JP2022009215A - 撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法 - Google Patents
撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022009215A JP2022009215A JP2021170467A JP2021170467A JP2022009215A JP 2022009215 A JP2022009215 A JP 2022009215A JP 2021170467 A JP2021170467 A JP 2021170467A JP 2021170467 A JP2021170467 A JP 2021170467A JP 2022009215 A JP2022009215 A JP 2022009215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- nitride layer
- forming
- film
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 161
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 161
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 24
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 183
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 76
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 42
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System the conductive layers comprising silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
- H01L29/6659—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7842—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate
- H01L29/7843—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate means for exerting mechanical stress on the crystal lattice of the channel region, e.g. using a flexible substrate the means being an applied insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01017—Chlorine [Cl]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Abstract
Description
Claims (21)
- 基板に配された光電変換部を含む画素領域およびトランジスタを含む周辺領域が配された撮像装置であって、
前記光電変換部は、窒化シリコン層によって覆われ、
前記トランジスタのゲート電極の側面は、酸化シリコンを含むサイドウォールによって覆われ、
前記サイドウォールは、窒化シリコンを含まないことを特徴とする撮像装置。 - 前記トランジスタを第1のトランジスタとして、
前記画素領域には、第2のトランジスタが配され、
前記第2のトランジスタのゲート電極の側面は、前記窒化シリコン層によって覆われ、
前記光電変換部と前記窒化シリコン層との間、および、前記第2のトランジスタのゲート電極の側面と前記窒化シリコン層との間に、酸化シリコン層が配され、
前記第2のトランジスタのゲート電極の側面は、第1の部分と、前記第1の部分と前記基板との間に配された第2の部分と、を含み、
前記窒化シリコン層と前記第2の部分との間の距離が、前記窒化シリコン層と前記基板との間の距離以下であることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記窒化シリコン層を第1の窒化シリコン層として、
前記サイドウォールが、第2の窒化シリコン層によって覆われ、
前記第2の窒化シリコン層が、前記サイドウォールおよび前記基板に接していることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。 - 前記窒化シリコン層を第1の窒化シリコン層として、
前記サイドウォールが、第2の窒化シリコン層によって覆われ、
前記第2の窒化シリコン層は、前記サイドウォールおよび前記基板に接しており、かつ、前記光電変換部をさらに覆い、
前記第1の窒化シリコン層と前記第2の窒化シリコン層との間に、前記酸化シリコン層とは別の酸化シリコン層が配され、
前記第1の窒化シリコン層と前記第2の窒化シリコン層との間の距離が、前記第2のトランジスタのゲート電極の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。 - 前記サイドウォールが、前記トランジスタのゲート電極の側面と前記第2の窒化シリコン層との間に配され、前記ゲート電極の側面に接していることを特徴とする請求項3または4に記載の撮像装置。
- 前記窒化シリコン層の塩素濃度が、1.0原子%未満であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記窒化シリコン層が、塩素を含むことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記トランジスタは、ソース・ドレイン領域または前記ゲート電極の少なくとも一部にシリサイド層を含み、
前記基板に対する正射影において、前記窒化シリコン層と前記シリサイド層とが、重ならないことを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の撮像装置。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。 - 画素領域および周辺領域が配された撮像装置の製造方法であって、
前記画素領域のうち少なくとも光電変換部の上および前記周辺領域のゲート電極の上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜のうち少なくとも前記光電変換部の上に位置する部分を覆うマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンに覆われていない部分の前記窒化シリコン膜を除去するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記画素領域および前記周辺領域の上に酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜をエッチングすることによって、前記酸化シリコン膜から前記ゲート電極の側面を覆うサイドウォールを形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 - 前記サイドウォールを形成する工程の後に、前記サイドウォールおよび前記ゲート電極の上面を覆うように、第2の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記画素領域および前記周辺領域の上に層間絶縁膜を形成する工程であって、前記第2の窒化シリコン膜は前記層間絶縁膜と前記ゲート電極の上面との間に配される、工程と、
前記ゲート電極、前記層間絶縁膜、および、前記第2の窒化シリコン膜に接するコンタクトプラグを形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の製造方法。 - 前記窒化シリコン膜を形成する際の原料ガスに、ジクロロシランが用いられることを特徴とする請求項10または11に記載の製造方法。
- 前記エッチング工程では、前記窒化シリコン膜をウエットエッチングによって除去することを特徴とする請求項10乃至12の何れか1項に記載の製造方法。
- 前記サイドウォールを形成する工程において、前記画素領域の上に配された前記酸化シリコン膜を残存させることを特徴とする請求項10乃至13の何れか1項に記載の製造方法。
- 前記サイドウォールを形成する工程の後に、前記画素領域および前記周辺領域を覆うように金属膜を形成し、基板および前記ゲート電極のうち前記金属膜と接する部分をシリサイド化するシリサイド形成工程をさらに含み、
前記シリサイド形成工程において、前記窒化シリコン膜のうち少なくとも端部が、前記酸化シリコン膜に覆われていることを特徴とする請求項10乃至14の何れか1項に記載の製造方法。 - 前記窒化シリコン膜を形成する際の温度が、前記酸化シリコン膜を形成する際の温度よりも高いことを特徴とする請求項10乃至15の何れか1項に記載の製造方法。
- 画素領域および周辺領域が配された撮像装置の製造方法であって、
前記画素領域のうち少なくとも光電変換部の上および前記周辺領域のゲート電極の上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜の上に第1の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の窒化シリコン膜のうち少なくとも前記光電変換部の上に位置する部分を覆うマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンに覆われていない部分の前記第1の窒化シリコン膜および前記第1の酸化シリコン膜を除去するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記画素領域および前記周辺領域の上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜をエッチングすることによって、前記第2の酸化シリコン膜から前記ゲート電極の側面を覆うサイドウォールを形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 - 前記エッチング工程では、前記第1の窒化シリコン膜および前記第1の酸化シリコン膜をウエットエッチングによって除去することを特徴とする請求項17に記載の製造方法。
- 前記サイドウォールを形成する工程において、前記画素領域の上に配された前記第2の酸化シリコン膜を残存させることを特徴とする請求項17または18に記載の製造方法。
- 前記サイドウォールを形成する工程の後に、前記サイドウォールおよび前記画素領域の上に配された前記第2の酸化シリコン膜の上に、第2の窒化シリコン膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の製造方法。
- 前記サイドウォールを形成する工程の後に、前記画素領域および前記周辺領域を覆うように金属膜を形成し、基板および前記ゲート電極のうち前記金属膜と接する部分をシリサイド化するシリサイド形成工程をさらに含み、
前記シリサイド形成工程において、前記第1の窒化シリコン膜のうち少なくとも端部が、前記第2の酸化シリコン膜に覆われていることを特徴とする請求項17乃至20の何れか1項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021170467A JP7418383B2 (ja) | 2017-07-27 | 2021-10-18 | 撮像装置およびカメラ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017145682A JP2019029448A (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法 |
JP2021170467A JP7418383B2 (ja) | 2017-07-27 | 2021-10-18 | 撮像装置およびカメラ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017145682A Division JP2019029448A (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022009215A true JP2022009215A (ja) | 2022-01-14 |
JP7418383B2 JP7418383B2 (ja) | 2024-01-19 |
Family
ID=65038858
