JP5004642B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、光出射側の共振器面および光反射側の共振器面を有する半導体レーザ素子部を備えた半導体レーザ装置に関する。

従来、半導体レーザは、光ディスクシステムや光通信システムなどの光源として広く用いられている。また、システムを構成する機器の高性能化に伴い、要素部品としての半導体レーザの特性向上が要望されている。特に、高密度光ディスクシステムの光源として、レーザ光の短波長化や高出力化が望まれており、近年では、窒化物系材料により、発振波長が約４０５ｎｍの青紫色半導体レーザが開発されるとともに、その高出力化が検討されている。

一般的に、半導体レーザの高出力化を行う場合、製造プロセスにおいて、半導体レーザ素子の共振器における光出射面を低反射率にするとともに、光反射面を高反射率とする端面コート処理が施される。多くの半導体レーザでは、共振器の端面コート処理に、従来ＳｉＯ_２（酸化シリコン）やＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）などの酸化膜による誘電体膜が用いられてきた。しかし、この場合、レーザ光の発振中に、誘電体膜中の酸素が半導体層に拡散することにより、特に、へき開端面が酸化されてしまう。その結果、へき開端面や誘電体膜が変質することに起因して、半導体層や誘電体膜に吸収されたレーザ光によるへき開端面発光部の異常発熱のために共振器端面において光学損傷破壊（ＣＯＤ）が発生し、レーザ動作が不可能となる。そこで、酸素を有しない窒化膜からなる誘電体膜を用いた端面コート処理を行うことが考えられているが、一般的には、窒化膜が有する応力は、酸化膜の場合と比較して数倍〜数十倍大きいために、膜はがれが生じやすく、半導体層の表面（特にへき開端面）に割れや剥離を生じさせる。

そこで、従来では、半導体層（へき開端面）と端面コート膜との間に、窒化物からなる薄膜を形成する提案がなされている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１には、光出射側の共振器面に接触する窒化物からなる絶縁膜が形成されるとともに、この絶縁膜に接触して最表面に酸化膜が形成された半導体レーザが開示されている。この特許文献１に記載の半導体レーザでは、共振器面に接触するように形成された窒化膜により、最表面の酸化膜から半導体層（光出射側の共振器面）への酸素の供給が抑制されている。

特開平９−２８３８４３号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示された半導体レーザでは、最表面の酸化膜に、雰囲気中の酸素が取り込まれることにより、酸化膜が劣化するために、光出射側の共振器面において光学損傷破壊（ＣＯＤ）が発生しやすくなるという問題点がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、光出射側の共振器面において光学損傷破壊（ＣＯＤ）が発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供することである。

課題を解決するための手段および発明の効果

上記目的を達成するために、この一の局面による半導体レーザ装置は、光出射側の共振器面および光反射側の共振器面を有する半導体レーザ素子部と、半導体レーザ素子部の光出射側の共振器面に形成される複数の材料からなる第１の多層絶縁膜とを備え、第１の多層絶縁膜の最表面には、窒化膜が形成されている。

なお、本発明において、光出射側の共振器面および光反射側の共振器面は、それぞれの共振器面から出射されるレーザ光強度の大小関係により区別される。すなわち、相対的にレーザ光の出射強度の大きい側が光出射側であり、相対的にレーザ光の出射強度の小さい側が光反射側である。

この一の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、光出射側の共振器面における第１の多層絶縁膜の最表面に、窒化膜が形成されるように構成することによって、窒化膜により雰囲気中の酸素が第１の多層絶縁膜中に取り込まれるのが抑制されるので、第１の多層絶縁膜が劣化するのを抑制することができる。この結果、光出射側の共振器面において光学損傷破壊（ＣＯＤ）が発生するのを抑制することができる。

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１の多層絶縁膜は、光出射側の共振器面に接触するように形成された第１絶縁膜と、第１の多層絶縁膜の最表面に位置する窒化膜からなる第２絶縁膜と、第１絶縁膜と第２絶縁膜との間に挟まれ、少なくとも１層以上からなる第３絶縁膜とを含み、第１絶縁膜、第２絶縁膜および第３絶縁膜の屈折率が、それぞれ、ｎ１、ｎ２およびｎ３である場合に、ｎ１＞ｎ３、かつ、ｎ２＞ｎ３である。このように構成すれば、第１の多層絶縁膜を形成する際に、第３絶縁膜の屈折率ｎ３と、第１絶縁膜の屈折率ｎ１および第２絶縁膜の屈折率ｎ２との間にそれぞれ屈折率差を生じさせることができるので、第３絶縁膜を所定の厚みに調整することにより、光出射側の共振器面におけるレーザ光の反射率を、容易に、所望の反射率に制御することができる。

この場合、好ましくは、第３絶縁膜は、酸化膜である。このように構成すれば、酸化膜からなる第３絶縁膜の屈折率ｎ３が、窒化膜からなる第１絶縁膜および第２絶縁膜の屈折率ｎ１およびｎ２よりも小さいので、光出射側の共振器面におけるレーザ光の反射率を、より確実に制御することができる。

上記第１の多層絶縁膜が、第１絶縁膜、第２絶縁膜および第３絶縁膜を含む構成において、好ましくは、第１絶縁膜は、窒化膜である。このように構成すれば、光出射側の共振器面には窒化膜が接触しているために、第３絶縁膜（酸化膜）の酸素が半導体レーザ素子部に取り込まれるのを、第１絶縁膜を構成する窒化膜により、容易に抑制することができる。

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、半導体レーザ素子部の光反射側の共振器面に形成される複数の材料からなる第２の多層絶縁膜をさらに備え、第２の多層絶縁膜の最表面には、窒化膜が形成されている。このように構成すれば、窒化膜により雰囲気中の酸素が第２の多層絶縁膜中に取り込まれるのが抑制されるので、第２の多層絶縁膜が劣化するのを抑制することができる。この結果、光反射側の共振器面においても、光学損傷破壊が発生するのを抑制することができる。

この場合、好ましくは、第２の多層絶縁膜は、光反射側の共振器面に近い側から順に形成された第４絶縁膜、第５絶縁膜、複数の絶縁膜からなる第６絶縁膜、および、第２の多層絶縁膜の最表面に位置する窒化膜からなる第７絶縁膜を含み、第４絶縁膜、第５絶縁膜および第７絶縁膜の屈折率が、それぞれ、ｎ４、ｎ５およびｎ７である場合に、ｎ４＞ｎ５、かつ、ｎ７＞ｎ５である。このように構成すれば、第２の多層絶縁膜を形成する際に、第５絶縁膜の屈折率ｎ５と、第４絶縁膜の屈折率ｎ４および第７絶縁膜の屈折率ｎ７との間にそれぞれ屈折率差を生じさせることができるので、第５絶縁膜を所定の厚みに調整することにより、光反射側の共振器面におけるレーザ光の反射率を、容易に、所望の反射率に制御することができる。

この場合、好ましくは、第２の多層絶縁膜を構成する第５絶縁膜は、酸化膜である。このように構成すれば、酸化膜からなる第５絶縁膜の屈折率ｎ５が、窒化膜からなる第４絶縁膜および第７絶縁膜の屈折率ｎ４およびｎ７よりも小さいので、光反射側の共振器面におけるレーザ光の反射率を、より確実に制御することができる。さらに、第６絶縁膜が酸化膜である場合には、同じ酸化膜である第５絶縁膜により、第６絶縁膜を確実に接合することができる。

上記第２の多層絶縁膜が、第４絶縁膜、第５絶縁膜、複数の絶縁膜からなる第６絶縁膜、および、第７絶縁膜を含む構成において、好ましくは、第２の多層絶縁膜を構成する第４絶縁膜は、窒化膜である。このように構成すれば、光反射側の共振器面には窒化膜が接触しているために、第５絶縁膜（酸化膜）の酸素が半導体レーザ素子部に取り込まれるのを、第４絶縁膜を構成する窒化膜により、容易に抑制することができる。

上記第２の多層絶縁膜が、第４絶縁膜、第５絶縁膜、複数の絶縁膜からなる第６絶縁膜、および、第７絶縁膜を含む構成において、好ましくは、第１の多層絶縁膜は、光出射側の共振器面に接触するように形成された第１絶縁膜と、第１の多層絶縁膜の最表面に位置する窒化膜からなる第２絶縁膜と、第１絶縁膜と第２絶縁膜との間に挟まれ、少なくとも１層以上からなる第３絶縁膜とを含み、第１の多層絶縁膜を構成する第１絶縁膜、第２絶縁膜および第３絶縁膜の厚みが、それぞれ、ｔ１、ｔ２およびｔ３である場合に、ｔ２＜ｔ３およびｔ７＜ｔ５＋ｔ６であり、かつ、ｔ１＋ｔ３＜ｔ４＋ｔ５＋ｔ６である。このように構成すれば、光出射側の共振器面での反射率をより低くするとともに、光反射側の共振器面での反射率をより高くすることができる。これにより、少ないエネルギ入力により、高出力なレーザ光を発振させることが可能な半導体レーザ装置を得ることができる。

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、窒化膜は、Ａｌ、Ｓｉ、ＧａおよびＢの少なくともいずれかを含む。このように構成すれば、Ａｌ、Ｓｉ、ＧａおよびＢの少なくともいずれかを含んだ窒化膜により、第１の多層絶縁膜および第２の多層絶縁膜の内部および半導体レーザ素子部に酸素が取り込まれるのを、効果的に抑制することができる。

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、半導体レーザ素子部は、窒化物系半導体層により形成されている。このように構成すれば、短波長のレーザ光を発生する窒化物系半導体レーザにおいても、共振器端面における光学損傷破壊の発生を抑制することができるので、半導体レーザの高出力化および長寿命化を図ることができる。

なお、上記一の局面による半導体レーザ装置において、以下のように構成してもよい。すなわち、第１絶縁膜、第２絶縁膜および第３絶縁膜の厚みを、それぞれ、ｔ１、ｔ２およびｔ３とした場合に、ｔ２＜ｔ３であるように構成する。このように構成すれば、大きな応力を有する窒化膜（第２絶縁膜）の厚みｔ２が、窒化膜に接触する第３絶縁膜の厚みｔ３よりも小さいので、第２絶縁膜（窒化膜）が安定して形成されるとともに、第２絶縁膜（窒化膜）が第３絶縁膜から剥れるのを、容易に抑制することができる。

また、上記一の局面による半導体レーザ装置において、第４絶縁膜、第５絶縁膜、第６絶縁膜および第７絶縁膜の厚みを、それぞれ、ｔ４、ｔ５、ｔ６およびｔ７とした場合に、ｔ７＜ｔ５＋ｔ６であるように構成する。このように構成すれば、大きな応力を有する窒化膜（第７絶縁膜）の厚みｔ７が、窒化膜に接触する第６絶縁膜と第５絶縁膜との厚みの和（ｔ５＋ｔ６）よりも小さいので、第７絶縁膜（窒化膜）が安定して形成されるとともに、第７絶縁膜（窒化膜）が第６絶縁膜から剥れるのを、容易に抑制することができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための断面図である。図２は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置を備えた半導体レーザの構造を説明するための斜視図である。図３および図４は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置を構成する青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための図である。図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１を備えた半導体レーザの構造について説明する。

本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１では、図１に示すように、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子１０が、ＡｕＳｎ半田などの金属層からなる導電性接着層２０を介して基台３０に固定されている。また、基台３０は、図２に示すように、ＡｕＳｎ半田などの金属層からなる導電性接着層２１を介して、金属製のステム４０の本体部４１に設けられた台座部４２に固定されている。このステム４０には、２つのリード端子４３および４４が設けられている。また、青紫色半導体レーザ素子１０の上面は、図２に示すように、Ａｕワイヤ５０を用いて、ステム４０のリード端子４３にワイヤボンディングされている。また、基台３０の上面３０ａは、Ａｕワイヤ５１を用いて、ステム４０の台座部４２にワイヤボンディングされている。また、ステム４０の本体部４１には、レーザ光が透過する窓付きの図示しないキャップが取り付けられている。

また、図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０は、基台３０側に配置された基板１００と、基台３０とは反対側に配置された半導体レーザ素子部１１０とから構成されている。なお、半導体レーザ素子部１１０は、本発明の「半導体レーザ素子部」の一例である。

また、青紫色半導体レーザ素子１０は、図１に示すように共振器の延びる方向（Ａ方向）の両端部に、それぞれ、光出射面１０ａおよび光反射面１０ｂが形成されている。なお、光出射面１０ａは、本発明の「光出射側の共振器面」の一例であり、光反射面１０ｂは、本発明の「光反射側の共振器面」の一例である。また、青紫色半導体レーザ素子１０の光出射面１０ａおよび光反射面１０ｂには、製造プロセスにおける端面コート処理により、誘電体多層膜が形成されている。

ここで、第１実施形態では、図３に示すように、半導体レーザ素子部１１０の光出射面１０ａ（図１参照）には、多層絶縁膜１２０が形成されている。また、多層絶縁膜１２０は、光出射面１０ａに接触する窒化アルミ（ＡｌＮ）膜１２１と、窒化アルミ膜１２１に接触するアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜１２２と、さらにアルミナ膜１２２に接触するとともに、多層絶縁膜１２０の最表面に形成される窒化アルミ（ＡｌＮ）膜１２３とから構成されている。なお、多層絶縁膜１２０は、本発明の「第１の多層絶縁膜」の一例であり、窒化アルミ膜１２１は、本発明の「第１絶縁膜」の一例である。また、アルミナ膜１２２および窒化アルミ膜１２３は、それぞれ、本発明の「第３絶縁膜」および「第２絶縁膜」の一例である。また、図３に示すように、窒化アルミ膜１２１の厚みｔ１および窒化アルミ膜１２３の厚みｔ２は、共に、約１０ｎｍを有している。また、アルミナ膜１２２の厚みｔ３は、約１４３ｎｍを有しており、窒化アルミ膜１２１および１２３よりも厚みが大きく形成されている。

また、第１実施形態では、多層絶縁膜１２０における窒化アルミ膜１２１、窒化アルミ膜１２３およびアルミナ膜１２２の屈折率を、それぞれ、ｎ１、ｎ２およびｎ３とした場合に、屈折率ｎ１、ｎ２およびｎ３は、それぞれ、ｎ１＞ｎ３およびｎ２＞ｎ３の関係を有している。すなわち、窒化アルミ膜１２１の屈折率ｎ１および窒化アルミ膜１２３の屈折率ｎ２は、共に、約１．９を有しており、アルミナ膜１２２の屈折率ｎ３は、約１．６５を有している。

また、図３に示すように、半導体レーザ素子部１１０の光反射面１０ｂには、多層絶縁膜１３０が形成されている。また、多層絶縁膜１３０は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜１３１および酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜１３２が交互に５層ずつ積層されることにより構成されている。また、酸化ケイ素膜１３１は、約７０ｎｍの厚みを有するとともに、酸化チタン膜１３２は、約４３ｎｍの厚みを有している。したがって、多層絶縁膜１３０は、合計厚みが約５６５ｎｍを有している。

また、青紫色半導体レーザ素子１０の基板１００は、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板を用いており、半導体レーザ素子部１１０は、発振波長が約４００ｎｍ帯の窒化ガリウム系半導体層により構成されている。

具体的には、図４に示すように、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる基板１００の上面上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１１１、ＧａＩｎＮからなる障壁層と量子井戸層とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層１１２、および、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３がエピタキシャル成長により形成されている。第１実施形態では、これらｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１１１、活性層１１２およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３などの窒化物系半導体層によって、半導体レーザ素子部１１０が形成されている。なお、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１１１、活性層１１２およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３は、本発明の「窒化物系半導体層」の一例である。また、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３には、Ａ方向（図１参照）に延びるリッジ部１１３ａを形成することによって、導波路構造が形成されている。なお、リッジ部１１３ａは、約２μｍの幅を有するように形成されている。また、図４に示すように、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３のリッジ部１１３ａ以外の上面上には、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）からなる絶縁膜１１４が形成されている。

また、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３のリッジ部１１３ａおよび絶縁膜１１４の上面上には、リッジ部１１３ａの延びる方向（Ａ方向）（図１参照）に沿ってＡｕ膜からなるｐ側電極１１５が形成されている。また、リッジ部１１３ａの上部には、リッジ部１１３ａ（クラッド層）とｐ側電極１１５との電気的接触を確実に行うために、約１ｎｍの厚みを有するＰｔ層と、約３０ｎｍの厚みを有するＰｄ層と、約１ｎｍの厚みを有するＴｉ層からなるコンタクト層１１６が形成されている。また、ｐ側電極１１５は、約９ｎｍの厚みを有するＰｔ層と、約１５０ｎｍの厚みを有するＰｄ層とを積層するとともに、最表面が約２．２μｍの厚みを有するＡｕ膜により覆われている。

また、図４に示すように、基板１００の下面上には、Ａｕ膜からなるｎ側電極１０１が形成されている。なお、ｎ側電極１０１の下面側が、基台３０（上面３０ａ）に対するダイボンド面とされている。

また、基台３０は、図１に示すように、炭化ケイ素（ＳｉＣ）または窒化アルミ（ＡｌＮ）からなる基板３０ｂを含んでいる。この基板３０ｂの上面上および下面上の全面には、約１００ｎｍの厚みを有するＴｉ層と、約２００ｎｍの厚みを有するＰｔ層と、約３００ｎｍの厚みを有するＡｕ層からなる下地金属層３０ｃが形成されている。この下地金属層３０ｃは、導電性接着層２０を基台３０に接着するために設けられている。

第１実施形態では、上記のように、光出射面１０ａにおける多層絶縁膜１２０の最表面に、窒化アルミ膜１２３が形成されるように構成することによって、窒化アルミ膜１２３により雰囲気中の酸素が多層絶縁膜１２０中に取り込まれるのが抑制されるので、多層絶縁膜１２０が劣化するのを抑制することができる。この結果、光出射面１０ａにおいて光学損傷破壊（ＣＯＤ）が発生するのを抑制することができる。

また、第１実施形態では、光出射面１０ａにおける多層絶縁膜１２０は、光出射面１０ａに接触するように形成された窒化アルミ膜１２１と、多層絶縁膜１２０の最表面に位置する窒化アルミ膜１２３と、窒化アルミ膜１２１および１２３の間に挟まれるアルミナ膜１２２とを含み、多層絶縁膜１２０を構成する窒化アルミ膜１２１、窒化アルミ膜１２３およびアルミナ膜１２２の厚みが、それぞれ、ｔ１、ｔ２およびｔ３である場合に、ｔ２＜ｔ３であるように構成することによって、大きな応力を有する窒化アルミ膜１２３の厚みｔ２が、窒化アルミ膜１２３に接触するアルミナ膜１２２の厚みｔ３よりも小さいので、窒化アルミ膜１２３が安定して形成されるとともに、窒化アルミ膜１２３がアルミナ膜１２２から剥れるのを、容易に抑制することができる。

また、第１実施形態では、窒化アルミ膜１２１、窒化アルミ膜１２３およびアルミナ膜１２２の屈折率が、それぞれ、ｎ１、ｎ２およびｎ３である場合に、ｎ１＞ｎ３、かつ、ｎ２＞ｎ３であるように構成することによって、多層絶縁膜１２０を形成する際に、アルミナ膜１２２の屈折率ｎ３と、窒化アルミ膜１２１の屈折率ｎ１および窒化アルミ膜１２３の屈折率ｎ２との間にそれぞれ屈折率差を生じさせることができるので、アルミナ膜１２２を所定の厚みｔ３に調整することにより、光出射面１０ａにおけるレーザ光の反射率を、容易に、所望の反射率に制御することができる。

また、第１実施形態では、多層絶縁膜１２０を構成するアルミナ膜１２２を、酸化膜であるように構成することによって、酸化膜からなるアルミナ膜１２２の屈折率ｎ３が、窒化膜からなる窒化アルミ膜１２１および窒化アルミ膜１２３の屈折率ｎ１およびｎ２よりも小さいので、光出射面１０ａにおけるレーザ光の反射率を、より確実に制御することができる。

また、第１実施形態では、多層絶縁膜１２０を構成する窒化アルミ膜１２１を、窒化膜であるように構成することによって、光出射面１０ａには窒化膜が接触しているために、アルミナ膜１２２の酸素が半導体レーザ素子部１１０に取り込まれるのを、窒化アルミ膜１２１により、容易に抑制することができる。

また、第１実施形態では、多層絶縁膜１２０の最表面に位置する窒化膜（窒化アルミ膜１２１）を、アルミニウム（Ａｌ）元素を含むように構成することによって、多層絶縁膜１２０の内部に形成されたアルミナ膜１２２へ酸素が取り込まれるのを、効果的に抑制することができる。

また、第１実施形態では、半導体レーザ素子部１１０を、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１１１、活性層１１２およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３などの窒化物系半導体層により形成するように構成することによって、約４００ｎｍ帯の短波長のレーザ光を発生する窒化物系半導体レーザにおいても、共振器端面における光学損傷破壊の発生を抑制することができるので、半導体レーザの高出力化および長寿命化を図ることができる。

次に、図３および図４を参照して、第１実施形態による半導体レーザ装置１の青紫色半導体レーザ素子１０の製造プロセスについて説明する。

まず、図４に示すように、窒化ガリウムからなる基板１００の上面上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１１１、ＧａＩｎＮからなる活性層１１２およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３をエピタキシャル成長させることにより、半導体レーザ素子部１１０を形成する。そして、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３にリッジ部１１３ａを形成した後、リッジ部１１３ａ以外の上面上に、ＳｉＯ_２からなる絶縁膜１１４を形成する。その後、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３のリッジ部１１３ａの上面上に、Ｐｔ層、Ｐｄ層およびＴｉ層からなるコンタクト層１１６を形成する。そして、コンタクト層１１６および絶縁膜１１４の上面上に、最表面がＡｕ膜からなるｐ側電極１１５を真空蒸着により形成する。そして、基板１００の下面側をラッピングするとともに、ラッピング後の基板１００の下面上に、Ａｕ膜からなるｎ側電極１０１を真空蒸着により形成する。その後、へき開工程を経て、チップ状となった青紫色半導体レーザ素子１０が形成される。

次に、図３に示すように、青紫色半導体レーザ素子１０の共振器の光出射面１０ａおよび光反射面１０ｂに対して、端面コート処理が行われる。光出射面１０ａには、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ製膜装置を用いて、光出射面１０ａに近い側から順に、窒化アルミ（ＡｌＮ）膜１２１（厚みｔ１：約１０ｎｍ）と、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜１２２（厚みｔ３：約１４３ｎｍ）と、窒化アルミ（ＡｌＮ）膜１２３（厚みｔ２：約１０ｎｍ）とを積層した多層絶縁膜１２０を形成する。また、光反射面１０ｂには、電子サイクロトロン共鳴プラズマ製膜装置を用いて、光反射面１０ｂに近い側から順に、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜１３１（厚み：約７０ｎｍ）および酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜１３２（厚み：約４３ｎｍ）が交互に５層ずつ積層される多層絶縁膜１３０（合計厚み：約５６５ｎｍ）を形成する。

このようにして、第１実施形態による半導体レーザ装置１の青紫色半導体レーザ素子１０が形成される。

（第１実施形態の変形例）
図５は、本発明の第１実施形態の変形例による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための図である。この第１実施形態の変形例では、上記第１実施形態と異なり、図５に示すように、半導体レーザ素子部２１０の光出射面６０ａに形成される多層絶縁膜２２０のうち、光出射面６０ａに接触する絶縁膜が、ジルコニア（ＺｒＯ_２）膜２２１により形成されている。このジルコニア膜２２１は、同じ酸化膜であるアルミナ膜よりも化学的性質および機械的特性が安定している。なお、ジルコニア膜２２１は、本発明の「第１絶縁膜」の一例である。また、ジルコニア膜２２１の厚みｔ１は、約１０ｎｍを有している。

なお、この第１実施形態の変形例による青紫色半導体レーザ素子６０のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。

この第１実施形態の変形例では、上記のように、多層絶縁膜２２０のうち、光出射面６０ａに接触する絶縁膜を、ジルコニア膜２２１とすることによって、ジルコニア膜２２１は、同じ酸化膜であるアルミナ膜１２２よりも化学的性質および機械的特性が安定しているので、アルミナ膜１２２の酸素が半導体レーザ素子部２１０に取り込まれるのを、窒化膜を形成した場合と同様に、抑制することができる。なお、この変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。

図６および図７は、図１に示した第１実施形態の比較例１および比較例２による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための図である。図８および図９は、図１に示した第１実施形態の効果を確認するために行った比較実験の結果を示した図である。次に、図３および図６〜図９を参照して、上記第１実施形態の効果を確認するために行った比較実験について説明する。

この比較実験では、まず、上記した第１実施形態の製造プロセスと同様の製造プロセスを用いて、光出射面１０ａに、窒化アルミ膜１２１と、アルミナ膜１２２と、窒化アルミ膜１２３とから構成された多層絶縁膜１２０による端面コート処理が行われた半導体レーザ素子部１１０を備える上記第１実施形態に対応する実施例１による青紫色半導体レーザ素子１０（図３参照）を実際に作製した。また、光出射面６０ａに、ジルコニア膜２２１と、アルミナ膜１２２と、窒化アルミ膜１２３とから構成された多層絶縁膜２２０による端面コート処理が行われた半導体レーザ素子部２１０を備える上記第１実施形態の変形例に対応する実施例２による青紫色半導体レーザ素子６０（図５参照）を実際に作製した。なお、実施例１および実施例２による青紫色半導体レーザ素子１０および６０は、共に２個ずつ作製した。

また、比較例１として、図６に示すように、光出射面７０ａに接触するアルミナ膜３２０から構成された絶縁膜を有する半導体レーザ素子部３１０を備えた青紫色半導体レーザ素子７０を作製した。なお、比較例１による青紫色半導体レーザ素子７０の上記した以外の構造は、実施例１による青紫色半導体レーザ素子１０の構造と同様になるように作製した。また、比較例２として、図７に示すように、光出射面８０ａに接触する窒化アルミ膜４２１と、窒化アルミ膜４２１に接触するアルミナ膜４２２とから構成された多層絶縁膜４２０を有する半導体レーザ素子部４１０を備えた青紫色半導体レーザ素子８０を作製した。なお、比較例２による青紫色半導体レーザ素子８０の上記した以外の構造は、実施例１による青紫色半導体レーザ素子１０の構造と同様になるように作製した。なお、比較例１および比較例２による青紫色半導体レーザ素子７０および８０は、共に２個ずつ作製した。

そして、上記実施例１、実施例２、比較例１および比較例２による青紫色半導体レーザ素子１０、６０、７０および８０の、光出射面１０ａ、６０ａ、７０ａおよび８０ａにおける発光点近傍（ポイントＡ〜Ｈ：図３、図５、図６および図７参照）でのアルミナ膜１２２、２２２、３２０および４２２の酸素組成の分析を行った。なお、比較実験による酸素組成の分析は、光出力が約２００ｍＷによる約１００時間の連続通電後に行った。また、上記実施例１、実施例２、比較例１および比較例２による青紫色半導体レーザ素子１０、６０、７０および８０の、連続通電試験を行った。これらの比較実験結果を、図８および図９に示す。

図８を参照して、比較例１では、半導体レーザ素子部３１０近傍（ポイントＦ：図６参照）では酸素組成が減少し、アルミナ膜３２０の最表面近傍（ポイントＥ：図６参照）では酸素組成が増加している。また、比較例２では、半導体レーザ素子部４１０近傍（ポイントＨ：図７参照）では酸素組成は正常範囲にあるものの、アルミナ膜４２２の最表面近傍（ポイントＧ：図７参照）では酸素組成が増加している。これに対し、上記実施例１では、半導体レーザ素子部１１０近傍（ポイントＢ：図３参照）およびアルミナ膜１２２の最表面近傍（ポイントＡ：図３参照）では、共に酸素組成に変化が見られなかった。このことから、上記実施例１による青紫色半導体レーザ素子１０では、多層絶縁膜１２０の最表面に窒化アルミ膜１２３が形成されることにより、窒化アルミ膜１２３により雰囲気中の酸素が多層絶縁膜１２０の内部に取り込まれるのが抑制されていることが確認された。また、上記実施例２においても、半導体レーザ素子部２１０近傍（ポイントＤ：図５参照）およびアルミナ膜１２２の最表面近傍（ポイントＣ：図５参照）では、共に酸素組成に変化が見られなかった。このことから、上記実施例２による青紫色半導体レーザ素子６０についても、窒化アルミ膜１２３により雰囲気中の酸素が多層絶縁膜２２０の内部に取り込まれるのが抑制されていることが確認された。

また、図９を参照して、比較例１では、通電開始から約１６０時間〜約２００時間後に駆動電流値Ｉｏｐの極大化とともに光学損傷破壊による半導体レーザ素子部３１０の故障が発生した。また、比較例２では、通電開始から約３６０時間〜約５００時間後に駆動電流値Ｉｏｐの極大化とともに光学損傷破壊による半導体レーザ素子部４１０の故障が発生した。これに対し、上記実施例１では、通電開始から駆動電流値Ｉｏｐが徐々に微増しながら推移するものの、約７５０時間を経過した状態においても、半導体レーザ素子部１１０は正常に駆動していた。このことから、上記実施例１による青紫色半導体レーザ素子１０は、窒化アルミ膜１２３により雰囲気中の酸素が多層絶縁膜１２０の内部に取り込まれるのが抑制されるので、多層絶縁膜１２０の劣化が抑制されるのが確認された。また、上記実施例２においても、通電開始から約７５０時間を経過した状態で半導体レーザ素子部２１０は正常に駆動していた。このことから、上記実施例２による青紫色半導体レーザ素子６０についても、窒化アルミ膜１２３により多層絶縁膜１２０の劣化が抑制されるのが確認された。

（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための平面図である。図１０を参照して、この第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、青紫色半導体レーザ素子９０の半導体レーザ素子部５１０の光反射面９０ｂに、窒化膜を含む多層絶縁膜５３０が形成されている場合について説明する。なお、半導体レーザ素子部５１０は、本発明の「半導体レーザ素子部」の一例であり、光反射面９０ｂは、本発明の「光反射側の共振器面」の一例である。また、なお、多層絶縁膜５３０は、本発明の「第２の多層絶縁膜」の一例である。

ここで、第２実施形態では、図１０に示すように、半導体レーザ素子部５１０の光出射面９０ｂに形成された多層絶縁膜５３０は、光反射面９０ｂに接触する窒化アルミ（ＡｌＮ）膜５３１と、窒化アルミ膜５３１に接触するアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜５３２と、さらにアルミナ膜５３２に接触するとともに、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜５３３（厚み：約７０ｎｍ）および酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜５３４（厚み：約４３ｎｍ）が交互に５層ずつ積層された絶縁膜５３５と、多層絶縁膜５３０の最表面に形成される窒化アルミ（ＡｌＮ）膜５３６とから構成されている。なお、窒化アルミ膜５３１およびアルミナ膜５３２は、本発明の「第４絶縁膜」および「第５絶縁膜」の一例である。また、絶縁膜５３５および窒化アルミ膜５３６は、それぞれ、本発明の「第６絶縁膜」および「第７絶縁膜」の一例である。また、図１０に示すように、窒化アルミ膜５３１の厚みｔ４および窒化アルミ膜５３６の厚みｔ７は、共に、約１０ｎｍを有している。また、アルミナ膜５３２の厚みｔ５および絶縁膜５３５の厚みｔ６は、それぞれ、約１４３ｎｍおよび約５６５ｎｍ（合計厚み）を有している。したがって、アルミナ膜５３２と絶縁膜５３５との厚みの和（ｔ５＋ｔ６）は、窒化アルミ膜５３６の厚みｔ７よりも大きく形成されている。

また、第２実施形態では、多層絶縁膜５３０における窒化アルミ膜５３１、アルミナ膜５３２および窒化アルミ膜５３６の屈折率を、それぞれ、ｎ４、ｎ５およびｎ７とした場合に、屈折率ｎ４、ｎ５およびｎ７は、それぞれ、ｎ４＞ｎ５およびｎ７＞ｎ５の関係を有している。すなわち、窒化アルミ膜５３１の屈折率ｎ４および窒化アルミ膜５３６の屈折率ｎ７は、共に、約１．９を有しており、アルミナ膜５３２の屈折率ｎ５は、約１．６５を有している。

なお、半導体レーザ素子部５１０の光出射面９０ａには、第１実施形態と同様の構成を有する多層絶縁膜５２０が形成されている。すなわち、多層絶縁膜５２０は、光出射面９０ａに接触する窒化アルミ膜５２１（厚みｔ１：約１０ｎｍ）と、アルミナ膜５２２（厚みｔ３：約１４３ｎｍ）と、多層絶縁膜５２０の最表面に形成される窒化アルミ膜５２３（厚みｔ２：約１０ｎｍ）とから構成されている。なお、多層絶縁膜５２０は、本発明の「第１の多層絶縁膜」の一例であり、窒化アルミ膜５２１は、本発明の「第１絶縁膜」の一例である。また、アルミナ膜５２２および窒化アルミ膜５２３は、それぞれ、本発明の「第３絶縁膜」および「第２絶縁膜」の一例である。

また、第２実施形態では、多層絶縁膜５２０および多層絶縁膜５３０を構成する各絶縁膜の厚みは、次の関係を有している。すなわち、窒化アルミ膜５３１、アルミナ膜５３２および絶縁膜５３５の厚みの和（ｔ４＋ｔ５＋ｔ６）が、窒化アルミ膜５２１とアルミナ膜５２２との厚みの和（ｔ１＋ｔ３）よりも大きくなるように構成されている。

なお、第２実施形態による半導体レーザ装置１のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。

第２実施形態では、上記のように、多層絶縁膜５２０が半導体レーザ素子部５１０の光出射面９０ａに形成されるとともに、半導体レーザ素子部５１０の光反射面９０ｂには、多層絶縁膜５３０が形成され、光反射面９０ｂにおける多層絶縁膜５３０の最表面には、窒化アルミ膜５３６が形成されるように構成することによって、窒化アルミ膜５３６により雰囲気中の酸素が多層絶縁膜５３０中に取り込まれるのが抑制されるので、多層絶縁膜５３０が劣化するのを抑制することができる。この結果、光反射面９０ｂにおいても、光学損傷破壊が発生するのを抑制することができる。

また、第２実施形態では、光反射面９０ｂにおける多層絶縁膜５３０は、光反射面９０ｂに近い側から順に形成された窒化アルミ膜５３１、アルミナ膜５３２、複数の絶縁膜からなる絶縁膜５３５、および、多層絶縁膜５３０の最表面に位置する窒化膜からなる窒化アルミ膜５３６を含むとともに、多層絶縁膜５３０を構成する窒化アルミ膜５３１、アルミナ膜５３２、絶縁膜５３５および窒化アルミ膜５３６の厚みが、それぞれ、ｔ４、ｔ５、ｔ６およびｔ７である場合に、ｔ７＜ｔ５＋ｔ６であるように構成することによって、大きな応力を有する窒化アルミ膜５３６の厚みｔ７が、窒化アルミ膜５３６に接触する絶縁膜５３５とアルミナ膜５３２との厚みの和（ｔ５＋ｔ６）よりも小さいので、窒化アルミ膜５３６が安定して形成されるとともに、窒化アルミ膜５３６が絶縁膜５３５から剥れるのを、容易に抑制することができる。

また、第２実施形態では、窒化アルミ膜５３１、アルミナ膜５３２および窒化アルミ膜５３６の屈折率が、それぞれ、ｎ４、ｎ５およびｎ７である場合に、ｎ４＞ｎ５、かつ、ｎ７＞ｎ５であるように構成することによって、多層絶縁膜５３０を形成する際に、アルミナ膜５３２の屈折率ｎ５と、窒化アルミ膜５３１の屈折率ｎ４および窒化アルミ膜５３６の屈折率ｎ７との間にそれぞれ屈折率差を生じさせることができるので、アルミナ膜５３２を所定の厚みｔ５に調整することにより、光反射面９０ｂにおけるレーザ光の反射率を、容易に、所望の反射率に制御することができる。

また、第２実施形態では、多層絶縁膜５３０を構成するアルミナ膜５３２を、酸化膜であるように構成することによって、酸化膜からなるアルミナ膜５３２の屈折率ｎ５が、窒化膜からなる窒化アルミ膜５３１および窒化アルミ膜５３６の屈折率ｎ４およびｎ７よりも小さいので、光反射面９０ｂにおけるレーザ光の反射率を、より確実に制御することができる。さらに、絶縁膜５３５は酸化膜なので、同じ酸化膜であるアルミナ膜５３２により、絶縁膜５３５をアルミナ膜５３２に確実に接合することができる。

また、第２実施形態では、多層絶縁膜５３０を構成する窒化アルミ膜５３１を、窒化膜であるように構成することによって、光反射面９０ｂには窒化膜が接触しているために、アルミナ膜５３２の酸素が半導体レーザ素子部５１０に取り込まれるのを、窒化アルミ膜５３１より、容易に抑制することができる。

また、第２実施形態では、光出射面９０ａにおける多層絶縁膜５２０は、光出射面９０ａに接触するように形成された窒化アルミ膜５２１と、最表面に位置する窒化膜からなる窒化アルミ膜５２３と、窒化アルミ膜５２１と窒化アルミ膜５２３との間に挟まれるアルミナ膜５２２とを含むとともに、多層絶縁膜５２０を構成する窒化アルミ膜５２１、窒化アルミ膜５２３およびアルミナ膜５２２の厚みが、それぞれ、ｔ１、ｔ２およびｔ３である場合に、ｔ２＜ｔ３およびｔ７＜ｔ５＋ｔ６であり、かつ、ｔ１＋ｔ３＜ｔ４＋ｔ５＋ｔ６であるように構成することによって、光出射面９０ａでの反射率をより低くするとともに、光反射面９０ｂでの反射率をより高くすることができる。これにより、少ないエネルギ入力（駆動電流Ｉｏｐ）により、高出力なレーザ光を発振させることが可能な半導体レーザ装置１を得ることができる。

なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。

次に、図１０を参照して、第２実施形態による半導体レーザ装置１の青紫色半導体レーザ素子９０の製造プロセスについて説明する。

まず、上記第１実施形態の製造プロセスと同様の製造プロセスにより、青紫色半導体レーザ素子９０が形成される。

そして、図１０に示すように、青紫色半導体レーザ素子９０の共振器の光出射面９０ａおよび光反射面９０ｂに対して、端面コート処理が行われる。光出射面９０ａには、電子サイクロトロン共鳴プラズマ製膜装置を用いて、光出射面９０ａに接触する順に、窒化アルミ（ＡｌＮ）膜５２１（厚みｔ１：約１０ｎｍ）と、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜５２２（厚みｔ３：約１４３ｎｍ）と、窒化アルミ（ＡｌＮ）膜５２３（厚みｔ２：約１０ｎｍ）とを積層した多層絶縁膜５２０を形成する。また、光反射面９０ｂには、光反射面９０ｂに接触する順に、窒化アルミ（ＡｌＮ）膜５３１（厚みｔ４：約１０ｎｍ）と、窒化アルミ膜５３１に接触するアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜５３２（厚みｔ５：約１４３ｎｍ）と、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜５３３（厚み：約７０ｎｍ）および酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜５３４（厚み：約４３ｎｍ）が交互に５層ずつ積層される絶縁膜５３５（合計厚みｔ６：約５６５ｎｍ）と、窒化アルミ（ＡｌＮ）膜５３６（厚みｔ７：約１０ｎｍ）とを積層した多層絶縁膜５３０を形成する。

このようにして、第２実施形態による半導体レーザ装置１の青紫色半導体レーザ素子９０が形成される。

（第２実施形態の変形例）
図１１は、本発明の第２実施形態の変形例による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための図である。この第２実施形態の変形例では、上記第２実施形態と異なり、図１１に示すように、半導体レーザ素子部６１０の光出射面９１ａに形成される多層絶縁膜６２０のうち、光出射面９１ａに接触する絶縁膜が、ジルコニア（ＺｒＯ_２）膜６２１（厚みｔ１：約１０ｎｍ）により形成されている。また、半導体レーザ素子部６１０の光反射面９１ｂに形成される多層絶縁膜６３０のうち、光反射面９１ｂに接触する絶縁膜が、ジルコニア（ＺｒＯ_２）膜６３１（厚みｔ４：約１０ｎｍ）により形成されている。なお、ジルコニア膜６２１は、本発明の「第１絶縁膜」の一例であり、ジルコニア膜６３１は、本発明の「第４絶縁膜」の一例である。

なお、この第２実施形態の変形例による青紫色半導体レーザ素子９１のその他の構造は、上記第２実施形態と同様である。

この第２実施形態の変形例では、上記のように、多層絶縁膜６２０のうち光出射面９１ａに接触する絶縁膜をジルコニア膜６２１とするとともに、多層絶縁膜６３０のうち光反射面９１ｂに接触する絶縁膜をジルコニア膜６３１とすることによって、ジルコニア膜６２１および６３１は、同じ酸化膜であるアルミナ膜５２２および５３２よりも化学的性質および機械的特性が安定した状態であるので、アルミナ膜５２２および５３２の酸素が、半導体レーザ素子部６１０に取り込まれるのを、窒化膜を形成した場合と同様に抑制することができる。なお、この変形例のその他の効果は、第２実施形態と同様である。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記第１および第２実施形態では、半導体レーザ素子部を、窒化物系半導体層により構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体レーザ素子部を、窒化物系半導体層以外の半導体層により構成してもよい。

また、上記第１実施形態では、多層絶縁膜１２０の窒化アルミ膜１２１および１２３の厚みｔ１およびｔ２を、共に１０ｎｍとした例について示したが、本発明はこれに限らず、窒化アルミ膜１２１および１２３の厚みを異なる長さに形成してもよい。

また、上記第２実施形態では、多層絶縁膜５３０の窒化アルミ膜５３１および５３６の厚みｔ４およびｔ７を、共に１０ｎｍとした例について示したが、本発明はこれに限らず、窒化アルミ膜５３１および５３６の厚みを異なる長さに形成してもよい。

また、上記第１および第２実施形態では、光反射側の共振器面において、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜および酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜を交互に５層ずつ積層した多層絶縁膜を設けた例について示したが、本発明はこれに限らず、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜および酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜を交互に５層以外の数に積層した絶縁膜としてもよい。また、多層絶縁膜として、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜および酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜以外の他の屈折率を有する、異なる２種類の絶縁膜を組み合わせてもよい。

本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための断面図である。 図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置を備えた半導体レーザの構造を説明するための斜視図である。 図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置を構成する青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための平面図である。 図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置を構成する青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための断面図である。 図１に示した第１実施形態の変形例による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための図である。 図１に示した第１実施形態の比較例１による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための図である。 図１に示した第１実施形態の比較例２による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための図である。 図１に示した第１実施形態の効果を確認するために行った比較実験の結果を示した図である。 図１に示した第１実施形態の効果を確認するために行った比較実験の結果を示した図である。 本発明の第２実施形態による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための平面図である。 図１０に示した第２実施形態の変形例による青紫色半導体レーザ素子の構造を説明するための図である。

符号の説明

１ 半導体レーザ装置
１０ａ、６０ａ、９０ａ、９１ａ 光出射面（光出射側の共振器面）
１０ｂ、６０ｂ、９０ｂ、９１ｂ 光反射面（光反射側の共振器面）
１１０、２１０、５１０、６１０ 半導体レーザ素子部
１１１ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層（窒化物系半導体層）
１１２ 活性層（窒化物系半導体層）
１１３ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層（窒化物系半導体層）
１２０、２２０、５２０、６２０ 多層絶縁膜（第１の多層絶縁膜）
１２１、２２１、５２１、６２１ 窒化アルミ膜（第１絶縁膜）
１２２、５２２ アルミナ膜（第３絶縁膜）
１２３、５２３ 窒化アルミ膜（第２絶縁膜）
１３０、５３０、６３０ 多層絶縁膜（第２の多層絶縁膜）
５３１、６３１ 窒化アルミ膜（第４絶縁膜）
５３２ アルミナ膜（第５絶縁膜）
５３５ 絶縁膜（第６絶縁膜）
５３６ 窒化アルミ膜（第７絶縁膜）

Claims (10)

1. 光出射側の共振器面および光反射側の共振器面を有する半導体レーザ素子部と、
   前記半導体レーザ素子部の前記光出射側の共振器面に形成される複数の材料からなる第１の多層絶縁膜とを備え、
   前記第１の多層絶縁膜は、前記光出射側の共振器面に接触するように形成された窒化アルミ膜からなる第１絶縁膜と、前記第１の多層絶縁膜の最表面に位置する窒化アルミ膜からなる第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に挟まれ、少なくとも１層以上のアルミナ膜からなる第３絶縁膜とを含む、半導体レーザ装置。
2. 前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜の屈折率が、それぞれ、ｎ１、ｎ２およびｎ３である場合に、ｎ１＞ｎ３、かつ、ｎ２＞ｎ３である、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜の厚みが、それぞれ、ｔ１およびｔ３である場合に、ｔ１＜ｔ３である、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
4. 前記半導体レーザ素子部の前記光反射側の共振器面に形成される複数の材料からなる第２の多層絶縁膜をさらに備え、
   前記第２の多層絶縁膜の最表面には、窒化膜が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
5. 前記第２の多層絶縁膜は、前記光反射側の共振器面に近い側から順に形成された第４絶縁膜、第５絶縁膜、複数の絶縁膜からなる第６絶縁膜、および、前記第２の多層絶縁膜の最表面に位置する窒化膜からなる第７絶縁膜を含み、
   前記第４絶縁膜、前記第５絶縁膜および前記第７絶縁膜の屈折率が、それぞれ、ｎ４、ｎ５およびｎ７である場合に、ｎ４＞ｎ５、かつ、ｎ７＞ｎ５である、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
6. 前記第５絶縁膜は、酸化膜である、請求項５に記載の半導体レーザ装置。
7. 前記第４絶縁膜は、窒化膜である、請求項５または６に記載の半導体レーザ装置。
8. 前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜の厚みが、それぞれ、ｔ１、ｔ２およびｔ３であり、前記第４絶縁膜、前記第５絶縁膜、前記第６絶縁膜および第７絶縁膜の厚みが、それぞれ、ｔ４、ｔ５、ｔ６およびｔ７である場合に、ｔ２＜ｔ３およびｔ７＜ｔ５＋ｔ６であり、かつ、ｔ１＋ｔ３＜ｔ４＋ｔ５＋ｔ６である、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
9. 前記窒化膜は、Ａｌ、Ｓｉ、ＧａおよびＢの少なくともいずれかを含む、請求項４〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
10. 前記半導体レーザ素子部は、窒化物系半導体層により形成されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
    

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