JP4800627B2 - 強誘電体メモリ素子 - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板の上方に形成され、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を含む強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを被覆して設けられた水素バリア膜と、
前記水素バリア膜の上方に設けられた層間絶縁膜と、
を含み、
前記水素バリア膜における前記上部電極の上方に設けられた部分の膜厚は、前記水素バリア膜における前記強誘電体キャパシタの側壁に設けられた部分の膜厚よりも大きい。
前記強誘電体膜の上面の面積は、前記強誘電体膜と前記上部電極との界面の面積よりも大きくてもよい。
前記水素バリア膜は、
前記上部電極の上方に設けられた第1水素バリア膜と、
前記第1水素バリア膜の上方、及び前記強誘電体キャパシタの側壁を含む領域に設けられた第2水素バリア膜と、
を含んでもよい。
前記水素バリア膜は、
前記上部電極の上方に設けられた第1水素バリア膜と、
前記第1水素バリア膜及び前記強誘電体膜の上方に設けられた第2水素バリア膜と、
前記第2水素バリア膜の上方、及び前記強誘電体キャパシタの側壁を含む領域に設けられた第3水素バリア膜と、
を含んでもよい。
前記水素バリア膜は、ALCVD(Atomic-Layer CVD)法により形成されていてもよい。
前記水素バリア膜は、アルミニウム、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、マグネシウム又はタンタルのいずれか1つ以上の元素を含む酸化物であってもよい。
下部電極、強誘電体膜及び上部電極を含む強誘電体キャパシタを被覆する水素バリア膜を形成することを含み、
前記水素バリア膜のうち前記上部電極の上方に設けられた部分を複数層にすることにより、前記水素バリア膜における前記上部電極の上方に設けられた部分の膜厚を前記水素バリア膜における前記強誘電体キャパシタの側壁に設けられた部分の膜厚よりも大きくする。
(a)基板の上方に、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を順に積層して形成すること、
(b)前記上部電極の上方に第1の水素バリア膜を形成すること、
(c)前記第1水素バリア膜、前記上部電極、前記強誘電体膜及び前記下部電極をパターニングすることにより、強誘電体キャパシタを形成すること、
(d)前記強誘電体キャパシタを被覆する第2水素バリア膜を形成すること、
を含む。
(a)基板の上方に、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を順に積層して形成すること、
(b)前記上部電極をパターニングすること、
(c)前記上部電極及び前記強誘電体膜の上方に第1の水素バリア膜を形成すること、
(d)前記第1水素バリア膜、前記強誘電体膜及び前記下部電極を、前記上部電極よりも大きい面積を有するようにパターニングすること、
(e)前記強誘電体キャパシタを被覆する第2の水素バリア膜を形成すること、
を含む。
(a)基板の上方に、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を順に積層して形成すること、
(b)前記上部電極の上方に第1水素バリア膜を形成すること、
(c)前記第1水素バリア膜及び前記上部電極をパターニングすること、
(d)前記第1水素バリア膜及び前記強誘電体膜の上方に第2水素バリア膜を形成すること、
(e)前記第2水素バリア膜、前記強誘電体膜及び前記下部電極を、前記上部電極よりも大きい面積を有するようにパターニングすることにより、強誘電体キャパシタを形成すること、
(f)前記強誘電体キャパシタを被覆する第3水素バリア膜を形成すること、
を含む。
前記第1水素バリア膜を、前記上部電極と同一手法により形成してもよい。
少なくとも1つの前記水素バリア膜を、スパッタリング法により形成してもよい。
少なくとも1つの前記水素バリア膜を、ALCVD(Atomic-Layer CVD)法により形成してもよい。
前記ALCVD法において、供給される金属元素の酸化剤としてオゾンをもちいてもよい。
図1から図11は、本発明の第1の実施の形態に係る強誘電体メモリ素子の製造方法を模式的に示したものである。
上述の製造方法により得られたものを試料1とする。詳しくは、第1水素バリア膜107としてAlOx膜を、ALCVD法により60nmの膜厚で成膜した。また、第2水素バリア膜108としてAlOx膜を、ALCVD法により20nmの膜厚で成膜した。ALCVD法による成膜条件は、表1に示す通りである。
それぞれの作製方法で得られたメモリ素子の特性を比較することにした。ここでは強誘電体薄膜キャパシタの強誘電特性に注目することにした。上下電極間に適当な交流電圧を印加したとき、上下電極には印加電圧の大きさと向きに依存してある一定量の電荷が誘起される。この様子をモニターするため、横軸に印加電圧、縦軸に電荷量をプロットすると分極軸の反転に起因した強誘電体特有のヒステリシスループが得られる。電圧ゼロのときの分極量は残留分極量と称され、この値の大きいほど電荷量すなわち信号が大きく、読み出しに有利であるといえる。
図16から図26は、本発明の第2の実施の形態に係る強誘電体メモリ素子の製造方法を模式的に示したものである。本実施の形態では、上部電極206のパターニング工程と、強誘電体膜204、下部電極220及びバリアメタル層202の複数のパターニング工程とを分けて行う。
