JP2004134805A - 蛍光体変換発光デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】　波長変換発光デバイスを提供する。
【解決手段】　半導体発光デバイスと、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を有する波長変換材料とを含むデバイス。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+波長変換材料は、発光デバイスによって放射された光を吸収し、より長い波長の光を放射する。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+波長変換材料は、白色光を作るために他の波長変換材料と組み合わせることができる。いくつかの実施形態においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+波長変換層は、１次及び２次波長の混合だけでは得ることができない色の放射を発生させるために、赤色放射波長変換層及び青色発光デバイスと組み合わされる。いくつかの実施形態においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+波長変換層は、赤色放射波長変換層、青色放射波長変換層、及びＵＶ発光デバイスと組み合わされる。
【選択図】　　　図３

Description

　本発明は、一般的に波長変換発光デバイスに関する。
　発光ダイオードを含む発光デバイスは、光スペクトルの特定の領域にピーク波長を有する光を発生させることができる公知の個体デバイスである。ＬＥＤは、典型的には、照明器、指示器、及び表示器として用いられる。スペクトルの青色からＵＶの範囲でのピーク波長付近の比較的狭い帯域で効率よく発光することができるＩＩＩ族窒化物材料システムに基づくＬＥＤが開発されてきた。青色からＵＶの光は、他の色の可視光に対してより高い光エネルギを有しているので、ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤによって発生されたそのような光は、より長い波長を有する光を生成するように容易に変換することができる。ルミネセンスとして知られる過程を利用して、第１のピーク波長を有する光（１次光）をより長いピーク波長を有する光（２次光）に変換することができることは当業技術において公知である。このルミネセンス過程は、蛍光材料の原子を励起して２次光を放射する光輝性蛍光材料による１次光の吸収を伴う。２次光のピーク波長及びその付近の波長の帯域（短波長における）は、蛍光材料に依存することになる。特定のピーク波長を有する２次光を生じるような蛍光材料の種類を選択することができる。
米国特許出願一連番号０９／６８８，０５３ 米国特許出願一連番号０９／８７９，６２７ 米国特許出願一連番号１０／２６０，０９０
　所望の波長範囲の光を効率的に変換し、ＩＩＩ族窒化物発光デバイスと同じ動作温度に耐えることができる波長変換材料（波長コンバータ）が、当業技術において必要とされている。
　本発明の実施形態によると、デバイスは、半導体発光デバイスと、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を有する波長変換材料とを含む。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+波長変換材料は、発光デバイスによって放射された光を吸収して、より長い波長の光を放射する。いくつかの実施形態においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+波長変換材料は、赤色放射波長変換材料及び青色発光デバイスと組み合される。いくつかの実施形態においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+波長コンバータは、赤色放射波長コンバータ、青色放射波長コンバータ、及びＵＶ発光デバイスと組み合される。
　緑色波長変換材料としてのＳｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+の使用は、高い化学的及び熱的安定性、比較的広い放射帯域により強化された白色光デバイスにおける演色性、及び潜在的に安価な合成を含むいくつかの利点を提供する。
　Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ２＋の表示は、ここで及び以下において、一般化学式が（Ｓｒ1-a-bＣａbＢａc）ＳｉxＮyＯz：Ｅｕn（ａ＝０．００２〜０．２、ｂ＝０．０〜０．２５、ｃ＝０．０〜０．２５、ｘ＝１．５〜２．５、ｙ＝１．５〜２．５、ｚ＝１．５〜２．５）の材料に対して使用される。
　本発明の実施形態によると、光源は、緑色光を放射するための発光性材料を含む。この発光性材料は、化学式（Ｓｒ1-a-bＣａbＢａc）ＳｉxＮyＯz：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｂ＝０．０〜０．２５、ｃ＝０．０〜０．２５、ｘ＝１．５〜２．５、ｙ＝１．５〜２．５、ｚ＝１．５〜２．５）を有する、ＵＶから青色の範囲の波長の光によって励起可能なＥｕ2+活性Ｓｒ−ＳｉＯＮである。図１は、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+の放射及び励起スペクトルを示す。
　Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、幾つかの利点を有する。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、熱消光が小さく高温で安定であり、高温で動作する光源と共に使用できる。例えば、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、１７０℃でも依然として室温放射強度の１００％近くを示す。対照的に、他の緑色蛍光体は、１７０℃では室温放射強度の約５０％に消光する。図２は、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+について、放射強度（室温放射強度に対して正規化されたもの）を温度の関数として示したものである。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+はまた、優れた化学的安定性を有し、合成するのに潜在的に安価である。それに加えて、白色光への応用においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、演色性を強化する比較的広い放射帯域を有する。ルーメン当量は約５５０ｌｍ／Ｗであり、それぞれのデバイスの高い全体的発光変換効率をもたらす。Ｅｕ2+イオンにおけるパリティ許容放射遷移は、急速減衰（１マイクロ秒よりも短い減衰時間）であり、これは多くの用途に有利である。
　Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+材料は、例えば、放電ランプ、及び、発光ダイオード及びレーザダイオードのような青色及びＵＶ放射半導体発光デバイスを含む、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ材料を励起することができる波長を有する光を放射する任意の光源と共に使用するのに好適である。図３は、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+材料を組み込んだデバイスの第１の実施形態を示す。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+層４４は、基板４２の上に形成されたｎ型領域４０、活性領域３８、及びｐ型領域３６を含む発光ダイオードを覆う。接点３４は、ｎ型及びｐ型領域上に形成され、次いで発光ダイオードが反転されて、相互接続部３２によりサブマウント３０に電気的及び物理的に接続される。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+層４４は、例えば、電気泳動堆積、ステンシル印刷、又はスクリーン印刷によって堆積させることができる。ステンシル印刷は、「フリップチップ蛍光体／ＬＥＤデバイス上への蛍光体コーティングのステンシル印刷」という名称の米国特許出願一連番号０９／６８８，０５３に説明され、電気泳動堆積は、「共形的にコーティングされた蛍光体変換発光半導体構造を製造するための電気泳動の使用」という名称の米国特許出願一連番号０９／８７９，６２７に説明されている。両特許出願は、本明細書において引用により組み込まれる。発光デバイスは、フリップチップである必要はなく、光を基板を通してではなく半導体デバイス層を通してデバイスから抽出するように方向付けることができる。
　図４は、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+材料を組み込んだデバイスの第２の実施形態を示す。図４のデバイスは、任意選択的にサブマウント（図示せず）に装着され、基部２５によって支持され、リード線２１に電気的に接続された発光ダイオード２４を含むパッケージ化発光ダイオードである。レンズ２２は、発光ダイオード２４を保護する。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、レンズ２２と発光ダイオード２４との間の空間に注入された封入材料２６内に分散することができる。この封入材料は、光コンバータを組み込むのに好適であって１次発光デバイスに付着する、例えば、シリコーン、エポキシ、又は他の任意の有機又は無機材料とすることができる。
　図３及び図４に示すデバイスのいくつかの実施形態において、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+材料は、唯一の波長変換材料である。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+によって放射された光と混合する、発光ダイオードからの変換されない光の量は、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を含有する層の厚み及びＳｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+の量のような特性によって判断される。いくつかの実施形態においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+によって変換されなかったあらゆる光を除去するために、染料のようなフィルタ材料をデバイスに組み込むことができる。フィルタ材料の使用は、本明細書において引用により組み込まれる、２００２年９月２７日出願の「波長変換半導体発光デバイスの選択的フィルタリング」という名称の米国特許出願一連番号１０／２６０，０９０により詳細に説明されている。青色放射発光ダイオードについては、その光の範囲は、青緑色（発光ダイオードからの一部の非変換光の漏出が許容される）から緑色（非変換光の漏出が許容されない）まで及ぶことができる。このようなデバイスは、例えば、緑色交通信号灯又はディスプレイ用バックライトのような緑色光を要する用途に有用であろう。一実施形態においては、このデバイスは、中心波長５５６ｎｍの緑色光を発生するように設計される。
