JP2006032672A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 143
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 154
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 85
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 78
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 326
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 42
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 19
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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Abstract
【解決手段】
第1のウェル内に形成されフォトダイオード及び第1の読み出しトランジスタとを有するカラーピクセルと、二重ウェルである第2のウェル内に形成されフォトダイオード及び第2の読み出しトランジスタとを有するブラックピクセルとを有し、第1のウェルが第1の読み出しトランジスタが形成された領域のウェル底部に埋め込み不純物層を有し、第2のウェルがフォトダイオードが形成された領域及び第2の読み出しトランジスタが形成された領域のウェル底部に埋め込み不純物層を有する。
【選択図】 図7
Description
本発明の第1実施形態による固体撮像装置及びその製造方法について図1乃至図20を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による固体撮像装置及びその製造方法について図21乃至図23を用いて説明する。なお、図1乃至図20に示す第1実施形態による固体撮像装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態による固体撮像装置及びその製造方法について図24及び図25を用いて説明する。なお、図1乃至図23に示す第1及び第2実施形態による固体撮像装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第4実施形態による固体撮像装置及びその製造方法について図26及び図27を用いて説明する。なお、図1乃至図25に示す第1乃至第3実施形態による固体撮像装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第5実施形態による固体撮像装置及びその製造方法について図28を用いて説明する。なお、図1乃至図25に示す第1乃至第3実施形態による固体撮像装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記カラーピクセル領域に形成された前記第1導電型の第1のウェルと、
前記ブラックピクセル領域に形成された前記第1導電型の第2のウェルと、
前記第2のウェルを囲うように形成され、前記第2のウェルを前記半導体基板の他の領域から分離する第2導電型の第3のウェルと、
前記カラーピクセル領域の前記第1のウェル内に形成され、第1のフォトダイオードと、前記第1のフォトダイオードにより発生した信号を読み出すための第1の読み出しトランジスタとを有するカラーピクセルと、
前記ブラックピクセル領域の前記第2のウェル内に形成され、第2のフォトダイオードと、前記第2のフォトダイオードから出力される信号を読み出すための第2の読み出しトランジスタとを有するブラックピクセルとを有し、
前記第1のウェルは、前記第1の読み出しトランジスタが形成された領域のウェル底部に、前記第1導電型の第1の埋め込み不純物層を有し、
前記第2のウェルは、前記第2のフォトダイオードが形成された領域及び前記第2の読み出しトランジスタが形成された領域のウェル底部に、前記第1導電型の第2の埋め込み不純物層を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1のフォトダイオード及び前記第2のフォトダイオードは、埋め込みフォトダイオードで構成され、
前記カラーピクセルは、前記第1のフォトダイオードにより発生した信号を前記第1の読み出しトランジスタに転送する第1の転送トランジスタを更に有し、
前記ブラックピクセルは、前記第2のフォトダイオードにより発生した信号を前記第2の読み出しトランジスタに転送する第2の転送トランジスタを更に有し、
前記第2の埋め込み不純物層は、前記第2の転送トランジスタが形成された領域にも形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1のウェルは、前記第1の読み出しトランジスタが形成された領域に形成された前記第1導電型の第1の不純物層と、前記第1の転送トランジスタが形成された領域に形成され、前記第1の不純物層よりも不純物濃度が低い前記第1導電型の第2の不純物層とを有し、
前記第2のウェルは、前記第2の読み出しトランジスタが形成された領域に形成された前記第1導電型の第3の不純物層と、前記第2の転送トランジスタが形成された領域に形成され、前記第3の不純物層よりも不純物濃度が低い前記第1導電型の第4の不純物層とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1のウェルは、前記第1のフォトダイオードと素子分離膜との間に、前記第1の不純物層及び前記第2の不純物層よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第5の不純物層を有し、
前記第2のウェルは、前記第2のフォトダイオードと素子分離膜との間に、前記第3の不純物層及び前記第4の不純物層よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第6の不純物層を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第5の不純物層及び前記第6の不純物層は、前記素子分離膜よりも深い領域まで形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記半導体基板の周辺回路領域に形成され、底部に前記第1導電型の第3の埋め込み不純物層を有する前記第1導電型の第4のウェルを更に有し、
前記第3の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度は、前記第1の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度及び前記第2の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度とは異なっている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第3の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度は、前記第1の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度及び前記第2の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度よりも高くなっている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1の埋め込み不純物層及び前記第2の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の深さ方向プロファイルは、前記第3の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の深さ方向プロファイルよりも急峻である
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記半導体基板の周辺回路領域に形成され、表面側に形成された前記第1導電型の第7の不純物層と、底部に形成された前記第1導電型の第3の埋め込み不純物層とを有する前記第1導電型の第4のウェルを更に有し、
前記第7の不純物層における前記第1導電型不純物の濃度は、前記第1の不純物層における前記第1導電型不純物の濃度及び前記第3の不純物層における前記第1導電型不純物の濃度とは異なっている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第7の不純物層における前記第1導電型不純物の濃度は、前記第1の不純物層における前記第1導電型不純物の濃度及び前記第3の不純物層における前記第1導電型不純物の濃度よりも低くなっている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1のウェルは、前記第1の不純物層と前記第1の埋め込み不純物層との間に、第8の不純物層を有し、
前記第3のウェルは、前記第3の不純物層と前記第2の埋め込み不純物層との間に、第9の不純物層を有し、
前記第8の不純物層及び前記第9の不純物層が形成された深さにおける前記第4のウェル内の前記第1導電型不純物の濃度は、前記第8の不純物層における前記第1導電型不純物の濃度及び前記第9の不純物層における前記第1導電型不純物の濃度よりも低くなっている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第4のウェルを囲うように形成され、前記第4のウェルを前記半導体基板の他の領域から分離する第2導電型の第5のウェルを更に有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1の埋め込み不純物層の端部は、前記第1のフォトダイオードの端部から離間している
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第2の埋め込み不純物層は、前記第2のフォトダイオードが形成された領域における前記第1導電型不純物の濃度が、前記第2の読み出しトランジスタが形成された領域における前記第1導電型不純物の濃度よりも低くなっている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1のフォトダイオード及び前記第2のフォトダイオードは、埋め込みフォトダイオードで構成され、
前記第2のフォトダイオードの埋め込み拡散層底部における前記第2導電型不純物の濃度は、前記第1のフォトダイオードの埋め込み拡散層底部における前記第2導電型不純物の濃度よりも高くなっている
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1の読み出しトランジスタ及び前記第2の読み出しトランジスタは、前記フォトダイオードから出力される信号を増幅する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの入力端子をリセットする第2トランジスタと、前記第1トランジスタから出力される前記信号を読み出す第3トランジスタとをそれぞれ有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
前記第1導電型の不純物を導入し、前記第1の読み出しトランジスタ形成領域の前記第1のウェル底部に第1の埋め込み不純物層を形成し、前記第2のフォトダイオードの形成領域及び前記第2の読み出しトランジスタ形成領域の前記第2のウェル底部に第2の埋め込み不純物層を形成する工程を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
前記第1導電型の不純物をランダム方向からイオン注入することにより、前記第1の埋め込み不純物層及び前記第2の埋め込み不純物層を形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
前記半導体基板の周辺回路領域に、前記第1導電型の不純物を前記半導体基板の法線方向からイオン注入することにより、前記第1導電型の第3の埋め込み不純物層を形成する工程を有し、前記周辺回路領域に、前記第3の埋め込み不純物層を底部に有する前記第1導電型の第4のウェルを形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
10a…カラーピクセルアレイ部
10b…ブラックピクセルアレイ部
12…行選択回路
14…信号読み出し/ノイズキャンセル回路
16…AMP/ADC部
18…シリコン基板
20…素子分離膜
22…活性領域
22a…PD1/TG1/FD1領域
22b…PD2/TG2/FD2領域
22c…Select/SF−Tr領域
22d…RST領域
22e…読み出しトランジスタ領域
22f…活性領域
24…ゲート電極
24TG1…トランスファートランジスタTG1のゲート電極
24TG2…トランスファートランジスタTG2のゲート電極
24Select……セレクトトランジスタSelectのゲート電極
24SF−Tr…ソースフォロワトランジスタSF−Trのゲート電極
24RST…リセットトランジスタRSTのゲート電極
25a、25b、25c、25d…コンタクト部
26PD1…フォトダイオードPD1の埋め込みN型層
26PD2…フォトダイオードPD2の埋め込みN型層
30、30a、30b、30c、30d、30e、30f、30h、30i、30j、30k…コンタクトプラグ
32…第1金属配線層
32a…Select線
32b…TG1線
32c…RST線
32d…TG2線
32e、32f、32h、32i、32j、32k…引き出し配線(中継配線)
33b、33d…幅広部
34a、34d、34e、34f、34h、34l…コンタクトプラグ
36…第2金属配線層
36a…信号読み出し線
36c…FD−SF接続線
36h…引き出し配線(中継配線)
36i、36j…VR線
40,48,88…埋め込みP型層
42,52…閾値電圧制御用のP型層
44…N型ウェル
46…埋め込みN型ウェル
50,90…P型層
54…ゲート絶縁膜
56,66…不純物拡散領域
58…P+型シールド層58
60…コンタクト層
62…シリコン酸化膜
64…側壁絶縁膜
68…シリサイド膜
70…層間絶縁膜
72,78,82…フォトレジスト膜
74a、74b、74c、74d…コンタクトプラグ
76…第3金属配線層(VR線)
80…開口部
84…高濃度領域
100…カラーピクセルアレイ部
102…ブラックピクセルアレイ部
104…フォトダイオード
110…シリコン基板
112,116…P型ウェル
114…N型ウェル
118…遮光膜
Claims (10)
- カラーピクセル領域及びブラックピクセル領域を有する第1導電型の半導体基板と、
前記カラーピクセル領域に形成された前記第1導電型の第1のウェルと、
前記ブラックピクセル領域に形成された前記第1導電型の第2のウェルと、
前記第2のウェルを囲うように形成され、前記第2のウェルを前記半導体基板の他の領域から分離する第2導電型の第3のウェルと、
前記カラーピクセル領域の前記第1のウェル内に形成され、第1のフォトダイオードと、前記第1のフォトダイオードにより発生した信号を読み出すための第1の読み出しトランジスタとを有するカラーピクセルと、
前記ブラックピクセル領域の前記第2のウェル内に形成され、第2のフォトダイオードと、前記第2のフォトダイオードから出力される信号を読み出すための第2の読み出しトランジスタとを有するブラックピクセルとを有し、
前記第1のウェルは、前記第1の読み出しトランジスタが形成された領域のウェル底部に、前記第1導電型の第1の埋め込み不純物層を有し、
前記第2のウェルは、前記第2のフォトダイオードが形成された領域及び前記第2の読み出しトランジスタが形成された領域のウェル底部に、前記第1導電型の第2の埋め込み不純物層を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1記載の固体撮像装置において、
前記第1のフォトダイオード及び前記第2のフォトダイオードは、埋め込みフォトダイオードで構成され、
前記カラーピクセルは、前記第1のフォトダイオードにより発生した信号を前記第1の読み出しトランジスタに転送する第1の転送トランジスタを更に有し、
前記ブラックピクセルは、前記第2のフォトダイオードにより発生した信号を前記第2の読み出しトランジスタに転送する第2の転送トランジスタを更に有し、
前記第2の埋め込み不純物層は、前記第2の転送トランジスタが形成された領域にも形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1又は2記載の固体撮像装置において、
前記半導体基板の周辺回路領域に形成され、底部に前記第1導電型の第3の埋め込み不純物層を有する前記第1導電型の第4のウェルを更に有し、
前記第3の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度は、前記第1の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度及び前記第2の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の濃度とは異なっている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項3記載の固体撮像装置において、
前記第1の埋め込み不純物層及び前記第2の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の深さ方向プロファイルは、前記第3の埋め込み不純物層における前記第1導電型不純物の深さ方向プロファイルよりも急峻である
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置において、
前記第1の埋め込み不純物層の端部は、前記第1のフォトダイオードの端部から離間している
