JP2005230807A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain a tact time from being increased due to maintenance. <P>SOLUTION: A plurality of slit nozzles 41a, 41b are arranged in the apparatus body 2 of this substrate treatment apparatus 1. A gap sensor 42a, lifting/lowering mechanisms 43a, 44a and movers 501a, 510a of linear motors 50, 51 are provided in the slit nozzle 41a. A gap sensor 42b, lifting lowering mechanisms 43b, 44b and movers 501b, 510b of the linear motors 50, 51 are provided in the slit nozzle 41b. When this substrate treatment apparatus 1 is operated, the slit nozzle 41b is maintained while the coating is performed by the slit nozzle 41a, and the slit nozzle 41a is maintained while the coating is performed by the slit nozzle 41b. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板に対する処理を停止することなく、スリットノズルを洗浄することにより、タクトタイムの短縮を図る技術に関する。   The present invention relates to a technique for shortening a tact time by cleaning a slit nozzle without stopping processing on a substrate.

基板の製造工程に用いられる装置として、スリットノズルから基板の表面にレジスト液などの処理液を吐出することにより、基板にレジスト液を塗布するスリットコータ(基板処理装置)が知られている。   2. Description of the Related Art A slit coater (substrate processing apparatus) that applies a resist solution to a substrate by discharging a processing solution such as a resist solution from a slit nozzle to the surface of the substrate is known as an apparatus used in a substrate manufacturing process.

従来より、基板の製造工程においては生産性向上の要請から、基板処理のタクトタイムを短縮することが切望されており、例えば、特許文献1にこのようなスリットコータが記載されている。特許文献1に記載されている装置では、複数のスリットノズルによって複数の基板を並行処理することにより、タクトタイムの短縮を図る技術が提案されている。   Conventionally, in the substrate manufacturing process, it has been eagerly desired to shorten the tact time of substrate processing due to a demand for improvement in productivity. For example, Patent Document 1 discloses such a slit coater. In the apparatus described in Patent Document 1, a technique for shortening the tact time by processing a plurality of substrates in parallel by a plurality of slit nozzles has been proposed.

特開平10−216599号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-216599

一方、スリットコータでは、塗布処理の精度を向上させるために、基板に対する塗布処理を行う毎に、スリットノズルの先端を洗浄するなどのメンテナンスを行うことが好ましい。しかし、例えスリットコータが動作中であっても、スリットノズルに対するメンテナンスを行っている間は、当該スリットノズルを使用することができないため、スリットコータは基板に対する塗布処理を行うことができない。したがって、基板の搬入搬出処理の時間内でメンテナンスが終了しない場合には、基板処理のタクトタイムが増大するという問題があった。特に、スリットノズルの内部に溜まったエアを抜く処理は比較的時間がかかる処理であり、基板の搬入搬出処理の時間内に終了させることが難しいという問題があった。   On the other hand, in the slit coater, it is preferable to perform maintenance such as cleaning the tip of the slit nozzle every time the coating process is performed on the substrate in order to improve the accuracy of the coating process. However, even if the slit coater is in operation, the slit coater cannot perform the coating process on the substrate because the slit nozzle cannot be used during maintenance of the slit nozzle. Therefore, when the maintenance is not completed within the time for carrying in / out the substrate, there is a problem that the cycle time of the substrate processing increases. In particular, the process of removing the air accumulated in the slit nozzle is a process that takes a relatively long time, and there is a problem that it is difficult to finish the process within the time of the substrate loading / unloading process.

特許文献1に記載されている装置であっても、複数のスリットノズルのうちいずれか1つでもメンテナンスに時間がかかると、他のスリットノズルにおいて処理された基板もそれに応じて待たされることとなり、メンテナンスによるタクトタイムの増大という問題は解決されていない。   Even in the apparatus described in Patent Document 1, if any one of the plurality of slit nozzles takes a long time for maintenance, the substrates processed in the other slit nozzles are also waited accordingly, The problem of increased takt time due to maintenance has not been solved.

また、特許文献1に記載されているスリットコータでは、例え一方のスリットノズルについて異常が発生して、当該スリットノズルに対する大がかりなメンテナンスが必要となった場合であっても、スリットコータ全体を停止させなければならないという問題があった。すなわち、スリットノズルの数を増加させると、メンテナンスの機会も増えるため、特許文献1に記載されているスリットコータでは、さらにメンテナンスによるタクトタイムが増大するという問題があった。   Further, in the slit coater described in Patent Document 1, even if an abnormality occurs in one slit nozzle and a large-scale maintenance is required for the slit nozzle, the entire slit coater is stopped. There was a problem that had to be. That is, when the number of slit nozzles is increased, maintenance opportunities also increase, and the slit coater described in Patent Document 1 has a problem that the tact time due to maintenance further increases.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、メンテナンスによるタクトタイムの増大を防止することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to prevent an increase in tact time due to maintenance.

上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板の塗布領域に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、1枚の基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板の塗布領域のほぼ全域に向けて、直線状の吐出口から前記所定の処理液を吐出する複数のスリットノズルと、前記複数のスリットノズルに前記所定の処理液を供給する供給機構と、前記複数のスリットノズルをそれぞれ独立して昇降させる昇降手段と、前記保持手段に保持された前記基板と前記複数のスリットノズルとをそれぞれ独立して、前記基板の表面に沿った方向に相対的に移動させる移動手段と、前記複数のスリットノズルに所定のメンテナンスを行うメンテナンス手段とを備えることを特徴とする。   In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate application region, and holding means for holding a single substrate, and holding by the holding means. A plurality of slit nozzles for discharging the predetermined processing liquid from a linear discharge port toward almost the entire coating area of the substrate, and a supply mechanism for supplying the predetermined processing liquid to the plurality of slit nozzles Elevating means for elevating and lowering each of the plurality of slit nozzles independently, and the substrate held by the holding means and the plurality of slit nozzles are each independently in a direction along the surface of the substrate. And a maintenance means for performing predetermined maintenance on the plurality of slit nozzles.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置であって、前記メンテナンス手段は、前記基板に対する吐出を行っていないスリットノズルを、所定の洗浄液によって洗浄する洗浄手段を備えることを特徴とする。   The invention of claim 2 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, wherein the maintenance means includes a cleaning means for cleaning a slit nozzle that is not ejected to the substrate with a predetermined cleaning liquid. It is characterized by that.

また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る基板処理装置であって、前記洗浄手段が、前記複数のスリットノズルに対して、それぞれ独立した洗浄液供給路を備えることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the cleaning means includes independent cleaning liquid supply paths for the plurality of slit nozzles. .

また、請求項4の発明は、請求項1ないし3のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記メンテナンス手段は、前記基板に対する吐出を行っていないスリットノズルからエア抜きを行うエア抜き手段をさらに備えることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the maintenance means performs air bleeding from a slit nozzle that does not discharge the substrate. The apparatus further comprises means.

また、請求項5の発明は、請求項1ないし4のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記供給機構が、前記複数のスリットノズルに対して、それぞれ独立した処理液供給路を備えることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the supply mechanism has independent processing liquid supply paths for the plurality of slit nozzles. It is characterized by providing.

また、請求項6の発明は、請求項1ないし5のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、メンテナンス条件を取得する取得手段と、前記取得手段により取得されたメンテナンス条件を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されたメンテナンス条件に基づいて、前記メンテナンス手段を制御する制御手段とをさらに備えることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects of the present invention, an acquisition means for acquiring maintenance conditions, and a storage for storing the maintenance conditions acquired by the acquisition means. And a control means for controlling the maintenance means based on the maintenance condition stored in the storage means.

また、請求項7の発明は、請求項1ないし6のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記複数のスリットノズルのそれぞれについて、前記保持手段に保持された前記基板との間隔を測定する測定手段をさらに備え、前記昇降手段は、前記測定手段による測定結果に応じて、前記複数のスリットノズルを昇降させることを特徴とする。   The invention of claim 7 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein each of the plurality of slit nozzles is spaced from the substrate held by the holding means. The apparatus further comprises measuring means for measuring, wherein the elevating means elevates and lowers the plurality of slit nozzles according to a measurement result by the measuring means.

また、請求項8の発明は、請求項1ないし7のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記移動手段は、リニアモータであることを特徴とする。   The invention of claim 8 is a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the moving means is a linear motor.

また、請求項9の発明は、請求項1ないし8のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記複数のスリットノズルは、互いに長手方向の幅が異なるものを含むことを特徴とする。   A ninth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to eighth aspects, wherein the plurality of slit nozzles include ones having different widths in the longitudinal direction. .

請求項1ないし9に記載の発明では、保持手段に保持された基板の塗布領域のほぼ全域に向けて、直線状の吐出口から所定の処理液を吐出する複数のスリットノズルと、複数のスリットノズルに所定のメンテナンスを行うメンテナンス手段とを備えることにより、基板に対する処理を継続しつつ、他のスリットノズルのメンテナンスを十分に行うことができる。   In the invention according to any one of claims 1 to 9, a plurality of slit nozzles for discharging a predetermined processing liquid from a linear discharge port toward almost the entire coating region of the substrate held by the holding means, and a plurality of slits By providing maintenance means for performing predetermined maintenance on the nozzle, it is possible to sufficiently perform maintenance of the other slit nozzles while continuing processing on the substrate.

請求項2に記載の発明では、メンテナンス手段は、基板に対する吐出を行っていないスリットノズルを、所定の洗浄液によって洗浄する洗浄手段を備えることにより、基板に対する処理を継続しつつ、他のスリットノズルの洗浄を十分に行うことができる。   In the second aspect of the invention, the maintenance unit includes a cleaning unit that cleans the slit nozzle that is not ejected to the substrate with a predetermined cleaning liquid, so that the processing of the other slit nozzle can be performed while continuing the processing on the substrate. Washing can be performed sufficiently.

請求項3に記載の発明では、洗浄手段が、複数のスリットノズルに対して、それぞれ独立した洗浄液供給路を備えることにより、それぞれのスリットノズルに適した洗浄液を供給することができる。   In the invention according to claim 3, the cleaning means can supply cleaning liquid suitable for each slit nozzle by providing the cleaning liquid supply paths independent to each of the plurality of slit nozzles.

請求項4に記載の発明では、メンテナンス手段は、基板に対する吐出を行っていないスリットノズルからエア抜きを行うエア抜き手段をさらに備えることにより、基板に対する処理を継続しつつ、他のスリットノズルのエア抜きを十分に行うことができる。   In the invention according to claim 4, the maintenance means further includes an air venting means for venting air from the slit nozzles that are not ejecting to the substrate, so that the processing of the substrate can be continued and the air of other slit nozzles can be continued. Unplugging can be performed sufficiently.

請求項5に記載の発明では、供給機構が、複数のスリットノズルに対して、それぞれ独立した処理液供給路を備えることにより、それぞれのスリットノズルに適した処理液を供給することができる。   In the fifth aspect of the present invention, the supply mechanism is provided with independent processing liquid supply paths for the plurality of slit nozzles, so that a processing liquid suitable for each slit nozzle can be supplied.

請求項6に記載の発明では、記憶手段に記憶されたメンテナンス条件に基づいて、メンテナンス手段を制御する制御手段をさらに備えることにより、適宜必要なメンテナンスを効率よく実行することができる。   According to the sixth aspect of the present invention, necessary maintenance can be efficiently performed as appropriate by further including a control unit that controls the maintenance unit based on the maintenance condition stored in the storage unit.

請求項7に記載の発明では、複数のスリットノズルのそれぞれについて、保持手段に保持された基板との間隔を測定する測定手段をさらに備え、昇降手段は、測定手段による測定結果に応じて、複数のスリットノズルを昇降させることにより、複数のスリットノズルのいずれもが、どのような厚みの基板にも対応することができる。   According to the seventh aspect of the present invention, each of the plurality of slit nozzles further includes a measuring unit that measures a distance between the holding unit and the substrate held by the holding unit. By raising and lowering the slit nozzles, any of the plurality of slit nozzles can cope with a substrate of any thickness.

請求項8に記載の発明では、移動手段は、リニアモータであることにより、フットプリントの増加を防止することができる。   In the invention described in claim 8, since the moving means is a linear motor, an increase in footprint can be prevented.

請求項9に記載の発明では、複数のスリットノズルは、互いに長手方向の幅が異なるものを含むことにより、幅の異なる基板に対応することができる。   In the invention according to claim 9, the plurality of slit nozzles can correspond to substrates having different widths by including those having different widths in the longitudinal direction.

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<1. 第1の実施の形態>
図1は、本発明に係る基板処理装置1の概略を示す斜視図である。図2は、基板処理装置1の本体2の側断面を示すと共に、レジスト液の塗布動作に係る主たる構成要素を示す図である。
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. FIG. 2 is a view showing a side cross section of the main body 2 of the substrate processing apparatus 1 and showing main components related to the application operation of the resist solution.

なお、図1において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。   In FIG. 1, for the sake of illustration and explanation, the Z-axis direction is defined as the vertical direction and the XY plane is defined as the horizontal plane, but these are defined for convenience in order to grasp the positional relationship. The directions described below are not limited. The same applies to the following figures.

<全体構成>
基板処理装置1は、本体2と制御部6とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板(以下、単に「基板」と称する)90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布処理装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル41a,41bはレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液(薬液)を塗布する装置として変形利用することもできる。
<Overall configuration>
The substrate processing apparatus 1 is roughly divided into a main body 2 and a control unit 6, and a rectangular glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device is a substrate to be processed (hereinafter simply referred to as “substrate”) 90. In a process of selectively etching an electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90, the coating apparatus is configured to apply a resist solution as a processing solution to the surface of the substrate 90. Therefore, in this embodiment, the slit nozzles 41a and 41b discharge the resist solution. In addition, the substrate processing apparatus 1 can be modified and used not only as a glass substrate for a liquid crystal display device but also as a device for applying a processing liquid (chemical solution) to various substrates for a flat panel display.

本体2は、基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ3を備える。ステージ3は直方体形状を有する例えば一体の石製であり、その上面(保持面30)および側面は平坦面に加工されている。   The main body 2 includes a stage 3 that functions as a holding table for mounting and holding the substrate 90 and also functions as a base for each attached mechanism. The stage 3 is made of, for example, an integral stone having a rectangular parallelepiped shape, and its upper surface (holding surface 30) and side surfaces are processed into flat surfaces.

ステージ3の上面は水平面とされており、基板90の保持面30となっている。保持面30には図示しない多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置1において基板90を処理する間、基板90を吸着することにより、基板90を所定の水平位置に保持する。また、保持面30には、図示しない駆動手段によって上下に昇降自在な複数のリフトピンLPが、適宜の間隔をおいて設けられている。リフトピンLPは、基板90を取り除く際に基板90を押し上げるためなどに用いられる。   The upper surface of the stage 3 is a horizontal plane and serves as a holding surface 30 for the substrate 90. A number of vacuum suction ports (not shown) are formed on the holding surface 30 in a distributed manner, and the substrate 90 is held in a predetermined horizontal position by sucking the substrate 90 while the substrate processing apparatus 1 processes the substrate 90. To do. The holding surface 30 is provided with a plurality of lift pins LP that can be moved up and down by driving means (not shown) at appropriate intervals. The lift pins LP are used to push up the substrate 90 when the substrate 90 is removed.

保持面30のうち基板90の保持エリア(基板90が保持される領域)を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール31が固設される。走行レール31は、架橋構造4a,4bの両端部の最下方に固設される図示しない支持ブロックとともに、架橋構造4a,4bの移動を案内し(移動方向を所定の方向に規定する)、架橋構造4a,4bを保持面30の上方に支持するリニアガイドを構成する。   A pair of running rails 31 extending in parallel in a substantially horizontal direction are fixed to both ends of the holding surface 30 across the holding area of the substrate 90 (region where the substrate 90 is held). The traveling rail 31 guides the movement of the bridging structures 4a and 4b together with a support block (not shown) fixed at the lower end of both ends of the bridging structures 4a and 4b (the moving direction is defined in a predetermined direction) A linear guide that supports the structures 4 a and 4 b above the holding surface 30 is configured.

ステージ3の上方には、このステージ3の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造4a,4bが設けられている。   Above the stage 3, bridging structures 4 a and 4 b are provided that extend substantially horizontally from both sides of the stage 3.

架橋構造4aは、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部40a,と、その両端を支持する昇降機構43a,44aとから主に構成される。なお、架橋構造4bは、架橋構造4aとほぼ同様の構成であるため、説明を適宜省略する。   The bridging structure 4a mainly includes, for example, a nozzle support portion 40a using carbon fiber reinforced resin as an aggregate, and lifting mechanisms 43a and 44a that support both ends thereof. Since the crosslinked structure 4b has substantially the same configuration as the crosslinked structure 4a, description thereof will be omitted as appropriate.

ノズル支持部40aには、スリットノズル41aとギャップセンサ42aとが取り付けられている。図1においてY軸方向に長手方向を有するスリットノズル41aには、スリットノズル41aにレジスト液を供給するための供給機構7(レジストポンプ72a)が接続されている。   A slit nozzle 41a and a gap sensor 42a are attached to the nozzle support portion 40a. In FIG. 1, a supply mechanism 7 (resist pump 72a) for supplying a resist solution to the slit nozzle 41a is connected to a slit nozzle 41a having a longitudinal direction in the Y-axis direction.

スリットノズル41aは、基板90の表面を走査しつつ、供給機構7により供給されたレジスト液を、基板90の表面の所定の領域(以下、「レジスト塗布領域」と称する。)に吐出する。これにより、スリットノズル41aは基板90にレジスト液を塗布する。ここで、レジスト塗布領域とは、基板90の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板90の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。なお、供給機構7についての詳細は、後述する。   The slit nozzle 41 a scans the surface of the substrate 90 and discharges the resist solution supplied by the supply mechanism 7 to a predetermined region (hereinafter referred to as “resist application region”) on the surface of the substrate 90. As a result, the slit nozzle 41 a applies the resist solution to the substrate 90. Here, the resist application region is a region in the surface of the substrate 90 where the resist solution is to be applied, and is usually a region obtained by excluding a region having a predetermined width along the edge from the entire area of the substrate 90. It is. Details of the supply mechanism 7 will be described later.

ギャップセンサ42a,42bは、それぞれスリットノズル41a,41bの近傍となるよう、ノズル支持部40a,40bに取り付けられ、下方の存在物(例えば、基板90の表面や、レジスト膜の表面)との間の高低差(ギャップ)を測定して、測定結果を制御部6に伝達する。すなわち、ギャップセンサ42aはスリットノズル41aと下方の存在物とのギャップを測定し、ギャップセンサ42bはスリットノズル41bと下方の存在物とのギャップを測定する。このように、基板処理装置1は、ステージ3に保持された基板90と、複数のスリットノズル41a,41bのそれぞれとの間隔をそれぞれ独立して測定する。   The gap sensors 42a and 42b are attached to the nozzle support portions 40a and 40b so as to be in the vicinity of the slit nozzles 41a and 41b, respectively, and between lower objects (for example, the surface of the substrate 90 and the surface of the resist film). The height difference (gap) is measured, and the measurement result is transmitted to the control unit 6. That is, the gap sensor 42a measures the gap between the slit nozzle 41a and the lower entity, and the gap sensor 42b measures the gap between the slit nozzle 41b and the lower entity. As described above, the substrate processing apparatus 1 independently measures the distance between the substrate 90 held on the stage 3 and each of the plurality of slit nozzles 41a and 41b.

昇降機構43a,44aは、ノズル支持部40aの両側に分かれて配置されており、ノズル支持部40aを介してスリットノズル41aと連結されている。昇降機構43a,44aは主にACサーボモータ430a,440aおよび図示しないボールネジからなり、制御部6からの制御信号に基づいて、架橋構造4aの昇降駆動力を生成する。これにより、昇降機構43a,44aは、スリットノズル41aを並進的に昇降させる。また、昇降機構43a,44aは、スリットノズル41aのYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。なお、スリットノズル41bについても、昇降機構43b,44bのACサーボモータ430b,440bにより、スリットノズル41aとは独立して同様の動作を行うことが可能とされている。   The elevating mechanisms 43a and 44a are separately arranged on both sides of the nozzle support portion 40a, and are connected to the slit nozzle 41a via the nozzle support portion 40a. The elevating mechanisms 43a and 44a are mainly composed of AC servo motors 430a and 440a and a ball screw (not shown), and generate elevating driving force of the bridging structure 4a based on a control signal from the control unit 6. Thereby, the raising / lowering mechanisms 43a and 44a raise / lower the slit nozzle 41a in translation. The elevating mechanisms 43a and 44a are also used to adjust the posture of the slit nozzle 41a in the YZ plane. The slit nozzle 41b can perform the same operation independently of the slit nozzle 41a by the AC servo motors 430b and 440b of the elevating mechanisms 43b and 44b.

基板処理装置1では、ステージ3の両側の縁側に沿って、それぞれ固定子(ステータ)500,510が固設される。また、架橋構造4aの両端部には移動子501a,511aが設けられ、架橋構造4bの両端部には移動子501b,511bが設けられる。固定子500および移動子501a,501bはACコアレスリニアモータ(以下、単に、「リニアモータ」と略する。)50を,固定子500および移動子501a,501bはリニアモータ51をそれぞれ構成する。すなわち、リニアモータ50,51は、それぞれが一対の移動子501a,501bおよび511a,511bを備えており、それらを独立してX軸方向に移動させる。   In the substrate processing apparatus 1, stators (stators) 500 and 510 are fixedly provided along the edge sides on both sides of the stage 3. Also, movers 501a and 511a are provided at both ends of the bridge structure 4a, and movers 501b and 511b are provided at both ends of the bridge structure 4b. The stator 500 and the movers 501a and 501b constitute an AC coreless linear motor (hereinafter simply referred to as “linear motor”) 50, and the stator 500 and the movers 501a and 501b constitute a linear motor 51, respectively. That is, each of the linear motors 50 and 51 includes a pair of movers 501a and 501b and 511a and 511b, and independently moves them in the X-axis direction.

このように、本実施の形態における基板処理装置1は、架橋構造4a,4bをX軸方向に移動させる機構としてリニアモータ50,51を採用することにより、固定子500,510を共通化することができる。したがって、例えば、回転モータとボールネジとを用いた一般的な移動機構によって、架橋構造4a,4bを独立して移動させる場合に比べて、フットプリントを抑制することができる。   As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment uses the linear motors 50 and 51 as a mechanism for moving the bridging structures 4a and 4b in the X-axis direction, thereby making the stators 500 and 510 common. Can do. Therefore, for example, a footprint can be suppressed as compared with a case where the bridging structures 4a and 4b are moved independently by a general moving mechanism using a rotary motor and a ball screw.

また、架橋構造4aの両端部には、それぞれスケール部と検出子とを備えたリニアエンコーダ52a(図示せず),53aが固設される。リニアエンコーダ52aは、リニアモータ50の移動子501aの位置を検出し、リニアエンコーダ53aは、リニアモータ51の移動子511aの位置を検出する。同様に、架橋構造4bの両端部には、リニアエンコーダ52b,53bが固設され、リニアエンコーダ52bは、リニアモータ50の移動子501bの位置を検出し、リニアエンコーダ53bは、リニアモータ51の移動子511bの位置を検出する。各リニアエンコーダ52a,52b,53a,53bは、検出した位置情報を制御部6に出力する。   Further, linear encoders 52a (not shown) and 53a each having a scale portion and a detector are fixed to both ends of the bridging structure 4a. The linear encoder 52 a detects the position of the mover 501 a of the linear motor 50, and the linear encoder 53 a detects the position of the mover 511 a of the linear motor 51. Similarly, linear encoders 52b and 53b are fixed to both ends of the bridging structure 4b. The linear encoder 52b detects the position of the moving element 501b of the linear motor 50, and the linear encoder 53b moves the linear motor 51. The position of the child 511b is detected. Each linear encoder 52a, 52b, 53a, 53b outputs the detected position information to the control unit 6.

このように、各リニアエンコーダ52a,52b,53a,53bが各移動子501a,501b,511a,511bの位置をそれぞれ検出し、その検出結果に応じて制御部6がリニアモータ50,51をそれぞれ制御することにより、基板処理装置1は、架橋構造4a,4bをそれぞれ独立して移動させることができる。したがって、一方のスリットノズル(例えばスリットノズル41a)の状態に影響されることなく、他方のスリットノズル(例えばスリットノズル41b)を移動させることができる。   Thus, each linear encoder 52a, 52b, 53a, 53b detects the position of each moving element 501a, 501b, 511a, 511b, and the control unit 6 controls the linear motor 50, 51 according to the detection result. By doing so, the substrate processing apparatus 1 can move the bridge structures 4a and 4b independently of each other. Therefore, the other slit nozzle (for example, the slit nozzle 41b) can be moved without being affected by the state of one slit nozzle (for example, the slit nozzle 41a).

本体2の保持面30において、保持エリアのX軸方向両側には、開口32a,32bが設けられている。開口32a,32bはスリットノズル41a,41bと同じくY軸方向に長手方向を有し、かつ該長手方向長さはスリットノズル41a,41bの長手方向長さとほぼ同じである。また、図1において図示を省略するが、開口32aの下方の本体2の内部には、洗浄液吐出機構83aと、待機ポット85aと、プリ塗布機構86aとが設けられ、開口32bの下方の本体2の内部には、洗浄液吐出機構83bと、待機ポット85bと、プリ塗布機構86bとが設けられている。   On the holding surface 30 of the main body 2, openings 32 a and 32 b are provided on both sides in the X-axis direction of the holding area. The openings 32a and 32b have a longitudinal direction in the Y-axis direction like the slit nozzles 41a and 41b, and the length in the longitudinal direction is substantially the same as the longitudinal length of the slit nozzles 41a and 41b. Although not shown in FIG. 1, a cleaning liquid discharge mechanism 83a, a standby pot 85a, and a pre-coating mechanism 86a are provided inside the main body 2 below the opening 32a, and the main body 2 below the opening 32b. Are provided with a cleaning liquid discharge mechanism 83b, a standby pot 85b, and a pre-coating mechanism 86b.

図3は、供給機構7および洗浄機構8を示す図である。スリットノズル41a,41bにレジスト液を供給する供給機構7は、図3に示すように、レジストボトル70、レジスト液の流路となる配管71a,71b、およびレジストポンプ72a,72bから主に構成される。レジストボトル70からレジストポンプ72aを介してスリットノズル41aへと続く配管71aと、配管71a内のレジスト液を送液するレジストポンプ72aがスリットノズル41aに対するレジスト液供給路73aを構成する。同様に、レジストボトル70からレジストポンプ72bを介してスリットノズル41bへと続く配管71bと、配管71b内のレジスト液を送液するレジストポンプ72bがスリットノズル41bに対するレジスト液供給路73bを構成する。すなわち、供給機構7は各スリットノズル41a,41bに対して、それぞれ独立して設けられたレジスト液供給路73a,73bを備えている。   FIG. 3 is a view showing the supply mechanism 7 and the cleaning mechanism 8. As shown in FIG. 3, the supply mechanism 7 for supplying the resist solution to the slit nozzles 41a and 41b is mainly composed of a resist bottle 70, pipes 71a and 71b serving as resist solution flow paths, and resist pumps 72a and 72b. The A pipe 71a that continues from the resist bottle 70 to the slit nozzle 41a via the resist pump 72a and a resist pump 72a that feeds the resist liquid in the pipe 71a constitute a resist liquid supply path 73a for the slit nozzle 41a. Similarly, a pipe 71b that continues from the resist bottle 70 to the slit nozzle 41b via the resist pump 72b and a resist pump 72b that feeds the resist liquid in the pipe 71b constitute a resist liquid supply path 73b for the slit nozzle 41b. That is, the supply mechanism 7 includes resist solution supply paths 73a and 73b provided independently for the slit nozzles 41a and 41b, respectively.

また、スリットノズル41a,41bを洗浄する洗浄機構8は、洗浄液ボトル80、洗浄液の流路となる配管81a,81b、ポンプ82a,82b、および洗浄液吐出機構83a,83bから主に構成される。洗浄液ボトル80からポンプ82aを介して洗浄液吐出機構83aへと続く配管81aと、配管81a内の洗浄液を送液するポンプ82aと、スリットノズル41aに洗浄液を吐出する洗浄液吐出機構83aとが、スリットノズル41aに対する洗浄液供給路84aを構成する。同様に、洗浄液ボトル80からポンプ82bを介して洗浄液吐出機構83bへと続く配管81bと、配管81b内の洗浄液を送液するポンプ82bと、スリットノズル41bに洗浄液を吐出する洗浄液吐出機構83bとが、スリットノズル41bに対する洗浄液供給路84bを構成する。すなわち、洗浄機構8は、複数のスリットノズル41a,41bに対して、それぞれ独立した洗浄液供給路84a,84bを備える。   The cleaning mechanism 8 that cleans the slit nozzles 41a and 41b mainly includes a cleaning liquid bottle 80, pipes 81a and 81b that serve as a flow path for the cleaning liquid, pumps 82a and 82b, and cleaning liquid discharge mechanisms 83a and 83b. A pipe 81a that continues from the cleaning liquid bottle 80 to the cleaning liquid discharge mechanism 83a through the pump 82a, a pump 82a that supplies the cleaning liquid in the pipe 81a, and a cleaning liquid discharge mechanism 83a that discharges the cleaning liquid to the slit nozzle 41a are slit nozzles. A cleaning liquid supply path 84a for 41a is configured. Similarly, a pipe 81b that continues from the cleaning liquid bottle 80 to the cleaning liquid discharge mechanism 83b via the pump 82b, a pump 82b that supplies the cleaning liquid in the pipe 81b, and a cleaning liquid discharge mechanism 83b that discharges the cleaning liquid to the slit nozzle 41b are provided. The cleaning liquid supply path 84b for the slit nozzle 41b is configured. That is, the cleaning mechanism 8 includes independent cleaning liquid supply paths 84a and 84b for the plurality of slit nozzles 41a and 41b.

洗浄液吐出機構83a,83bは、それぞれ洗浄液ボトル80から供給される洗浄液をスリットノズル41a,41bの先端部に向けて吐出する機構である。また、図示は省略しているが、洗浄液吐出機構83a,83bには、ガス供給部から不活性ガス(窒素)が供給され、スリットノズル41a,41bに向けて噴出させることが可能とされている。洗浄液吐出機構83a,83bは、図示しない移動機構によって、スリットノズル41a,41bの下方をY軸方向に沿って移動しつつ、洗浄液を吐出することにより、スリットノズル41a,41bの先端部を洗浄するとともに、窒素ガスを吹き付けることにより洗浄液を乾燥させることも可能である。   The cleaning liquid discharge mechanisms 83a and 83b are mechanisms that discharge the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid bottle 80 toward the front ends of the slit nozzles 41a and 41b, respectively. Although not shown, the cleaning liquid discharge mechanisms 83a and 83b are supplied with inert gas (nitrogen) from the gas supply unit and can be ejected toward the slit nozzles 41a and 41b. . The cleaning liquid discharge mechanisms 83a and 83b clean the tips of the slit nozzles 41a and 41b by discharging the cleaning liquid while moving below the slit nozzles 41a and 41b along the Y-axis direction by a moving mechanism (not shown). At the same time, the cleaning liquid can be dried by blowing nitrogen gas.

このように、基板処理装置1は、洗浄機構8によって、複数のスリットノズル41a,41bのうち、基板90に対する吐出を行っていない方を、洗浄液によって洗浄することにより、一方について洗浄処理(メンテナンス)を行いつつ、他方では基板90に対する処理を継続する。したがって、タクトタイムの増大を抑制しつつ、メンテナンス時間を十分に確保することができる。   As described above, the substrate processing apparatus 1 uses the cleaning mechanism 8 to clean one of the plurality of slit nozzles 41a and 41b that is not ejected to the substrate 90 with the cleaning liquid, thereby cleaning one (maintenance). On the other hand, the processing for the substrate 90 is continued. Therefore, a sufficient maintenance time can be secured while suppressing an increase in tact time.

なお、本実施の形態における基板処理装置1のように、スリットノズル41a,41bに対して同じ洗浄液を用いる場合には、洗浄液供給路84a,84bのうち、ポンプ82a,82bまでの経路を共通化してもよい。その場合、ポンプから洗浄液吐出機構83a,83bまでの配管を開閉バルブなどによって開閉することにより、洗浄処理を行う洗浄液吐出機構83a,83bに対してのみ洗浄液を供給するように構成してもよい。   When the same cleaning liquid is used for the slit nozzles 41a and 41b as in the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, the path to the pumps 82a and 82b is shared among the cleaning liquid supply paths 84a and 84b. May be. In that case, the cleaning liquid may be supplied only to the cleaning liquid discharge mechanisms 83a and 83b that perform the cleaning process by opening and closing the pipes from the pump to the cleaning liquid discharge mechanisms 83a and 83b by an open / close valve or the like.

図4は、スリットノズル41aのレジスト液供給路73aの詳細を示す図である。配管71aには、三方弁710およびバルブ711が取り付けられている。なお、同様の構造がスリットノズル41b側にも設けられている。また、図4において、図示を省略するが、三方弁710、バルブ711およびバルブ741は制御部6と接続されており、制御部6の制御により開閉動作する一種の電磁弁である。   FIG. 4 is a diagram showing details of the resist solution supply path 73a of the slit nozzle 41a. A three-way valve 710 and a valve 711 are attached to the pipe 71a. A similar structure is also provided on the slit nozzle 41b side. Although not shown in FIG. 4, the three-way valve 710, the valve 711, and the valve 741 are connected to the control unit 6 and are a kind of electromagnetic valve that opens and closes under the control of the control unit 6.

三方弁710は、配管71aに配管81aが接続される位置に設けられており、配管71aの上流側と、配管81aとを選択的に、スリットノズル41a(配管71aの下流側)に接続する。具体的には、スリットノズル41aにレジスト液を供給する場合には、配管71aの上流側を開放し、配管81aを閉鎖する。これにより、レジストポンプ72aから送液されるレジスト液がスリットノズル41aに供給される。一方、スリットノズル41aに洗浄液を供給する場合には、配管71aの上流側を閉鎖し、配管81aを開放する。これにより、ポンプ82aから送液される洗浄液がスリットノズル41aに供給される。   The three-way valve 710 is provided at a position where the pipe 81a is connected to the pipe 71a, and selectively connects the upstream side of the pipe 71a and the pipe 81a to the slit nozzle 41a (downstream side of the pipe 71a). Specifically, when supplying the resist solution to the slit nozzle 41a, the upstream side of the pipe 71a is opened and the pipe 81a is closed. Thereby, the resist solution fed from the resist pump 72a is supplied to the slit nozzle 41a. On the other hand, when supplying the cleaning liquid to the slit nozzle 41a, the upstream side of the pipe 71a is closed and the pipe 81a is opened. Thereby, the cleaning liquid fed from the pump 82a is supplied to the slit nozzle 41a.

また、スリットノズル41aには、エア抜き機構74aが取り付けられている。エア抜き機構74aは、エア抜き配管740およびバルブ741を備えている。エア抜き配管740は、図示しない回収機構に連通接続されており、バルブ741により開閉する。   In addition, an air bleeding mechanism 74a is attached to the slit nozzle 41a. The air vent mechanism 74 a includes an air vent pipe 740 and a valve 741. The air vent pipe 740 is connected to a recovery mechanism (not shown) and is opened and closed by a valve 741.

なお、本実施の形態における基板処理装置1では、レジスト液および洗浄液は、スリットノズル41aの左右から供給されるが、例えば中央の一カ所から供給されるものであってもよい。   In the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, the resist solution and the cleaning solution are supplied from the left and right sides of the slit nozzle 41a, but may be supplied from one central location, for example.

待機ポット85a,85bは、待機中の各スリットノズル41a,41bの先端が乾燥しないように設けられるものであり、比較的長時間塗布処理を行わない間、スリットノズル41a,41bは、主に待機ポット85a,85bの上方で待機する。   The standby pots 85a and 85b are provided so that the tips of the standby slit nozzles 41a and 41b do not dry. While the coating process is not performed for a relatively long time, the slit nozzles 41a and 41b mainly wait. Waiting above the pots 85a and 85b.

プリ塗布機構86a,86bは、スリットノズル41a,41bが基板90に対して塗布処理を行う直前に、予備塗布を行うための機構である。プリ塗布機構86a,86bは、それぞれがディスペンスロールを備えており、スリットノズル41a,41bは、当該ディスペンスロールに対してレジスト液を吐出して予備塗布を行う。これにより、基板処理装置1の塗布処理における精度が向上する。   The pre-coating mechanisms 86a and 86b are mechanisms for performing pre-coating immediately before the slit nozzles 41a and 41b perform the coating process on the substrate 90. Each of the pre-coating mechanisms 86a and 86b includes a dispense roll, and the slit nozzles 41a and 41b perform preliminary application by discharging a resist solution to the dispense roll. Thereby, the precision in the coating process of the substrate processing apparatus 1 is improved.

図1に戻って、制御部6は、プログラムに従って各種データを処理する演算部60、プログラムや各種データを保存する記憶部61を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置1に対して必要な指示を入力するための操作部62、および各種データを表示する表示部63を備える。   Returning to FIG. 1, the control unit 6 includes an arithmetic unit 60 that processes various data according to a program and a storage unit 61 that stores the program and various data. In addition, an operation unit 62 for an operator to input necessary instructions to the substrate processing apparatus 1 and a display unit 63 for displaying various data are provided on the front surface.

制御部6は、図1においては図示しないケーブルにより本体2に付属する各機構と電気的に接続されている。制御部6は、記憶部61に記憶されているデータや、操作部62からの入力信号、あるいはギャップセンサ42a,42bおよびその他の図示しない各種センサからの信号などに基づいて、各構成を制御する。   The control unit 6 is electrically connected to each mechanism attached to the main body 2 by a cable (not shown) in FIG. The control unit 6 controls each component based on data stored in the storage unit 61, input signals from the operation unit 62, signals from the gap sensors 42a and 42b and other various sensors (not shown), and the like. .

特に、制御部6は、オペレータが操作部62を操作することによって設定するメンテナンス条件を記憶部61に記憶させる。また、記憶部61が記憶したメンテナンス条件を適宜読み出して、リニアモータ50,51、供給機構7および洗浄機構8などを制御して、状況に応じたメンテナンスを行わせる。   In particular, the control unit 6 causes the storage unit 61 to store maintenance conditions set by the operator operating the operation unit 62. Further, the maintenance conditions stored in the storage unit 61 are appropriately read out, and the linear motors 50 and 51, the supply mechanism 7, the cleaning mechanism 8, and the like are controlled to perform maintenance corresponding to the situation.

なお、具体的には、データを一時的に記憶するRAM、読み取り専用のROM、および磁気ディスク装置などが記憶部61に該当する。あるいは、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部62には、ボタンおよびスイッチ類(キーボードやマウスなどを含む。)などが該当する。もしくは、タッチパネルディスプレイのように表示部63の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部63には、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。   Specifically, a RAM that temporarily stores data, a read-only ROM, a magnetic disk device, and the like correspond to the storage unit 61. Alternatively, it may be a storage medium such as a portable magneto-optical disk or a memory card, and a reading device thereof. The operation unit 62 corresponds to buttons and switches (including a keyboard and a mouse). Or what has the function of the display part 63 like a touchscreen display may be used. The display unit 63 corresponds to a liquid crystal display or various lamps.

以上が、本実施の形態におけ基板処理装置1の構成および機能の説明である。   The above is the description of the configuration and function of the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment.

<動作説明>
図5および図6は、本実施の形態における基板処理装置1の動作を示す流れ図である。以下に図5および図6を用いて基板処理装置1の動作を説明する。なお、以下の基板処理装置1の動作は、特に明示しないかぎり、制御部6の制御に基づいて行われるものである。
<Description of operation>
5 and 6 are flowcharts showing the operation of the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment. Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 5 and 6. The following operations of the substrate processing apparatus 1 are performed based on the control of the control unit 6 unless otherwise specified.

まず、基板処理装置1は、所定の初期設定(ステップS10)を行った後、基板90が搬入されるまで待機する(ステップS11)。なお、所定の初期設定とは、基板処理装置1の動作に必要な準備を行う工程である。例えば、基板処理装置1が自動で行う工程(データの読み出しなど)のみならず、オペレータが手動で所定の設定作業を行うこと(新たなレシピの追加やメンテナンス条件の設定など)も含まれる。また、スリットノズル41a,41bの初期化メンテナンスも初期設定において行われる。   First, the substrate processing apparatus 1 performs a predetermined initial setting (step S10), and then waits until the substrate 90 is loaded (step S11). The predetermined initial setting is a step of making preparations necessary for the operation of the substrate processing apparatus 1. For example, not only the process (reading of data, etc.) performed automatically by the substrate processing apparatus 1 but also a manual setting operation by the operator (addition of a new recipe, setting of maintenance conditions, etc.) is included. Further, initialization maintenance of the slit nozzles 41a and 41b is also performed in the initial setting.

図7は、初期設定において行われる初期化メンテナンスの詳細を示す流れ図である。本実施の形態における基板処理装置1では、初期化メンテナンスにおいて、スリットノズル41a,41bに対して、内部洗浄処理および外部洗浄処理を行う。なお、メンテナンスはこれらに限られるものではない。また、初期化メンテナンスはスリットノズル41aおよびスリットノズル41bに対してほぼ同様に実行されるので、ここではスリットノズル41aに対する処理を例に説明する。   FIG. 7 is a flowchart showing details of initialization maintenance performed in the initial setting. In the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, an internal cleaning process and an external cleaning process are performed on the slit nozzles 41a and 41b in the initialization maintenance. Maintenance is not limited to these. Further, since the initialization maintenance is performed for the slit nozzle 41a and the slit nozzle 41b in substantially the same manner, the processing for the slit nozzle 41a will be described here as an example.

まず、制御部6がリニアモータ50,51を制御することにより、スリットノズル41aをプリ塗布機構86aの上方に移動させる(ステップS101)。   First, the control unit 6 controls the linear motors 50 and 51 to move the slit nozzle 41a above the pre-coating mechanism 86a (step S101).

スリットノズル41aの移動が完了すると、制御部6は、三方弁710を制御して、配管81aを開放状態にするとともに、配管71aの上流側を閉鎖状態にする。また、バルブ711を制御して、配管71aの下流側を開放する。これにより、洗浄液ボトル80からスリットノズル41aまでの洗浄液の流路が連通接続される。さらに、制御部6は、エア抜き機構74aのバルブ741を開放状態として、エア抜き配管740を開放する。   When the movement of the slit nozzle 41a is completed, the control unit 6 controls the three-way valve 710 to open the pipe 81a and close the upstream side of the pipe 71a. Further, the valve 711 is controlled to open the downstream side of the pipe 71a. Thereby, the flow path of the cleaning liquid from the cleaning liquid bottle 80 to the slit nozzle 41a is connected in communication. Further, the control unit 6 opens the valve 741 of the air bleeding mechanism 74a and opens the air bleeding pipe 740.

次に、制御部6は、ポンプ82aを駆動させて、洗浄液ボトル80からスリットノズル41aに向けて洗浄液を供給する(ステップS102)とともに、スリットノズル41aのエア抜きを行う(ステップS103)。ステップS102が実行され、スリットノズル41aに洗浄液が供給されると、供給された洗浄液は配管71aの下流側を送液されつつスリットノズル41aから吐出される。これにより、スリットノズル41aの内部が洗浄される。   Next, the controller 6 drives the pump 82a to supply the cleaning liquid from the cleaning liquid bottle 80 toward the slit nozzle 41a (step S102), and also performs air bleeding from the slit nozzle 41a (step S103). When step S102 is executed and the cleaning liquid is supplied to the slit nozzle 41a, the supplied cleaning liquid is discharged from the slit nozzle 41a while being fed downstream of the pipe 71a. Thereby, the inside of the slit nozzle 41a is cleaned.

また、ポンプ82aによって送液され、供給された洗浄液は、エア抜き機構74aからも溢れ出す。この洗浄液によってスリットノズル41a内のエアがエア抜き機構74aに向けて押し出され、回収機構に向けて排出されることとなる。したがって、図9において、図示の都合上ステップS102とステップS103とを別工程として記載しているが、実際には、この2つの工程は同時並行的に進行する処理である。なお、エア抜き機構74aにエア抜き用のポンプを設けて強制的に排気するように構成してもよい。   Further, the cleaning liquid supplied and supplied by the pump 82a overflows from the air vent mechanism 74a. With this cleaning liquid, the air in the slit nozzle 41a is pushed out toward the air bleeding mechanism 74a and discharged toward the collecting mechanism. Therefore, in FIG. 9, for the sake of illustration, step S102 and step S103 are described as separate processes, but actually, these two processes are processes that proceed in parallel. Note that the air vent mechanism 74a may be provided with an air vent pump to forcibly exhaust air.

ポンプ82aの駆動を開始してから所定の時間が経過すると、制御部6は、ポンプ82aを停止させて洗浄液の供給を停止させる。次に、三方弁710を制御して、配管81aを閉鎖するとともに、配管71aの上流側を開放する。これにより、レジストボトル70からスリットノズル41aまでのレジスト液の流路が連通接続される。   When a predetermined time elapses after the driving of the pump 82a is started, the control unit 6 stops the supply of the cleaning liquid by stopping the pump 82a. Next, the three-way valve 710 is controlled to close the pipe 81a and open the upstream side of the pipe 71a. Thereby, the flow path of the resist solution from the resist bottle 70 to the slit nozzle 41a is connected in communication.

