JP2022191764A - Substrate processing, substrate processing apparatus, and program - Google Patents

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Abstract

To provide technology that allows for more appropriate anomaly handling.SOLUTION: A substrate processing method has a setting process, a substrate processing process, a detection process S1, and a first abnormality processing process S4. In the setting process, one of the multiple processing contents is set as a jump destination for each of the multiple processing contents that define a series of processing for the substrate. In the substrate processing process, a series of processing is started on the substrate. In the detection process S1, an abnormality is detected. In the first abnormality processing process S4, when an abnormality is detected, a series of processing is performed from the jump destination set corresponding to the execution content, which is the processing content being performed.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本開示は、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムに関する。 The present disclosure relates to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a program.

従来から、基板を処理する基板処理装置が提案されている(例えば、特許文献1)。基板処理装置は、複数の処理ユニットと、各処理ユニットに基板を搬送する搬送ロボットとを含む。各処理ユニットは基板を水平姿勢で回転させつつ、該基板に種々の処理液を順次に供給する。これにより、処理液に応じた処理を基板に対して順次に行うことができる。例えば、処理ユニットは基板に対して薬液処理、リンス処理および乾燥処理をこの順で行う。 2. Description of the Related Art Conventionally, substrate processing apparatuses for processing substrates have been proposed (for example, Patent Document 1). A substrate processing apparatus includes a plurality of processing units and a transport robot that transports a substrate to each processing unit. Each processing unit sequentially supplies various processing liquids to the substrate while rotating the substrate in a horizontal position. Thereby, the substrate can be sequentially processed according to the processing liquid. For example, the processing unit performs chemical processing, rinsing processing, and drying processing on the substrate in this order.

この基板処理装置において異常が検出された場合、処理ユニットは基板に対する処理を停止し、予め決められた異常処理を実行する。具体的には、処理ユニットは異常処理としてリンス処理および乾燥処理を行う。 When an abnormality is detected in this substrate processing apparatus, the processing unit stops processing the substrate and executes a predetermined abnormality processing. Specifically, the processing unit performs rinsing processing and drying processing as the abnormal processing.

これによれば、異常の発生時に処理ユニットが薬液処理の実行中であっても、基板に付着した薬液をリンス液に置換した後で基板を乾燥させることができる。よって、基板に薬液が残ったままで放置されることによる、基板の損傷を抑制することができる。 According to this, even if the processing unit is performing the chemical liquid processing when the abnormality occurs, the substrate can be dried after the chemical liquid adhering to the substrate is replaced with the rinsing liquid. Therefore, it is possible to suppress damage to the substrate caused by leaving the substrate with the chemical solution remaining thereon.

特開2010-109347号公報JP 2010-109347 A

しかしながら、異常が生じたタイミングによっては、異常処理を行うことが望ましくない場合もある。例えば乾燥処理の実行中に異常が検出された場合、処理ユニットが異常処理として再びリンス処理および乾燥処理を行うと、不要なリンス処理が行われることになる。 However, depending on the timing at which an abnormality occurs, it may not be desirable to perform an abnormality process. For example, if an abnormality is detected during the drying process and the processing unit again performs the rinsing process and the drying process as the abnormal process, unnecessary rinsing process will be performed.

また、異常処理として、予め決められた処理を採用することが必ずしも最適とは限らない。 In addition, it is not always optimal to employ a predetermined process as the error process.

そこで、本開示は、より適切な異常処理を行うことができる技術を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present disclosure is to provide a technology capable of performing more appropriate abnormality processing.

基板処理方法の第1の態様は、基板に対する一連処理を規定する複数の処理内容の各々に対応して前記複数の処理内容の一つをジャンプ先に設定する設定工程と、前記基板に対して前記一連処理を開始する基板処理工程と、異常を検出する検出工程と、前記異常を検出したときに、実行中の処理内容である実行内容に対応して設定された前記ジャンプ先から、前記一連処理を行う第1異常処理工程とを備える。 A first aspect of a substrate processing method comprises: a setting step of setting one of the plurality of processing contents as a jump destination corresponding to each of a plurality of processing contents defining a series of processes for the substrate; a substrate processing step for starting the series of processes; a detection step for detecting an abnormality; and a first abnormality processing step for processing.

基板処理方法の第2の態様は、第1の態様にかかる基板処理方法であって、前記異常を検出したときの前記実行内容に対応した前記ジャンプ先が設定されていないとき、または、前記第1異常処理工程の実行中に前記異常を検出したときに、前記実行内容に依存しない予め設定された第2異常処理を行う第2異常処理工程をさらに備える。 A second aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to the first aspect, wherein the jump destination corresponding to the execution contents when the abnormality is detected is not set, or The method further comprises a second error handling step of performing a preset second error handling independent of the execution content when the error is detected during execution of one error handling step.

基板処理方法の第3の態様は、第1または第2の態様にかかる基板処理方法であって、前記設定工程において、前記複数の処理内容および前記ジャンプ先を表示部に表示する。 A third aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to the first or second aspect, wherein in the setting step, the plurality of processing contents and the jump destination are displayed on the display section.

基板処理方法の第4の態様は、第1から第3のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記実行内容が、前記基板に薬液を供給する薬液処理であるときに、前記第1異常処理工程よりも前に、前記薬液処理を継続して行う継続処理工程をさらに備える。 A fourth aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, wherein when the execution content is a chemical solution process of supplying a chemical solution to the substrate, the The method further includes a continuation processing step of continuing the chemical solution processing prior to the first abnormality processing step.

基板処理方法の第5の態様は、第4の態様にかかる基板処理方法であって、前記継続処理工程において、前記薬液処理の終了時刻までの残時間がしきい値以下であるときに、前記薬液処理を継続して行い、前記残時間が前記しきい値よりも大きいときに、前記薬液処理を停止する。 A fifth aspect of the substrate processing method is the substrate processing method according to the fourth aspect, wherein in the continuous processing step, when the remaining time until the end time of the chemical processing is equal to or less than a threshold value, the Chemical processing is continued, and when the remaining time is greater than the threshold value, the chemical processing is stopped.

基板処理装置の態様は、基板処理装置であって、基板に対して一連処理を行う処理ユニットと、異常を検出するセンサと、前記一連処理を規定する複数の処理内容の各々に対応して前記複数の処理内容の一つをジャンプ先に設定し、前記処理ユニットに、前記基板に対して前記一連処理を開始させ、前記センサが前記異常を検出したときに、前記処理ユニットに、実行中の処理内容である実行内容に対応して設定された前記ジャンプ先から前記一連処理を行わせる制御部とを備える。 An aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus comprising: a processing unit that performs a series of processes on a substrate; a sensor that detects an abnormality; one of a plurality of processing contents is set as a jump destination, the processing unit is caused to start the series of processing for the substrate, and when the sensor detects the abnormality, the processing unit is instructed to perform and a control unit that causes the series of processes to be performed from the jump destination set corresponding to the execution content, which is the processing content.

プログラムの態様は、基板に対して一連処理を行う処理ユニットと、異常を検出するセンサとを備える基板処理装置を制御するプログラムであって、コンピュータに、前記一連処理を規定する複数の処理内容の各々に対応して前記複数の処理内容の一つをジャンプ先に設定する設定工程と、前記処理ユニットに、前記基板に対する前記一連処理を開始させる基板処理工程と、前記異常を検出する検出工程と、前記異常を検出したときに、前記処理ユニットに、実行中の処理内容である実行内容に対応して設定された前記ジャンプ先から前記一連処理を行わせる第1異常処理工程とを実行させる。 A mode of the program is a program for controlling a substrate processing apparatus comprising a processing unit for performing a series of processes on a substrate and a sensor for detecting an abnormality, wherein a computer stores a plurality of processing contents defining the series of processes. a setting step of setting one of the plurality of processing contents corresponding to each as a jump destination; a substrate processing step of causing the processing unit to start the series of processing for the substrate; and a detecting step of detecting the abnormality. and, when the abnormality is detected, the processing unit is caused to execute a first abnormality processing step for executing the series of processes from the jump destination set corresponding to the execution content which is the processing content being executed.

基板処理方法の第1の態様、基板処理装置の態様およびプログラムの態様によれば、基板に対して適切な一連処理の一部を第1異常処理として行うことができる。よって、基板に対してより適切な第1異常処理を行うことができる。 According to the first aspect of the substrate processing method, the aspect of the substrate processing apparatus, and the aspect of the program, part of a series of appropriate processes can be performed on the substrate as the first abnormal process. Therefore, it is possible to perform more appropriate first abnormality processing on the substrate.

基板処理方法の第2の態様によれば、基板を救済できる可能性を向上させることができる。 According to the second aspect of the substrate processing method, it is possible to improve the possibility of rescuing the substrate.

基板処理方法の第3の態様によれば、ユーザは第1異常処理の内容を容易に確認しつつ、ジャンプ先を設定できる。 According to the third aspect of the substrate processing method, the user can easily confirm the content of the first abnormality process and set the jump destination.

基板処理方法の第4の態様によれば、基板に対する薬液処理が完了できた場合には、異常処理後に基板に処理を行う必要がないので、そのまま基板を次の製造工程に進めることができる。 According to the fourth aspect of the substrate processing method, when the chemical solution processing on the substrate is completed, the substrate does not need to be processed after the abnormal processing, so the substrate can be directly advanced to the next manufacturing process.

基板処理方法の第5の態様によれば、異常処理に要する時間を短縮できる。 According to the fifth aspect of the substrate processing method, it is possible to shorten the time required for the abnormality processing.

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly an example of a structure of a substrate processing apparatus. 制御部の構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of a control part. 処理ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of a processing unit roughly. 基板処理およびジャンプ先の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a board|substrate process and a jump destination. 設定画面の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows an example of a setting screen roughly. 基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation|movement of a substrate processing apparatus. 基板処理装置に異常が生じた場合の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。5 is a flow chart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus when an abnormality occurs in the substrate processing apparatus; 第3の実施の形態にかかる基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly an example of a structure of the substrate processing apparatus concerning 3rd Embodiment. 基板処理装置に異常が生じた場合の基板処理装置の動作の他の一例を示すフローチャートである。8 is a flow chart showing another example of the operation of the substrate processing apparatus when an abnormality occurs in the substrate processing apparatus; 継続処理の一例を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating an example of continued processing; 継続処理の他の一例を示すフローチャートである。9 is a flowchart showing another example of continued processing;

以下、添付の図面を参照しながら、実施の形態について説明する。なお、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。 Embodiments will be described below with reference to the accompanying drawings. Note that the components described in this embodiment are merely examples, and the scope of the present disclosure is not intended to be limited to them. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions or number of each part may be exaggerated or simplified as necessary.

相対的または絶対的な位置関係を示す表現(例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など)は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現(例えば「同一」「等しい」「均質」など)は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現(例えば、「四角形状」または「円筒形状」など)は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「A,BおよびCの少なくともいずれか一つ」という表現は、Aのみ、Bのみ、Cのみ、A,BおよびCのうち任意の2つ、ならびに、A,BおよびCのすべてを含む。 Expressions indicating relative or absolute positional relationships (e.g., "in one direction", "along one direction", "parallel", "perpendicular", "center", "concentric", "coaxial", etc.) are used unless otherwise specified. Not only the positional relationship is strictly expressed, but also the relatively displaced state in terms of angle or distance within the range of tolerance or equivalent function. Expressions indicating equality (e.g., "same", "equal", "homogeneous", etc.), unless otherwise specified, not only express quantitatively strictly equality, but also tolerances or equivalent functions can be obtained It shall also represent the state in which there is a difference. Expressions indicating shapes (e.g., "square shape" or "cylindrical shape"), unless otherwise specified, not only represent the shape strictly geometrically, but also to the extent that the same effect can be obtained, such as Shapes having unevenness or chamfering are also represented. The terms "comprise", "comprise", "comprise", "include" or "have" an element are not exclusive expressions that exclude the presence of other elements. The phrase "at least one of A, B and C" includes only A, only B, only C, any two of A, B and C, and all of A, B and C.

<第1の実施の形態>
<基板処理装置の全体構成>
図1は、実施の形態にかかる基板処理装置100の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理装置100は、ロードポート101と、インデクサロボット110と、センターロボット120と、少なくとも1つの処理ユニット130(図1においては4つの処理ユニット)と、制御部90とを含む。
<First embodiment>
<Overall Configuration of Substrate Processing Apparatus>
FIG. 1 is a plan view schematically showing an example configuration of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment. The substrate processing apparatus 100 includes a load port 101 , an indexer robot 110 , a center robot 120 , at least one processing unit 130 (four processing units in FIG. 1), and a controller 90 .

各処理ユニット130は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。処理ユニット130はチャンバ1を有することができる。その場合、チャンバ1内の雰囲気を制御部90によって制御することで、処理ユニット130は、所望の雰囲気中において基板処理を行うことができる。 Each processing unit 130 is a single-wafer type device that processes substrates W one by one. Processing unit 130 may have chamber 1 . In that case, the atmosphere in the chamber 1 is controlled by the controller 90 so that the processing unit 130 can process the substrate in a desired atmosphere.

制御部90は、基板処理装置100の諸構成の動作を制御することができる。キャリアCは、基板Wを収容する収容器である。また、ロードポート101は、複数のキャリアCを保持する収容器保持機構である。インデクサロボット110は、ロードポート101と基板載置部140との間で基板Wを搬送することができる。センターロボットCRは、基板載置部140と処理ユニット130との間で基板Wを搬送することができる。 The control unit 90 can control operations of various components of the substrate processing apparatus 100 . The carrier C is a container that accommodates the substrates W therein. Also, the load port 101 is a container holding mechanism that holds a plurality of carriers C. As shown in FIG. The indexer robot 110 can transport substrates W between the load port 101 and the substrate platform 140 . The center robot CR can transport the substrate W between the substrate platform 140 and the processing unit 130 .

以上の構成によって、インデクサロボット110、基板載置部140およびセンターロボット120は、それぞれの処理ユニット130とロードポート101との間で基板Wを搬送する搬送機構として機能する。 With the above configuration, the indexer robot 110 , the substrate platform 140 and the center robot 120 function as transport mechanisms that transport the substrates W between the respective processing units 130 and the load port 101 .

未処理の基板WはキャリアCからインデクサロボット110によって取り出される。そして、未処理の基板Wは、基板載置部140を介してセンターロボット120に受け渡される。センターロボット120は、未処理の基板Wを処理ユニット130に搬入する。そして、処理ユニット130は基板Wに対して処理を行う。 An unprocessed substrate W is picked up from the carrier C by the indexer robot 110 . The unprocessed substrate W is transferred to the center robot 120 via the substrate platform 140 . The center robot 120 loads an unprocessed substrate W into the processing unit 130 . Then, the processing unit 130 processes the substrate W. FIG.

処理ユニット130において処理済みの基板Wは、センターロボット120によって処理ユニット130から取り出される。そして、処理済みの基板Wは、必要に応じて他の処理ユニット130を経由した後、基板載置部140を介してインデクサロボット110に受け渡される。インデクサロボット110は処理済みの基板WをキャリアCに搬入する。以上によって、基板Wに対する処理が行われる。 A substrate W processed in the processing unit 130 is taken out from the processing unit 130 by the central robot 120 . Then, the processed substrate W is transferred to the indexer robot 110 via the substrate platform 140 after passing through another processing unit 130 as necessary. The indexer robot 110 loads the processed substrate W into the carrier C. As shown in FIG. The processing for the substrate W is performed as described above.

図2は、制御部90の構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部90は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部90は、例えば、CPU(Central Processing Unit)等の演算処理装置91と、ROM(Read Only Memory)等の非一時的な記憶部92と、RAM(Random Access Memory)等の一時的な記憶部93と、記憶装置94と、入力部96と、表示部97と、通信部98と、これらを相互に接続するバスライン95とを備える。 FIG. 2 is a block diagram schematically showing an example of the configuration of the control section 90. As shown in FIG. The control unit 90 may be configured by a general computer having electric circuits. Specifically, the control unit 90 includes, for example, an arithmetic processing unit 91 such as a CPU (Central Processing Unit), a non-temporary storage unit 92 such as a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), etc. a temporary storage unit 93, a storage device 94, an input unit 96, a display unit 97, a communication unit 98, and a bus line 95 interconnecting them.

記憶部92は基本プログラムを格納する。記憶部93は、演算処理装置91が所定の処理を行う際の作業領域として用いられる。記憶装置94は、フラッシュメモリおよびハードディスク装置等の不揮発性記憶装置によって構成されている。入力部96は、マウスおよびキーボード等の各種スイッチまたはタッチパネルを含み、オペレータから処理レシピ等の諸情報の入力を受け付ける。表示部97は、例えば、液晶表示装置およびランプによって構成されており、演算処理装置91の制御の下、各種の情報を表示する。通信部98は、LAN(Local Area Network)等の通信網を介したデータ通信機能を有する。 A storage unit 92 stores a basic program. The storage unit 93 is used as a working area when the arithmetic processing unit 91 performs predetermined processing. The storage device 94 is composed of a non-volatile storage device such as a flash memory and a hard disk device. The input unit 96 includes various switches such as a mouse and keyboard or a touch panel, and receives input of various information such as processing recipes from the operator. The display unit 97 is composed of, for example, a liquid crystal display device and a lamp, and displays various information under the control of the arithmetic processing unit 91 . The communication unit 98 has a data communication function via a communication network such as a LAN (Local Area Network).

記憶装置94には、例えば処理プログラム94Pが記憶されている。演算処理装置91が処理プログラム94Pを実行することによって、基板処理装置100の各構成が制御される。なお、処理プログラム94Pは、光ディスク等の可搬型の記憶媒体に記憶されていてもよい。この記憶媒体を用いれば、制御部90に処理プログラム94Pをインストールすることができる。また、制御部90が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要はなく、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。 The storage device 94 stores, for example, a processing program 94P. Each component of the substrate processing apparatus 100 is controlled by the arithmetic processing unit 91 executing the processing program 94P. Note that the processing program 94P may be stored in a portable storage medium such as an optical disc. By using this storage medium, the processing program 94P can be installed in the control section 90. FIG. Moreover, some or all of the functions executed by the control unit 90 do not necessarily have to be realized by software, and may be realized by hardware such as a dedicated logic circuit.

