JP2006169526A - 燐光変換発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光デバイスが、波長変換物質と組み合わされる。半導体発光デバイスは、第一ピーク波長の第一光を放出するように形成される。波長変換物質は、第一光の少なくとも一部を吸収し、且つ、第二ピーク波長の第二光を放出するように形成される。幾つかの実施形態では、第一の波長変換物質は、(Ba1-xSrx)2-y-0.5zSi5N8ーzOz:Euy 2+、ここに、0.2<x<0.3、(Ba1-xCax)2-y-0.5zSi5N8ーzOz:Euy 2+、ここに、0.01<x<0.2、又は、M2Si5-aAaN8ーaOa:Eu2+、ここに、M=Sr,Ba,Ca;A=Al,B,Ga,Sc;且つ0.01<a<0.2である。
【選択図】なし
Description
図5のデバイスは、ベース25によって支持されたサブマウント(図示せず)上に最適に取り付けられ、且つ、リード線21に電気的に接続された、発光ダイオード24を含む、パッケージ発光ダイオードである。レンズ22が、発光ダイオード24を保護する。燐光物質は、レンズ22と発光ダイオード24との間の空間に注入されるカプセル材料26中に分散される。カプセルは、例えば、シリコン、エポキシ、又は、燐光物質を受け入れるのに適した他の有機物質又は無機物質であるのがよい。
Claims (25)
- 第一ピーク波長の第一光を放出するように形成された半導体発光デバイスと、
(Ba1-xSrx)2-y-0.5zSi5N8ーzOz:Euy 2+、ここに、0.2<x<0.3、からなる第一波長変換物質と、を有し、前記第一波長変換物質は、前記第一光の少なくとも一部を吸収し、且つ、第二ピーク波長の第二光を放出するように形成される、構造。 - 第一光又は第二光の少なくとも一部を吸収し、第三ピーク波長の第三光を放出する第二波長変換物質を更に有する、請求項1記載の構造。
- 前記第二波長変換物質は、(Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Cea 3+Prb 3+、ここに、0<x<1、0<y<1、0<z≦0.1、0<a≦0.2、且つ、0<b≦0.1、Lu3Al5O12:Ce3+、Y3Al5O12:Ce3+、(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua 2+(a=0.002−0.2、b=0.0−0.25、c=0.0−0.25、x=1.5−2.5、y=1.5−2.5、z=1.5−2.5)、SrSi2N2O2:Eu2+、(Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、及び、(Sr1-xBax)2SiO4:Eu2+の一つからなる、請求項2記載の構造。
- 前記構造は、白く見える、第一光、第二光及び第三光からなる複合光を放出する、請求項2記載の構造。
- 第一光、第二光及び第三光の少なくとも一部を吸収し、第四ピーク波長の第四光を放出するように形成された第三波長変換物質を更に有する、請求項2記載の構造。
- 前記第三波長変換物質は、MgSrSiO4:Eu2+、(Sr1-x-yCaxBay)3MgSi2O8:Eu2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+、及びBaMgAl10O17:Eu2+の一つからなる、請求項5記載の構造。
- 前記構造は、白く見える、第一光、第二光、第三光及び第四光からなる複合光を放出する、請求項5記載の構造。
- 前記第一波長変換物質中のEu2+の濃度は、0.2%乃至4%である、請求項1記載の構造。
- 第一ピーク波長の第一光を放出するように形成された半導体発光デバイスと、
(Ba1-xCax)2-y-0.5zSi5N8ーzOz:Euy 2+、ここに、0.01<x<0.2、からなる第一波長変換物質と、を有し、前記第一波長変換物質は、第一光の少なくとも一部を吸収し、第二ピーク波長の第二光を放出するように形成される、構造。 - 前記第一光又は第二光の少なくとも一部を吸収し、第三ピーク波長の第三光を放出する、請求項9記載の構造。
- 前記第二波長変換物質は、(Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Cea 3+Prb 3+、ここに、0<x<1、0<y<1、0<z≦0.1、0<a≦0.2、且つ、0<b≦0.1、Lu3Al5O12:Ce3+、Y3Al5O12:Ce3+、(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua 2+(a=0.002−0.2、b=0.0−0.25、c=0.0−0.25、x=1.5−2.5、y=1.5−2.5、z=1.5−2.5)、SrSi2N2O2:Eu2+、(Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、及び、(Sr1-xBax)2SiO4:Eu2+の一つからなる、請求項10記載の構造。
- 前記構造は、白く見える、第一光、第二光及び第三光からなる複合光を放出する、請求項10記載の構造。
- 第一光、第二光及び第三光の少なくとも一部を吸収し、第四ピーク波長の第四光を放出するように形成された第三波長変換物質を更に有する、請求項10記載の構造。
- 前記第三波長変換物質は、MgSrSiO4:Eu2+、(Sr1-x-yCaxBay)3MgSi2O8:Eu2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+、及びBaMgAl10O17:Eu2+の一つからなる、請求項13記載の構造。
- 前記構造は、白く見える、第一光、第二光、第三光及び第四光からなる複合光を放出する、請求項13記載の構造。
- 前記第一波長変換物質中のEu2+の濃度は、0.2%乃至4%である、請求項9記載の構造。
- 第一ピーク波長の第一光を放出するように形成された半導体発光デバイスと、
M2Si5-aAaN8ーaOa:Eu2+、ここに、M=Sr,Ba,Ca;A=Al,B,Ga,Sc、かつ、0.01<a<0.2、からなる第一波長変換物質と、を有し、前記第一波長変換物質は、第一光の少なくとも一部を吸収し、第二ピーク波長の第二光を放出する、構造。 - 第一光又は第二光の一部を吸収し、第三ピーク波長の第三光を放出する、第二波長変換物質を更に有する、請求項17記載の構造。
- 前記第二波長変換物質は、(Lu1-x-y-a-bYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Cea 3+Prb 3+、ここに、0<x<1、0<y<1、0<z≦0.1、0<a≦0.2、且つ、0<b≦0.1、Lu3Al5O12:Ce3+、Y3Al5O12:Ce3+、(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua 2+(a=0.002−0.2、b=0.0−0.25、c=0.0−0.25、x=1.5−2.5、y=1.5−2.5、z=1.5−2.5)、SrSi2N2O2:Eu2+、(Sr1-u-v-xMguCavBax)(Ga2-y-zAlyInzS4):Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、及び、(Sr1-xBax)2SiO4:Eu2+の一つからなる、請求項18記載の構造。
- 前記構造は、白く見える、第一光、第二光及び第三光からなる複合光を放出する、請求項18記載の構造。
- 第一光、第二光又は第三光の少なくとも一部を吸収し、第四ピーク波長の第四光を放出する、第三波長変換物質を更に有する、請求項18記載の構造。
- 前記第三波長変換物質は、MgSrSiO4:Eu2+、(Sr1-x-yCaxBay)3MgSi2O8:Eu2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+、及びBaMgAl10O17:Eu2+の一つからなる、請求項21記載の構造。
- 前記構造は、白く見える、第一光、第二光、第三光及び第四光からなる複合光を放出する、請求項21記載の構造。
- A=Alである、請求項17記載の構造。
- A=Bである、請求項17記載の構造。
