JP2005277315A - 強誘電体メモリ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】強誘電体キャパシタを水素バリア膜で被覆すると同時に、この強誘電体キャパシタの上電極上に設けられたコンタクトホールの内壁にも水素バリア膜を被覆し、コンタクトホールから強誘電体キャパシタへの水素浸入を防止する。
【選択図】 図9
Description
スイッチングトランジスタが形成された半導体基板100上にリソグラフィ工程により、コンタクトホール形成用のレジストパターンを形成後、ドライエッチング法によりコンタクトホールを開口した。Chemical Vapor Deposition(CVD)法によりタングステン膜を堆積した後、化学的機械的研磨によりタングステン膜を研磨し、コンタクトホール内にタングステンプラグ101を形成した。
一方、比較のため従来法により試料を作製した。すなわちコンタクトホール内部に形成するAlOx薄膜110を省略した。図10に素子の形状を模式的に示す。図9と比較して異なるのは、コンタクトホール内壁のAlOx薄膜の有無のみであり、他のプロセスは共通である(試料2)。
101.タングステンプラグ
102.窒化チタン
103.イリジウムの酸化膜
104.白金
105.強誘電体薄膜であって、実施例1から実施例5においてはPZT薄膜
106.白金
107.102、103、104、105および106で構成される強誘電体薄膜キャパシタ
108.AlOx薄膜
109.TEOS-SiO2膜
110.AlOx薄膜
111.配線
112.レジスト
113.配線上に形成された水素バリア機能を有する薄膜
114.配線最下層に配置されたイリジウムの酸化物
115.水素バリア機能を有する薄膜であって、アルミニウム、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、マグネシウムあるいはタンタルの酸化物。あるいはこれらの金属が複数種類含有された複合酸化物であって、たとえばAl2MgO4やAl2TiO5。
Claims (17)
- 1)半導体基板上に形成された下部電極、酸化物強誘電体薄膜および上部電極で構成される強誘電体キャパシタと、2)前記強誘電体キャパシタ上に形成された層間絶縁膜と、3)前記層間絶縁膜の前記上部電極上に開口されたコンタクトホールと、4)前記コンタクトホールを介して前記上部電極と接続される配線層とを有する強誘電体メモリ素子において、前記コンタクトホールの内壁に水素バリア機能を有する薄膜が配置されていることを特徴とする強誘電体メモリ素子。
- 前記層間絶縁膜上に水素バリア機能を有する薄膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の強誘電体メモリ素子。
- 前記配線層の表面が水素バリア機能を有する薄膜で被覆されていることを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載の強誘電体メモリ素子。
- 前記配線層の側面が水素バリア機能を有する薄膜で被覆されていることを特徴とする請求項1から請求項3記載の強誘電体メモリ素子。
- 前記配線層が貴金属で構成されることを特徴とする請求項1から請求項4に記載の強誘電体メモリ素子。
- 前記配線層の最下層にイリジウムの酸化物が配置されていることを特徴とする請求項5記載の強誘電体メモリ素子。
- 前記強誘電体キャパシタの側壁が水素バリア機能を有する薄膜で被覆されていることを特徴とする請求項1から請求項6記載の強誘電体メモリ素子。
- 前記強誘電体キャパシタの下部に水素バリア機能を有する薄膜が配置されていることを特徴とする請求項1から請求項7記載の強誘電体メモリ素子。
- 前記水素バリア機能を有する薄膜がアルミニウム、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、マグネシウムあるいはタンタルのいずれかの元素をひとつ以上含有する酸化物であることを特徴とする請求項1から請求項8に記載の強誘電体メモリ素子。
- 前記層間絶縁膜の前記強誘電体キャパシタに接触する領域が03-TEOS SiO2膜であることを特徴とする請求項1から請求項9記載の強誘電体メモリ素子。
- 1)半導体基板上に下部電極、酸化物強誘電体薄膜および上部電極を積層した後、これをパターニングして強誘電体キャパシタを形成する工程2)前記強誘電体キャパシタ上に層間絶縁膜を堆積する工程、3)前記層間絶縁膜の前記上部電極上にコンタクトホールを開口する工程、4)水素バリア機能を有する薄膜を前記層間絶縁膜上および前記コンタクトホール内に被覆する工程、5)前記水素バリア機能を有する薄膜をエッチバックして前記コンタクトホールの底部に被覆された前記水素バリア機能を有する薄膜を除去する工程、6)前記コンタクトホールに導電性材料を堆積して前記上部電極と接続される配線層とを形成する工程を含むことを特徴とする強誘電体メモリ素子の製造方法。
- 前記5)工程の前に予め前記コンタクトホール開口部以外はレジストで被覆することを特徴とする請求項11記載の強誘電体メモリ素子の製造方法。
- 前記4)工程において、水素バリア機能を有する薄膜はAtomic-Layer CVD(原子層堆積法)によっておこなわれることを特徴とする請求項11あるいは請求項12記載の強誘電体メモリ素子の製造方法。
- 前記Atomic-Layer CVD(原子層堆積法)において、有機原料の酸化剤としてオゾンをもちいることを特徴とする請求項13記載の強誘電体メモリ素子の製造方法。
- 前記3)工程の後に前記半導体基板を酸素雰囲気において加熱することを特徴とする請求項11から請求項14記載の強誘電体メモリ素子の製造方法。
- 前記加熱は前記酸化物強誘電体薄膜の結晶化温度以下でおこなわれることを特徴とする請求項15記載の強誘電体メモリ素子の製造方法。
- 前記6)工程において導電性材料の上に連続して水素バリア機能を有する薄膜を形成することを特徴とする請求項11から請求項15記載の強誘電体メモリ素子の製造方法。
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