<処理ユニット>
図3は、処理ユニット130の構成の一例を概略的に示す側面図である。図3に例示された処理ユニット130は、基板Wに対して種々の処理を行うことが可能な装置である。以下では、処理ユニット130が基板Wに対して行う一連の処理を一連処理と呼ぶ。この一連処理はフローレシピとも呼ばれ得る。一連処理には、例えば、薬液処理、リンス処理および乾燥処理が含まれる。なお、ここでは一例として、これらの処理の前段階で行われるプレディスペンス処理等の前処理、および、これらの処理の後段階で行われる処理ユニット130内の洗浄処理等の後処理は、一連処理には含まれないものとする。
<Processing unit>
FIG. 3 is a side view schematically showing an example of the configuration of the processing unit 130. As shown in FIG. The processing unit 130 illustrated in FIG. 3 is an apparatus capable of performing various types of processing on the substrate W. As shown in FIG. A series of processes performed on the substrate W by the processing unit 130 is hereinafter referred to as a series of processes. This series of processes can also be called a flow recipe. A series of treatments includes, for example, a chemical solution treatment, a rinse treatment and a drying treatment. Here, as an example, the pretreatment such as pre-dispense treatment performed in the prestage of these treatments, and the posttreatment such as cleaning treatment in the treatment unit 130 performed in the poststage of these treatments, are a series of treatments. shall not be included in

図3の例では、処理ユニット130は、チャンバ1と、基板保持部2と、ノズル31と、センサ10とを含んでいる。 In the example of FIG. 3, processing unit 130 includes chamber 1 , substrate holder 2 , nozzle 31 , and sensor 10 .

チャンバ1の内部空間は、基板Wを処理するための処理空間に相当する。チャンバ1の側壁には、センターロボット120と基板Wの受け渡しを行うための搬送口(不図示)と、該搬送口を開閉するシャッタ(不図示)とが設けられる。 The internal space of the chamber 1 corresponds to a processing space for processing the substrate W. FIG. A side wall of the chamber 1 is provided with a transfer port (not shown) for transferring the substrate W to and from the center robot 120 and a shutter (not shown) for opening and closing the transfer port.

基板保持部2はチャンバ1内に設けられており、基板Wを水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板Wの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。図3の例では、基板保持部2は、ステージ21と、複数のチャックピン22とを含んでいる。ステージ21は円板形状を有し、基板Wよりも鉛直下方に設けられている。ステージ21は、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。複数のチャックピン22はステージ21の上面に立設されており、基板Wの周縁を把持する。なお、基板保持部2は必ずしもチャックピン22を有する必要はない。例えば、基板保持部2は基板Wの下面を吸引して基板Wを吸着してもよい。 The substrate holding part 2 is provided inside the chamber 1 and holds the substrate W in a horizontal posture. The horizontal posture referred to here is a posture in which the thickness direction of the substrate W is along the vertical direction. In the example of FIG. 3, the substrate holder 2 includes a stage 21 and multiple chuck pins 22 . The stage 21 has a disk shape and is provided below the substrate W in the vertical direction. The stage 21 is provided in such a posture that its thickness direction is along the vertical direction. A plurality of chuck pins 22 are erected on the upper surface of the stage 21 and grip the peripheral edge of the substrate W. As shown in FIG. It should be noted that the substrate holding part 2 does not necessarily have to have the chuck pins 22 . For example, the substrate holding part 2 may suck the substrate W by sucking the lower surface of the substrate W. As shown in FIG.

図3の例では、基板保持部2は回転機構23をさらに含んでおり、回転軸線Q1のまわりで基板Wを回転させる。回転軸線Q1は基板Wの中心部を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。回転機構23は例えばシャフト24およびモータ25を含む。シャフト24の上端はステージ21の下面に連結され、ステージ21の下面から回転軸線Q1に沿って延在する。モータ25はシャフト24を回転軸線Q1のまわりで回転させて、ステージ21を回転させる。これにより、複数のチャックピン22によって保持された基板Wが回転軸線Q1のまわりで回転する。このような基板保持部2はスピンチャックとも呼ばれ得る。 In the example of FIG. 3, the substrate holder 2 further includes a rotation mechanism 23, which rotates the substrate W around the rotation axis Q1. The rotation axis Q1 is an axis that passes through the center of the substrate W and extends in the vertical direction. Rotation mechanism 23 includes, for example, shaft 24 and motor 25 . The upper end of the shaft 24 is connected to the lower surface of the stage 21 and extends from the lower surface of the stage 21 along the rotation axis Q1. The motor 25 rotates the shaft 24 around the rotation axis Q1 to rotate the stage 21 . Thereby, the substrate W held by the plurality of chuck pins 22 rotates around the rotation axis Q1. Such a substrate holding part 2 can also be called a spin chuck.

以下では、回転軸線Q1についての径方向を単に径方向と呼ぶ。 Hereinafter, the radial direction about the rotation axis Q1 is simply referred to as the radial direction.

ノズル31はチャンバ1内に設けられている。ノズル31は基板Wへの処理液の供給に用いられる。図1の例では、ノズル31は給液管32を介して処理液供給源(不図示)に接続される。つまり、給液管32の下流端がノズル31に接続され、給液管32の上流端が処理液供給源に接続される。処理液供給源は、例えば、処理液を貯留するタンク(不図示)を含み、給液管32に処理液を供給する。処理液は、例えば、基板Wの対象物を除去するエッチング液等の薬液、薬液を洗い流す純水等のリンス液、および、基板Wの電荷を除去する除電液の少なくともいずれかを含む。 A nozzle 31 is provided within the chamber 1 . The nozzle 31 is used to supply the substrate W with the processing liquid. In the example of FIG. 1, the nozzle 31 is connected through a liquid supply pipe 32 to a processing liquid supply source (not shown). That is, the downstream end of the liquid supply pipe 32 is connected to the nozzle 31, and the upstream end of the liquid supply pipe 32 is connected to the processing liquid supply source. The processing liquid supply source includes, for example, a tank (not shown) that stores the processing liquid, and supplies the processing liquid to the liquid supply pipe 32 . The processing liquid includes, for example, at least one of a chemical liquid such as an etching liquid for removing the target of the substrate W, a rinsing liquid such as pure water for washing away the chemical liquid, and an antistatic liquid for removing electric charges from the substrate W.

給液管32にはバルブ33が設けられている。バルブ33が開放動作を行うと、処理液が処理液供給源から給液管32を通じてノズル31に供給され、ノズル31から吐出される。バルブ33が閉止動作を行うと、ノズル31からの処理液の吐出が終了する。 A valve 33 is provided in the liquid supply pipe 32 . When the valve 33 performs an opening operation, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply source to the nozzle 31 through the liquid supply pipe 32 and discharged from the nozzle 31 . When the valve 33 performs the closing operation, the ejection of the treatment liquid from the nozzle 31 ends.

図3に例示するように、処理ユニット130は複数のノズル31を含んでいてもよい。各ノズル31には、異なる種類の処理液が供給されてもよい。 As illustrated in FIG. 3, the processing unit 130 may include multiple nozzles 31 . Each nozzle 31 may be supplied with a different type of processing liquid.

図3の例では、ノズル31は、ノズル移動機構4によって移動可能にチャンバ1内に設けられる。ノズル移動機構4はノズル31を処理位置と待機位置との間で移動させる。処理位置とは、ノズル31が基板Wに処理液を供給する位置であり、例えば、基板Wの中央部と鉛直方向において向かい合う位置である。待機位置は、ノズル31が基板Wに処理液を供給しない位置であり、例えば、基板保持部2よりも径方向外側の位置である。ノズル31が待機位置に位置する状態では、ノズル31は、基板保持部2とセンターロボット120との間での基板Wの搬送経路と干渉しない。 In the example of FIG. 3, the nozzle 31 is provided inside the chamber 1 so as to be movable by the nozzle moving mechanism 4 . A nozzle moving mechanism 4 moves the nozzle 31 between the processing position and the standby position. The processing position is a position where the nozzle 31 supplies the processing liquid to the substrate W, for example, a position facing the central portion of the substrate W in the vertical direction. The standby position is a position where the nozzle 31 does not supply the processing liquid to the substrate W, for example, a position radially outside the substrate holder 2 . When the nozzle 31 is positioned at the standby position, the nozzle 31 does not interfere with the transport path of the substrate W between the substrate holder 2 and the center robot 120 .

図3の例では、ノズル移動機構4は、アーム41と、支持柱42と、回動機構43とを含む。アーム41は、水平方向に沿って延在する棒状形状を有しており、その先端がノズル31に結合される。アーム41の基端は支持柱42に結合されている。支持柱42は、後述のガード7よりも径方向外側に設けられており、鉛直方向に沿って延在する。回動機構43は支持柱42をその中心軸線Q2のまわりで回動させる。回動機構43は例えばモータを含む。回動機構43が支持柱42を回動させることにより、アーム41およびノズル31が中心軸線Q2のまわりで旋回する。支持柱42は、ノズル31の移動経路上に処理位置および待機位置が位置するように、チャンバ1内の所定位置に設けられる。 In the example of FIG. 3, the nozzle moving mechanism 4 includes an arm 41, a support column 42, and a rotating mechanism 43. Arm 41 has a rod-like shape extending in the horizontal direction, and its tip is coupled to nozzle 31 . A base end of the arm 41 is coupled to a support post 42 . The support column 42 is provided radially outside the guard 7, which will be described later, and extends in the vertical direction. The rotating mechanism 43 rotates the support column 42 around its central axis Q2. The rotating mechanism 43 includes, for example, a motor. The rotation mechanism 43 rotates the support column 42, thereby rotating the arm 41 and the nozzle 31 around the central axis Q2. The support column 42 is provided at a predetermined position inside the chamber 1 so that the processing position and the standby position are positioned on the moving path of the nozzle 31 .