　図３及び図４に示すデバイスのいくつかの実施形態において、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、１つ又はそれ以上の付加的な波長変換材料と混合される。そのようなデバイスは、白色光を作り出すため、又は単一の波長変換材料では得るのが困難な色の光を作り出すために使用することができる。各波長変換材料には、発光ダイオードによって放射された光か、又は他の波長変換材料の１つによって放射された光の何れかを注ぎ込むことができる。いくつかの実施形態においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、白色光を生成するために赤色放射蛍光体及び青色発光ダイオードと組み合わせて使用することができる。適切な赤色放射蛍光体の例には、（Ｓｒ1-a-b-cＢａbＣａc）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｂ＝０．０〜１．０、ｃ＝０．０〜１．０）、（Ｃａ1-x-aＳｒx）Ｓ：Ｅｕa（ａ＝０．０００５．．．０．０１、ｘ＝０．０〜１．０）、Ｃａ1-aＳｉＮ2：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２）、及び（Ｂａ1-x-aＣａx）Ｓｉ7Ｎ10：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜０．２５）のような窒化物珪酸塩蛍光体又は硫化物蛍光体が含まれる。
　図５〜図７は、青色発光ダイオード、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+、及び赤色放射蛍光体を組み合わせた白色発光デバイスの計算放射スペクトルを示す。各図には、各スペクトルに対して、色温度ＣＣＴ、平均演色指数Ｒａ、及び色度図のｘ及びｙ座標を列挙した表が付けられている。図５〜図７の各々において、最も上のスペクトルは最も低い色温度に対応し、最も下のスペクトルは最も高い色温度に対応する。
　図５は、赤色放射蛍光体としてＳｒＳ：Ｅｕ2+を用いた白色発光デバイスの放射スペクトルを示す。図５に示すデバイスは、色あいを示さず、低い色温度で例えば８５から９０の間の非常に高い演色指数を有する。下表には、図５に示すスペクトルの各々に対するＣＣＴ、Ｒａ、及び、ｘ及びｙが列挙されている。
Figure 2004134805
　図６は、赤色放射蛍光体としてＣａＳ：Ｅｕ2+を用いた白色発光デバイスの放射スペクトルを示す。図６に示すデバイスも、同じく色あいを示さないが、低い色温度で例えば６２から７２の間のかなり低い演色指数を有する。下表は、図６に示すスペクトルの各々に対するＣＣＴ、Ｒａ、及び、ｘ及びｙを列挙する。
Figure 2004134805
　赤色放射蛍光体としての（Ｓｒ，Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ2+の使用は、図６に示すＣａＳ：Ｅｕ2+デバイスよりも良好な演色性、及び、図５に示すＳｒＳ：Ｅｕ2+デバイスよりも劣る演色性をもたらすと予想される。
　図７は、赤色放射蛍光体としてＳｒ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ2+を用いた白色発光デバイスの放射スペクトルを示す。図７に示すデバイスは、色あいを示さず、図５に関して上述したＳｒＳ：Ｅｕ2+デバイスのものに匹敵する演色指数を有する。いくつかのデバイスにおいては、Ｓｒ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ2+は、その有利な化学特性のために赤色放射蛍光体として好都合である。下表は、図７に示すスペクトルの各々に対するＣＣＴ、Ｒａ、及び、ｘ及びｙを列挙する。
Figure 2004134805
　図８は、青色発光ダイオード、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+、及びＳｒ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ2+を含むデバイスに対する測定放射スペクトルを示す。
　いくつかの実施形態においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、白色光を生成するために、赤色放射蛍光体、青色放射蛍光体、及びＵＶ発光ダイオードと組み合わせて使用することができる。適切な青色放射蛍光体の例は、（Ｓｒ1-x-aＢａx）3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、（Ｓｒ1-x-aＢａx）2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、（Ｓｒ1-x-aＢａx）4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、Ｌａ1-aＳｉ3Ｎ5：Ｃｅa（ａ＝０．００２〜０．５）、（Ｙ1-a）2ＳｉＯ5：Ｃｅa（ａ＝０．００２〜０．５）、及び（Ｂａ1-x-aＳｒx）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕa（ａ＝０．０１〜０．５、ｘ＝０．０〜０．５）である。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+、赤色放射蛍光体、及び青色放射蛍光体の量は、白色光を作り出し、デバイスから変換されずに漏出するＵＶ光の量を最小にするように調節される。複数の波長変換材料を用いる実施形態においては、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+及び他の波長変換材料は、互いに他の上に重ねて形成される別々の層としてもよく、又は、単一の波長変換材料層内に混合されてもよい。例えば、赤色、緑色、及び青色放射蛍光体を有する図３によるＵＶデバイスにおいては、異なる蛍光体を混合して単一層に堆積させることができ、又は、通常は発光ダイオードに青色が隣接し、次に緑色、次に赤色が隣接する３つの別々の層に堆積させることもできる。図４によるデバイスにおいては、蛍光体を単一の封入材料層内に混合させることができ、又は、各々が異なる蛍光体を含有する封入材料の３つの層を発光ダイオードの上に堆積させてもよい。Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+及び他の任意の波長変換材料を、発光デバイスの表面の少なくとも１つに薄膜として堆積させることもできる。
　一例として、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+は、以下のように合成することができる。すなわち、２０８．９８ｇ（１．４１５ｍｏｌ）のＳｒＣＯ3が、１２．３ｇ（０．０５９ｍｏｌ）のＥｕＦ3及び２０６．８ｇ（４．４２３ｍｏｌ）のＳｉＮ4/3（最低９８％純度）とアルゴンの下で無水エタノール中に混合される。エタノールは、アルゴンの流れの中に除去され、次に、この乾燥された粉末混合物は、タングステン容器内の木炭の上でＨ2／Ｎ2雰囲気において１４００℃で１時間加熱される。粉砕した後、粉末は、Ｈ2／Ｎ2雰囲気において１５００℃で１時間加熱され、次に、粉砕されて水で数回洗浄される。
　本発明を詳細に説明したが、当業者は、本発明の開示により、本明細書で説明した革新的概念の精神から逸脱することなく本発明に対して変更をなし得ることを認めるであろう。従って、本発明の範囲は、図解及び説明された特定の実施形態に限定されるものではない。
Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+の励起及び放射スペクトルを示す図である。 Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+の室温での放射強度に対する放射強度を温度の関数として示す図である。 発光ダイオード及びＳｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を組み込んだ発光デバイスの実施形態を示す図である。 発光ダイオード及びＳｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を組み込んだ発光デバイスの代替実施形態を示す図である。 ナノメートルの波長に対する任意の単位の放射を示す、ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を含むいくつかの白色光デバイスのうちの１つの計算放射スペクトルを示す図である。 ナノメートルの波長に対する任意の単位の放射を示す、ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を含むいくつかの白色光デバイスのうちの１つの計算放射スペクトルを示す図である。 ナノメートルの波長に対する任意の単位の放射を示す、ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を含むいくつかの白色光デバイスのうちの１つの計算放射スペクトルを示す図である。 青色発光ダイオード、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+、及びＳｒ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ2+を含む白色光デバイスの測定放射スペクトルを示す図である。
符号の説明
　３０　サブマウント
　３２　相互接続部
　３４　接点
　３６　ｐ型領域
　３８　活性領域
　４０　ｎ型領域
　４２　基板
　４４　Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+層

Claims (23)

  1. 　第１の波長の光を放射することができる半導体発光デバイスと、
    　該第１の波長の光を吸収するように配置された、Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を含む第１の波長変換材料とを含み、
    　該第１の波長変換材料は、前記第１の波長の光を吸収して該第１の波長よりも長い第２の波長の光を放射することを特徴とするデバイス。
  2. 　前記第１の波長は、青色からＵＶの範囲に及ぶことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  3. 　前記第２の波長は、緑色であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  4. 　第２の波長変換材料を更に含み、
    　該第２の波長変換材料は、前記第１の波長及び前記第２の波長のうちの一方の光を吸収し、該第２の波長よりも長い第３の波長の光を放射することを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  5. 　前記第３の波長は、赤色であることを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
  6. 　前記第２の波長変換材料は、（Ｓｒ1-a-b-cＢａbＣａc）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｂ＝０．０〜１．０、ｃ＝０．０〜１．０）、（Ｃａ1-x-aＳｒx）Ｓ：Ｅｕa（ａ＝０．０００５．．．０．０１、ｘ＝０．０〜１．０）、Ｃａ1-aＳｉＮ2：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２）、及び（Ｂａ1-x-aＣａx）Ｓｉ7Ｎ10：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜０．２５）から成る群から選択されることを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
  7. 　前記第１の波長は、青色であることを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
