JP4722023B2 - 強誘電体メモリの製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施の形態では、第1前駆強誘電体膜と第2前駆強誘電体膜とを、それぞれ別の工程に分けて形成することによって、Sr、Bi、及びTaを含有した金属化合物を材料とする強誘電体膜を形成する、強誘電体メモリの製造方法について説明する。この製造方法は、第1工程から第6工程までを含んでいる。以下、第1工程から順に各工程につき説明する。
第1の変形例では、上述の第1の実施の形態の第3工程において、第1前駆強誘電体膜41を気相状態の原料ガスを使用しない方法で形成する、強誘電体メモリの製造方法について説明する。
13:絶縁膜
15:導電性プラグ
17:半導体基板
19:素子領域
21:チャネル領域
23a:第1主電極領域
23b:第2主電極領域
25:ゲート酸化膜
27:ゲート電極
29:ゲート電極部
31:第1電極
33:第1サブ電極膜
35:第2サブ電極膜
37:第3サブ電極膜
39:第4サブ電極膜
41:第1前駆強誘電体膜
43:第2前駆強誘電体膜
45:強誘電体膜
47:第2電極
49:積層体
51:強誘電体キャパシタ
Claims (3)
- 絶縁膜、及び該絶縁膜に設けられた導電性プラグを含む下地を用意する第1工程と、
該下地の上側表面に、複数のサブ電極膜の積層構造を含む第1電極を、前記導電性プラグと接触させて形成する第2工程と、
該第1電極の上側表面に、SrXTaYOZ(Xは0<Xの実数、Yは0<Yの実数、Zは0<Zの実数)を材料として第1前駆強誘電体膜を形成する第3工程と、
該第1前駆強誘電体膜の上側表面に、Sr、Bi、及びTaを含有した化合物を材料として第2前駆強誘電体膜を形成する第4工程と、
前記第1前駆強誘電体膜及び前記第2前駆強誘電体膜に対して、熱処理を行うことによって、該第1前駆強誘電体膜及び該第2前駆強誘電体膜を一体的な強誘電体膜に変える第5工程と、
該強誘電体膜の上側表面に第2電極を形成する第6工程と
を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - 絶縁膜、及び該絶縁膜に設けられた導電性プラグを含む下地を用意する第1工程と、
該下地の上側表面に、複数のサブ電極膜の積層構造を含む第1電極を、前記導電性プラグと接触させて、形成する第2工程と、
該第1電極の上側表面に、SrOX(Xは0<Xの実数)を材料として第1前駆強誘電体膜を形成する第3工程と、
該第1前駆強誘電体膜の上側表面に、Sr、Bi、及びTaを含有した化合物を材料として第2前駆強誘電体膜を形成する第4工程と、
前記第1前駆強誘電体膜及び前記第2前駆強誘電体膜に対して、熱処理を行うことによって、該第1前駆強誘電体膜及び該第2前駆強誘電体膜を一体的な強誘電体膜に変える第5工程と、
該強誘電体膜の上側表面に第2電極を形成する第6工程と
を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項1または2に記載の強誘電体メモリの製造方法において、
前記積層構造を構成するサブ電極膜として、少なくとも、IrOX(Xは0<Xの実数)膜とPt膜とを形成する
ことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。
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