図3では、複数のノズル移動機構4が設けられており、各ノズル移動機構4がそれぞれ1以上のノズル31を移動させる。図3の例では、一つのアーム41には複数(ここでは2つ)のノズル31が結合されている。よって、該アーム41が回動機構43によって旋回することにより、該アーム41に取り付けられた複数のノズル31が一体で移動する。図3の例では、2つのノズル移動機構4が設けられているものの、3以上のノズル移動機構4が設けれられてもよい。また、各ノズル移動機構4が移動させるノズル31の数も適宜に変更し得る。言い換えれば、アーム41に結合されたノズル31の数を適宜に変更し得る。 In FIG. 3 , a plurality of nozzle moving mechanisms 4 are provided, and each nozzle moving mechanism 4 moves one or more nozzles 31 . In the example of FIG. 3 , a plurality of (here, two) nozzles 31 are connected to one arm 41 . Therefore, when the arm 41 is turned by the turning mechanism 43, the plurality of nozzles 31 attached to the arm 41 are moved together. Although two nozzle moving mechanisms 4 are provided in the example of FIG. 3, three or more nozzle moving mechanisms 4 may be provided. Also, the number of nozzles 31 moved by each nozzle moving mechanism 4 can be changed as appropriate. In other words, the number of nozzles 31 coupled to arm 41 can be changed as appropriate.

処理ユニット130は、各ノズル31から回転中の基板Wに向けて順次に処理液を吐出することにより、各処理液に基づく処理(薬液処理およびリンス処理)を順次に行うことができる。例えば薬液処理を行う場合には、処理ユニット130は、薬液を吐出することができるノズル31をノズル移動機構4によって処理位置に移動させ、該ノズル31に対応したバルブ33を開くことにより、回転中の基板Wに薬液を供給する。これにより、基板Wに対して薬液処理を行うことができる。 The processing unit 130 can sequentially perform processing (chemical liquid processing and rinsing processing) based on each processing liquid by sequentially discharging the processing liquid from each nozzle 31 toward the rotating substrate W. FIG. For example, when performing chemical liquid processing, the processing unit 130 moves the nozzle 31 capable of discharging the chemical liquid to the processing position by the nozzle moving mechanism 4, and opens the valve 33 corresponding to the nozzle 31, thereby causing the nozzle 31 to rotate. A chemical solution is supplied to the substrate W of . Accordingly, the substrate W can be processed with the chemical solution.

図3の例では、チャンバ1内には、固定ノズル51も設けられている。固定ノズル51はチャンバ1内において固定されており、基板Wへのリンス液の供給に用いられる。図3の例では、固定ノズル51は基板保持部2よりも径方向外側に設けられており、基板Wの上面にリンス液を放出する。図3の例では、固定ノズル51の吐出口は基板Wの上面の中央部に向いている。よって、固定ノズル51から吐出されたリンス液は基板Wの上面の中央部に着液する。 In the example of FIG. 3, a fixed nozzle 51 is also provided inside the chamber 1 . The fixed nozzle 51 is fixed inside the chamber 1 and used to supply the substrate W with the rinse liquid. In the example of FIG. 3, the fixed nozzle 51 is provided radially outside the substrate holder 2 and discharges the rinse liquid onto the upper surface of the substrate W. In the example of FIG. In the example of FIG. 3, the ejection port of the fixed nozzle 51 faces the central portion of the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. Therefore, the rinse liquid discharged from the fixed nozzle 51 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W. As shown in FIG.

固定ノズル51は給液管52を通じてリンス液供給源(不図示)に接続される。つまり、給液管52の下流端が固定ノズル51に接続され、給液管52の上流端がリンス液供給源に接続される。リンス液供給源は、例えば、リンス液を貯留するタンク(不図示)を含み、給液管52にリンス液を供給する。リンス液は、例えば、純水またはイソプロピルアルコールである。 The fixed nozzle 51 is connected to a rinse liquid supply source (not shown) through a liquid supply pipe 52 . That is, the downstream end of the liquid supply pipe 52 is connected to the fixed nozzle 51, and the upstream end of the liquid supply pipe 52 is connected to the rinse liquid supply source. The rinse liquid supply source includes, for example, a tank (not shown) that stores the rinse liquid, and supplies the rinse liquid to the liquid supply pipe 52 . The rinse liquid is pure water or isopropyl alcohol, for example.

給液管52にはバルブ53が設けられている。バルブ53が開放動作を行うと、リンス液が処理液供給源から給液管52を通じて固定ノズル51に供給され、固定ノズル51から吐出される。バルブ53が閉止動作を行うと、固定ノズル51からのリンス液の吐出が終了する。 A valve 53 is provided in the liquid supply pipe 52 . When the valve 53 performs an opening operation, the rinsing liquid is supplied from the processing liquid supply source through the liquid supply pipe 52 to the fixed nozzle 51 and discharged from the fixed nozzle 51 . When the valve 53 performs the closing operation, the discharge of the rinse liquid from the fixed nozzle 51 ends.

処理ユニット130は、固定ノズル51から回転中の基板Wに向けてリンス液を吐出させることにより、基板Wに対するリンス処理を行うことができる。固定ノズル51は、ノズル移動機構4のような駆動機構によって変位しないので、駆動系の異常が生じず、信頼性が高い。 The processing unit 130 can rinse the substrate W by discharging the rinse liquid from the fixed nozzle 51 toward the substrate W during rotation. Since the fixed nozzle 51 is not displaced by a drive mechanism such as the nozzle moving mechanism 4, the drive system does not malfunction and is highly reliable.

図3の例では、チャンバ1内には、遮断板6も設けられている。遮断板6は、基板保持部2によって保持された基板Wよりも鉛直上方に設けられており、基板Wと鉛直方向において対向する。遮断板6は、基板Wの直径とほぼ同じ、もしくは、基板Wの直径よりもわずかに大きい直径を有する円板状の部材である。遮断板6は、その中心軸線が回転軸線Q1と一致するように、基板保持部2よりも鉛直上方において水平姿勢で設けられている。遮断板6の下面は、平坦に形成されており、基板保持部2によって保持された基板Wに対向している。 In the example of FIG. 3, a blocking plate 6 is also provided inside the chamber 1 . The blocking plate 6 is provided vertically above the substrate W held by the substrate holding part 2 and faces the substrate W in the vertical direction. The blocking plate 6 is a disk-shaped member having a diameter substantially equal to that of the substrate W or slightly larger than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. The blocking plate 6 is provided in a horizontal posture vertically above the substrate holding portion 2 so that its center axis line coincides with the rotation axis line Q1. The lower surface of the blocking plate 6 is flat and faces the substrate W held by the substrate holding part 2 .

また、遮断板6の中央部には、該遮断板6を鉛直方向に貫通する貫通孔が形成されている。該貫通孔の下端は、遮断板6の下面の中央部において開口している。遮断板6の上面には支軸60が取り付けられている。支軸60は中空であり、その内部空間は該貫通孔に連通している。支軸60の中空部には、給液管61が非接触状態で挿通されている。給液管61の下端は、遮断板6の貫通孔に至っている。 A through hole is formed in the central portion of the shielding plate 6 so as to penetrate the shielding plate 6 in the vertical direction. The lower end of the through hole opens at the center of the lower surface of the blocking plate 6 . A support shaft 60 is attached to the upper surface of the blocking plate 6 . The support shaft 60 is hollow, and its internal space communicates with the through hole. A liquid supply pipe 61 is inserted through the hollow portion of the support shaft 60 in a non-contact state. The lower end of the liquid supply pipe 61 reaches the through hole of the blocking plate 6 .

給液管61の下端には、基板Wの上面の中央部に向けて処理液を吐出するための吐出口61aを有するノズル61bが形成されている。給液管61の上流端には、給液管62の下流端が接続されており、この給液管62を介して図示しない処理液供給源からの処理液(薬液またはリンス液)が供給される。給液管61に供給された処理液は、ノズル61bの吐出口61aから下方に吐出される。給液管62には、給液管61への処理液の供給および供給停止を切り換えるためのバルブ63が設けられている。 At the lower end of the liquid supply pipe 61, a nozzle 61b having an ejection port 61a for ejecting the processing liquid toward the central portion of the upper surface of the substrate W is formed. The upstream end of the liquid supply pipe 61 is connected to the downstream end of a liquid supply pipe 62, through which a processing liquid (chemical or rinsing liquid) is supplied from a processing liquid supply source (not shown). be. The processing liquid supplied to the liquid supply pipe 61 is discharged downward from the discharge port 61a of the nozzle 61b. The liquid supply pipe 62 is provided with a valve 63 for switching between supplying and stopping the supply of the treatment liquid to the liquid supply pipe 61 .

