JP2006203162A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された共振器と、該共振器の端面に形成された密着層と該密着層上に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、前記密着層と前記窒化物半導体層は六方晶の結晶からなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
2. 前記密着層がＺｎＯであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
3. 前記密着層がＡｌの窒化物であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
4. 前記端面コート膜が酸化物を含んでなることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
5. 前記酸化物は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒの何れかの酸化物の単層、又は何れかの酸化物の層を含む多層構造であることを特徴とする請求項４記載の窒化物半導体レーザ素子。
6. 前記端面コート膜が窒化物であることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
7. 前記端面コート膜がＳｉの窒化物の単層、またはＳｉの窒化物と酸化物の多層構造であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
8. 前記密着層がＡｌの窒化物であり、前記端面コート膜がＡｌの酸化物であることを特徴とする１記載の窒化物半導体レーザ素子。
9. 前記密着層がスパッタ法、もしくはプラズマＣＶＤ法で作製されたものであることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
10. 前記密着層を２００℃以下の温度で成膜することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
11. 六方晶である窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を劈開することにより共振器を形成する工程と、前記共振器端面に六方晶からなる密着層を形成する工程と、密着層の上に端面コート膜を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
12. 六方晶である窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層をエッチングすることにより共振器を形成する工程と、前記共振器端面に六方晶からなる密着層を形成する工程と、前記密着層の上に端面コート膜を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
13. 前記密着層がＡｌの窒化物からなることを特徴とする請求項１１または１２に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
14. 前記共振器端面を形成した後、前記共振器端面を不活性ガスによってクリーニングする工程を有することを特徴とする請求項１１から１３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
15. 前記不活性ガスが希ガスであることを特徴とする請求項１４に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
16. 前記希ガスとしてＡｒガスを用いること特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
17. 前記不活性ガスとして窒素ガスを用いることを特徴とする請求項１４に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。