  8. 　第３の波長変換材料を更に含み、
    　該第３の波長変換材料は、前記第１の波長の光を吸収し、前記第１の波長よりも長く前記第２の波長よりも短い第４の波長の光を放射することを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
  9. 　前記第１の波長は、ＵＶであり、
    　前記第２の波長は、緑色であり、
    　前記第３の波長は、赤色であり、
    　前記第４の波長は、青色である、
    　ことを特徴とする請求項８に記載のデバイス。
  10. 　前記第３の波長変換材料は、（Ｓｒ1-x-aＢａx）3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、（Ｓｒ1-x-aＢａx）2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、（Ｓｒ1-x-aＢａx）4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、Ｌａ1-aＳｉ3Ｎ5：Ｃｅa（ａ＝０．００２〜０．５）、（Ｙ1-a）2ＳｉＯ5：Ｃｅa（ａ＝０．００２〜０．５）、及び（Ｂａ1-x-aＳｒx）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕa（ａ＝０．０１〜０．５、ｘ＝０．０〜０．５）から成る群から選択されることを特徴とする請求項８に記載のデバイス。
  11. 　前記第１の波長変換材料、前記第２の波長変換材料、及び前記第３の波長変換材料の量は、該第１の波長の光がデバイスから漏出するのを防止するように選択されることを特徴とする請求項８に記載のデバイス。
  12. 　前記第１の波長の光を吸収することができるフィルタ材料を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  13. 　前記第２の波長は、５５６ｎｍの中心波長を含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  14. 　前記発光デバイスは、ＩＩＩ族窒化物発光ダイオードであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  15. 　前記第１の波長変換材料は、前記発光デバイスの上面及び側面にコーティングされることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  16. 　前記発光デバイスに電気的に接続された一対のリード線と、
    　前記発光デバイスの上に配置されたレンズと、
    　を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
  17. 　前記第１の波長変換材料は、前記発光デバイスと前記レンズとの間に配置された封入材料内に分散されることを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。
  18. 　前記発光デバイスは、光が透明な基板を通して該発光デバイスから抽出されるように取付けられることを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。
  19. 　ＩＩＩ族窒化物発光ダイオードと、
    　Ｓｒ−ＳｉＯＮ：Ｅｕ2+を含む緑色放射蛍光体と、
    　赤色放射蛍光体と、
    　を含み、
    　該緑色放射蛍光体及び該赤色放射蛍光体は、該ＩＩＩ族窒化物発光ダイオードの上に配置されることを特徴とするデバイス。
  20. 　前記赤色放射蛍光体は、（Ｓｒ1-a-b-cＢａbＣａc）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｂ＝０．０〜１．０、ｃ＝０．０〜１．０）、（Ｃａ1-x-aＳｒx）Ｓ：Ｅｕa（ａ＝０．０００５．．．０．０１、ｘ＝０．０〜１．０）、Ｃａ1-aＳｉＮ2：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２）、及び（Ｂａ1-x-aＣａx）Ｓｉ7Ｎ10：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜０．２５）から成る群から選択されることを特徴とする請求項１９に記載のデバイス。
  21. 　前記ＩＩＩ族窒化物発光ダイオードの上に配置された青色放射蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載のデバイス。
  22. 　前記青色放射蛍光体は、（Ｓｒ1-x-aＢａx）3ＭｇＳｉ2Ｏ8：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、（Ｓｒ1-x-aＢａx）2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、（Ｓｒ1-x-aＢａx）4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕa（ａ＝０．００２〜０．２、ｘ＝０．０〜１．０）、Ｌａ1-aＳｉ3Ｎ5：Ｃｅa（ａ＝０．００２〜０．５）、（Ｙ1-a）2ＳｉＯ5：Ｃｅa（ａ＝０．００２〜０．５）、及び（Ｂａ1-x-aＳｒx）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕa（ａ＝０．０１〜０．５、ｘ＝０．０〜０．５）から成る群から選択されることを特徴とする請求項２１に記載のデバイス。
  23. 　前記緑色放射蛍光体は、前記青色放射蛍光体によって放射された光を吸収して、緑色光を放射することを特徴とする請求項１９に記載のデバイス。
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