また、支軸60と給液管61との間には、給液管61を取り囲む給気路64が形成されている。給気路64には、給気管65が接続されている。給気路64には、給気管65を介して図示しないガス供給源からのガスが供給される。給気路64に供給されたガスは、給気路64を下方に流れ、遮断板6の貫通孔から下方に吐出される。遮断板6の内周面(貫通孔を区画する面)とノズル61bの外周面との間が、給気路64からのガスを吐出するガス吐出口66となっている。給気路64に供給されるガスとしては、例えば、窒素ガス等の不活性ガスが用いられている。また、給気管65には、給気路64へのガスの供給および供給停止を切り換えるためのバルブ67が設けられている。 An air supply passage 64 surrounding the liquid supply pipe 61 is formed between the support shaft 60 and the liquid supply pipe 61 . An air supply pipe 65 is connected to the air supply path 64 . Gas is supplied to the air supply passage 64 from a gas supply source (not shown) through an air supply pipe 65 . The gas supplied to the air supply path 64 flows downward through the air supply path 64 and is discharged downward from the through hole of the blocking plate 6 . A gas discharge port 66 for discharging gas from the air supply passage 64 is formed between the inner peripheral surface of the blocking plate 6 (the surface defining the through hole) and the outer peripheral surface of the nozzle 61b. As the gas supplied to the air supply path 64, for example, an inert gas such as nitrogen gas is used. Further, the air supply pipe 65 is provided with a valve 67 for switching between supply and stop of gas supply to the air supply passage 64 .

また、支軸60には、昇降機構68および回転機構69が結合されている。昇降機構68の駆動力が支軸60に入力されることにより、遮断板6の下面が基板Wの上面に近接した近接位置と、近接位置よりも鉛直上方の待機位置との間で、支軸60および遮断板6が一体的に昇降する。昇降機構68は、例えば、モータを含むボールねじ機構またはエアシリンダ機構を有する。図2では、支軸60および遮断板6が待機位置で停止した状態を示している。 A lifting mechanism 68 and a rotating mechanism 69 are coupled to the support shaft 60 . By inputting the driving force of the lifting mechanism 68 to the support shaft 60, the support shaft 60 moves between the proximity position where the lower surface of the blocking plate 6 is close to the upper surface of the substrate W and the standby position vertically above the proximity position. 60 and blocking plate 6 move up and down integrally. The lifting mechanism 68 has, for example, a ball screw mechanism including a motor or an air cylinder mechanism. FIG. 2 shows a state in which the support shaft 60 and the blocking plate 6 are stopped at the standby position.

回転機構69の駆動力が支軸60に入力されることにより、支軸60および遮断板6を回転軸線Q1のまわりで一体に回転させる。回転機構69は、例えば、モータを含む。 By inputting the driving force of the rotating mechanism 69 to the support shaft 60, the support shaft 60 and the blocking plate 6 are integrally rotated around the rotation axis Q1. The rotating mechanism 69 includes, for example, a motor.

遮断板6を近接位置に下降させた状態では、遮断板6と基板Wとの間の空間の体積を小さくすることができる。よって、当該空間の雰囲気を制御しやすい。例えば、バルブ67を開いてガス吐出口66から窒素ガスを吐出すれば、当該空間における窒素ガスの割合を高め、酸素ガスの割合を低減させることができる。そして、当該空間の雰囲気を制御しつつ、バルブ63を開いてノズル61bから処理液を吐出することにより、所定の雰囲気の下で基板Wを処理することができる。 In the state in which the blocking plate 6 is lowered to the close position, the volume of the space between the blocking plate 6 and the substrate W can be reduced. Therefore, it is easy to control the atmosphere of the space. For example, by opening the valve 67 and discharging nitrogen gas from the gas discharge port 66, the proportion of nitrogen gas in the space can be increased and the proportion of oxygen gas can be reduced. By opening the valve 63 and discharging the processing liquid from the nozzle 61b while controlling the atmosphere of the space, the substrate W can be processed under a predetermined atmosphere.

あるいは、乾燥処理にも遮断板6を活用することができる。例えば、遮断板6を近接位置に下降させた状態で、ガス吐出口66から窒素ガスを吐出しつつ、基板保持部2が基板Wを高速に回転させる(スピンドライ)。これによれば、窒素ガスによって、処理液を押圧して基板Wの周縁に向かって移動させることができ、あるいは、処理液の蒸発を促進させることができるので、基板Wをより効果的に乾燥させることができる。 Alternatively, the blocking plate 6 can also be used for drying. For example, the substrate holder 2 rotates the substrate W at high speed while discharging nitrogen gas from the gas discharge port 66 in a state where the blocking plate 6 is lowered to the close position (spin dry). According to this, the nitrogen gas can press the processing liquid to move it toward the peripheral edge of the substrate W, or can accelerate the evaporation of the processing liquid, so that the substrate W can be dried more effectively. can be made

以上のように、上述の例にかかる処理ユニット130は、ノズル31、固定ノズル51およびノズル61bを含んでいるので、様々な処理を行うことができる。なお、処理ユニット130は基板Wに対する一連処理(フローレシピ)において、必ずしもすべてのノズルを用いる必要はない。基板Wの種類および製造段階に応じて基板Wに対する一連処理は相違するので、その一連処理に必要なノズルのみを用いればよい。 As described above, since the processing unit 130 according to the example described above includes the nozzle 31, the fixed nozzle 51, and the nozzle 61b, various processing can be performed. It should be noted that the processing unit 130 does not necessarily need to use all the nozzles in a series of processes (flow recipe) for the substrate W. FIG. Since the series of treatments for the substrate W differs depending on the type of substrate W and the manufacturing stage, only the nozzles necessary for the series of treatments may be used.

また、図3の例では、チャンバ1内には、ガード7も設けられている。ガード7は、基板保持部2によって保持された基板Wを取り囲む筒状の形状を有している。ガード7は、基板Wの周縁から飛散した処理液を受け止める。 In addition, in the example of FIG. 3, a guard 7 is also provided inside the chamber 1 . The guard 7 has a tubular shape surrounding the substrate W held by the substrate holding part 2 . The guard 7 receives the processing liquid scattered from the periphery of the substrate W. As shown in FIG.

図3の例では、複数(図では3つ)のガード7が設けられている。以下では、3つのガード7を必要に応じてガード71、ガード72およびガード73と呼ぶことがある。複数のガード7は同心状に配置される。図3の例では、ガード71、ガード72およびガード73は径方向内側から径方向外側にこの順で設けられている。また、各ガード7は昇降機構74によって昇降可能に設けられている。昇降機構74は、例えば、モータを含むボールねじ機構あるいはエアシリンダ機構を有する。 In the example of FIG. 3, a plurality of (three in the figure) guards 7 are provided. Below, the three guards 7 may be called guard 71, guard 72 and guard 73 as needed. A plurality of guards 7 are arranged concentrically. In the example of FIG. 3, the guards 71, 72 and 73 are provided in this order from the radially inner side to the radially outer side. Moreover, each guard 7 is provided so that it can be raised and lowered by a lifting mechanism 74 . The lifting mechanism 74 has, for example, a ball screw mechanism including a motor or an air cylinder mechanism.

昇降機構74がすべてのガード7を上位置に上昇させた状態では、内側のガード71が基板Wから飛散した処理液を受け止め、その処理液を回収管81に導く。昇降機構74が内側のガード71のみを下位置に下降させた状態では、ガード72が処理液を受け止め、その処理液を回収管82に導く。昇降機構74が外側のガード73のみを上位置に上昇させた状態では、ガード73が処理液を受け止め、その処理液を回収管83に導く。 When the elevating mechanism 74 raises all the guards 7 to the upper position, the inner guard 71 receives the processing liquid scattered from the substrate W and guides the processing liquid to the recovery pipe 81 . When the elevating mechanism 74 lowers only the inner guard 71 to the lower position, the guard 72 receives the processing liquid and guides the processing liquid to the recovery pipe 82 . When the elevating mechanism 74 raises only the outer guard 73 to the upper position, the guard 73 receives the processing liquid and guides the processing liquid to the recovery pipe 83 .

このように昇降機構74が処理液の種類に応じて各ガード7を昇降させることにより、回収管81~83のうち処理液の種類に応じた回収管に処理液を導くことができる。各回収管の供給先は、処理液の種類に対応した処理液供給源のタンクであってもよく、外部の廃液部であってもよい。 As described above, the elevating mechanism 74 raises and lowers the guards 7 according to the type of the processing liquid, so that the processing liquid can be guided to the collection tube corresponding to the type of the processing liquid among the collection tubes 81 to 83 . The supply destination of each recovery pipe may be a processing liquid supply source tank corresponding to the type of processing liquid, or may be an external waste liquid unit.

センサ10は、処理ユニット130における各種の異常を検出する。例えば、センサ10は、基板保持部2の回転機構23の異常を検出するセンサ、各処理液の液漏れ異常を検出するセンサ、ノズル移動機構4の異常を検出するセンサ、昇降機構74の異常を検出するセンサ、昇降機構68の異常を検出するセンサ、および、回転機構69の異常を検出するセンサの少なくともいずれか一つを含む。 The sensor 10 detects various abnormalities in the processing unit 130 . For example, the sensor 10 detects an abnormality in the rotation mechanism 23 of the substrate holder 2, a sensor for detecting an abnormality in leakage of each processing liquid, a sensor for detecting an abnormality in the nozzle moving mechanism 4, and an abnormality in the elevating mechanism 74. At least one of a sensor for detection, a sensor for detecting abnormality in the lifting mechanism 68, and a sensor for detecting abnormality in the rotation mechanism 69 is included.