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置において、
前記第2の埋め込み不純物層は、前記第2のフォトダイオードが形成された領域における前記第1導電型不純物の濃度が、前記第2の読み出しトランジスタが形成された領域における前記第1導電型不純物の濃度よりも低くなっている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置において、
前記第1のフォトダイオード及び前記第2のフォトダイオードは、埋め込みフォトダイオードで構成され、
前記第2のフォトダイオードの埋め込み拡散層底部における前記第2導電型不純物の濃度は、前記第1のフォトダイオードの埋め込み拡散層底部における前記第2導電型不純物の濃度よりも高くなっている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置において、
前記第1の読み出しトランジスタ及び前記第2の読み出しトランジスタは、前記フォトダイオードから出力される信号を増幅する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの入力端子をリセットする第2トランジスタと、前記第1トランジスタから出力される前記信号を読み出す第3トランジスタとをそれぞれ有する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 第1導電型の半導体基板のカラーピクセル領域に形成された前記第1導電型の第1のウェルと、前記半導体基板のブラックピクセル領域に形成された前記第1導電型の第2のウェルと、前記第2のウェルを囲うように形成され、前記第2のウェルを前記半導体基板の他の領域から分離する第2導電型の第3のウェルと、前記第1のウェル内に形成され、第1のフォトダイオードと、前記第1のフォトダイオードにより発生した信号を読み出すための第1の読み出しトランジスタとを有するカラーピクセルと、前記第2のウェル内に形成され、第2のフォトダイオードと、前記第2のフォトダイオードから出力される信号を読み出すための第2の読み出しトランジスタとを有するブラックピクセルとを有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記第1導電型の不純物を導入し、前記第1の読み出しトランジスタ形成領域の前記第1のウェル底部に第1の埋め込み不純物層を形成し、前記第2のフォトダイオードの形成領域及び前記第2の読み出しトランジスタ形成領域の前記第2のウェル底部に第2の埋め込み不純物層を形成する工程を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 請求項9記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第1導電型の不純物をランダム方向からイオン注入することにより、前記第1の埋め込み不純物層及び前記第2の埋め込み不純物層を形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004209681A JP4530747B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US10/992,653 US7119387B2 (en) | 2004-07-16 | 2004-11-22 | Solid-state image sensor and method for fabricating the same |
TW093136370A TWI249244B (en) | 2004-07-16 | 2004-11-25 | Solid-state image sensor and method for fabricating the same |
EP04257446A EP1617479B1 (en) | 2004-07-16 | 2004-11-30 | Solid-state image sensor and method for fabricating the same |
DE602004028716T DE602004028716D1 (de) | 2004-07-16 | 2004-11-30 | Festkörperbildsensor und Herstellungsverfahren |
CNB2004101045595A CN100428485C (zh) | 2004-07-16 | 2004-12-22 | 固态图像传感器及其制造方法 |
KR1020040110927A KR100614072B1 (ko) | 2004-07-16 | 2004-12-23 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004209681A JP4530747B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032672A true JP2006032672A (ja) | 2006-02-02 |
JP4530747B2 JP4530747B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=34930864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004209681A Expired - Fee Related JP4530747B2 (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7119387B2 (ja) |
EP (1) | EP1617479B1 (ja) |
JP (1) | JP4530747B2 (ja) |
KR (1) | KR100614072B1 (ja) |
CN (1) | CN100428485C (ja) |
DE (1) | DE602004028716D1 (ja) |
TW (1) | TWI249244B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008041726A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Canon Inc | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム |
KR100859481B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-09-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP2009253559A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Sharp Corp | 固体撮像装置および電子情報機器 |
JP2011023986A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Canon Inc | 撮像装置およびその制御方法 |
JP2011171511A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Canon Inc | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP2012160750A (ja) * | 2012-04-02 | 2012-08-23 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2014003099A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびにカメラ |
US9082639B2 (en) | 2011-10-07 | 2015-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2022009215A (ja) * | 2017-07-27 | 2022-01-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4539176B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-09-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
KR100755970B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2007-09-06 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 |
US7635880B2 (en) | 2004-12-30 | 2009-12-22 | Ess Technology, Inc. | Method and apparatus for proximate CMOS pixels |