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Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006307090A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Dowa Mining Co Ltd | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
WO2008018575A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Phosphore, et pâte à base de phosphore et dispositif électroluminescent |
JP2009046680A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | (オキシ)ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法 |
JP2009287027A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | (オキシ)ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法 |
JP2009287024A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | (オキシ)ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法 |
JP2010505243A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光装置 |
JP2010518569A (ja) * | 2007-02-07 | 2010-05-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 合成モノリシックセラミック発光変換体を含む照明システム |
JP2010538102A (ja) * | 2007-09-04 | 2010-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複合材料SiAlONをベースにしたセラミック材料を有する発光装置 |
WO2010150994A2 (ko) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 한국광기술원 | 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 |
JP2011500880A (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 多相SiAlONに基づくセラミック材料を有する発光装置 |
JP2013502710A (ja) * | 2009-08-17 | 2013-01-24 | オスラム アクチエンゲゼルシャフト | 高効率の変換led |
JP2013047349A (ja) * | 2006-09-15 | 2013-03-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置 |
JP2013518154A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-20 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 蛍光体 |
JP2013529244A (ja) * | 2010-05-22 | 2013-07-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光物質 |
JP2013538253A (ja) * | 2010-07-22 | 2013-10-10 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 酸窒化物蛍光体、製造方法及び発光装置 |
WO2014017613A1 (ja) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体およびその製造方法、蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
JP2014058678A (ja) * | 2007-07-02 | 2014-04-03 | Beijing Yuji Science Technology Co Ltd | 窒素酸化物発光材料、その製造方法および応用 |
WO2014185415A1 (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
JP2015086360A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-05-07 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 |
JP2015157956A (ja) * | 2012-07-18 | 2015-09-03 | インテマティックス・コーポレーションIntemati | 赤色発光窒化物系カルシウム安定化蛍光体 |
JP2016511731A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-04-21 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 発光体 |
WO2018021201A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | デクセリアルズ株式会社 | 赤色蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた白色光源、照明装置及び表示装置 |
JP2018503980A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 蛍光体変換led |
JP2018021167A (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-08 | デクセリアルズ株式会社 | 赤色蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた白色光源、照明装置及び表示装置 |
JP2018059071A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体の製造方法、及び窒化物蛍光体 |
US11692135B2 (en) | 2021-06-11 | 2023-07-04 | Nichia Corporation | Nitride phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting device |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
KR100777501B1 (ko) * | 2004-04-27 | 2007-11-28 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치 |
JP4674348B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2011-04-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
US7671529B2 (en) * | 2004-12-10 | 2010-03-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Phosphor converted light emitting device |
JP2006213910A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸窒化物蛍光体及び発光装置 |
US20070114562A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Gelcore, Llc | Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications |
US7358543B2 (en) * | 2005-05-27 | 2008-04-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device |
US7847302B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-12-07 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature |
KR101171186B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 고휘도 발광 다이오드 및 이를 이용한 액정 표시 장치 |
US7564070B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-07-21 | Visteon Global Technologies, Inc. | Light emitting diode device having a shield and/or filter |
US20080029720A1 (en) | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
US9159888B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US9024349B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
DE102007010719A1 (de) * | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Merck Patent Gmbh | Leuchtstoffe bestehend aus dotierten Granaten für pcLEDs |
KR101045201B1 (ko) * | 2007-08-21 | 2011-06-30 | 삼성전기주식회사 | (옥시)나이트라이드 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자및 형광체 제조 방법 |
US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US8274215B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-09-25 | Intematix Corporation | Nitride-based, red-emitting phosphors |
US20100176751A1 (en) * | 2008-05-20 | 2010-07-15 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same |
DE102009037730A1 (de) | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe |
US20130116756A1 (en) * | 2010-07-13 | 2013-05-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Uv-a or uv-b-emitting discharge lamp |
US9133392B2 (en) | 2010-07-22 | 2015-09-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Garnet material, method for its manufacturing and radiation-emitting component comprising the garnet material |
US10546846B2 (en) * | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
US8534901B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-09-17 | Teledyne Reynolds, Inc. | Collimating waveguide apparatus and method |
US8614539B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
US8610341B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
US8610340B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion |
US8604678B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
EP2646523B1 (en) * | 2010-12-01 | 2015-11-25 | Koninklijke Philips N.V. | Red emitting luminescent materials |
US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
US8608328B2 (en) | 2011-05-06 | 2013-12-17 | Teledyne Technologies Incorporated | Light source with secondary emitter conversion element |
WO2012163417A1 (de) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Osram Ag | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
CN103045257B (zh) * | 2011-10-17 | 2015-09-23 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种氮化物发光材料及采用该发光材料制成的发光器件 |
CN102495495B (zh) | 2011-10-28 | 2015-03-11 | 友达光电股份有限公司 | 具可透视性的显示装置及其使用的影像显示方法 |
CN102399552B (zh) * | 2011-11-08 | 2014-07-30 | 杭州广陵科技开发有限公司 | 一种用于白光led的氮化物红色荧光粉及其制备方法 |
US8663502B2 (en) | 2011-12-30 | 2014-03-04 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based phosphors |
CN104105660B (zh) | 2011-12-30 | 2016-08-24 | 英特美光电(苏州)有限公司 | 含有用于电荷平衡的间隙阳离子的氮化物磷光体 |
CN104428395B (zh) * | 2012-07-13 | 2017-03-15 | 默克专利有限公司 | 制备无机发光材料的方法 |
CN103881706B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-01-20 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种氮氧化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置 |
TWI494413B (zh) | 2012-12-22 | 2015-08-01 | Chi Mei Corp | 螢光體與發光裝置 |
US20140185269A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Intermatix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
TWI627371B (zh) | 2013-03-15 | 2018-06-21 | 英特曼帝克司公司 | 光致發光波長轉換組件 |
TWI464238B (zh) * | 2013-03-27 | 2014-12-11 | Chi Mei Corp | 螢光體與發光裝置 |
DE102013105056A1 (de) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, Leuchtstoff und optoelektronisches Bauelement |
US20160172554A1 (en) * | 2013-07-19 | 2016-06-16 | Koninklijke Philips N.V. | Pc led with optical element and without ssubstrate carrier |
KR102357584B1 (ko) * | 2014-12-17 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치 |
CN104726095B (zh) * | 2015-02-03 | 2017-04-12 | 五邑大学 | 一种常压低能耗制备氮化物红色荧光粉的方法 |
CN109791970B (zh) * | 2016-09-26 | 2022-04-19 | 亮锐控股有限公司 | 用于发光器件的波长转换材料 |
WO2018163830A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光源装置 |
JP7054912B2 (ja) | 2018-04-08 | 2022-04-15 | 株式会社アルテクス | 超音波振動又は音波振動による接合方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515655A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 黄色から赤色を放射する蛍光体を用いる光源 |
JP2003277746A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP2003321675A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP2004134805A (ja) * | 2002-10-14 | 2004-04-30 | Lumileds Lighting Us Llc | 蛍光体変換発光デバイス |
WO2005090517A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Fujikura Ltd. | 発光デバイス及び照明装置 |
JP2005303289A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-10-27 | Lumileds Lighting Us Llc | 燐光体変換型発光デバイス |
JP2006503431A (ja) * | 2002-10-14 | 2006-01-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Eu(ii)−活性化された蛍光体を有する発光装置 |
JP2008501818A (ja) * | 2004-05-27 | 2008-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射源及び蛍光材料を有する照明装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5847507A (en) | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
US5959316A (en) | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
US6273589B1 (en) | 1999-01-29 | 2001-08-14 | Agilent Technologies, Inc. | Solid state illumination source utilizing dichroic reflectors |
US6680569B2 (en) | 1999-02-18 | 2004-01-20 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Red-deficiency compensating phosphor light emitting device |
US6351069B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
US6696703B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Thin film phosphor-converted light emitting diode device |
US6686691B1 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Tri-color, white light LED lamps |
KR100683364B1 (ko) | 1999-09-27 | 2007-02-15 | 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 | 완전한 형광 물질 변환에 의해 백색광을 생성하는 발광다이오드 소자 |
US6630691B1 (en) | 1999-09-27 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion |
US6603258B1 (en) | 2000-04-24 | 2003-08-05 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Light emitting diode device that emits white light |
JP2001322867A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透光性焼結体と、これを用いた発光管及び放電灯 |
US6417019B1 (en) | 2001-04-04 | 2002-07-09 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Phosphor converted light emitting diode |
KR100961322B1 (ko) | 2002-03-22 | 2010-06-04 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치 |
JP4431400B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2010-03-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光装置及び燐光体組成物 |
JP4207537B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2009-01-14 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体および発光装置 |
AU2003277627A1 (en) | 2002-11-08 | 2004-06-07 | Nichia Corporation | Light emitting device, phosphor and method for preparing phosphor |
JP4418758B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-02-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射源と発光体を有する照射システム |
US7038370B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-05-02 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Phosphor converted light emitting device |
US6956247B1 (en) * | 2004-05-26 | 2005-10-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material |
US7671529B2 (en) * | 2004-12-10 | 2010-03-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Phosphor converted light emitting device |
-
2004
- 2004-12-10 US US11/008,863 patent/US7671529B2/en active Active
-
2005
- 2005-12-08 AT AT05111855T patent/ATE517966T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-12-08 EP EP05111855A patent/EP1669429B1/en active Active
- 2005-12-09 TW TW094143757A patent/TWI414075B/zh active
- 2005-12-12 JP JP2005357694A patent/JP5106773B2/ja active Active
-
2012
- 2012-06-19 JP JP2012138029A patent/JP5566423B2/ja active Active
- 2012-06-19 JP JP2012138030A patent/JP5838130B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515655A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 黄色から赤色を放射する蛍光体を用いる光源 |
JP2003277746A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP2003321675A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP2004134805A (ja) * | 2002-10-14 | 2004-04-30 | Lumileds Lighting Us Llc | 蛍光体変換発光デバイス |
JP2006503431A (ja) * | 2002-10-14 | 2006-01-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Eu(ii)−活性化された蛍光体を有する発光装置 |
JP2005303289A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-10-27 | Lumileds Lighting Us Llc | 燐光体変換型発光デバイス |
WO2005090517A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Fujikura Ltd. | 発光デバイス及び照明装置 |
JP2008501818A (ja) * | 2004-05-27 | 2008-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射源及び蛍光材料を有する照明装置 |
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006307090A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Dowa Mining Co Ltd | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
WO2008018575A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Phosphore, et pâte à base de phosphore et dispositif électroluminescent |
JP2013047349A (ja) * | 2006-09-15 | 2013-03-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置 |
JP2010505243A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光装置 |
JP2010518569A (ja) * | 2007-02-07 | 2010-05-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 合成モノリシックセラミック発光変換体を含む照明システム |
US10023796B2 (en) | 2007-02-07 | 2018-07-17 | Lumileds Llc | Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter |
JP2014058678A (ja) * | 2007-07-02 | 2014-04-03 | Beijing Yuji Science Technology Co Ltd | 窒素酸化物発光材料、その製造方法および応用 |
JP2009046680A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | (オキシ)ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法 |
KR101390908B1 (ko) * | 2007-08-21 | 2014-05-27 | 삼성전기주식회사 | (옥시)나이트라이드 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 소자 |
JP2010538102A (ja) * | 2007-09-04 | 2010-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 複合材料SiAlONをベースにしたセラミック材料を有する発光装置 |
JP2011500880A (ja) * | 2007-10-15 | 2011-01-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 多相SiAlONに基づくセラミック材料を有する発光装置 |
US8680547B2 (en) | 2007-10-15 | 2014-03-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device comprising a multiphase ceramic material |
JP2009287024A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | (オキシ)ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法 |
JP2009287027A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | (オキシ)ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法 |
WO2010150994A3 (ko) * | 2009-06-23 | 2011-03-03 | 한국광기술원 | 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 |
WO2010150994A2 (ko) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 한국광기술원 | 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 |
KR101817995B1 (ko) * | 2009-08-17 | 2018-01-12 | 오스람 게엠베하 | 고효율 변환 led |
JP2013502710A (ja) * | 2009-08-17 | 2013-01-24 | オスラム アクチエンゲゼルシャフト | 高効率の変換led |
JP2013518154A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-20 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 蛍光体 |
JP2013529244A (ja) * | 2010-05-22 | 2013-07-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光物質 |
JP2013538253A (ja) * | 2010-07-22 | 2013-10-10 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 酸窒化物蛍光体、製造方法及び発光装置 |
JP2015157956A (ja) * | 2012-07-18 | 2015-09-03 | インテマティックス・コーポレーションIntemati | 赤色発光窒化物系カルシウム安定化蛍光体 |
JP5885175B2 (ja) * | 2012-07-25 | 2016-03-15 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体およびその製造方法、蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
KR101704942B1 (ko) | 2012-07-25 | 2017-02-08 | 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 | 형광체, 그 제조 방법, 발광 장치 및 화상 표시 장치 |
KR20150038200A (ko) * | 2012-07-25 | 2015-04-08 | 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 | 형광체, 그 제조 방법, 발광 장치 및 화상 표시 장치 |
WO2014017613A1 (ja) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体およびその製造方法、蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
WO2014017580A1 (ja) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
CN104024376A (zh) * | 2012-07-25 | 2014-09-03 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | 荧光体及其制备方法、使用荧光体的发光装置、图像显示装置、颜料及紫外线吸收剂 |
KR20150038244A (ko) * | 2012-07-25 | 2015-04-08 | 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 | 형광체 및 그 제조 방법, 형광체를 사용한 발광 장치, 화상 표시 장치, 안료 및 자외선 흡수제 |
JPWO2014017613A1 (ja) * | 2012-07-25 | 2016-07-11 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体およびその製造方法、蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
KR101688337B1 (ko) | 2012-07-25 | 2016-12-20 | 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 | 형광체 및 그 제조 방법, 형광체를 사용한 발광 장치, 화상 표시 장치, 안료 및 자외선 흡수제 |
JP2016511731A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-04-21 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 発光体 |
JP6083881B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2017-02-22 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
JPWO2014185415A1 (ja) * | 2013-05-14 | 2017-02-23 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
WO2014185415A1 (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
JP2015086360A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-05-07 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 |
JP2018503980A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 蛍光体変換led |
WO2018021201A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | デクセリアルズ株式会社 | 赤色蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた白色光源、照明装置及び表示装置 |
JP2018021167A (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-08 | デクセリアルズ株式会社 | 赤色蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた白色光源、照明装置及び表示装置 |
JP2018059071A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体の製造方法、及び窒化物蛍光体 |
US11692135B2 (en) | 2021-06-11 | 2023-07-04 | Nichia Corporation | Nitride phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting device |
US11891556B2 (en) | 2021-06-11 | 2024-02-06 | Nichia Corporation | Nitride phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7671529B2 (en) | 2010-03-02 |
JP2012184440A (ja) | 2012-09-27 |
JP5566423B2 (ja) | 2014-08-06 |
US20060124947A1 (en) | 2006-06-15 |
TWI414075B (zh) | 2013-11-01 |
JP2012224857A (ja) | 2012-11-15 |
EP1669429B1 (en) | 2011-07-27 |
ATE517966T1 (de) | 2011-08-15 |
JP5106773B2 (ja) | 2012-12-26 |
EP1669429A3 (en) | 2009-09-09 |
JP5838130B2 (ja) | 2015-12-24 |
EP1669429A2 (en) | 2006-06-14 |
TW200633270A (en) | 2006-09-16 |
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---|---|---|
JP5566423B2 (ja) | 燐光変換発光装置 | |
JP5575737B2 (ja) | 波長変換型半導体発光素子 | |
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