なお、センサ10が検出する異常は上述に限らず、他の種類の異常であってもよい。例えば、チャンバ1内のガスを排気する排気機構(不図示)が設けられている場合、センサ10は排気機構の異常を検出してもよい。また、チャンバ1にメンテナンス用の脱着カバー(不図示)が設けられる場合、センサ10は脱着カバーの着脱を検出してもよい。脱着カバーはメンテナンス時に外されて、ユーザによってチャンバ1内のメンテナンスが行われるので、基板処理時に脱着カバーが外れると、センサ10は脱着カバーの取り外しを異常として検出する。 The abnormality detected by the sensor 10 is not limited to the above, and may be other types of abnormality. For example, if an exhaust mechanism (not shown) for exhausting gas from the chamber 1 is provided, the sensor 10 may detect an abnormality in the exhaust mechanism. Moreover, when the chamber 1 is provided with a removable cover (not shown) for maintenance, the sensor 10 may detect the attachment and detachment of the removable cover. Since the removable cover is removed during maintenance and the user performs maintenance inside the chamber 1, if the removable cover is removed during substrate processing, the sensor 10 detects the removal of the removable cover as an error.

<基板処理および異常処理>
次に、各処理ユニット130が実行する基板処理(一連処理)および異常処理の一例について説明する。ここでいう異常処理とは、基板処理装置100に異常が生じたときに基板Wを救済するための処理である。
<Substrate processing and abnormal processing>
Next, an example of substrate processing (a series of processing) and an abnormality processing executed by each processing unit 130 will be described. The abnormality processing referred to here is processing for rescuing the substrate W when an abnormality occurs in the substrate processing apparatus 100 .

<基板処理>
基板に対する一連処理の内容は後述のようにユーザによって設定され得る。ここでは一例として、一連処理は、薬液処理、リンス処理および乾燥処理がこの順で実行されるように設定されるものとする。また、ここでは一例として、ノズル61bおよび固定ノズル51は用いられないものとする。
<Substrate processing>
The contents of the series of processes for the substrate can be set by the user as described later. Here, as an example, the series of processes is set such that the chemical liquid process, the rinse process, and the drying process are executed in this order. Also, as an example here, the nozzle 61b and the fixed nozzle 51 are not used.

後述するように、薬液処理、リンス処理および乾燥処理等の処理(つまり、プロセスレシピ)は、より細分化された処理内容(以下、レシピステップと呼ぶ)で規定される。つまり、一連処理は複数のプロセスレシピによって規定され、各プロセスレシピは複数のレシピステップによって規定される。 As will be described later, processing such as chemical processing, rinsing processing, and drying processing (that is, process recipe) is defined by more subdivided processing contents (hereinafter referred to as recipe steps). That is, a series of processes is defined by multiple process recipes, and each process recipe is defined by multiple recipe steps.

図4は、一連処理の流れの一例をレシピステップごとに示す図である。図4で示された表の第1列はレシピステップの実行順番を示しており、第2列はレシピステップの内容を示している。図4の例では、1番目のレシピステップとして「薬液処理準備」が設定されている。このレシピステップでは、薬液処理の準備を行う処理が規定される。例えば、アーム41およびガード7の移動が規定される。ここでは、薬液処理において、あるアーム41のノズル31から薬液を吐出し、基板Wから飛散した薬液をガード72で受け止めるものとする。この場合、このレシピステップにおいて、該アーム41の処理位置への移動およびガード72,73の上位置への上昇が規定される。 FIG. 4 is a diagram showing an example of the flow of a series of processes for each recipe step. The first column of the table shown in FIG. 4 indicates the execution order of the recipe steps, and the second column indicates the contents of the recipe steps. In the example of FIG. 4, "preparation for chemical solution processing" is set as the first recipe step. This recipe step defines a process for preparing for chemical treatment. For example, the movements of arm 41 and guard 7 are defined. Here, in the chemical liquid processing, it is assumed that the chemical liquid is discharged from the nozzle 31 of the arm 41 and the chemical liquid scattered from the substrate W is received by the guard 72 . In this case, the recipe step defines the movement of the arm 41 to the processing position and the raising of the guards 72, 73 to the upper position.

図4の例では、2番目のレシピステップとして「薬液処理開始」が設定される。そして、図示省略するものの、3番目および4番目のレシピステップとして「薬液処理」が設定され、5番目のレシピステップとして「薬液処理終了」が設定される。これらのレシピステップでは、例えば、基板Wの回転速度、薬液の流量および所要時間が規定され、アーム41に複数のノズル31が結合されている場合には、ノズル31のうち薬液を吐出するノズルも規定される。所要時間とは、各レシピステップに要する時間である。また、「薬液処理終了」に対応するレシピステップでは、必要に応じて、アーム41の待機位置への移動が規定される。具体的には、次のプロセスレシピ(ここではリンス処理)において、同じアーム41のノズル31からリンス液が吐出される場合には、該アーム41の待機位置への移動が規定されず、他のアーム41のノズル31からリンス液が吐出される場合に、アーム41の待機位置への移動が規定される。ここでは、同じアーム41のノズル31がリンス液を吐出するものとする。 In the example of FIG. 4, "start chemical treatment" is set as the second recipe step. Although not shown, "chemical treatment" is set as the third and fourth recipe steps, and "completion of chemical treatment" is set as the fifth recipe step. These recipe steps define, for example, the rotation speed of the substrate W, the flow rate of the chemical solution, and the required time. Defined. Required time is the time required for each recipe step. Further, in the recipe step corresponding to "end of chemical solution processing", movement of the arm 41 to the standby position is specified as necessary. Specifically, in the next process recipe (here, rinse processing), when the rinse liquid is discharged from the nozzle 31 of the same arm 41, the movement of the arm 41 to the standby position is not defined, and other When the rinse liquid is discharged from the nozzle 31 of the arm 41, the movement of the arm 41 to the standby position is defined. Here, it is assumed that the nozzles 31 of the same arm 41 discharge the rinse liquid.

図4の例では、6番目のレシピステップとして「リンス処理開始」が設定される。ここでは、リンス処理において、基板Wから飛散したリンス液をガード71で受け止めるものとする。この場合、「リンス処理開始」のレシピステップでは、ガード71~73の上位置への上昇が規定される。そして、図示省略するものの、7番目のレシピステップとして「リンス処理」が設定され、8番目のレシピステップとして「リンス処理終了」が設定される。これらのレシピステップでは、例えば、基板Wの回転速度、ノズル31のうちリンス液を吐出するノズル、リンス液の流量、および、所要時間が規定される。また、「リンス処理終了」のレシピステップでは、必要に応じて、アーム41の待機位置への移動が規定される。 In the example of FIG. 4, "start rinsing" is set as the sixth recipe step. Here, it is assumed that the guard 71 catches the rinsing liquid splashed from the substrate W in the rinsing process. In this case, the recipe step "start rinsing" defines the raising of the guards 71 to 73 to the upper position. Although not shown, "rinsing" is set as the seventh recipe step, and "end of rinsing" is set as the eighth recipe step. These recipe steps define, for example, the rotational speed of the substrate W, the nozzles for discharging the rinse liquid among the nozzles 31, the flow rate of the rinse liquid, and the required time. Further, in the recipe step of "end of rinse process", the movement of the arm 41 to the standby position is defined as necessary.

図4の例では、9番目のレシピステップとして「乾燥処理開始」が設定される。そして、図示省略するものの、10番目および11番目のレシピステップとして「乾燥処理」が設定され、12番目のレシピステップとして「乾燥処理終了」が設定される。これらのレシピステップでは、例えば、基板Wの回転速度および所要時間が規定される。このレシピステップの回転速度は、薬液処理およびリンス処理における回転速度よりも高い値に設定される。なお、「乾燥処理終了」のレシピステップでは、必要に応じて、ガード7の下位置への下降が規定される。 In the example of FIG. 4, "start drying" is set as the ninth recipe step. Although not shown, "drying process" is set as the tenth and eleventh recipe steps, and "drying process end" is set as the twelfth recipe step. These recipe steps define, for example, the rotation speed of the substrate W and the duration. The rotational speed of this recipe step is set to a higher value than the rotational speeds of the chemical liquid treatment and the rinse treatment. In addition, in the recipe step of "end of drying process", the descent of the guard 7 to the lower position is defined as necessary.

図4の例では、13番目のレシピステップとして「レシピ処理終了」が設定される。このレシピステップでは、必要に応じて、各種構成のホーム位置への移動が規定される。 In the example of FIG. 4, "end of recipe processing" is set as the 13th recipe step. This recipe step prescribes the movement of various configurations to their home positions, if necessary.

このような一連処理の流れを規定する情報は設定情報D1として記憶装置94に記憶される。以下では、一連処理の流れを規定する情報をフローレシピ情報とも呼ぶ。制御部90は設定情報D1に基づいて基板処理装置100の各種構成の動作を制御する。これにより、基板処理装置100が基板Wに対する一連処理を行うことができる。 Information that defines the flow of such a series of processes is stored in the storage device 94 as setting information D1. Information that defines the flow of a series of processes is hereinafter also referred to as flow recipe information. The control unit 90 controls operations of various components of the substrate processing apparatus 100 based on the setting information D1. Thereby, the substrate processing apparatus 100 can perform a series of processes on the substrate W. FIG.

<異常処理>
<第1異常処理>
基板処理装置100の動作中にいずれかのセンサ10が異常を検出したときに、制御部90は、各処理ユニット30に、実行中の処理内容(実行内容に相当)に応じた第1異常処理を行わせる。具体的には、制御部90は第1異常処理として、実行中の処理内容に対応して設定されたジャンプ先からの一連処理を、処理ユニット130に実行させる。
<Error processing>
<First error processing>
When any of the sensors 10 detects an abnormality during the operation of the substrate processing apparatus 100, the control unit 90 instructs each processing unit 30 to perform first abnormality processing according to the processing content (corresponding to the execution content) being executed. to do Specifically, the control unit 90 causes the processing unit 130 to execute a series of processes from the jump destination set corresponding to the contents of the process being executed as the first abnormal process.

図4の例では、表の第3列において、各レシピステップに対応したジャンプ先が示されている。具体的な一例として、1番目のレシピステップに対応したジャンプ先として、13番目のレシピステップが設定されている。つまり、この例では、「薬液処理準備」のレシピステップの実行中に異常が検出されると、処理ユニット130は第1異常処理として、「レシピ処理終了」のレシピステップから一連処理を実行する。 In the example of FIG. 4, the third column of the table shows the jump destination corresponding to each recipe step. As a specific example, the 13th recipe step is set as the jump destination corresponding to the 1st recipe step. That is, in this example, when an abnormality is detected during the execution of the recipe step "Chemical liquid processing preparation", the processing unit 130 executes a series of processes from the recipe step "Recipe processing end" as the first abnormality processing.

これによれば、基板Wに対して処理液を用いた処理が未だ行われていない「薬液処理準備」の実行中に異常が検出されると、処理液を用いた処理(薬液処理およびリンス処理)を行わずに、乾燥処理後の「レシピ処理終了」のレシピステップを実行する。よって、処理液の消費量を低減させることができる。また、乾燥処理も行われないので、基板処理装置100の消費電力を低減させることもできる。 According to this, when an abnormality is detected during the execution of the "preparation for chemical processing" in which the processing using the processing liquid has not yet been performed on the substrate W, the processing using the processing liquid (chemical processing and rinsing processing) is performed. ) is not performed, and the recipe step of "recipe process end" after the drying process is executed. Therefore, consumption of the processing liquid can be reduced. Moreover, since the drying process is not performed, the power consumption of the substrate processing apparatus 100 can also be reduced.

図4の例では、2番目から5番目のレシピステップに対応したジャンプ先として、6番目のレシピステップが設定されている。この例では、薬液処理の実行中に異常が検出されると、処理ユニット130は第1異常処理として、「リンス処理開始」のレシピステップから一連処理を実行する。つまり、処理ユニット130は「リンス処理開始」から最後の「レシピ処理終了」までのレシピステップを順に実行する。 In the example of FIG. 4, the sixth recipe step is set as the jump destination corresponding to the second to fifth recipe steps. In this example, when an abnormality is detected during the execution of chemical liquid processing, the processing unit 130 executes a series of processes from the recipe step of "Start Rinse Processing" as the first abnormality processing. That is, the processing unit 130 sequentially executes the recipe steps from "start of rinse processing" to "end of recipe processing".

これによれば、処理ユニット130は第1異常処理において、薬液処理による基板W上の薬液をリンス処理によって洗い流し、乾燥処理によって基板Wを乾燥させることができる。よって、薬液による基板Wの損傷を抑制することができる。 According to this, in the first abnormal process, the processing unit 130 can wash away the chemical solution on the substrate W due to the chemical solution process by the rinsing process, and dry the substrate W by the drying process. Therefore, damage to the substrate W due to the chemical solution can be suppressed.

また、図4の例では、6番目から8番目のレシピステップに対応したジャンプ先として、6番目のレシピステップが設定されている。この例では、リンス処理の実行中に異常が検出されると、処理ユニット130は第1異常処理として、「リンス処理開始」のレシピステップから一連処理を実行する。つまり、処理ユニット130は「リンス処理開始」から最後の「レシピ処理終了」までのレシピステップを順に実行する。 Also, in the example of FIG. 4, the sixth recipe step is set as the jump destination corresponding to the sixth to eighth recipe steps. In this example, when an abnormality is detected during the execution of the rinse process, the processing unit 130 executes a series of processes from the "start rinse process" recipe step as the first abnormality process. That is, the processing unit 130 sequentially executes the recipe steps from "start of rinse processing" to "end of recipe processing".

これによれば、処理ユニット130は第1異常処理において、基板Wに対するリンス処理を最初から再開するので、基板Wに対するリンス処理をより確実に完了させることができる。よって、基板Wにおける薬液の残留を適切に抑制することができる。 According to this, since the processing unit 130 restarts the rinsing process for the substrate W from the beginning in the first abnormal process, the rinsing process for the substrate W can be completed more reliably. Therefore, the chemical solution remaining on the substrate W can be suppressed appropriately.

また、図4の例では、9番目から12番目のレシピステップに対応したジャンプ先として、9番目のレシピステップが設定されている。この例では、乾燥処理の実行中に異常が検出されると、処理ユニット130は異常処理として、「乾燥処理開始」のレシピステップから一連処理を実行する。つまり、処理ユニット130は「乾燥処理開始」から最後の「レシピ処理終了」までのレシピステップを順に実行する。 Also, in the example of FIG. 4, the 9th recipe step is set as the jump destination corresponding to the 9th to 12th recipe steps. In this example, when an abnormality is detected during execution of the drying process, the processing unit 130 executes a series of processes from the recipe step of "start drying process" as the abnormality process. That is, the processing unit 130 sequentially executes recipe steps from "drying process start" to the final "recipe process end".

これによれば、処理ユニット130は第1異常処理において、リンス処理を行わないので、リンス液の消費量を低減させることができる。また、処理ユニット130は第1異常処理において、基板Wに対する乾燥処理を最初から再開するので、基板Wに対する乾燥処理をより確実に完了させることができる。よって、基板Wにおけるリンス液の残留を適切に抑制することができる。 According to this, since the processing unit 130 does not perform the rinsing process in the first abnormality process, it is possible to reduce the consumption of the rinsing liquid. In addition, since the processing unit 130 restarts the drying process for the substrate W from the beginning in the first abnormal process, the drying process for the substrate W can be completed more reliably. Therefore, the residual rinse liquid on the substrate W can be appropriately suppressed.

また、図4の例では、13番目のレシピステップに対応したジャンプ先として、13番目のレシピステップが設定されている。この例では、「レシピ処理終了」に関する処理の実行中に異常が検出されると、処理ユニット130は第1異常処理として、「レシピ処理終了」のレシピステップから一連処理を実行する。 Also, in the example of FIG. 4, the 13th recipe step is set as the jump destination corresponding to the 13th recipe step. In this example, when an abnormality is detected during the execution of the process related to "end of recipe process", the processing unit 130 executes a series of processes from the recipe step of "end of recipe process" as the first error process.

複数の処理ユニット130は、基板処理装置100においてある異常が生じたときに、第1異常処理を実行する。例えば、処理ユニット130の一つにおいて該異常が生じた場合、複数の処理ユニット130が該異常の検出に応答して第1異常処理を実行する。 A plurality of processing units 130 perform a first abnormality process when a certain abnormality occurs in substrate processing apparatus 100 . For example, when the abnormality occurs in one of the processing units 130, the plurality of processing units 130 perform the first abnormality process in response to the detection of the abnormality.

しかるに、該一つの処理ユニット130では第1異常処理の実行中にも同様の異常が発生する可能性が高い。第1異常処理の実行中にも異常が生じたときには、該一つの処理ユニット130は第1異常処理をやり直さずに、動作を終了してもよい。あるいは、該一つの処理ユニット130は第1異常処理とは別の第2異常処理を実行してもよい。第2異常処理は後に詳述する。 However, there is a high possibility that a similar error will occur in the one processing unit 130 during execution of the first error handling. When an abnormality occurs even during the execution of the first abnormality process, the one processing unit 130 may terminate the operation without redoing the first abnormality process. Alternatively, the one processing unit 130 may execute a second abnormality process different from the first abnormality process. The second abnormality processing will be detailed later.

その一方で、他の処理ユニット130は第1異常処理を完了することができる可能性が高い。よって、他の処理ユニット130は適切に基板Wを救済することができる。 On the other hand, other processing units 130 are more likely to be able to complete the first failure handling. Therefore, other processing units 130 can rescue the substrate W appropriately.

このように基板処理装置100における異常の検出に応答して、すべての処理ユニット130が第1異常処理を実行して動作を停止するので、ユーザは異常に対する対応を速やかに行うことができる。 In this way, in response to detection of an abnormality in the substrate processing apparatus 100, all the processing units 130 execute the first abnormality process and stop operating, so that the user can promptly respond to the abnormality.

<第1異常処理の設定方法>
次に、ジャンプ先の設定方法の一例について説明する。例えば、ユーザは入力部96に対して、設定画面SS1の表示を指示するための入力を行う。制御部90は当該入力に応答して表示部97に設定画面SS1を表示させる。
<How to set the first error process>
Next, an example of a jump destination setting method will be described. For example, the user inputs to the input unit 96 to instruct display of the setting screen SS1. The control unit 90 causes the display unit 97 to display the setting screen SS1 in response to the input.