US7755116B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-07-13 | Ess Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling charge transfer in CMOS sensors with an implant by the transfer gate |
US7115925B2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-10-03 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor and pixel having an optimized floating diffusion |
JP4843951B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2011-12-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置およびカメラ |
JP4742602B2 (ja) | 2005-02-01 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US20060183323A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Salicide process using CMP for image sensor |
US20060183268A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Salicide process for image sensor |
KR100712507B1 (ko) * | 2005-04-11 | 2007-04-30 | 삼성전자주식회사 | 두 종류의 소자분리영역들을 포함하는 씨모스 이미지센서및 그 제조 방법 |
KR100653716B1 (ko) * | 2005-07-19 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP2007048893A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP4807014B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
KR100681673B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-02-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 불순물층에 의해 이동된 에피택시층 측정 방법 |
KR100757413B1 (ko) * | 2006-05-17 | 2007-09-11 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
KR100790588B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2008-01-02 | (주) 픽셀플러스 | 광학 블랙 픽셀, 그를 갖는 이미지 센서 및 그의 오프셋 및리드 아웃 잡음 제거 방법 |
US7763913B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-07-27 | Aptina Imaging Corporation | Imaging method, apparatus, and system providing improved imager quantum efficiency |
US8072513B2 (en) * | 2007-05-02 | 2011-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing system, signal processing circuit, and signal processing method |
JP2009065156A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサーの製造方法 |
US20090121264A1 (en) * | 2007-11-12 | 2009-05-14 | Ching-Hung Kao | Cmos image sensor and method of forming the same |
KR101374301B1 (ko) * | 2007-11-15 | 2014-03-17 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 |
JP4492736B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 半導体集積回路 |
US7833819B2 (en) * | 2008-07-23 | 2010-11-16 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for decreasing storage node parasitic charge in active pixel image sensors |
JP5282543B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP5531417B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-06-25 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置 |
JP5493669B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置、および固体撮像装置の製造方法 |
JP5564918B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2014-08-06 | ソニー株式会社 | 撮像素子およびカメラシステム |
TW201129087A (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-16 | Novatek Microelectronics Corp | Image sensor |
JP2012182377A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
WO2012176454A1 (ja) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5677238B2 (ja) | 2011-08-29 | 2015-02-25 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
KR101989907B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2019-06-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 이미지 센서 및 그 제조방법 |
CN103491323B (zh) * | 2013-09-02 | 2018-10-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种cmos图像传感器的像素单元和阵列及其制作方法 |
US9560294B2 (en) * | 2014-12-10 | 2017-01-31 | Semiconductor Components Industries, Llc | Systems and methods for pixel-level dark current compensation in image sensors |
JP2017045838A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
JP7121468B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2022-08-18 | ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
CN109273473A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-25 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其制造方法以及电子装置 |
CN110784634B (zh) * | 2019-11-15 | 2021-10-29 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像传感器、控制方法、摄像头组件及移动终端 |
CN113130516A (zh) * | 2020-01-15 | 2021-07-16 | 联华电子股份有限公司 | 半导体影像感测元件及其制作方法 |
CN111769130B (zh) * | 2020-07-17 | 2021-10-08 | 山东大学 | 一种cmos像素传感器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002329854A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Fujitsu Ltd | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6410663A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Canon Kk | Semiconductor device |
JP3031756B2 (ja) * | 1990-08-02 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US5781233A (en) * | 1996-03-14 | 1998-07-14 | Tritech Microelectronics, Ltd. | MOS FET camera chip and methods of manufacture and operation thereof |
JP4270742B2 (ja) | 2000-11-30 | 2009-06-03 | Necエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP3702854B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2005-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
US7053458B2 (en) * | 2002-04-30 | 2006-05-30 | Ess Technology, Inc. | Suppressing radiation charges from reaching dark signal sensor |
JP4313990B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2009-08-12 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2004039832A (ja) | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Sony Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-07-16 JP JP2004209681A patent/JP4530747B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-22 US US10/992,653 patent/US7119387B2/en active Active
- 2004-11-25 TW TW093136370A patent/TWI249244B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-11-30 EP EP04257446A patent/EP1617479B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-30 DE DE602004028716T patent/DE602004028716D1/de active Active
- 2004-12-22 CN CNB2004101045595A patent/CN100428485C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-23 KR KR1020040110927A patent/KR100614072B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002329854A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Fujitsu Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008041726A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Canon Inc | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム |
US8411187B2 (en) | 2006-08-02 | 2013-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, method for producing photoelectric conversion device, and image pickup system |
US9825077B2 (en) | 2006-08-02 | 2017-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, method for producing photoelectric conversion device, and image pickup system |
KR100859481B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-09-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP2009253559A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Sharp Corp | 固体撮像装置および電子情報機器 |
JP2011023986A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Canon Inc | 撮像装置およびその制御方法 |
JP2011171511A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Canon Inc | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
US9082639B2 (en) | 2011-10-07 | 2015-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2012160750A (ja) * | 2012-04-02 | 2012-08-23 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2014003099A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびにカメラ |
JP2022009215A (ja) * | 2017-07-27 | 2022-01-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法 |
JP7418383B2 (ja) | 2017-07-27 | 2024-01-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびカメラ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1722454A (zh) | 2006-01-18 |
KR20060006718A (ko) | 2006-01-19 |
TW200605340A (en) | 2006-02-01 |
DE602004028716D1 (de) | 2010-09-30 |
JP4530747B2 (ja) | 2010-08-25 |
US7119387B2 (en) | 2006-10-10 |
US20060011952A1 (en) | 2006-01-19 |
KR100614072B1 (ko) | 2006-08-22 |
EP1617479A2 (en) | 2006-01-18 |
EP1617479A3 (en) | 2006-11-08 |
CN100428485C (zh) | 2008-10-22 |
EP1617479B1 (en) | 2010-08-18 |
TWI249244B (en) | 2006-02-11 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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