JP2005526384A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. そのバリア層内にデルタドーピング層を有する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を含む、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物超小型電子デバイス構造であって、
   （１）前記バリア層は、前記デルタドーピング層を有することを除いて実質的に均質であること、および
   （２）前記バリア層は、隣接する小さなバンドギャップ材料と比較して大きなバンドギャップを有する材料を含み、該大きなバンドギャップ材料および小さなバンドギャップ材料は、両者間の界面に沿ってチャネルを形成するように組み合わさって配置されること
   のうち、少なくとも一方を特徴とする、デバイス構造。
2. 前記バリア層は、前記デルタドーピング層を含むことを除いて実質的に均質である、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
3. 前記バリア層は、隣接する小さなバンドギャップ材料と比較して大きなバンドギャップを有する材料を含み、該大きなバンドギャップ材料および小さなバンドギャップ材料は、両者間の界面に沿ってチャネルを形成するように組み合わさって配置される、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
4. 前記バリア層は、非ドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物を含む、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
5. 前記バリア層は、非ドープＡｌＧａＮを含む、請求項４に記載の超小型電子デバイス構造。
6. 前記バリア層は、非ドープＧａＮを含む、請求項２に記載の超小型電子デバイス構造。
7. 前記デルタドープ層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃ、Ｏ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｄ、Ｒｂ、Ｓｒ、ＳｃおよびＢｅからなる群から選択された少なくとも１つのドーパント種を含む、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
8. 前記高電子移動度トランジスタは、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタである、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
9. 前記デルタドープ層は、前記ＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタの前記バリア層内で、前記デルタドープ層とチャネル層とが前記デバイス構造の動作における電荷キャリアのトンネル距離未満の距離だけ離間するような前記トランジスタの前記チャネル層に対する位置に配置される、請求項８に記載の超小型電子デバイス構造。
10. 前記デルタドーピング層内のドーパントは、シリコンである、請求項９に記載の超小型電子デバイス構造。
11. サファイア基板と、該基板上のＡｌＮバッファ層と、該ＡｌＮバッファ層上のＧａＮ層と、該ＧａＮ層上のＡｌＧａＮ層とを含み、該ＡｌＧａＮ層が内部にデルタドープ層を有し、かつ、該ＡｌＧａＮ層は、前記デルタドーピング層を有することを除いて実質的に均質である、ＨＥＭＴデバイス。
12. 前記デルタドープ層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃ、Ｏ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｄ、Ｒｄ、Ｓｒ、ＳｃおよびＢｅからなる群から選択されたドーパントを含む、請求項１１に記載のＨＥＭＴデバイス。
13. 前記デルタドープ層は、シリコンドーパントを含む、請求項１１に記載のＨＥＭＴデバイス。