캐패시터.
  4. 제3항에 있어서; 상기 제1몸체는 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 상기 제1전극은 류테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로부터 선택된 제2몸체를 더우기 포함하고, 상기 제1몸체는 상기 전기 세라믹 산화물 유전 재료 및 제2몸체 사이에 배치되어 있는 전기 세라믹 산화물 캐패시터.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제전극은 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐, 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제1몸체를 포함하는 전기 세라믹 산화물 캐패시터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극 각각에 있는 제1몸체는 루테늄 산화막, 이리듐 산화막, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 상기 제1 및 제2전극을 루테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 제2몸체를 더욱이 포함하고, 상기 제1 몸체는 상기 전기 세라믹 산화물 유전 재료 및 상기 제2몸체사이에 배치되어 있는 전기 세라믹 산화물 캐패시터.
  7. 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐, 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제1몸체를 포함하는 제1전극, 제2전극, 상기 제1 및 제2전극 사이에 배치된 전기 세라믹 산화물 전기 광학 재료를 포함하는 전기 제라믹 산호물 전기 광학디바이스.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1몸체는 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 상기 제1전극은 루테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 제2몸체를 더욱이 포함하고, 상기 제1몸체는 상기 전기 세라믹 산화물 전기 광학 재료 및 제2몸체 사이에 배치되어 있는 전기 세라믹 산화물 전기 광학 디바이스.
  9. 제7도에 있어서, 상기 제2전극은 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐, 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제1몸체를 포함하는 전기 세라믹 산화물 전기 광학 디바이스.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극 각각에 있는 제1몸체는 루테늄 산화물, 이리듐 산화물.오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 상기 제1 및 제2전그은 루테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제2몸체를 더욱이 포함하고, 상기 제1몸체는 상기 전기 세라믹 산화물 전기광학 재료 및 상기 제2몸체 사이에 배치되어 있는 전기 세라믹 산화물 전기 광학 디바이스.
  11. 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐, 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제1몸체를 포함하는 제1전극, 제2전극, 상기 제1 및 상기 제2전극 사이에 배치된 전기 세라믹 산화물 전기 초전도체 재료를 포함하는 전기 세라믹 산화물 초전도체 디바이스.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1몸체는 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로 선택되며 상기 제1전극은 루테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 재료의 제2몸체를 더욱이 포함하고, 상기 제1몸체는 상기 전기 세라믹 산화물 초전도체 재료 및 제2몸체 사이에 배치되어 있는 전기 세라믹 산화물 초전도체 디바이스.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제2전극은 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐, 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제1몸체를 포함하는 전기 세라믹 산화물 초전도체 디바이스.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극 각각의 제1몸체는 루테늄 산화막, 이리듐 산화막, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 상기 제1 및 제2전극은 각각 루테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 제2몸체를 더욱이 포함하고, 상기 제1몸체는 상기 전기 세라믹 산화물 초전도체 재료 및 상기 제2몸체사이에 배치되어 있는 전기 세라믹 산화물 초전도체 디바이스.
  15. 전기 접촉을 전기 세라믹 산화물 재료에 형성시키는 방법에 있어서, (a)전기 세라믹 산화물 기판을 제공하는단계. (b)전기 도전 리드 수단을 제공하는 단계, (c)상기 기판 및 상기 리드 수단 사이에 전기 접속을 형성시키는 단계를 포함하는 방법으로서 상기 접속은 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐, 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 제1몸체를 포함하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 재료의 제1몸체는 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 오스뮴 산화물 및 로듐 산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 상기 전기 접속은 루테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로 부터 선택된 재료의 제2몸체를 더욱이 포함하고, 상기 제2 몸체는 상기 제1몸체 및 상기 전기 도전 리드 수단 사이에 배치되어 있는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2몸체는 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 데포지션에 의하여 형성되며 상기 제1몸체는 루테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 산소와 함께 반응 테포지션에 의하여 형성 되는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제2몸체는 루테늄, 이리듐, 오스뮴, 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 스퍼터링에 의하여 형성되며, 상기 제1몸체는 루테늄, 이리듐, 오스뮴 및 로듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료의 산소와 함께 반응 스퍼터링에 의하여 형성되는 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 제1몸체는 상기 제2몸체의 부분적인 산화에 이하여 형성되는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 제2몸체는 상기 제1몸체의 부분적인 환원에 이하여 형성되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900010777A 1989-07-17 1990-07-16 전기 세라믹 산화물 디바이스용 전극 KR0165885B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/380,942 US4982309A (en) 1989-07-17 1989-07-17 Electrodes for electrical ceramic oxide devices
US380942 1989-07-17
US380,942 1989-07-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910003760A true KR910003760A (ko) 1991-02-28
KR0165885B1 KR0165885B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=23503041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900010777A KR0165885B1 (ko) 1989-07-17 1990-07-16 전기 세라믹 산화물 디바이스용 전극

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4982309A (ko)
EP (1) EP0409018B1 (ko)
JP (1) JP3055791B2 (ko)
KR (1) KR0165885B1 (ko)
AU (1) AU626701B2 (ko)
CA (1) CA2021277A1 (ko)
DE (1) DE69028664T2 (ko)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332074A (ja) * 1989-06-29 1991-02-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導デバイス
US5122923A (en) * 1989-08-30 1992-06-16 Nec Corporation Thin-film capacitors and process for manufacturing the same
DE69017802T2 (de) * 1989-08-30 1995-09-07 Nec Corp Dünnfilmkondensator und dessen Herstellungsverfahren.
JPH03108752A (ja) * 1989-09-22 1991-05-08 Nec Corp 半導体装置
EP0478799B1 (en) * 1990-04-24 1996-12-04 Ramtron International Corporation Semiconductor device having ferroelectric material and method of producing the same
US5272295A (en) * 1991-01-23 1993-12-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Electric contact and method for producing the same
JPH0555514A (ja) * 1991-08-28 1993-03-05 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
WO1993021637A1 (en) * 1992-04-13 1993-10-28 Ceram, Inc. Multilayer electrodes for ferroelectric devices
KR100325967B1 (ko) * 1992-04-20 2002-06-20 윌리엄 비. 켐플러 유전체 물질에의 전기 접속부
US5191510A (en) * 1992-04-29 1993-03-02 Ramtron International Corporation Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices
US5254217A (en) * 1992-07-27 1993-10-19 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide
DE4225920A1 (de) * 1992-08-05 1994-02-10 Roederstein Kondensatoren Kondensator, insbesondere Elektrolytkondensator
US5350705A (en) * 1992-08-25 1994-09-27 National Semiconductor Corporation Ferroelectric memory cell arrangement having a split capacitor plate structure
JPH0783061B2 (ja) * 1993-01-05 1995-09-06 日本電気株式会社 半導体装置
US5381302A (en) * 1993-04-02 1995-01-10 Micron Semiconductor, Inc. Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same
US6791131B1 (en) * 1993-04-02 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials
US5392189A (en) 1993-04-02 1995-02-21 Micron Semiconductor, Inc. Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same
US6531730B2 (en) * 1993-08-10 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same
US5478772A (en) * 1993-04-02 1995-12-26 Micron Technology, Inc. Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials
US6030847A (en) * 1993-04-02 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials
US5407855A (en) * 1993-06-07 1995-04-18 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material
JP3954339B2 (ja) * 1994-01-13 2007-08-08 ローム株式会社 誘電体キャパシタ
JP4554631B2 (ja) * 1994-01-13 2010-09-29 ローム株式会社 誘電体キャパシタおよびその製造方法
JP3981142B2 (ja) * 1994-01-13 2007-09-26 ローム株式会社 強誘電体キャパシタおよびその製造方法
JP3954390B2 (ja) * 1994-01-13 2007-08-08 ローム株式会社 誘電体キャパシタ
JP3954635B2 (ja) * 1994-01-13 2007-08-08 ローム株式会社 誘電体キャパシタの製造方法
US6052271A (en) * 1994-01-13 2000-04-18 Rohm Co., Ltd. Ferroelectric capacitor including an iridium oxide layer in the lower electrode
US5909043A (en) * 1994-06-02 1999-06-01 Texas Instruments Incorporated Sacrificial oxygen sources to prevent reduction of oxygen containing materials
US5589284A (en) * 1994-08-01 1996-12-31 Texas Instruments Incorporated Electrodes comprising conductive perovskite-seed layers for perovskite dielectrics
US5622893A (en) * 1994-08-01 1997-04-22 Texas Instruments Incorporated Method of forming conductive noble-metal-insulator-alloy barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes
US5504041A (en) * 1994-08-01 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US5566045A (en) * 1994-08-01 1996-10-15 Texas Instruments, Inc. High-dielectric-constant material electrodes comprising thin platinum layers
US5585300A (en) * 1994-08-01 1996-12-17 Texas Instruments Incorporated Method of making conductive amorphous-nitride barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes
US5554564A (en) * 1994-08-01 1996-09-10 Texas Instruments Incorporated Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes
US5489548A (en) * 1994-08-01 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method of forming high-dielectric-constant material electrodes comprising sidewall spacers
US5567636A (en) * 1995-02-27 1996-10-22 Motorola Inc. Process for forming a nonvolatile random access memory array
KR100190558B1 (ko) * 1995-03-04 1999-10-15 구본준 강유전체 및 이를 채용한 반도체장치의 커패시터
KR100416733B1 (ko) * 1995-03-20 2004-07-05 삼성전자주식회사 강유전성캐패시터
JP3380373B2 (ja) 1995-06-30 2003-02-24 三菱電機株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
JP3929513B2 (ja) * 1995-07-07 2007-06-13 ローム株式会社 誘電体キャパシタおよびその製造方法
US5739049A (en) * 1995-08-21 1998-04-14 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device having a capacitor and a method of forming metal wiring on a semiconductor substrate
US5708559A (en) * 1995-10-27 1998-01-13 International Business Machines Corporation Precision analog metal-metal capacitor
US5838605A (en) * 1996-03-20 1998-11-17 Ramtron International Corporation Iridium oxide local interconnect
KR100234361B1 (ko) * 1996-06-17 1999-12-15 윤종용 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리장치 및그제조방법
JP3396131B2 (ja) * 1996-06-28 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH10209392A (ja) * 1997-01-22 1998-08-07 Sony Corp 半導体メモリセル用キャパシタの電極及び半導体メモリセル用キャパシタ、並びに、それらの作製方法
US5773314A (en) * 1997-04-25 1998-06-30 Motorola, Inc. Plug protection process for use in the manufacture of embedded dynamic random access memory (DRAM) cells
US6541067B1 (en) 1998-08-27 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Solvated ruthenium precursors for direct liquid injection of ruthenium and ruthenium oxide and method of using same
US6063705A (en) * 1998-08-27 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Precursor chemistries for chemical vapor deposition of ruthenium and ruthenium oxide
US6517616B2 (en) 1998-08-27 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Solvated ruthenium precursors for direct liquid injection of ruthenium and ruthenium oxide
US6242299B1 (en) 1999-04-01 2001-06-05 Ramtron International Corporation Barrier layer to protect a ferroelectric capacitor after contact has been made to the capacitor electrode
KR20010097906A (ko) * 2000-04-27 2001-11-08 김효근 오믹 접촉용 금속박막 및 그 제조방법
US6903005B1 (en) 2000-08-30 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Method for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics
US6461909B1 (en) 2000-08-30 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Process for fabricating RuSixOy-containing adhesion layers
FR2881567A1 (fr) * 2005-02-01 2006-08-04 Commissariat Energie Atomique Condensateur a champ de claquage eleve
US7833645B2 (en) * 2005-11-21 2010-11-16 Relion, Inc. Proton exchange membrane fuel cell and method of forming a fuel cell
US20080032174A1 (en) * 2005-11-21 2008-02-07 Relion, Inc. Proton exchange membrane fuel cells and electrodes
TW200742851A (en) * 2006-05-09 2007-11-16 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Penicillin G biosensors and fabrication method thereof and sensing systems comprising the same
KR101206034B1 (ko) * 2006-05-19 2012-11-28 삼성전자주식회사 산소결핍 금속산화물을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법
US8026020B2 (en) 2007-05-08 2011-09-27 Relion, Inc. Proton exchange membrane fuel cell stack and fuel cell stack module
US9293778B2 (en) 2007-06-11 2016-03-22 Emergent Power Inc. Proton exchange membrane fuel cell
US8003274B2 (en) * 2007-10-25 2011-08-23 Relion, Inc. Direct liquid fuel cell
US8723654B2 (en) 2010-07-09 2014-05-13 Cypress Semiconductor Corporation Interrupt generation and acknowledgment for RFID
US9846664B2 (en) 2010-07-09 2017-12-19 Cypress Semiconductor Corporation RFID interface and interrupt
US9092582B2 (en) 2010-07-09 2015-07-28 Cypress Semiconductor Corporation Low power, low pin count interface for an RFID transponder

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3320500A (en) * 1965-12-27 1967-05-16 Bell Telephone Labor Inc Tantalum alloy capacitor
US3504244A (en) * 1967-06-17 1970-03-31 Nichicon Capacitor Ltd Ceramic capacitor and method of manufacture
US4050956A (en) * 1970-02-20 1977-09-27 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Chemical bonding of metals to ceramic materials
JPS57143203A (en) * 1981-02-27 1982-09-04 Taiyo Yuden Kk Conductive paste for forming conductive layer by baking on porcelain
JPS60170758A (ja) * 1984-02-15 1985-09-04 Nec Corp 半導体ガス検知素子
JPS61237304A (ja) * 1985-04-11 1986-10-22 キヤノン株式会社 誘電体磁器組成物
US4872086A (en) * 1988-10-20 1989-10-03 Motorola, Inc. Dielectric RF devices suited for use with superconductors
US5003428A (en) * 1989-07-17 1991-03-26 National Semiconductor Corporation Electrodes for ceramic oxide capacitors

Also Published As

Publication number Publication date
EP0409018B1 (en) 1996-09-25
JP3055791B2 (ja) 2000-06-26
US4982309A (en) 1991-01-01
EP0409018A2 (en) 1991-01-23
AU626701B2 (en) 1992-08-06
EP0409018A3 (en) 1991-11-27
AU5900890A (en) 1991-01-17
DE69028664T2 (de) 1997-04-17
DE69028664D1 (de) 1996-10-31
KR0165885B1 (ko) 1999-02-01
CA2021277A1 (en) 1991-01-18
JPH03214717A (ja) 1991-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910003760A (ko) 전기 세라믹 산화물 디바이스용 전극
KR900702614A (ko) Ptc회로 보호 소자의 어셈블리
KR920702554A (ko) 반도체 장치
KR910012708A (ko) pH 고체센서
KR890702161A (ko) 집적회로 장치 및 그 제조방법
MX9602406A (es) Mecanismo semiconductor que comprende un elemento de memoria ferroelectrica con un electrodo inferior provisto de una barrera de oxigeno.
KR970018637A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 디스플레이 장치
KR910005343A (ko) 전기 이중층 콘덴서
IE39514L (en) Thin-film electrical circuit
JPS6431475A (en) Superconducting device and forming method thereof
KR850006552A (ko) 전해전극 및 그 제조공정
JPS57137849A (en) Element of film construction oxygen sensor
KR900017142A (ko) 반도체 소자와 산화성 물질의 소자를 구비하는 장치와 그 제조방법
KR870007564A (ko) 얇은 막과 두꺼운 막으로 되는 저항 소자
JPS57100770A (en) Switching element
KR920010343A (ko) 액티브 매트릭스 기판
KR890016678A (ko) 반도체장치
US4187530A (en) Structure for solid state switch
HK103693A (en) Integrated circuit with an electroconductive flat element
EP0273743A3 (en) Electronic device having electrode and driving circuit substrate for display device
KR850006095A (ko) 정전식 표시장치의 표시정보 교환장치
JPS5753944A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS5730818A (en) Electrochromic display device
KR920700456A (ko) 절연 전선
JPS54149542A (en) Analog-value generating element

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040915

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee