JP2009176812A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【課題】コーティング膜の反射率を3〜13%の範囲内に設定し、コーティング膜の剥離を防止し、半導体レーザの信頼性を確保することができる半導体レーザを得る。
【解決手段】レーザ光を出射する前端面にコーティング膜が形成されたGaN系の半導体レーザであって、コーティング膜は、前端面に接する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜とを有し、半導体レーザのレーザ光の波長λに対して、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の光学膜厚の合計はλ/4の奇数倍であり、第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜よりもGaNに対する密着性が強く、第1の絶縁膜の屈折率は1.9以下であり、第2の絶縁膜の屈折率は2〜2.3である。
【選択図】図2
【解決手段】レーザ光を出射する前端面にコーティング膜が形成されたGaN系の半導体レーザであって、コーティング膜は、前端面に接する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜とを有し、半導体レーザのレーザ光の波長λに対して、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の光学膜厚の合計はλ/4の奇数倍であり、第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜よりもGaNに対する密着性が強く、第1の絶縁膜の屈折率は1.9以下であり、第2の絶縁膜の屈折率は2〜2.3である。
【選択図】図2
Description
本発明は、レーザ光を出射する前端面にコーティング膜が形成されたGaN系の半導体レーザに関し、特にコーティング膜の反射率を3〜13%の範囲内に設定し、コーティング膜の剥離を防止し、半導体レーザの信頼性を確保することができる半導体レーザに関するものである。
半導体レーザは、光ディスクシステムや光通信などに広く用いられ、近年では、青色レーザを出射するGaN系の半導体レーザが用いられている。半導体レーザは、レーザ光を出射する前端面と、前端面に対向する後端面とを有する。そして、半導体レーザの動作電流の低減、戻り光防止、高出力化等を図るために、前端面と後端面にコーティング膜が形成されている。
一般に、高出力が要求される半導体レーザでは、前端面に反射率の低いコーティング膜が形成され、後端面に反射率の高いコーティング膜が形成されている。後端面のコーティング膜の反射率は通常60%以上、好ましくは80%以上である。一方、前端面の反射率は、単に低ければ良いというものではなく、半導体レーザに要求される特性に応じて設定される。例えば、ファイバグレーティングとともに用いられるファイバアンプ励起用半導体レーザでは0.01〜3%程度、通常の高出力半導体レーザでは3〜7%程度、戻り光対策が必要な場合は7〜13%程度の反射率が設定される。
図9は、単層のAl2O3膜を用いたコーティング膜の反射率の膜厚依存性を示す図である。例えば、反射率を10%程度にするためにAl2O3膜の膜厚を91.5nmにした場合、実際の反射率は9.91%となり、反射率を目標とする3〜13%の範囲内に設定することができる。この場合、Al2O3膜の膜厚が±5%ばらつくと、反射率は最小値7.72と最大値12.03%の間で大きくばらついてしまう。この反射率のばらつきを抑えるには、反射率の変極点付近に膜厚を設定すればよい。しかし、Al2O3膜の場合、変極点における反射率は1%以下であり、3〜13%の範囲から外れてしまう。
図10は、単層のTa2O5膜を用いたコーティング膜の反射率の膜厚依存性を示す図である。Ta2O5膜の場合、変極点における反射率は10%程度である。従って、前端面のコーティング膜として単層のTa2O5膜を用いれば、反射率のばらつきを抑えつつ、反射率を3〜13%の範囲内に設定することができる。
また、コーティング膜として2層膜を用いる技術も提案されている(例えば、特許文献1参照)。
Ta2O5膜はGaN基板との密着性が悪いため、コーティング膜として単層のTa2O5膜を用いた場合、コーティング膜が剥離するという問題があった。また、特許文献1には、GaN基板と接する膜を密着性の良いものとし、かつ反射率を3〜13%の範囲内に設定するような2層膜の組み合わせについては記載されていない。
また、図11は、GaN系の半導体レーザの前端面に、コーティング膜として単層のAl2O3膜を形成した場合の反射率の波長依存性と界面付近の電界分布を示す図である。Al2O3膜の膜厚は90nmであり、反射率は9.3%である。この図から、半導体レーザとコーティング膜の界面において電界強度が大きくなることが分かる。このため、界面付近の結晶が劣化し、半導体レーザの信頼性が損なわれる。
また、図12,図13は、GaAs系の半導体レーザの前端面に、コーティング膜としてAl2O3膜とTa2O5膜の2層膜を形成した場合の反射率の波長依存性と界面付近の電界分布を示す図である。図12では、Al2O3膜の膜厚が200nm、Ta2O5膜の膜厚が78nm、反射率が0.66%である。図13では、Al2O3膜の膜厚が250nm、Ta2O5膜の膜厚が30nm、反射率が0.49%である。また、図14は、GaAs系の半導体レーザの前端面に、コーティング膜としてSi3N4膜とSiO2膜の2層膜を形成した場合の反射率の波長依存性と界面付近の電界分布を示す図である。Si3N4膜の膜厚が78.6nm、SiO2膜の膜厚が220nm、反射率が0.52%である。これらの図から、界面での電界強度が大きくなる場合があることが分かる。このため、界面付近の結晶が劣化し、半導体レーザの信頼性が損なわれる。
また、GaAsやInPは屈折率が3.5以上であるため、GaAs系又はInP系の半導体レーザでは、2層膜のそれぞれ膜厚を調整してもコーティング膜の反射率を3〜13%の範囲内に設定することができなかった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、コーティング膜の反射率を3〜13%の範囲内に設定し、コーティング膜の剥離を防止し、半導体レーザの信頼性を確保することができる半導体レーザを得るものである。
本発明に係る半導体レーザは、レーザ光を出射する前端面にコーティング膜が形成されたGaN系の半導体レーザであって、コーティング膜は、前端面に接する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜とを有し、半導体レーザのレーザ光の波長λに対して、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の光学膜厚の合計はλ/4の奇数倍であり、第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜よりもGaNに対する密着性が強く、第1の絶縁膜の屈折率は1.9以下であり、第2の絶縁膜の屈折率は2〜2.3である。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
本発明により、コーティング膜の反射率を3〜13%の範囲内に設定し、コーティング膜の剥離を防止し、半導体レーザの信頼性を確保することができる。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザを示す斜視図、図2は断面図である。この半導体レーザは、青色レーザを出射するGaN系の半導体レーザである。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザを示す斜視図、図2は断面図である。この半導体レーザは、青色レーザを出射するGaN系の半導体レーザである。
GaN基板1の上に、n型クラッド層2、活性層3、p型クラッド層4が順番に積層されている。その上に、リッジ型のp電極5が形成されている。GaN基板1の裏面に、n電極6が形成されている。これらのGaN基板1、n型クラッド層2、活性層3、p型クラッド層4、p電極5及びn電極6により、レーザ光の進行方向に沿って共振器が構成されている。この共振器の一方の端部は、レーザ光を出射する前端面8であり、他方の端部は後端面9である。
上記半導体レーザを動作させる際には、p電極5に正電界を印加し、n電極6に負電界を印加する。これにより、p型クラッド層4から活性層3に正孔が注入され、n型クラッド層2から活性層3に電子が注入される。これらの正孔および電子が結合し、活性層3にレーザ光7が発生する。レーザ光7は、活性層3の中を共振器に沿って進行し、前端面8側から放出される。
また、前端面8にコーティング膜10が形成され、後端面9にコーティング膜11が形成されている。コーティング膜10は、前端面8に接するAl2O3膜10a(第1の絶縁膜)と、Al2O3膜10a上に形成されたTa2O5膜10b(第2の絶縁膜)とを有する。Al2O3膜10a及びTa2O5膜10bは、例えば、電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance)のスパッタ法や化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)法などにより形成されている。
一方、コーティング膜11は、例えば、SiO2膜とTa2O5膜を積層した多層膜である。このコーティング膜11は約90%の高反射率を有し、コーティング膜10よりも反射率が高い。これにより、後端面9からのレーザ光の損失を抑えることができるため、前端面8から50mW以上の高い光出力を得ることができる。
図3〜6は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザにおけるコーティング膜の反射率の波長依存性と界面付近の電界分布を示す図である。図3では、Al2O3膜10aが123nm、Ta2O5膜10bが46nm、反射率が10.7%である。図4では、Al2O3膜10aが144.5nm、Ta2O5膜10bが23.5nm、反射率が5.0%である。図5では、Al2O3膜10aが5nm、Ta2O5膜10bが36nm、反射率が9.9%である。図6では、Al2O3膜10aが19nm、Ta2O5膜10bが22nm、反射率が5.0%である。
半導体レーザのレーザ光の波長λに対して、Al2O3膜10aとTa2O5膜10bの光学膜厚の合計を、図3,4ではλ/4×3とし、図5,6ではλ/4としている。このようにAl2O3膜10aとTa2O5膜10bの光学膜厚の合計をλ/4の奇数倍とすることにより、半導体レーザとコーティング膜10の界面において電界強度が小さくなるため、界面付近の結晶の劣化を防ぐことができ、半導体レーザの信頼性を確保することができる。
また、Al2O3膜10aは、Ta2O5膜10bよりもGaNに対する密着性が強い。このため、コーティング膜10の剥離を防止することができる。
また、Al2O3膜10aの屈折率は1.9以下であり、Ta2O5膜10bの屈折率は2〜2.3である。これにより、Al2O3膜10aの膜厚とTa2O5膜10bの膜厚を調整することにより、GaN系半導体レーザに対して、コーティング膜10の反射率を目標とする3〜13%の範囲内に設定することができる。
また、Al2O3膜10aは化学量論組成の酸化膜であるため、光吸収が少ない。従って、半導体レーザとコーティング膜10の界面付近の結晶の劣化を防ぐことができ、半導体レーザの信頼性を確保することができる。
なお、Al2O3膜10aの代わりにSiO2膜を用いてもよい。また、Ta2O5膜10bの代わりに、Nb2O5,HfO2,ZrO2,Y2O3,AlN,SiNの何れかの材質からなる膜を用いてもよい。
実施の形態2.
図7は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザを示す断面図である。コーティング膜10は、前端面8に接するSi3N4膜10c(第1の絶縁膜)と、Si3N4膜10c上に形成されたSiO2膜10d(第2の絶縁膜)とを有する。その他の構成は実施の形態1と同様である。
図7は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザを示す断面図である。コーティング膜10は、前端面8に接するSi3N4膜10c(第1の絶縁膜)と、Si3N4膜10c上に形成されたSiO2膜10d(第2の絶縁膜)とを有する。その他の構成は実施の形態1と同様である。
図8は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザにおけるコーティング膜の反射率の波長依存性と界面付近の電界分布を示す図である。Si3N4膜10cが48.6nm、SiO2膜10dが135.8nm、反射率が7.4%である。Si3N4膜10cとSiO2膜10dの光学膜厚の合計をλ/4の奇数倍とすることより、半導体レーザとコーティング膜10の界面において電界強度が小さくなるため、界面付近の結晶の劣化を防ぐことができ、半導体レーザの信頼性を確保することができる。
また、Si3N4膜10cの屈折率は2〜2.3であり、SiO2膜10dの屈折率は1.9以下である。これにより、Si3N4膜10cの膜厚とSiO2膜10dの膜厚を調整することにより、GaN系半導体レーザに対して、コーティング膜10の反射率を目標とする3〜13%の範囲内に設定することができる。
また、Si3N4膜10cは窒化膜であり、GaNに対する密着性が強い。このため、コーティング膜10の剥離を防止することができる。
なお、Si3N4膜10cの代わりにAlN膜を用いてもよい。また、SiO2膜10dの代わりにAl2O3膜を用いてもよい。また、Si3N4膜10cのSiとNの組成比を化学量論組成から変えることで屈折率を多少変えることができる。
8 前端面
10 コーティング膜
10a Al2O3膜(第1の絶縁膜)
10b Ta2O5膜(第2の絶縁膜)
10c Si3N4膜(第1の絶縁膜)
10d SiO2膜(第2の絶縁膜)
10 コーティング膜
10a Al2O3膜(第1の絶縁膜)
10b Ta2O5膜(第2の絶縁膜)
10c Si3N4膜(第1の絶縁膜)
10d SiO2膜(第2の絶縁膜)
Claims (7)
- レーザ光を出射する前端面にコーティング膜が形成されたGaN系の半導体レーザであって、
前記コーティング膜は、前記前端面に接する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜とを有し、
前記半導体レーザのレーザ光の波長λに対して、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の光学膜厚の合計はλ/4の奇数倍であり、
前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜よりもGaNに対する密着性が強く、
前記第1の絶縁膜の屈折率は1.9以下であり、
前記第2の絶縁膜の屈折率は2〜2.3であることを特徴とする半導体レーザ。 - 前記第1の絶縁膜は、化学量論組成の酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記第1の絶縁膜の材質は、Al2O3又はSiO2であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ。
- 前記第2の絶縁膜の材質は、Ta2O5,Nb2O5,HfO2,ZrO2,Y2O3,AlN,SiNの何れかであることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の半導体レーザ。
- レーザ光を出射する前端面にコーティング膜が形成されたGaN系の半導体レーザであって、
前記コーティング膜は、前記前端面に接する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜とを有し、
前記半導体レーザのレーザ光の波長λに対して、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の光学膜厚の合計はλ/4の奇数倍であり、
前記第1の絶縁膜は窒化膜であり、
前記第1の絶縁膜の屈折率は2〜2.3であり、
前記第2の絶縁膜の屈折率は1.9以下であることを特徴とする半導体レーザ。 - 前記第1の絶縁膜の材質は、AlN又はSiNであることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザ。
- 前記第2の絶縁膜の材質は、Al2O3又はSiO2であることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体レーザ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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