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017145682A Pending JP2019029448A (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法 |
JP2021170467A Active JP7418383B2 (ja) | 2017-07-27 | 2021-10-18 | 撮像装置およびカメラ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017145682A Pending JP2019029448A (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11043519B2 (ja) |
JP (2) | JP2019029448A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10177185B2 (en) * | 2015-05-07 | 2019-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof |
US11923393B2 (en) * | 2021-01-07 | 2024-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor image sensor having reflection component and method of making |
CN117878060A (zh) * | 2024-03-11 | 2024-04-12 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种半导体结构及其制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032672A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Fujitsu Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US20080157144A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Cmos image sensor and fabricating method thereof |
JP2008244490A (ja) * | 1999-01-08 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013084693A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
JP2015109343A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016111202A (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940005802B1 (ko) * | 1991-07-09 | 1994-06-23 | 삼성전자 주식회사 | Cmos 반도체장치 및 그 제조방법 |
JP4429036B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-03-10 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4669679B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2011-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5145672B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2013-02-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5023768B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-09-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US7855105B1 (en) * | 2009-06-18 | 2010-12-21 | International Business Machines Corporation | Planar and non-planar CMOS devices with multiple tuned threshold voltages |
JP5558916B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
JP2011054878A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5891624B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2016-03-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器 |
JP5991739B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-09-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびにカメラ |
JP6282109B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-02-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の製造方法および撮像装置 |
JP2016092203A (ja) | 2014-11-04 | 2016-05-23 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP2017183668A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2018041836A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
JP6664353B2 (ja) * | 2017-07-11 | 2020-03-13 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置を備えた機器、光電変換装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-07-27 JP JP2017145682A patent/JP2019029448A/ja active Pending
-
2018
- 2018-07-06 US US16/028,586 patent/US11043519B2/en active Active
-
2021
- 2021-10-18 JP JP2021170467A patent/JP7418383B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244490A (ja) * | 1999-01-08 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006032672A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Fujitsu Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US20080157144A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Cmos image sensor and fabricating method thereof |
JP2013084693A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
JP2015109343A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016111202A (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11043519B2 (en) | 2021-06-22 |
US20190035826A1 (en) | 2019-01-31 |
JP7418383B2 (ja) | 2024-01-19 |
JP2019029448A (ja) | 2019-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7418383B2 (ja) | 撮像装置およびカメラ | |
JP5975617B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ | |
JP6282109B2 (ja) | 撮像装置の製造方法および撮像装置 | |
KR100399952B1 (ko) | 암전류를 감소시키기 위한 이미지센서의 제조 방법 | |
KR100801053B1 (ko) | 소자 분리 방법 및 이를 이용한 이미지 소자의 형성 방법 | |
JP6671864B2 (ja) | 撮像装置の製造方法および撮像装置 | |
JP2012114445A (ja) | 金属ゲート電極を有する半導体素子の製造方法 | |
JP5629450B2 (ja) | 半導体素子及び半導体素子の形成方法 | |
US10777596B2 (en) | Imaging apparatus, method of manufacturing the same, and device | |
JP4746639B2 (ja) | 半導体デバイス | |
JP2010098293A (ja) | 半導体装置 | |
US20200035740A1 (en) | Method of manufacturing solid-state image sensor, solid-state image sensor, and camera | |
US9412778B2 (en) | Semiconductor device, solid-state image sensor, methods of manufacturing the same, and camera | |
JP2010016242A (ja) | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 | |
JP2009295799A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2018088495A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6978893B2 (ja) | 光電変換装置、その製造方法及び機器 | |
US9917135B2 (en) | Method of manufacturing solid-state image sensor | |
JP2006351759A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
US20110275206A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
JP6781745B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
JP2018117156A (ja) | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および、カメラ | |
KR20060077138A (ko) | 저조도 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법 | |
KR20070064856A (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
JP2012142560A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231211 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240109 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7418383 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |