JP2012160750A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第1のMOSトランジスタとが配された光電変換領域と、前記第1のMOSトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の増幅の少なくとも一方を行なう第2のMOSトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記第1のMOSトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第2のMOSトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
図4は本実施例の光電変換装置の模式的断面図である。本実施例においては、光電変換領域に配されるMOSトランジスタとしてリセットMOSトランジスタを例に説明する。
本実施例においては、光電変換装置の製造方法に関して説明する。図5(a)〜(e)に製造方法のフローを示す。
本実施例においては、光電変換領域に配されるMOSトランジスタとして、増幅MOSトランジスタの構造を説明する。これは第1、2の実施例で説明したリセットMOSトランジスタの構成と組み合わせることも可能である。
図7は本実施例の光電変換装置の断面構造である。第1〜第3の実施例と同様の機能を有するものには同様の番号を付し詳細な説明は省略する。
本実施例においては、ドレインの、導電体と直接接触する領域に関して説明する。一般的にMOSトランジスタを形成するソース・ドレインと配線を電気的に接続するコンタクトプラグ等の導電体は、低抵抗かつオーミック特性を示すことが求められる。金属不純物に起因する点キズに敏感な光電変換装置においては、シリサイド・サリサイドを形成するプロセスをあえて適用しない場合が考えられる。したがって特に光電変換装置において、ドレインと導電体とのオーミックコンタクトの取り方は重要となる。
図8は、本発明による固体撮像装置をカメラに応用する場合の回路ブロックの例を示したものである。撮影レンズ1002の手前にはシャッター1001があり、露出を制御する。絞り1003により必要に応じ光量を制御し、固体撮像装置1004に結像させる。固体撮像装置1004から出力された信号は信号処理回路1005で処理され、A/D変換器1006によりアナログ信号からディジタル信号に変換される。出力されるディジタル信号はさらに信号処理部1007で演算処理される。処理されたディジタル信号はメモリ1010に蓄えられたり、外部I/F1013を通して外部の機器に送られる。固体撮像装置1004、撮像信号処理回路1005、A/D変換器1006、信号処理部1007はタイミング発生部1008により制御される他、システム全体は全体制御部・演算部1009で制御される。記録媒体1012に画像を記録するために、出力ディジタル信号は全体制御部・演算部で制御される記録媒体制御I/F部1011を通して、記録される。
101、1001 光電変換領域
102、1002、1003、1004 周辺回路領域
3 浮遊拡散領域
Claims (1)
- 複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第1のMOSトランジスタとが配された光電変換領域と、
前記第1のMOSトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の増幅の少なくとも一方を行なう第2のMOSトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記第1のMOSトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第2のMOSトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
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