上述の製造方法により得られたものを試料3とする。詳しくは、第1水素バリア膜207としてAlOx膜を、ALCVD法により60nmの膜厚で成膜した。また、第2水素バリア膜208としてAlOx膜を、ALCVD法により20nmの膜厚で成膜した。ALCVD法による成膜条件の詳細は、実施例1の説明を適用することができる。
それぞれの作製方法で得られたメモリ素子の特性を比較することにした。ここでは強誘電体薄膜キャパシタの強誘電特性に注目することにした。上下電極間に適当な交流電圧を印加したとき、上下電極には印加電圧の大きさと向きに依存してある一定量の電荷が誘起される。この様子をモニターするため、横軸に印加電圧、縦軸に電荷量をプロットすると分極軸の反転に起因した強誘電体特有のヒステリシスループが得られる。電圧ゼロのときの分極量は残留分極量と称され、この値の大きいほど電荷量すなわち信号が大きく、読み出しに有利であるといえる。
さらに本実施例において得られた試料3と、上述の実施例1における試料1とで強誘電特性を比較する。図12(A)から図12(C)(試料1)と、図27(試料3)のヒステリシス特性を比べると、試料3で得られたヒステリシスループの方が全体的に角型性に優れ、良好なヒステリシス特性を示していることがわかる。
図29から図41は、本発明の第3の実施の形態に係る強誘電体メモリ素子の製造方法を模式的に示したものである。本実施の形態では、第1及び第2水素バリア膜307,308に加えて、さらに第3水素バリア膜309を形成する。
上述の製造方法により得られたものを試料5とする。詳しくは、第1水素バリア膜307としてAlOx膜をALCVD法により60nmの膜厚で成膜し、第2水素バリア膜308としてAlOx膜をALCVD法により10nmの膜厚で成膜し、第3水素バリア膜309としてAlOx膜をALCVD法により10nmの膜厚で成膜した。ALCVD法による成膜条件の詳細は、実施例1の説明を適用することができる。
それぞれの作製方法で得られたメモリ素子の特性を比較することにした。ここでは強誘電体薄膜キャパシタの強誘電特性に注目することにした。上下電極間に適当な交流電圧を印加したとき、上下電極には印加電圧の大きさと向きに依存してある一定量の電荷が誘起される。この様子をモニターするため、横軸に印加電圧、縦軸に電荷量をプロットすると分極軸の反転に起因した強誘電体特有のヒステリシスループが得られる。電圧ゼロのときの分極量は残留分極量と称され、この値の大きいほど電荷量すなわち信号が大きく、読み出しに有利であるといえる。
上述の実施例3の試料5では、第1水素バリア膜307、第2水素バリア膜308および第3水素バリア膜309ともにALCVD法をもちいた。また、供給原料としてトリメチルアルミニウム(TMA)をもちい、酸化剤としてオゾンをもちいた。
こうして得られた試料7の強誘電特性をしらべるため、ヒステリシスループを測定したところ、図44のような結果が得られた。図42と比べると明らかに特性に劣ることがわかる。水とオゾンのどちらもTMAに対して酸化剤として働くことに変わりはないものの、酸化剤の違いに依存してキャパシタ特性に大きな差が現れた。
106…上部電極 107…第1水素バリア膜 108…第2水素バリア膜
109…層間絶縁膜 110…導電膜 111…コンタクトホール 120…下部電極
130…強誘電体キャパシタ 200…基板 201…プラグ
202…バリアメタル層 205…強誘電体膜 206…上部電極
207…第1水素バリア膜 208…第2水素バリア膜 209…層間絶縁膜
210…導電膜 211…コンタクトホール 220…下部電極
230…強誘電体キャパシタ 300…基板 301…プラグ
302…バリアメタル層 305…強誘電体膜 306…上部電極
307…第1水素バリア膜 308…第2水素バリア膜 309…第3水素バリア膜
310…層間絶縁膜 311…コンタクトホール 312…導電膜
320…下部電極 330…強誘電体キャパシタ
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に形成された強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを被覆するように設けられた水素バリア膜と、
前記水素バリア膜上に設けられた層間絶縁膜と、
を含み、
前記強誘電体キャパシタは、下部電極、強誘電体膜、及び上部電極を備え、
前記水素バリア膜は、前記上部電極の上方に設けられた第1水素バリア膜と、前記第1水素バリア膜の上方、及び前記強誘電体キャパシタの側部を含む領域に設けられた第2水素バリア膜と、を含み、
前記水素バリア膜は、第1の部分と第2の部分とを有し、
前記第1の部分は、前記上部電極の上方の前記第1水素バリア膜及び前記第2水素バリア膜を含み、
前記第2の部分は、前記強誘電体膜の側部の前記第2水素バリア膜を含み、
前記第1の部分の膜厚は、前記第2の部分の膜厚の4倍ないし8倍であり、
前記第1水素バリア膜及び前記第2水素バリア膜は、引っ張り応力を有し、
前記強誘電体キャパシタの面積は、100μm2以下であり、
前記強誘電体膜の結晶構造は、正方晶であって、分極軸の方向は、<001>であり、
前記強誘電体膜は、(111)配向している、強誘電体メモリ素子。 - 請求項1記載の強誘電体メモリ素子において、
前記強誘電体膜の上面の面積は、前記強誘電体膜と前記上部電極との界面の面積よりも大きい、強誘電体メモリ素子。 - 請求項1又は請求項2記載の強誘電体メモリ素子において、
前記第1の部分の膜厚は、前記第2の部分の膜厚の4倍である、強誘電体メモリ素子。
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