なお、ステップS102(S103)を実行する時間(内部洗浄処理における実質的な洗浄時間)は、メンテナンス条件として予め設定され、記憶部61に記憶されている。このように、基板処理装置1では、オペレータが予め設定したメンテナンス条件を記憶部61に記憶し、制御部6が一種のレシピ(メンテナンスレシピ)として扱うことにより、適切なタイミングで、必要なメンテナンスを実行することができる。   The time for executing step S102 (S103) (substantial cleaning time in the internal cleaning process) is preset as a maintenance condition and stored in the storage unit 61. Thus, in the substrate processing apparatus 1, maintenance conditions preset by the operator are stored in the storage unit 61, and the control unit 6 handles them as a kind of recipe (maintenance recipe), so that necessary maintenance can be performed at an appropriate timing. Can be executed.

具体例としては、以下に実行する基板処理のレシピ(通常レシピ)に、必要なメンテナンスレシピを組み込むことによって、逐一オペレータの指示がなくてもメンテナンスを実行することが可能となり、自動化を促進させることができる。したがって、オペレータが介入しなければならない事態が減少するため、オペレータの負担を軽減することができる。以下、特に断らない限り、メンテナンスにおいて制御部6が必要とする諸条件は、メンテナンス条件として予め設定され、記憶されているものとする。   As a specific example, by incorporating necessary maintenance recipes into the substrate processing recipe (ordinary recipe) to be executed below, it becomes possible to execute maintenance without instructions from the operator step by step, thereby promoting automation. Can do. Therefore, the situation that the operator must intervene is reduced, and the burden on the operator can be reduced. Hereinafter, unless otherwise specified, it is assumed that various conditions required by the control unit 6 in maintenance are preset and stored as maintenance conditions.

次に、制御部6は、レジストポンプ72aを駆動させて、レジストボトル70からスリットノズル41aに向けてレジスト液を供給する(ステップS104)。これにより、スリットノズル41a、配管71aおよびエア抜き機構74a内の洗浄液が押し出され、レジスト液に置換される。   Next, the controller 6 drives the resist pump 72a to supply the resist solution from the resist bottle 70 toward the slit nozzle 41a (step S104). As a result, the cleaning liquid in the slit nozzle 41a, the pipe 71a and the air vent mechanism 74a is pushed out and replaced with the resist liquid.

レジストポンプ72aの駆動を開始してから所定の時間が経過すると、制御部6は、レジストポンプ72aを停止させてレジスト液の供給を停止させる。次に、バルブ711を閉鎖して配管71aの下流側を閉鎖するとともに、バルブ741を閉鎖してエア抜き配管740を閉鎖する。これにより、スリットノズル41aおよび配管71a内は、レジスト液によって充填された状態となり、内部洗浄処理が終了する。   When a predetermined time elapses after the driving of the resist pump 72a is started, the control unit 6 stops the supply of the resist solution by stopping the resist pump 72a. Next, the valve 711 is closed to close the downstream side of the pipe 71a, and the valve 741 is closed to close the air vent pipe 740. As a result, the slit nozzle 41a and the pipe 71a are filled with the resist solution, and the internal cleaning process ends.

内部洗浄処理が終了すると、制御部6は、リニアモータ50,51を制御して、スリットノズル41aを待機ポット85aの上方に移動させる(ステップS105)。このとき、制御部6は、洗浄液吐出機構83aがスリットノズル41aの吐出口付近を走査することができる高さ位置(スリットノズル41aと洗浄液吐出機構83aとが干渉しない高さ位置)となるように、昇降機構43a,44aを制御する。   When the internal cleaning process is completed, the control unit 6 controls the linear motors 50 and 51 to move the slit nozzle 41a above the standby pot 85a (step S105). At this time, the controller 6 is at a height position at which the cleaning liquid discharge mechanism 83a can scan the vicinity of the discharge port of the slit nozzle 41a (a height position at which the slit nozzle 41a and the cleaning liquid discharge mechanism 83a do not interfere). The elevating mechanisms 43a and 44a are controlled.

スリットノズル41aの移動が完了すると、制御部6は洗浄液吐出機構83aの走査回数に応じて、洗浄液を吐出するか否かを判定し(ステップS106)、洗浄液を吐出させる場合にはポンプ82aを駆動して、洗浄液吐出機構83aに向けて洗浄液を供給する。これにより、洗浄液吐出機構83aは、スリットノズル41aに向けて洗浄液を吐出しつつ(ステップS107)、スリットノズル41aを走査する(ステップS108)。したがって、スリットノズル41aの先端部が外部から洗浄される。なお、洗浄液吐出機構83aを走査させる際の速度などもメンテナンス条件として設定することができる。   When the movement of the slit nozzle 41a is completed, the control unit 6 determines whether or not to discharge the cleaning liquid according to the number of scans of the cleaning liquid discharge mechanism 83a (step S106), and drives the pump 82a when discharging the cleaning liquid. Then, the cleaning liquid is supplied toward the cleaning liquid discharge mechanism 83a. Accordingly, the cleaning liquid discharge mechanism 83a scans the slit nozzle 41a (step S108) while discharging the cleaning liquid toward the slit nozzle 41a (step S107). Therefore, the tip of the slit nozzle 41a is washed from the outside. The speed at which the cleaning liquid discharge mechanism 83a is scanned can also be set as a maintenance condition.

一方、洗浄液を吐出させない場合(ステップS106においてNo)は、ステップS107をスキップして、スリットノズル41aを走査する(ステップS108)。ステップS108において、洗浄液吐出機構83aは窒素ガスを噴出させるので、洗浄液を吐出せずにステップS108を実行することにより、スリットノズル41aの乾燥処理が行われる。   On the other hand, when the cleaning liquid is not discharged (No in step S106), step S107 is skipped and the slit nozzle 41a is scanned (step S108). In step S108, since the cleaning liquid discharge mechanism 83a ejects nitrogen gas, the slit nozzle 41a is dried by executing step S108 without discharging the cleaning liquid.

なお、本実施の形態における基板処理装置1では、ステップS107を実行する際にもステップS108が実行されるため窒素ガスの吹きつけを行う。これは、吐出される洗浄液が不必要に飛散することを抑制するなどの目的のために行うものであるが、不要であれば洗浄中は窒素ガスの吹きつけを停止させてもよい。このような判断も予め設定されているメンテナンス条件に応じて制御部6が各構成を制御するので、基板処理装置1では必要に応じた処理が実現できる。   In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, nitrogen gas is blown because step S108 is executed even when step S107 is executed. This is performed for the purpose of preventing the discharged cleaning liquid from being unnecessarily scattered, but if unnecessary, the blowing of nitrogen gas may be stopped during cleaning. Since such a determination also controls each component according to preset maintenance conditions, the substrate processing apparatus 1 can realize processing as necessary.

ステップS108が実行されるたびに制御部6は、洗浄液吐出機構83aの走査回数をカウントし、所定の回数が終了するまで、ステップS106ないしS109の処理を繰り返す(ステップS109)。   Each time step S108 is executed, the control unit 6 counts the number of scans of the cleaning liquid discharge mechanism 83a, and repeats the processing of steps S106 to S109 until the predetermined number of times is finished (step S109).

洗浄液吐出機構83aによって所定の回数の走査が終了すると、外部洗浄処理を終了して図6に示す処理に戻る。このとき、制御部6は、昇降機構43a,44aを制御して、スリットノズル41aを下降させ、先端部を待機ポット85a内に侵入させる。これにより、スリットノズル41aの先端部の乾燥を抑制することができる。以下、このときのスリットノズル41a,41bの状態を「待機状態」と称する。以上が初期化メンテナンスの処理である。   When the predetermined number of scans are completed by the cleaning liquid discharge mechanism 83a, the external cleaning process is ended and the process returns to the process shown in FIG. At this time, the control unit 6 controls the elevating mechanisms 43a and 44a to lower the slit nozzle 41a and cause the tip portion to enter the standby pot 85a. Thereby, drying of the front-end | tip part of the slit nozzle 41a can be suppressed. Hereinafter, the state of the slit nozzles 41a and 41b at this time is referred to as a “standby state”. The above is the initialization maintenance process.

図6に戻って、基板処理装置1では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置に基板90が搬送されると、ステージ3のリフトピンLPが上昇して基板90を受け取る。そして、リフトピンLPが下降することによって、基板90がステージ3の保持面30上の所定の位置に載置され、ステージ3が基板90を吸着して保持する。この動作により、基板90の搬入が完了する(ステップS11においてYesと判定される)。   Returning to FIG. 6, in the substrate processing apparatus 1, when the substrate 90 is transported to a predetermined position by an operator or a transport mechanism (not shown), the lift pins LP of the stage 3 rise and receive the substrate 90. Then, when the lift pins LP are lowered, the substrate 90 is placed at a predetermined position on the holding surface 30 of the stage 3, and the stage 3 sucks and holds the substrate 90. This operation completes the loading of the substrate 90 (determined as Yes in step S11).

基板90の搬入が完了すると、基板処理装置1は、スリットノズル41aのメンテナンスを終了して、スリットノズル41aによる塗布処理を開始し(ステップS12)、塗布処理が完了するまで、処理を継続する(ステップS13)。なお、ステップS12におけるメンテナンスは、初期化メンテナンスに限られるものではなく、後述するメンテナンスを含むものである。すなわち、スリットノズル41aに対するメンテナンスはステップS12が実行されるまでに終了していればよいのであって、より詳しくは、ステップS12が実行される時点でスリットノズル41aは待機状態にある。   When the loading of the substrate 90 is completed, the substrate processing apparatus 1 ends the maintenance of the slit nozzle 41a, starts the coating process by the slit nozzle 41a (step S12), and continues the process until the coating process is completed ( Step S13). The maintenance in step S12 is not limited to initialization maintenance, but includes maintenance described later. That is, the maintenance for the slit nozzle 41a only needs to be completed before step S12 is executed. More specifically, the slit nozzle 41a is in a standby state when step S12 is executed.

スリットノズル41aによる塗布処理を説明すると、まず、制御部6からの制御信号に応じて、昇降機構43a,44aおよびリニアモータ50,51がスリットノズル41aをプリ塗布機構86aの上方に移動させる。次に、供給機構7が所定量のレジスト液をスリットノズル41aに供給することにより、スリットノズル41aがプリ塗布機構86aのディスペンスローラに向けてレジスト液を吐出する。これにより、基板処理装置1における予備塗布処理が実行され、スリットノズル41aの準備が完了し、塗布処理を行える状態となる。   The coating process by the slit nozzle 41a will be described. First, the lifting mechanisms 43a and 44a and the linear motors 50 and 51 move the slit nozzle 41a above the pre-coating mechanism 86a in response to a control signal from the control unit 6. Next, when the supply mechanism 7 supplies a predetermined amount of resist solution to the slit nozzle 41a, the slit nozzle 41a discharges the resist solution toward the dispense roller of the pre-coating mechanism 86a. Thereby, the preliminary coating process in the substrate processing apparatus 1 is executed, the preparation of the slit nozzle 41a is completed, and the coating process can be performed.

予備塗布処理が終了すると、制御部6からの制御信号に基づいて、昇降機構43a,44aが、ノズル支持部40aに取り付けられたギャップセンサ42aを基板90の厚み分よりも高い所定の高度(以下、「測定高度」と称する。)に移動させる。   When the pre-coating process is completed, based on a control signal from the control unit 6, the elevating mechanisms 43a and 44a set the gap sensor 42a attached to the nozzle support unit 40a to a predetermined altitude higher than the thickness of the substrate 90 (hereinafter referred to as the height of the substrate 90). , Referred to as “measuring altitude”).

ギャップセンサ42aが測定高度にセットされると、リニアモータ50,51が、架橋構造4aを(+X)方向に移動させる(すなわち、移動子501a,511aのみを移動させる)ことにより、ギャップセンサ42aをレジスト塗布領域の上方まで移動させる。このとき、制御部6は、リニアエンコーダ52a,53aの検出結果に基づいて、それぞれのリニアモータ50,51に制御信号を与えることにより、ギャップセンサ42aのX軸方向の位置を制御する。   When the gap sensor 42a is set to the measurement altitude, the linear motors 50 and 51 move the bridge structure 4a in the (+ X) direction (that is, move only the movers 501a and 511a), thereby causing the gap sensor 42a to move. Move to above the resist coating area. At this time, the control unit 6 controls the position of the gap sensor 42a in the X-axis direction by giving a control signal to the linear motors 50 and 51 based on the detection results of the linear encoders 52a and 53a.

次に、ギャップセンサ42aが基板90表面のレジスト塗布領域における基板90表面とスリットノズル41aとのギャップの測定を開始し、測定結果を制御部6に伝達する。このとき、制御部6は、ギャップセンサ42aの測定結果を、記憶部61に保存する。   Next, the gap sensor 42 a starts measuring the gap between the surface of the substrate 90 and the slit nozzle 41 a in the resist coating region on the surface of the substrate 90, and transmits the measurement result to the control unit 6. At this time, the control unit 6 stores the measurement result of the gap sensor 42 a in the storage unit 61.

ギャップセンサ42aによる測定が終了すると、制御部6は演算部60により、ギャップセンサ42aからの検出結果に基づいて、スリットノズル41aのYZ平面における姿勢が、適切な姿勢(スリットノズル41aとレジスト塗布領域との間隔がレジスト液を塗布するために適切な間隔となる姿勢。以下、「適正姿勢」と称する。)となるノズル支持部40aの位置を算出する。さらに、演算部60の算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構43a,44aに制御信号を与える。制御部6からの制御信号に基づいて、それぞれの昇降機構43a,44aがノズル支持部40aをZ軸方向に移動させ、スリットノズル41aを適正姿勢に調整する。   When the measurement by the gap sensor 42a is completed, the control unit 6 causes the calculation unit 60 to determine whether the posture of the slit nozzle 41a in the YZ plane is an appropriate posture (the slit nozzle 41a and the resist coating region) based on the detection result from the gap sensor 42a. The position of the nozzle support portion 40a is calculated so that the distance between the nozzle support portion 40a is an appropriate distance for applying the resist solution (hereinafter referred to as "appropriate attitude"). Furthermore, based on the calculation result of the calculating part 60, a control signal is given to each raising / lowering mechanism 43a, 44a. Based on the control signal from the control unit 6, the respective lifting mechanisms 43a and 44a move the nozzle support unit 40a in the Z-axis direction to adjust the slit nozzle 41a to an appropriate posture.

このように、レジスト液の均一な塗布を実現するためには、スリットノズル41aと基板90の表面との距離を厳密に調整する必要がある。基板処理装置1では、制御部6がギャップセンサ42aの検出結果に応じて、昇降機構43a,44aを制御することにより、当該距離の調整を行っている。   Thus, in order to realize uniform application of the resist solution, it is necessary to strictly adjust the distance between the slit nozzle 41a and the surface of the substrate 90. In the substrate processing apparatus 1, the control unit 6 adjusts the distance by controlling the elevating mechanisms 43a and 44a according to the detection result of the gap sensor 42a.

また、前述のように、本実施の形態における基板処理装置1は、各スリットノズル41a,41bについて、昇降機構43a,43b,44a,44bおよびギャップセンサ42a,42bが独立して設けられているため、各スリットノズル41a,41bについて個別にこのような姿勢調整を行うことが可能とされている。したがって、基板処理装置1がどのような厚みの基板90を処理する場合であっても、いずれのスリットノズル41a,41bによっても処理することができる。すなわち、処理する基板90の厚みによって、処理可能なスリットノズル41a,41bが限定されることがない。   Further, as described above, the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment is provided with the lifting mechanisms 43a, 43b, 44a, 44b and the gap sensors 42a, 42b independently for the slit nozzles 41a, 41b. Such posture adjustment can be performed individually for each of the slit nozzles 41a and 41b. Therefore, even if the substrate processing apparatus 1 processes the substrate 90 of any thickness, it can be processed by any of the slit nozzles 41a and 41b. That is, the processable slit nozzles 41a and 41b are not limited by the thickness of the substrate 90 to be processed.

さらに、リニアモータ50,51が架橋構造4aをX軸方向に移動させ、スリットノズル41aを吐出開始位置に移動させる。ここで、吐出開始位置とは、レジスト塗布領域の一辺にスリットノズル41aがほぼ沿う位置である。   Further, the linear motors 50 and 51 move the bridging structure 4a in the X-axis direction and move the slit nozzle 41a to the discharge start position. Here, the ejection start position is a position where the slit nozzle 41a is substantially along one side of the resist coating region.

スリットノズル41aが吐出開始位置まで移動すると、制御部6が制御信号をリニアモータ50,51に与える。その制御信号に基づいて、リニアモータ50,51が架橋構造4aを(+X)方向に移動させることでスリットノズル41aが基板90の表面を走査する。さらに、制御部6は、リニアエンコーダ52a,53aの検出結果に基づいて、スリットノズル41aが吐出終了位置に移動したか否かを監視する。   When the slit nozzle 41 a moves to the discharge start position, the control unit 6 gives a control signal to the linear motors 50 and 51. Based on the control signal, the linear motors 50 and 51 move the bridging structure 4a in the (+ X) direction so that the slit nozzle 41a scans the surface of the substrate 90. Further, the control unit 6 monitors whether or not the slit nozzle 41a has moved to the discharge end position based on the detection results of the linear encoders 52a and 53a.

また、スリットノズル41aの走査と並行して、制御部6は供給機構7に制御信号を与え、この制御信号に応じて供給機構7がレジストポンプ72aを駆動する。これにより、レジストボトル70からスリットノズル41aについて独立して設けられたレジスト液供給路73aを介して、スリットノズル41aにレジスト液が供給される。なお、制御部6は、スリットノズル41aから吐出されるレジスト液の流量を所望する膜厚の薄膜を形成するために必要な流量となるように、供給機構7を制御する。具体的には、レジストポンプ72aの駆動速度を制御する。   In parallel with the scanning of the slit nozzle 41a, the control unit 6 gives a control signal to the supply mechanism 7, and the supply mechanism 7 drives the registration pump 72a in accordance with this control signal. As a result, the resist solution is supplied from the resist bottle 70 to the slit nozzle 41a via the resist solution supply path 73a provided independently for the slit nozzle 41a. The control unit 6 controls the supply mechanism 7 so that the flow rate of the resist solution discharged from the slit nozzle 41a becomes a flow rate necessary to form a thin film having a desired film thickness. Specifically, the drive speed of the resist pump 72a is controlled.

以上のような動作により、スリットノズル41aがレジスト塗布領域にレジスト液を吐出し、基板90の表面上にレジスト液の層(薄膜)が形成される。すなわち、スリットノズル41aによる塗布処理が行われる。   By the operation as described above, the slit nozzle 41 a discharges the resist solution to the resist coating region, and a layer (thin film) of the resist solution is formed on the surface of the substrate 90. That is, the coating process by the slit nozzle 41a is performed.

スリットノズル41aが吐出終了位置まで移動すると、制御部6が制御信号を供給機構7に与える。その制御信号に基づいて、供給機構7がレジストポンプ72aを停止する。これにより、スリットノズル41aからのレジスト液の吐出が停止し、スリットノズル41aによる塗布処理が終了する(ステップS13においてYesと判定される)。なお、後述するスリットノズル41bによる塗布処理もほぼ同様に行われる。   When the slit nozzle 41 a moves to the discharge end position, the control unit 6 gives a control signal to the supply mechanism 7. Based on the control signal, the supply mechanism 7 stops the registration pump 72a. Thereby, the discharge of the resist solution from the slit nozzle 41a is stopped, and the coating process by the slit nozzle 41a is completed (determined as Yes in step S13). A coating process by a slit nozzle 41b, which will be described later, is performed in substantially the same manner.

スリットノズル41aによる塗布処理が完了すると、基板処理装置1は、スリットノズル41aに対するメンテナンスを開始する(ステップS14)。   When the coating process by the slit nozzle 41a is completed, the substrate processing apparatus 1 starts maintenance for the slit nozzle 41a (step S14).

本実施の形態における基板処理装置1において、スリットノズル41aに対して行われるメンテナンスを説明すると、まず、制御部6は、昇降機構43a,44a、およびリニアモータ50,51に制御信号を与え、昇降機構43a,44aおよびリニアモータ50,51がスリットノズル41aを待機ポット85aの上方に移動させる。   In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the maintenance performed on the slit nozzle 41a will be described. First, the control unit 6 gives control signals to the lifting mechanisms 43a and 44a and the linear motors 50 and 51 to move up and down. The mechanisms 43a, 44a and the linear motors 50, 51 move the slit nozzle 41a above the standby pot 85a.

次に、供給機構7が所定量のレジスト液をスリットノズル41aに供給することにより、スリットノズル41aがレジスト液を待機ポット85aに吐出する。これにより、例えば塗布終了時のサックバックなどによってスリットノズル41aの内部に混入したエアを除去することができる。したがって、次回、スリットノズル41aによる塗布処理が行われる際に、吐出応答性および吐出均一性が向上するため、スリットノズル41aの吐出精度を向上させることができる。このように、本実施の形態における基板処理装置1では、制御部6、供給機構7および待機ポット85a(プリ塗布機構86a)によってもエア抜き処理を行うことができる。すなわち、エア抜き機構74aのみならず、これらの構成も本願発明のエア抜き手段としての機能を有している。   Next, when the supply mechanism 7 supplies a predetermined amount of resist solution to the slit nozzle 41a, the slit nozzle 41a discharges the resist solution to the standby pot 85a. Thereby, for example, air mixed in the slit nozzle 41a can be removed by sucking back at the end of application. Therefore, when the coating process is performed by the slit nozzle 41a next time, the discharge response and the uniformity of the discharge are improved, so that the discharge accuracy of the slit nozzle 41a can be improved. Thus, in the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, the air bleeding process can be performed also by the control unit 6, the supply mechanism 7, and the standby pot 85a (pre-coating mechanism 86a). That is, not only the air bleeding mechanism 74a but also these structures have a function as the air bleeding means of the present invention.

エア抜き処理が終了すると、洗浄機構8がポンプ82aを駆動して洗浄液ボトル80から洗浄液を洗浄液吐出機構83aに供給しつつ、洗浄液吐出機構83aをY軸方向に移動させる。これにより、スリットノズル41aの先端部の洗浄処理(図7に示す外部洗浄処理と同様の処理)が行われ、付着したレジスト液やその他の汚染物が取り除かれる。したがって、次回、スリットノズル41aによる塗布処理が行われる際に、パーティクルが基板90に付着したり、形成される膜の厚みが不均一になることを抑制することができるため、スリットノズル41aによる塗布精度を向上させることができる。   When the air bleeding process is completed, the cleaning mechanism 8 drives the pump 82a to supply the cleaning liquid from the cleaning liquid bottle 80 to the cleaning liquid discharge mechanism 83a, and moves the cleaning liquid discharge mechanism 83a in the Y-axis direction. As a result, a cleaning process (similar to the external cleaning process shown in FIG. 7) of the tip of the slit nozzle 41a is performed, and the adhering resist solution and other contaminants are removed. Therefore, when the coating process is performed by the slit nozzle 41a next time, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate 90 and the thickness of the film to be formed from being uneven. Accuracy can be improved.

以上が主に基板処理中の基板処理装置1におけるスリットノズル41aに対するメンテナンスの内容である。なお、後述するスリットノズル41bについてのメンテナンスもほぼ同様の内容である。   The above is the content of the maintenance for the slit nozzle 41a in the substrate processing apparatus 1 during the substrate processing. The maintenance for the slit nozzle 41b described later has substantially the same content.

ステップS14が実行され、スリットノズル41aに対するメンテナンスが開始されるのと並行して、基板処理装置1は塗布処理が終了した基板90の搬出処理を行い、制御部6は、基板90の搬出処理の完了を監視する(ステップS15)。基板90の搬出処理において、まず、ステージ3は基板90の吸着を停止し、リフトピンLPを上昇させることにより基板90を所定の高さ位置に持ち上げる。この状態の基板90をオペレータまたは搬送機構が受け取り、次の処理工程に搬送し、基板90の搬出処理が完了する(ステップS15においてYesと判定される)。   In parallel with the execution of step S14 and the start of the maintenance for the slit nozzle 41a, the substrate processing apparatus 1 performs the unloading process of the substrate 90 after the coating process, and the control unit 6 performs the unloading process of the substrate 90. Completion is monitored (step S15). In the unloading process of the substrate 90, first, the stage 3 stops the suction of the substrate 90 and raises the lift pin LP to lift the substrate 90 to a predetermined height position. The substrate 90 in this state is received by the operator or the transport mechanism, transported to the next processing step, and the unloading process of the substrate 90 is completed (determined as Yes in step S15).

基板90の搬出処理が終了すると、基板処理装置1は、さらに処理すべき基板90(以下、次に処理すべき基板90を「基板91」と称する)が存在するか否かによって、動作を終了するか否かを判定し(ステップS16)、基板91が存在しない場合(ステップS16においてYes)、処理を終了する。   When the unloading process of the substrate 90 is completed, the substrate processing apparatus 1 ends the operation depending on whether or not there is a substrate 90 to be further processed (hereinafter, the substrate 90 to be processed next is referred to as “substrate 91”). Whether or not to do so is determined (step S16), and if the substrate 91 does not exist (Yes in step S16), the process ends.

一方、基板処理装置1は、基板91が存在する場合(ステップS16においてNo)、基板91についての搬入作業を行い、当該搬入作業の完了を監視する(ステップS21)。   On the other hand, when the substrate 91 is present (No in step S16), the substrate processing apparatus 1 performs a loading operation on the substrate 91 and monitors the completion of the loading operation (step S21).

基板91の搬入が完了すると、スリットノズル41bのメンテナンスを終了して、スリットノズル41bによる塗布処理を開始する(ステップS22)。スリットノズル41bによる塗布処理は、スリットノズル41aによる塗布処理とほぼ同様に行われる。   When the carry-in of the substrate 91 is completed, the maintenance of the slit nozzle 41b is finished and the coating process by the slit nozzle 41b is started (step S22). The coating process using the slit nozzle 41b is performed in substantially the same manner as the coating process using the slit nozzle 41a.

このように、本実施の形態における基板処理装置1では、基板91に対する塗布処理をスリットノズル41bが行うことにより、基板91が搬入された時点でスリットノズル41aについてのメンテナンスを終了する必要がない。すなわち、従来の装置では、ステップS14が実行された後、基板搬出搬入の時間(ステップS15,S16,S21が実行される間の時間に相当する)しかメンテナンスに充てることができなかったが、基板処理装置1では、ステップS15,16、ステップS21ないしS26、ステップS11が実行される間の時間をスリットノズル41aのメンテナンス時間に充てることができる。したがって、基板処理装置1を停止させることなく、エア抜き処理のように比較的長時間を要するメンテナンスを行ったとしても、基板90に対するタクトタイムが増大することがない。   As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the slit nozzle 41b performs the coating process on the substrate 91, so that it is not necessary to end the maintenance for the slit nozzle 41a when the substrate 91 is loaded. That is, in the conventional apparatus, after the execution of step S14, only the time for carrying in / out the substrate (corresponding to the time during which steps S15, S16, and S21 are executed) can be used for maintenance. In the processing apparatus 1, the time during which steps S15 and S16, steps S21 to S26, and step S11 are executed can be used for the maintenance time of the slit nozzle 41a. Therefore, even if maintenance that requires a relatively long time, such as an air bleeding process, is performed without stopping the substrate processing apparatus 1, the tact time for the substrate 90 does not increase.

基板91に対するスリットノズル41bによる塗布処理が終了すると(ステップS23においてYes)、基板処理装置1は、スリットノズル41bのメンテナンスを開始するとともに(ステップS24)、基板91の搬出作業を開始し、当該搬出作業の完了を監視する(ステップS25)。   When the coating process by the slit nozzle 41b on the substrate 91 is completed (Yes in step S23), the substrate processing apparatus 1 starts the maintenance of the slit nozzle 41b (step S24), and starts the unloading operation of the substrate 91. The completion of the work is monitored (step S25).

基板91の搬出が完了すると、さらに処理すべき基板90が存在する否かを判定することにより、動作を終了するか否かを判定し(ステップS26)、処理すべき基板90が存在しない場合には処理を終了する。   When the unloading of the substrate 91 is completed, it is determined whether or not the operation is finished by determining whether or not there is a substrate 90 to be further processed (step S26). Ends the process.

一方、処理すべき基板90が存在する場合には、ステップS11に戻って処理を継続する。このように、基板処理装置1は、処理すべき基板90が存在しなくなるまで(ステップS16またはステップS26においてNoと判定するまで)、ステップS11ないしS16およびステップS21ないしS26の処理を継続する。   On the other hand, if there is a substrate 90 to be processed, the process returns to step S11 to continue the process. In this way, the substrate processing apparatus 1 continues the processes of steps S11 to S16 and steps S21 to S26 until there is no substrate 90 to be processed (until determined as No in step S16 or step S26).

以上のように、本実施の形態における基板処理装置1は、ステージ3に保持された基板90のレジスト塗布領域のほぼ全域に向けて、レジスト液を吐出する複数のスリットノズル41a,41bを備え、複数のスリットノズル41a,41bのうち、基板90に対する吐出を行っていないスリットノズルに対してメンテナンスを行うことにより、基板90に対する処理を継続しつつ、他のスリットノズルの洗浄を十分に行うことができる。   As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment includes the plurality of slit nozzles 41 a and 41 b that discharge the resist solution toward almost the entire resist coating region of the substrate 90 held on the stage 3. Of the plurality of slit nozzles 41a and 41b, maintenance is performed on the slit nozzles that are not ejecting to the substrate 90, so that the other slit nozzles can be sufficiently cleaned while the processing on the substrate 90 is continued. it can.

また、複数のスリットノズル41a,41bをそれぞれ独立して昇降させる昇降手段43a,44a,43b,44bと、複数のスリットノズル41a,41bのそれぞれについて、ステージ3に保持された基板90との間隔を測定するギャップセンサ42a,42bとを備え、ギャップセンサ42a,42bによる測定結果に応じて、複数のスリットノズル41a,41bを昇降させることにより、複数のスリットノズル41a,41bのいずれもが、どのような厚みの基板90にも対応することができる。   The intervals between the lifting means 43a, 44a, 43b, 44b that lift and lower the plurality of slit nozzles 41a, 41b independently and the substrate 90 held on the stage 3 for each of the plurality of slit nozzles 41a, 41b is set. Gap sensors 42a and 42b for measurement, and by raising and lowering the plurality of slit nozzles 41a and 41b in accordance with the measurement results by the gap sensors 42a and 42b, how are all of the plurality of slit nozzles 41a and 41b? It is possible to deal with a substrate 90 having a large thickness.

また、架橋構造4a,4bをX軸方向に移動させる機構として、リニアモータ50,51を採用することにより、フットプリントの増加を防止することができる。   Further, by adopting linear motors 50 and 51 as a mechanism for moving the bridging structures 4a and 4b in the X-axis direction, an increase in footprint can be prevented.

なお、本実施の形態における基板処理装置1では、スリットノズル41a,41bに供給するレジスト液はいずれもレジストボトル70から供給されるものであり、共通のレジスト液であった。しかし、レジスト液供給路73a,73bのそれぞれに接続されるレジストボトル70をそれぞれ別個に設け、それらのレジストボトル70に互いに異なるレジスト液を貯留しておいてもよい。すなわち、本実施の形態における基板処理装置1は、レジスト液供給路73a,73bがそれぞれ独立に設けられているため、スリットノズル41a,41bが互いに異なる処理液を吐出するように構成してもよい。その場合、基板90と基板91とは互いにことなる処理液が塗布されることとなるが、その場合であっても、スリットノズル41a,41bのメンテナンス時間は十分に確保することができる。   In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the resist solutions supplied to the slit nozzles 41a and 41b are both supplied from the resist bottle 70 and are common resist solutions. However, the resist bottles 70 connected to the resist solution supply paths 73 a and 73 b may be provided separately, and different resist solutions may be stored in the resist bottles 70. That is, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment may be configured such that the slit nozzles 41a and 41b discharge different processing liquids because the resist liquid supply paths 73a and 73b are independently provided. . In this case, different processing liquids are applied to the substrate 90 and the substrate 91, but even in that case, sufficient maintenance time can be secured for the slit nozzles 41a and 41b.

また、洗浄機構8が洗浄液吐出機構83a,83bに供給する洗浄液はいずれも洗浄液ボトル80から供給されるものであり、共通の洗浄液であった。しかし、洗浄液供給路84a,84bのそれぞれに接続される洗浄液ボトル80をそれぞれ別個に設け、それらの洗浄液ボトル80に互いに異なる洗浄液を貯留しておいてもよい。すなわち、本実施の形態における基板処理装置1は、洗浄液供給路84a,84bがそれぞれ独立に設けられているため、例えばスリットノズル41a,41bが使用する処理液に応じて、最適な洗浄液を用いてそれぞれのスリットノズル41a,41bを洗浄するように構成してもよい。   Further, the cleaning liquid supplied from the cleaning mechanism 8 to the cleaning liquid discharge mechanisms 83a and 83b is supplied from the cleaning liquid bottle 80, and is a common cleaning liquid. However, the cleaning liquid bottles 80 connected to the cleaning liquid supply paths 84 a and 84 b may be provided separately, and different cleaning liquids may be stored in the cleaning liquid bottles 80. That is, since the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment is provided with the cleaning liquid supply paths 84a and 84b, respectively, for example, an optimal cleaning liquid is used according to the processing liquid used by the slit nozzles 41a and 41b. You may comprise so that each slit nozzle 41a, 41b may be wash | cleaned.

また、ステップS14(またはS24)におけるメンテナンス(基板処理装置1による基板処理中のメンテナンス)が、1枚の基板を処理する間に終了することが難しい場合、スリットノズル41a,41bは続けて2枚の基板に塗布処理を行ってもよい。すなわち、何枚の基板を処理するごとにスリットノズル41aとスリットノズル41bを交代させるかは、実行するメンテナンスに要する時間に応じて決定すればよい。   Further, when it is difficult to complete the maintenance in step S14 (or S24) (maintenance during the substrate processing by the substrate processing apparatus 1) while processing one substrate, the slit nozzles 41a and 41b are continuously two. The substrate may be coated. That is, it is only necessary to determine how many substrates are processed to replace the slit nozzle 41a and the slit nozzle 41b according to the time required for the maintenance to be performed.

<2. 第2の実施の形態>
上記第1の実施の形態では、スリットノズル41a,41bによって交互に塗布処理を行うことによって、スリットノズル41a,41bのメンテナンス時間を確保する手法について説明した。しかし、メンテナンスは基板処理装置1の動作中に行われるものに限られるものではなく、例えばスリットノズルの異常によって、当該スリットノズルを分解して洗浄したり、交換したりするようなメンテナンス(以下、「回復メンテナンス」と称する)もある。回復メンテナンスは、比較的長時間を要するメンテナンスであり、一般にオペレータによる作業が必要であるため、従来では装置を停止し、メンテナンスが終了した時点でオペレータの指示により装置の運転を再開させていた。本発明にかかる基板処理装置1は、このような回復メンテナンスを実行する場合にもタクトタイムの増大を抑制することができる。
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, the method of ensuring the maintenance time of the slit nozzles 41a and 41b by performing the coating process alternately by the slit nozzles 41a and 41b has been described. However, the maintenance is not limited to what is performed during the operation of the substrate processing apparatus 1, for example, maintenance that disassembles and cleans or replaces the slit nozzle due to abnormality of the slit nozzle (hereinafter, referred to as “removal”). Also referred to as “recovery maintenance”. The recovery maintenance is a maintenance that requires a relatively long time and generally requires work by an operator. Therefore, conventionally, the apparatus is stopped, and the operation of the apparatus is restarted by an instruction from the operator when the maintenance is completed. The substrate processing apparatus 1 according to the present invention can suppress an increase in tact time even when such recovery maintenance is performed.

図8および図9は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態における基板処理装置1の動作を示す流れ図である。なお、第2の実施の形態における基板処理装置1の構成は、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様であるため、構成に関する説明は省略する。   FIG. 8 and FIG. 9 are flowcharts showing the operation of the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment configured based on such a principle. In addition, since the structure of the substrate processing apparatus 1 in 2nd Embodiment is as substantially the same as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment, the description regarding a structure is abbreviate | omitted.

まず、図示しない初期設定が終了すると、スリットノズル41aについて異常が発生しているか否かを判定し(ステップS31)、異常が発生している場合はスリットノズル41aの回復メンテナンスを開始する(ステップS41)。なお、ステップS31が実行されることにより、スリットノズル41aに異常が発見された場合の処理は後述する。また、異常の検出は、処理された基板90についての検査結果や、オペレータからの操作などに応じて検出してもよいし、所定枚数の処理が行われたことによって定期的に発生するものであってもよい。   First, when the initial setting (not shown) is completed, it is determined whether or not an abnormality has occurred in the slit nozzle 41a (step S31). If an abnormality has occurred, recovery maintenance of the slit nozzle 41a is started (step S41). ). In addition, the process when abnormality is discovered by the slit nozzle 41a by performing step S31 is mentioned later. In addition, the detection of abnormality may be detected according to the inspection result of the processed substrate 90, the operation from the operator, or the like, and occurs periodically when a predetermined number of processes are performed. There may be.

一方、スリットノズル41aに異常が発生してない場合は、基板90の搬入を行い、当該搬入作業の完了を監視する(ステップS32)。   On the other hand, when no abnormality has occurred in the slit nozzle 41a, the substrate 90 is carried in and the completion of the carrying-in operation is monitored (step S32).

本実施の形態における基板処理装置1は、基板90が搬入されると、スリットノズル41aのメンテナンスを終了して、スリットノズル41aによる塗布処理を開始する(ステップS33)。本実施の形態における塗布処理は、第1の実施の形態における塗布処理と同様であるため説明を省略する。   When the substrate 90 is carried in, the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment ends the maintenance of the slit nozzle 41a and starts the coating process by the slit nozzle 41a (step S33). The coating process in the present embodiment is the same as the coating process in the first embodiment, and thus description thereof is omitted.

ステップS34の実行により、スリットノズル41aによる塗布処理が完了したことを検出すると、スリットノズル41aのメンテナンスを開始するとともに(ステップS35)、基板90の搬出を行う。   When it is detected by the execution of step S34 that the coating process by the slit nozzle 41a is completed, the maintenance of the slit nozzle 41a is started (step S35), and the substrate 90 is carried out.

ステップS36の実行により、基板90の搬出の完了が検出されると、さらに処理すべき基板90が存在するか否かを判定し(ステップS37)、処理すべき基板90が存在する場合には、ステップS31に戻って処理を継続する。一方、処理すべき基板90が存在しない場合には、処理を終了する。   When completion of unloading of the substrate 90 is detected by execution of step S36, it is determined whether or not there is a substrate 90 to be further processed (step S37). It returns to step S31 and continues a process. On the other hand, if there is no substrate 90 to be processed, the process is terminated.

すなわち、第2の実施の形態における基板処理装置1は、スリットノズル41aについて回復メンテナンスが必要な異常が発生するまで(ステップS31においてYesと判定されるまで)は、スリットノズル41aによって従来の装置とほぼ同様な処理を行う。したがって、動作中、スリットノズル41aに対して行われるメンテナンスは、主に基板90の搬入搬出を行う間の時間(ステップS36,S37、S31,S32が実行される間の時間)に終了するものである。   That is, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment is different from the conventional apparatus by the slit nozzle 41a until an abnormality that requires recovery maintenance occurs for the slit nozzle 41a (until determined as Yes in step S31). Almost the same processing is performed. Therefore, during the operation, the maintenance performed on the slit nozzle 41a mainly ends during the time during which the substrate 90 is carried in and out (time during which steps S36, S37, S31, and S32 are executed). is there.

第2の実施の形態における基板処理装置1の動作中に、スリットノズル41aの異常を検出した場合(ステップS31においてYes)、前述のように、ステップS41を実行し、スリットノズル41aの回復メンテナンスを開始する。   When an abnormality of the slit nozzle 41a is detected during the operation of the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment (Yes in Step S31), Step S41 is executed as described above to perform recovery maintenance of the slit nozzle 41a. Start.

さらに、処理する基板90の搬入を行いつつ、基板90の搬入作業が完了するのを監視する(ステップS42)。そして、基板90が搬入されると、スリットノズル41bのメンテナンスを終了して、スリットノズル41bによる塗布処理を開始する(ステップS43)。   Further, the completion of the loading operation of the substrate 90 is monitored while loading the substrate 90 to be processed (step S42). And when the board | substrate 90 is carried in, the maintenance of the slit nozzle 41b will be complete | finished and the coating process by the slit nozzle 41b will be started (step S43).

すなわち、第2の実施の形態における基板処理装置1は、スリットノズル41aに回復メンテナンスが必要になると、スリットノズル41bを使用して塗布処理を継続する。従来の装置では、このような場合には動作を停止(ライン停止)して回復メンテナンスを行う必要があり、その間基板90をまったく処理できない状態となっていた。しかし、本実施の形態における基板処理装置1は、このような場合であってもラインを停止させる必要がなく、回復メンテナンスによるタクトタイムの増大を抑制することができる。   That is, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment continues the coating process using the slit nozzle 41b when the slit nozzle 41a needs to be restored. In such a case, in such a case, it is necessary to stop the operation (line stop) and perform recovery maintenance, and during that time, the substrate 90 cannot be processed at all. However, the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment does not need to stop the line even in such a case, and can suppress an increase in tact time due to recovery maintenance.

ステップS44の実行により、スリットノズル41bによる塗布処理が完了すると、基板処理装置1は、スリットノズル41bのメンテナンスを開始するとともに(ステップS45)、基板90の搬出を行う。   When the coating process by the slit nozzle 41b is completed by performing step S44, the substrate processing apparatus 1 starts maintenance of the slit nozzle 41b (step S45) and unloads the substrate 90.

さらに、ステップS46の実行により基板90の搬出の完了を検出すると、スリットノズル41aに対する回復メンテナンスが終了したか否かを判定し(ステップS47)、回復メンテナンスが終了している場合には、図8のステップS37に戻って処理を継続する。   Further, when the completion of the unloading of the substrate 90 is detected by executing step S46, it is determined whether or not the recovery maintenance for the slit nozzle 41a is completed (step S47). Returning to step S37, the processing is continued.

スリットノズル41aについての回復メンテナンスが終了していない場合には、さらに処理すべき基板90が存在するか否かを判定し(ステップS48)、処理すべき基板90が存在する場合には、ステップS42に戻って処理を継続する。一方、処理すべき基板90が存在しない場合には、処理を終了する。   If the recovery maintenance for the slit nozzle 41a is not completed, it is determined whether or not there is a substrate 90 to be further processed (step S48). If there is a substrate 90 to be processed, step S42 is determined. Return to and continue processing. On the other hand, if there is no substrate 90 to be processed, the process is terminated.

以上のように、第2の実施の形態における基板処理装置1においても、第1の実施の形態における基板処理装置1と同様に、メンテナンスによるタクトタイムの増大を抑制することができる。   As described above, also in the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment, an increase in tact time due to maintenance can be suppressed as in the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment.

なお、回復メンテナンスには、「異常」のように予測が不可能な場合に必要になるメンテナンスに限られるものではない。例えば、レジスト液の交換処理などのように、実行することが予測可能なメンテナンスも含まれる。   Note that the recovery maintenance is not limited to the maintenance required when the prediction is impossible such as “abnormal”. For example, maintenance that can be predicted to be performed, such as a resist solution replacement process, is also included.

<3. 第3の実施の形態>
第1の実施の形態では、比較的長時間を要する内部洗浄処理を初期設定においてのみ実行する例を説明した。しかし、メンテナンス条件を適宜設定することにより、基板処理装置1における塗布処理が開始された後に、塗布処理を継続しつつ内部洗浄処理を行うように構成することも可能である。
<3. Third Embodiment>
In the first embodiment, the example in which the internal cleaning process that requires a relatively long time is executed only in the initial setting has been described. However, by appropriately setting the maintenance conditions, the internal cleaning process can be performed while the coating process is continued after the coating process in the substrate processing apparatus 1 is started.

図10および図11は、第3の実施の形態における基板処理装置1の動作を示す流れ図である。なお、本実施の形態における基板処理装置1の構成は、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様であるため説明を省略する。   10 and 11 are flowcharts showing the operation of the substrate processing apparatus 1 in the third embodiment. Note that the configuration of the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment is substantially the same as that of the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

まず、第1の実施の形態におけるステップS10,S11と同様に、初期設定(ステップS51)および基板90の搬入完了確認が行われる(ステップS52)。   First, as in steps S10 and S11 in the first embodiment, initial setting (step S51) and confirmation of completion of loading of the substrate 90 are performed (step S52).

基板90が搬入されると、制御部6はスリットノズル41a対するメンテナンスが終了しているか否かを判定し(ステップS53)、スリットノズル41aに対するメンテナンスが行われている場合には、さらにスリットノズル41bに対するメンテナンスが終了しているか否かを判定する(ステップS54)。すなわち、本実施の形態における基板処理装置1は、スリットノズル41aおよびスリットノズル41bのいずれかが使用可能になるまで、ステップS53,S54を繰り返しながら塗布処理を待機する。   When the substrate 90 is carried in, the control unit 6 determines whether or not the maintenance for the slit nozzle 41a has been completed (step S53). If the maintenance for the slit nozzle 41a is being performed, the control is further performed. It is determined whether or not the maintenance for is completed (step S54). That is, the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment waits for the coating process while repeating steps S53 and S54 until either the slit nozzle 41a or the slit nozzle 41b becomes usable.

スリットノズル41aが使用可能な場合(ステップS53においてYes)、スリットノズル41aによる塗布処理を開始し(ステップS55)、スリットノズル41bが使用可能な場合(ステップS54においてYes)、スリットノズル41bによる塗布処理を開始する(ステップS56)。このようにして、スリットノズル41aおよびスリットノズル41bのうち、基板90に対する塗布処理を行うスリットノズルとして選択された方を、以下、「対象スリットノズル」と称する。なお、対象スリットノズルによる塗布処理は、第1の実施の形態において説明した塗布処理と同様であるため説明を省略する。   When the slit nozzle 41a can be used (Yes in step S53), the coating process by the slit nozzle 41a is started (step S55). When the slit nozzle 41b can be used (Yes in step S54), the coating process by the slit nozzle 41b. Is started (step S56). In this manner, the slit nozzle 41a and the slit nozzle 41b that are selected as the slit nozzles that perform the coating process on the substrate 90 are hereinafter referred to as “target slit nozzles”. Note that the coating process using the target slit nozzle is the same as the coating process described in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

制御部6は、対象スリットノズルによる塗布処理が完了すると(ステップS61においてYes)、対象スリットノズルの使用回数をインクリメントする。使用回数とは、前回の内部洗浄処理から当該対象スリットノズルが連続して塗布処理を行った回数である。これにより、以後の処理において、制御部6は、スリットノズル41a,41bが何回連続して塗布処理を行ったかを知得することができる。   When the application process using the target slit nozzle is completed (Yes in step S61), the control unit 6 increments the number of times the target slit nozzle is used. The number of times of use is the number of times that the target slit nozzle has continuously applied the coating process since the previous internal cleaning process. Thereby, in the subsequent process, the control unit 6 can know how many times the slit nozzles 41a and 41b have performed the coating process continuously.

次に、制御部6は、メンテナンス処理を開始するとともに(ステップS62)、基板90の搬出完了を監視する(ステップS63)。すなわち、本実施の形態における基板処理装置1は、ステップS62によってメンテナンス処理を開始するが、その終了を待たずに塗布処理を続行する。   Next, the control unit 6 starts a maintenance process (step S62) and monitors completion of unloading the substrate 90 (step S63). That is, the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment starts the maintenance process in step S62, but continues the coating process without waiting for the end of the maintenance process.

図12は、第3の実施の形態におけるメンテナンス処理の動作を示す流れ図である。メンテナンス処理では、まず、スリットノズルチェックが行われる(ステップS71)。スリットノズルチェックとは、メンテナンス処理を行うスリットノズルを特定する処理であり、本実施の形態では直前の塗布処理を行ったスリットノズル(対象スリットノズル)が選択される。   FIG. 12 is a flowchart showing the operation of the maintenance process in the third embodiment. In the maintenance process, first, a slit nozzle check is performed (step S71). The slit nozzle check is a process for specifying a slit nozzle for performing a maintenance process. In the present embodiment, a slit nozzle (target slit nozzle) that has performed a previous coating process is selected.

対象スリットノズルが決まると、制御部6はカウントしていた当該対象スリットノズルの使用回数を参照して、所定回数使用したか否かを判定する(ステップS72)。このときの判定基準となる所定回数は、オペレータによってメンテナンス条件として予め入力され設定される。制御部6は、記憶部61に所定回数として記憶されている当該設定値を参照することにより、ステップS72の判定を実行する。   When the target slit nozzle is determined, the control unit 6 refers to the counted number of times of use of the target slit nozzle and determines whether or not the target slit nozzle has been used a predetermined number of times (step S72). The predetermined number of times as a determination criterion at this time is previously input and set as a maintenance condition by the operator. The control unit 6 performs the determination in step S72 by referring to the set value stored as a predetermined number of times in the storage unit 61.

すでに所定回数使用している場合、制御部6は、リニアモータ50,51を制御して、対象スリットノズルをプリ塗布機構86a(またはプリ塗布機構86b)の上方に移動させる(ステップS73)。そして対象スリットノズルの移動が完了すると内部洗浄処理(ステップS74)を実行する。なお、ステップS74の内部洗浄処理は、第1の実施の形態におけるステップS102ないしS104(図7)とほぼ同様の処理であるため説明を省略する。   If it has been used a predetermined number of times, the controller 6 controls the linear motors 50 and 51 to move the target slit nozzle above the pre-coating mechanism 86a (or pre-coating mechanism 86b) (step S73). When the movement of the target slit nozzle is completed, an internal cleaning process (step S74) is executed. Note that the internal cleaning process in step S74 is substantially the same as the process in steps S102 to S104 (FIG. 7) in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

一方、まだ所定回数使用していない場合は、内部洗浄処理を省略するために、ステップS73,S74をスキップする。   On the other hand, if it has not been used a predetermined number of times, steps S73 and S74 are skipped in order to omit the internal cleaning process.

次に、制御部6は、リニアモータ50,51を制御して、対象スリットノズルを待機ポット85a(または待機ポット85b)の上方に移動させる(ステップS75)。そして、対象スリットノズルの移動が完了すると、外部洗浄処理(ステップS76)を実行する。なお、ステップS76の外部洗浄処理は、第1の実施の形態におけるステップS106ないしS109(図7)とほぼ同様の処理であるため説明を省略する。   Next, the control unit 6 controls the linear motors 50 and 51 to move the target slit nozzle above the standby pot 85a (or standby pot 85b) (step S75). When the movement of the target slit nozzle is completed, an external cleaning process (step S76) is executed. Note that the external cleaning process in step S76 is substantially the same as the process in steps S106 to S109 (FIG. 7) in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

このようにして、制御部6は、所定回数連続して塗布処理を行ったスリットノズル41a,41bについては、その塗布処理が終了した後に内部洗浄処理(ステップS74)と外部洗浄処理(ステップS76)とを連続して実行する。一方、まだ連続使用回数が所定回数に達していないスリットノズル41a,41bについては、塗布処理の後に外部洗浄処理(ステップS76)のみ行う。このように、本実施の形態における基板処理装置1では、制御部6がメンテナンス条件に応じて、適宜必要なメンテナンスを実行することにより、スリットノズル41a,41bの状態を正常に保つことができる。   In this way, the control unit 6 performs the internal cleaning process (step S74) and the external cleaning process (step S76) after the coating process is completed for the slit nozzles 41a and 41b that have been applied for a predetermined number of times. Are executed continuously. On the other hand, only the external cleaning process (step S76) is performed after the coating process for the slit nozzles 41a and 41b whose continuous use count has not yet reached the predetermined number. As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the control unit 6 can properly maintain the state of the slit nozzles 41a and 41b by appropriately performing necessary maintenance according to the maintenance conditions.

外部洗浄処理が終了すると、制御部6は、昇降機構43a,44a(または昇降機構43b,44b)を制御して、対象スリットノズルを降下させ、先端部を待機ポット85a(または待機ポット85b)内に侵入させる。すなわち、対象スリットノズルを待機位置に移動させる(ステップS77)。   When the external cleaning process is completed, the control unit 6 controls the elevating mechanisms 43a and 44a (or elevating mechanisms 43b and 44b) to lower the target slit nozzle and place the tip in the standby pot 85a (or the standby pot 85b). To invade. That is, the target slit nozzle is moved to the standby position (step S77).

以上のようにしてメンテナンス処理が終了する。メンテナンス処理は、先述のように、ステップS62(図11)によって開始されるが、その終了を待たずに塗布処理は続行される。したがって、メンテナンス処理が終了していなくても、基板90の搬出が完了すると、さらに処理する基板90が存在するか否かを判定し(ステップS64)、まだ塗布処理を施すべき基板90が存在する場合はステップS52(図10)に戻って処理を繰り返す。   The maintenance process ends as described above. As described above, the maintenance process is started in step S62 (FIG. 11), but the coating process is continued without waiting for the end of the maintenance process. Therefore, even if the maintenance process is not completed, when the unloading of the substrate 90 is completed, it is determined whether or not there is a substrate 90 to be further processed (step S64), and there is still a substrate 90 to be subjected to the coating process. In this case, the process returns to step S52 (FIG. 10) to repeat the process.

しかし、メンテナンス処理の対象となっているスリットノズル41a,41bは塗布処理を行うことができないので、ステップS71によって対象スリットノズルに特定されてからステップS77の処理が終了するまでの間、当該対象スリットノズルのステータスは「メンテナンス中」となる。制御部6は、ステップS53,S54(図10)において、このステータスを参照することにより、次に塗布処理を行わせるスリットノズル41a,41bを決定する。   However, since the slit nozzles 41a and 41b that are the target of the maintenance process cannot be applied, the target slit is not specified until the process of step S77 is completed after being identified as the target slit nozzle in step S71. The status of the nozzle is “in maintenance”. In Steps S53 and S54 (FIG. 10), the control unit 6 refers to this status to determine the slit nozzles 41a and 41b for performing the coating process next.

このように、本実施の形態における基板処理装置1は、複数のスリットノズル41a,41bを備えているので、いずれかが使用可能であれば(ステップS53,S54のいずれかがYes)、塗布処理を実行することができる。したがって、一方のスリットノズルに内部洗浄処理のように比較的長時間を要するメンテナンスを行いつつ、他方のスリットノズルによって塗布処理を継続することができ、基板90の処理効率を向上させることができる。   Thus, since the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment includes the plurality of slit nozzles 41a and 41b, if any of them can be used (Yes in steps S53 and S54), the coating process is performed. Can be executed. Accordingly, the coating process can be continued with the other slit nozzle while performing maintenance that requires a relatively long time like the internal cleaning process for one slit nozzle, and the processing efficiency of the substrate 90 can be improved.

なお、本実施の形態における基板処理装置1では、スリットノズル41a,41bに対して並行してメンテナンス処理が行われている状態もあり得るが、その場合は、いずれかのメンテナンス処理が終了するまで、ステップS53,54の処理を繰り返しつつ、塗布処理を待機することとなる。   In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, there may be a state in which maintenance processing is performed in parallel with respect to the slit nozzles 41a and 41b, but in that case, until any maintenance processing is completed. Then, the coating process is waited while repeating the processes of steps S53 and S54.

基板処理装置1は、ステップS64において、さらに処理すべき基板90が存在しないと判定されると、メンテナンス処理の終了を待って処理を終了する。   If it is determined in step S64 that there is no further substrate 90 to be processed, the substrate processing apparatus 1 ends the process after waiting for the end of the maintenance process.

以上のように、本実施の形態における基板処理装置1も上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。   As described above, the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment can also obtain the same effects as those in the above embodiment.

なお、本実施の形態に示すように、塗布処理の開始時からスリットノズル41a,41bとを交互に使用すると、ほぼ同時に所定回数に達し、ほぼ同時に内部洗浄処理(ステップS74)が必要となる。この場合は、比較的長時間両方のスリットノズル41a,41bが使用不能となる。したがって、例えば、最初の一定枚数分はスリットノズル41aのみで塗布処理を行ってから交互運用を開始するようにしてもよい。   As shown in the present embodiment, when the slit nozzles 41a and 41b are alternately used from the start of the coating process, the predetermined number of times is reached almost simultaneously, and the internal cleaning process (step S74) is required almost simultaneously. In this case, both slit nozzles 41a and 41b become unusable for a relatively long time. Therefore, for example, the alternate operation may be started after the coating process is performed by only the slit nozzle 41a for the first fixed number of sheets.

<4. 第4の実施の形態>
基板処理装置1は、独立したレジスト液供給路73a,73bを備えているので、異なるレジスト液をそれぞれ供給して交互に異なる塗布処理を行うことができることは上記第1の実施の形態において説明した。しかし、複数種類のレジスト液を使用する場合には、レジスト液を交換する時間を確保するように運用することも可能である。
<4. Fourth Embodiment>
Since the substrate processing apparatus 1 includes the independent resist solution supply paths 73a and 73b, it has been described in the first embodiment that different resist solutions can be supplied and different coating processes can be performed alternately. . However, when a plurality of types of resist solutions are used, it is also possible to operate so as to ensure time for replacing the resist solution.

以下に本実施の形態の原理を簡単に説明すると、レジスト液Aによる塗布処理をスリットノズル41aのみで実行している間に、スリットノズル41bに供給するレジスト液をレジスト液Bに交換する。これにより、レジスト液Bへ交換するためのメンテナンス時間を確保することができる。   The principle of the present embodiment will be briefly described below. The resist solution supplied to the slit nozzle 41b is replaced with the resist solution B while the coating process using the resist solution A is executed only by the slit nozzle 41a. Thereby, the maintenance time for exchanging to the resist liquid B is securable.

レジスト液Bへの交換が終了すると、スリットノズル41aとスリットノズル41bとによって交互に塗布処理を行う。これにより、各スリットノズル41a,41bの外部洗浄処理のメンテナンス時間を確保することができる。   When the replacement with the resist solution B is completed, the coating process is alternately performed by the slit nozzle 41a and the slit nozzle 41b. Thereby, the maintenance time of the external cleaning process of each slit nozzle 41a, 41b is securable.

さらに、レジスト液Aを塗布する塗布処理が終了すると、スリットノズル41bのみで塗布処理を継続しつつ、レジスト液Aをレジスト液Cに交換する。これにより、レジスト液Cへ交換するためのメンテナンス時間を確保することができる。   Further, when the coating process for coating the resist solution A is completed, the resist solution A is replaced with the resist solution C while continuing the coating process only with the slit nozzle 41b. Thereby, the maintenance time for replacing | exchanging to the resist liquid C is securable.

このように、どのレジスト液で、それぞれ何枚の基板90を処理するかが予め製造計画等により明らかであれば、これをメンテナンス条件として設定することによって、効率のよい運用が可能となる。   As described above, if it is clear from a manufacturing plan or the like how many substrates 90 are processed with which resist solution in advance, efficient operation can be performed by setting this as a maintenance condition.

<5. 第5の実施の形態>
スリットノズル41a,41bに付着したレジスト液を除去するために行うメンテナンスとして、上記実施の形態では、主に外部洗浄処理について説明したが、レジスト液を除去する手法は、これに限られるものではない。
<5. Fifth embodiment>
As the maintenance performed to remove the resist solution adhering to the slit nozzles 41a and 41b, the above embodiment has mainly described the external cleaning process, but the method of removing the resist solution is not limited to this. .

図13は、このような原理に基づいて構成した第5の実施の形態における基板処理装置1の除去機構75を示す図である。なお、図13では、1つの除去機構75のみ図示しているが、本実施の形態における基板処理装置1は2つの除去機構75を備えており、それぞれが待機ポット85a,85bの上方に配置されている。   FIG. 13 is a view showing a removal mechanism 75 of the substrate processing apparatus 1 in the fifth embodiment configured based on such a principle. In FIG. 13, only one removal mechanism 75 is shown, but the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment includes two removal mechanisms 75, which are arranged above the standby pots 85a and 85b, respectively. ing.

除去機構75は、ベース750、一対の掻き取り部材751、送りナット部752、ボールネジ753および図示しない回転モータを備えている。   The removal mechanism 75 includes a base 750, a pair of scraping members 751, a feed nut portion 752, a ball screw 753, and a rotation motor (not shown).

ベース750は板状の部材であって、(+Z)側の面に一対の掻き取り部材751がY軸方向に配列して固定される。掻き取り部材751は板状の樹脂製の部材であって、図13に示すように、それぞれ上部に切り欠き部751aが形成されている。この切り欠き部751aは、スリットノズル41a,41bの先端部に迎合する形状となっている。なお、掻き取り部材751の個数や形状は、図13に示すものに限られるものではない。   The base 750 is a plate-like member, and a pair of scraping members 751 are arranged and fixed on the (+ Z) side surface in the Y-axis direction. The scraping member 751 is a plate-shaped resin member, and as shown in FIG. 13, a notch 751a is formed in the upper part. The notch 751a has a shape that meets the tip of the slit nozzles 41a and 41b. Note that the number and shape of the scraping members 751 are not limited to those shown in FIG.

ベース750の(−Z)側の面には送りナット部752が固定される。略箱状の部材である送りナット部752には、Y軸方向に貫通するネジ穴が形成されており、このネジ穴にボールネジ753が螺入される。   A feed nut portion 752 is fixed to the (−Z) side surface of the base 750. A screw hole penetrating in the Y-axis direction is formed in the feed nut portion 752 that is a substantially box-shaped member, and a ball screw 753 is screwed into the screw hole.

ボールネジ753は、Y軸に沿って配置されており、そのY軸方向の長さはスリットノズル41a,41bのY軸方向の長さ以上とされる。また、ボールネジ753の片端には回転モータが取り付けられ、回転モータが駆動することによって、ボールネジ753はY軸に略平行な軸を中心に回転する。なお、ベース750は、図示を省略するガイド部材と迎合しており、ボールネジ753の回転によって回転することのないようにされている。したがって、ボールネジ753が回転モータによって回転すると、送りナット部752がベース750および一対の掻き取り部材751とともにY軸方向に移動する。また、回転モータは制御部6からの制御により、その回転方向および回転速度が調節可能とされている。   The ball screw 753 is disposed along the Y-axis, and the length in the Y-axis direction is equal to or longer than the length of the slit nozzles 41a and 41b in the Y-axis direction. In addition, a rotary motor is attached to one end of the ball screw 753, and the ball screw 753 rotates about an axis substantially parallel to the Y axis by driving the rotary motor. Note that the base 750 is in contact with a guide member (not shown) and is not rotated by the rotation of the ball screw 753. Therefore, when the ball screw 753 is rotated by the rotary motor, the feed nut portion 752 moves in the Y-axis direction together with the base 750 and the pair of scraping members 751. Further, the rotation direction and the rotation speed of the rotary motor can be adjusted by the control from the control unit 6.

以上のような構成の除去機構75によってスリットノズル41a,41bに付着したレジスト液を除去する手法(以下、「除去処理」と称する)を説明する。ただし、スリットノズル41a,41bに対する手法はほぼ同様であるので、ここではスリットノズル41aについてのみ説明する。   A method of removing the resist solution adhering to the slit nozzles 41a and 41b by the removing mechanism 75 having the above configuration (hereinafter referred to as “removal process”) will be described. However, since the methods for the slit nozzles 41a and 41b are substantially the same, only the slit nozzle 41a will be described here.

本実施の形態における基板処理装置1では、スリットノズル41aに対する外部洗浄処理(図7に示すステップS106ないしS109と同様の処理)に続いて、除去処理を行う。   In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the removal process is performed following the external cleaning process for the slit nozzle 41a (the same process as steps S106 to S109 shown in FIG. 7).

まず、制御部6がリニアモータ50,51および昇降機構43a,44aを制御して、外部洗浄処理が終了したスリットノズル41aを除去機構75の上方に移動させる。さらに、昇降機構43a,44aによってスリットノズル41aを若干下降させて、スリットノズル41aの先端部を掻き取り部材751の切り欠き部751aに迎合するように押しつける。   First, the controller 6 controls the linear motors 50 and 51 and the elevating mechanisms 43a and 44a to move the slit nozzle 41a that has undergone the external cleaning process above the removal mechanism 75. Further, the slit nozzle 41a is slightly lowered by the elevating mechanisms 43a and 44a, and the leading end portion of the slit nozzle 41a is pressed so as to meet the notch portion 751a of the scraping member 751.

この状態で、制御部6が回転モータを駆動してボールネジ753を回転させる。これによって、掻き取り部材751がスリットノズル41aの先端部に当接したまま、掻き取り部材751がY軸方向に移動する。したがって、スリットノズル41aに付着していた付着物が、掻き取り部材751によって掻き取られ、除去される。   In this state, the control unit 6 drives the rotary motor to rotate the ball screw 753. As a result, the scraping member 751 moves in the Y-axis direction while the scraping member 751 is in contact with the tip of the slit nozzle 41a. Therefore, the adhering matter adhering to the slit nozzle 41a is scraped off and removed by the scraping member 751.

なお、本実施の形態における基板処理装置1では、掻き取り部材751の材料として樹脂を採用するが、スリットノズル41a,41bを形成する材料よりも柔らかいものであればどのような材料を用いてもよい。また、掻き取り部材751はベース750に掻き取り部材751を(+Z)方向に付勢する部材(例えばバネやゴムなど)を介して取り付けられていてもよい。   In the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, resin is used as the material of the scraping member 751, but any material can be used as long as it is softer than the material forming the slit nozzles 41a and 41b. Good. The scraping member 751 may be attached to the base 750 via a member (for example, a spring or rubber) that biases the scraping member 751 in the (+ Z) direction.

制御部6は、メンテナンス条件に設定されている回数だけ走査を繰り返してから、除去処理を終了する。   The control unit 6 repeats scanning as many times as set in the maintenance condition, and then ends the removal process.

以上のように、メンテナンス手段が除去機構75のように、レジスト液を掻き取り除去する機構であっても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。   As described above, even if the maintenance means is a mechanism that scrapes and removes the resist solution like the removal mechanism 75, the same effect as the above embodiment can be obtained.

なお、掻き取り部材751の代わりに、布製の拭き取り部材を用いて除去処理を実現することもできる。この場合、ローラ状の拭き取り部材を巻き取ることによって、付着したレジスト液を拭き取るように構成してもよい。   Instead of the scraping member 751, the removal process can be realized by using a cloth wiping member. In this case, you may comprise so that the adhering resist liquid may be wiped off by winding up a roller-shaped wiping member.

<6. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
<6. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.

例えば、スリットノズル41a,41bのいずれかにおいて、メンテナンスが必要となるまでは、第1の実施の形態における基板処理装置1のように、スリットノズル41a,41bによる塗布処理を交互に行いつつ、メンテナンスが必要になった場合には、第2の実施の形態における基板処理装置1のように、メンテナンスが必要でない方のスリットノズルを使用して処理を実行するように構成してもよい。   For example, in either of the slit nozzles 41a and 41b, the maintenance is performed while alternately performing the coating process by the slit nozzles 41a and 41b as in the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment until the maintenance is required. However, as in the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment, the processing may be performed using the slit nozzle that does not require maintenance.

また、洗浄液吐出機構83a,83bおよびプリ塗布機構86a,86bは、それぞれいずれか1つであってもよい。図14は、このような原理に基づいて構成した基板処理装置1の本体部2aの側断面と、レジスト液の塗布動作に係る主な構成要素とを示す図である。図14に示す本体部2aは、上記実施の形態における基板処理装置1の洗浄液吐出機構83bおよびプリ塗布機構86bに相当する構成が設けられていない。このような構成であっても、例えば、第2の実施の形態における基板処理装置1のような動作を行うことができる。すなわち、通常は、スリットノズル41aによって塗布処理を行い、スリットノズル41aについて分解メンテナンスなどの回復メンテナンスが必要になった場合には、スリットノズル41aを大きく退避させた後、スリットノズル41bによる塗布処理を行う。このとき、スリットノズル41bについての動作中のメンテナンスは、開口32a内で行う。すなわち、待機ポット85aの上方にスリットノズル41bが待機した状態で洗浄液吐出機構83aが洗浄液を吐出することにより、スリットノズル41bの洗浄を行うとともに、スリットノズル41bが予備塗布処理を行う場合にはプリ塗布機構86aを使用する。このような構成によっても、例えば第2の実施の形態における基板処理装置1と同様の効果を得ることができる。   Further, each of the cleaning liquid discharge mechanisms 83a and 83b and the pre-coating mechanisms 86a and 86b may be any one. FIG. 14 is a diagram showing a side section of the main body 2a of the substrate processing apparatus 1 configured based on such a principle, and main components related to the application operation of the resist solution. The main body 2a shown in FIG. 14 is not provided with a configuration corresponding to the cleaning liquid discharge mechanism 83b and the pre-coating mechanism 86b of the substrate processing apparatus 1 in the above embodiment. Even with such a configuration, for example, an operation similar to that of the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment can be performed. That is, normally, the coating process is performed by the slit nozzle 41a. When recovery maintenance such as disassembly maintenance is required for the slit nozzle 41a, the slit nozzle 41a is largely retracted and then the coating process by the slit nozzle 41b is performed. Do. At this time, maintenance during operation of the slit nozzle 41b is performed in the opening 32a. That is, the cleaning liquid discharge mechanism 83a discharges the cleaning liquid while the slit nozzle 41b is waiting above the standby pot 85a, thereby cleaning the slit nozzle 41b and pre-coating when the slit nozzle 41b performs a pre-coating process. An application mechanism 86a is used. Even with this configuration, for example, the same effect as the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment can be obtained.

また、複数のスリットノズル41a,41bは、互いに長手方向(Y軸方向)の幅が異なっていてもよい。その場合、基板処理装置1は、幅の異なる基板に対応することができる。   Further, the slit nozzles 41a and 41b may have different widths in the longitudinal direction (Y-axis direction). In that case, the substrate processing apparatus 1 can cope with substrates having different widths.

本発明に係る基板処理装置の概略を示す斜視図である。1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention. 基板処理装置の本体の側断面を示すと共に、レジスト液の塗布動作に係る主たる構成要素を示す図である。It is a figure which shows the main component concerning the application | coating operation | movement of a resist liquid while showing the side cross section of the main body of a substrate processing apparatus. 基板処理装置におけるレジスト液および洗浄液の供給経路を示す図である。It is a figure which shows the supply path | route of the resist liquid and the washing | cleaning liquid in a substrate processing apparatus. スリットノズルのレジスト液供給路の詳細を示す図である。It is a figure which shows the detail of the resist liquid supply path of a slit nozzle. 第1の実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus in 1st Embodiment. 第1の実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus in 1st Embodiment. 第1の実施の形態における初期化メンテナンスの動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows the operation | movement of the initialization maintenance in 1st Embodiment. 第2の実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus in 2nd Embodiment. 第2の実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus in 2nd Embodiment. 第3の実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus in 3rd Embodiment. 第3の実施の形態における基板処理装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of the substrate processing apparatus in 3rd Embodiment. 第3の実施の形態におけるメンテナンス処理の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows the operation | movement of the maintenance process in 3rd Embodiment. 第5の実施の形態における基板処理装置の除去機構を示す図である。It is a figure which shows the removal mechanism of the substrate processing apparatus in 5th Embodiment. 変形例における基板処理装置の本体部の側断面と、レジスト液の塗布動作に係る主たる構成要素とを示す図である。It is a figure which shows the side cross section of the main-body part of the substrate processing apparatus in a modification, and the main components which concern on the application | coating operation | movement of a resist liquid.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
2,2a 本体部
3 ステージ
30 保持面
41a,41b スリットノズル
42a,42b ギャップセンサ
43a,43b,44a,44b 昇降機構
4a,4b 架橋構造
50,51 リニアモータ
6 制御部
61 記憶部
62 操作部(取得手段)
7 供給機構
73a,73b レジスト液供給路
74a エア抜き機構
75 除去機構
8 洗浄機構
80 洗浄液ボトル
84a,84b 洗浄液供給路
85a,85b 待機ポット
90,91 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2,2a Main body part 3 Stage 30 Holding surface 41a, 41b Slit nozzle 42a, 42b Gap sensor 43a, 43b, 44a, 44b Lifting mechanism 4a, 4b Crosslinking structure 50, 51 Linear motor 6 Control part 61 Memory | storage part 62 Operation unit (acquisition means)
7 Supply mechanism 73a, 73b Resist liquid supply path 74a Air vent mechanism 75 Removal mechanism 8 Cleaning mechanism 80 Cleaning liquid bottle 84a, 84b Cleaning liquid supply path 85a, 85b Standby pot 90, 91 Substrate

Claims (9)

基板の塗布領域に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
1枚の基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板の塗布領域のほぼ全域に向けて、直線状の吐出口から前記所定の処理液を吐出する複数のスリットノズルと、
前記複数のスリットノズルに前記所定の処理液を供給する供給機構と、
前記複数のスリットノズルをそれぞれ独立して昇降させる昇降手段と、
前記保持手段に保持された前記基板と前記複数のスリットノズルとをそれぞれ独立して、前記基板の表面に沿った方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記複数のスリットノズルに所定のメンテナンスを行うメンテナンス手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to an application region of a substrate,
Holding means for holding one substrate;
A plurality of slit nozzles for discharging the predetermined processing liquid from a linear discharge port toward substantially the entire coating area of the substrate held by the holding means;
A supply mechanism for supplying the predetermined processing liquid to the plurality of slit nozzles;
Elevating means for independently elevating and lowering the plurality of slit nozzles;
A moving means for moving the substrate held by the holding means and the plurality of slit nozzles independently in a direction along the surface of the substrate;
Maintenance means for performing predetermined maintenance on the plurality of slit nozzles;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記メンテナンス手段は、
前記基板に対する吐出を行っていないスリットノズルを、所定の洗浄液によって洗浄する洗浄手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The maintenance means includes
A substrate processing apparatus, comprising: a cleaning unit that cleans a slit nozzle that is not ejected to the substrate with a predetermined cleaning liquid.
請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記洗浄手段が、
前記複数のスリットノズルに対して、それぞれ独立した洗浄液供給路を備えることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
The cleaning means comprises:
A substrate processing apparatus comprising an independent cleaning liquid supply path for each of the plurality of slit nozzles.
請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記メンテナンス手段は、
前記基板に対する吐出を行っていないスリットノズルからエア抜きを行うエア抜き手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The maintenance means includes
A substrate processing apparatus, further comprising an air venting unit that vents air from a slit nozzle that is not ejecting the substrate.
請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記供給機構が、
前記複数のスリットノズルに対して、それぞれ独立した処理液供給路を備えることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
The supply mechanism is
A substrate processing apparatus comprising a plurality of independent processing liquid supply paths for the plurality of slit nozzles.
請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
メンテナンス条件を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得されたメンテナンス条件を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されたメンテナンス条件に基づいて、前記メンテナンス手段を制御する制御手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
Acquisition means for acquiring maintenance conditions;
Storage means for storing the maintenance conditions acquired by the acquisition means;
Control means for controlling the maintenance means based on maintenance conditions stored in the storage means;
A substrate processing apparatus further comprising:
請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数のスリットノズルのそれぞれについて、前記保持手段に保持された前記基板との間隔を測定する測定手段をさらに備え、
前記昇降手段は、
前記測定手段による測定結果に応じて、前記複数のスリットノズルを昇降させることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
For each of the plurality of slit nozzles, further comprising a measuring means for measuring an interval between the substrate held by the holding means,
The lifting means is
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of slit nozzles are moved up and down in accordance with a measurement result by the measuring means.
請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記移動手段は、リニアモータであることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
The substrate processing apparatus, wherein the moving means is a linear motor.
請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数のスリットノズルは、互いに長手方向の幅が異なるものを含むことを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8,
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of slit nozzles include ones having different longitudinal widths.
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