図5は、設定画面SS1の一例を概略的に示す図である。図5に例示された設定画面SS1には、処理内容(ここではレシピステップ)をその実行順に示す表ST1が含まれる。表ST1の第1列には、各行の処理内容を識別するための数字が示されており、この第1列の数字は処理内容の実行順を示している。 FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of the setting screen SS1. The setting screen SS1 illustrated in FIG. 5 includes a table ST1 showing the processing contents (recipe steps here) in the execution order. The first column of the table ST1 shows numbers for identifying the processing contents of each row, and the numbers in the first column indicate the execution order of the processing contents.

表ST1の第2列から第(N-1)列には、各行で規定されるレシピステップが示される。具体的な一例として、レシピステップは、「AP1」~「AP3」の項目を含む。「AP1」~「AP3」はアーム41を識別する記号である。つまり、ここでは、処理ユニット130は3つのノズル移動機構4を含む。 The second to (N-1)th columns of table ST1 show the recipe steps defined in each row. As a specific example, the recipe step includes items “AP1” to “AP3”. “AP1” to “AP3” are symbols for identifying arms 41 . That is, the processing unit 130 includes three nozzle moving mechanisms 4 here.

「AP1」~「AP3」の項目はアーム状態を示す。アーム状態とは、例えば、アーム41の位置およびアーム41の各ノズル31からの吐出状態等の状態を含む。レシピステップは、適宜に、ガード7の位置、基板Wの回転速度、処理液の流量等の情報を含んでもよい。 Items "AP1" to "AP3" indicate arm states. The arm state includes, for example, the position of the arm 41 and the ejection state from each nozzle 31 of the arm 41 . The recipe steps may optionally include information such as the position of the guard 7, the rotational speed of the substrate W, the flow rate of the processing liquid, and the like.

ユーザは、各処理内容を規定するための入力を入力部96に対して行う。より具体的な一例として、ユーザは第2列から第(N-1)列の諸情報を行ごと(つまり、レシピステップごと)に入力部96に入力する。制御部90は当該入力に応答して、処理ユニット130に実行させる一連処理を設定し、その内容を表示部97に表示させる。表示部97は設定画面SS1において表ST1に各レシピステップを表示する。 The user makes an input to the input unit 96 to define each processing content. As a more specific example, the user inputs various pieces of information from the second column to the (N-1)th column into the input unit 96 for each row (that is, for each recipe step). In response to the input, the control section 90 sets a series of processes to be executed by the processing unit 130 and causes the display section 97 to display the contents thereof. The display unit 97 displays each recipe step in a table ST1 on the setting screen SS1.

さらに、ユーザは、各レシピステップに対応したジャンプ先を指定する入力を入力部96に対して行う。制御部90は当該入力に応答して、各レシピステップに対応したジャンプ先を設定し、その内容を表示部97に表示させる。表示部97は設定画面SS1において表ST1にジャンプ先を表示する。図5の例では、第N列の「RSC」の項目がジャンプ先を示す項目である。 Furthermore, the user inputs to the input section 96 to specify the jump destination corresponding to each recipe step. In response to the input, the control section 90 sets a jump destination corresponding to each recipe step and causes the display section 97 to display the contents. The display unit 97 displays jump destinations in a table ST1 on the setting screen SS1. In the example of FIG. 5, the item "RSC" in the Nth column is the item indicating the jump destination.

制御部90は、ユーザによって設定された一連処理を示すフローレシピ情報およびジャンプ先を示すジャンプ先情報を設定情報D1として記憶装置94に記憶させる。図5の例では、設定画面SS1には「保存」ボタンB1が表示されており、ユーザは入力部96を操作してボタンB1を選択(クリック)する。制御部90は該入力に応答して、設定情報D1を記憶装置94に記憶させる。 The control unit 90 causes the storage device 94 to store the flow recipe information indicating the series of processes set by the user and the jump destination information indicating the jump destination as the setting information D1. In the example of FIG. 5, a “save” button B1 is displayed on the setting screen SS1, and the user operates the input unit 96 to select (click) the button B1. The control unit 90 stores the setting information D1 in the storage device 94 in response to the input.

制御部90は、基板処理装置100においてセンサ10が異常を検出したときに、設定情報D1に基づいて、実行中の処理内容に応じたジャンプ先を特定する。そして、制御部90は第1異常処理として、特定したジャンプ先の処理内容からの一連処理を処理ユニット130に行わせる。 When the sensor 10 in the substrate processing apparatus 100 detects an abnormality, the control section 90 specifies a jump destination according to the processing content being executed based on the setting information D1. Then, the control unit 90 causes the processing unit 130 to perform a series of processes from the specified jump destination process content as the first abnormal process.

<第2異常処理>
次に、第2異常処理について説明する。第2異常処理は、第1異常処理の実行中に異常が検出されたときに実行される。この第2異常処理の手順は予め決められており、異常が検出されたときの実行中の処理内容には依存しない。ただし、第2異常処理における処理条件(例えば処理液の流量および基板Wの回転速度)はユーザによって任意に変更可能である。言い換えれば、入力部96は第2異常処理の処理条件の入力を受け付ける。
<Second error processing>
Next, the second abnormality processing will be explained. The second abnormality process is executed when an abnormality is detected during execution of the first abnormality process. The procedure of this second abnormality process is predetermined and does not depend on the contents of the process being executed when the abnormality is detected. However, the processing conditions (for example, the flow rate of the processing liquid and the rotation speed of the substrate W) in the second abnormal processing can be arbitrarily changed by the user. In other words, the input unit 96 accepts input of processing conditions for the second abnormality processing.

第2異常処理は、例えば、予め決められたノズルを用いたリンス処理、および、乾燥処理を含む。具体的な一例として、第2異常処理のリンス処理は、固定ノズル51を用いたリンス処理である。 The second abnormal processing includes, for example, rinsing processing using predetermined nozzles and drying processing. As a specific example, the rinsing process of the second abnormality process is a rinsing process using the fixed nozzle 51 .

これによれば、処理ユニット130が第1異常処理を完了させることができない場合でも、第2異常処理を完了させることができる場合がある。例えば、一つの処理ユニット130において、ノズル31を用いた処理液に関する異常が生じた場合、該一つの処理ユニット130において第1異常処理の実行中に同様の異常が生じ得る。しかしながら、第2異常処理ではノズル31を用いないので、第2異常処理の実行中には同様の異常が生じない。したがって、該一つの処理ユニット130は第2異常処理を完了させることができる。 According to this, even when the processing unit 130 cannot complete the first error handling, it may be possible to complete the second error handling. For example, when an abnormality related to the processing liquid using the nozzle 31 occurs in one processing unit 130, the same abnormality may occur in the one processing unit 130 during execution of the first abnormality process. However, since the nozzle 31 is not used in the second abnormality process, a similar abnormality does not occur during execution of the second abnormality process. Therefore, the one processing unit 130 can complete the second error processing.

これによれば、第1異常処理が実行できない場合であっても、第2異常処理によって、基板Wの薬液をリンス液に置換させ得るので、薬液による基板Wの損傷を抑制し得る。 According to this, even if the first abnormal process cannot be executed, the chemical liquid on the substrate W can be replaced with the rinse liquid by the second abnormal process, so damage to the substrate W due to the chemical liquid can be suppressed.

<フラグ>
制御部90は、第1異常処理の有効および無効を設定するための第1フラグF1を記憶装置94に記憶させてもよい。例えば、入力部96は第1異常処理の有効または無効を指定するための入力を受け付ける。制御部90は該入力に応答して第1フラグF1を立ち上げ、または、立ち下げる。ここでは、第1フラグF1が立ち上がっているときに、第1異常処理が有効に設定され、第1フラグF1が立ち下がっているときに、第1異常処理が無効に設定される。
<Flag>
The control unit 90 may cause the storage device 94 to store a first flag F1 for setting whether the first abnormality process is valid or invalid. For example, the input unit 96 receives input for designating whether the first abnormality process is enabled or disabled. The control unit 90 raises or lowers the first flag F1 in response to the input. Here, when the first flag F1 is rising, the first abnormality process is set to be valid, and when the first flag F1 is falling, the first abnormality process is set to be invalid.

第1異常処理の有効/無効は処理ユニット130ごとに設定されてもよく、2以上の処理ユニット130に対して共通に設定されてもよい。 Enabling/disabling of the first error handling may be set for each processing unit 130 or may be set commonly for two or more processing units 130 .

制御部90は、第2異常処理の有効および無効を設定するための第2フラグF2を記憶装置94に記憶させてもよい。例えば、入力部96は第2異常処理の有効または無効を指定する入力を受け付ける。制御部90は該入力に応答して第2フラグF2を立ち上げ、または、立ち下げる。ここでは、第2フラグF2が立ち上がっているときに、第2異常処理が有効に設定され、第2フラグF2が立ち下がっているときに、第2異常処理が無効に設定される。 The control unit 90 may cause the storage device 94 to store a second flag F2 for setting whether the second abnormality process is valid or invalid. For example, the input unit 96 receives input designating whether the second abnormality process is enabled or disabled. The control unit 90 raises or lowers the second flag F2 in response to the input. Here, when the second flag F2 is raised, the second abnormality process is set valid, and when the second flag F2 is lowered, the second abnormality process is set invalid.

第2異常処理の有効/無効は処理ユニット130ごとに設定されてもよく、2以上の処理ユニット130に対して共通に設定されてもよい。 Enabling/disabling of the second error handling may be set for each processing unit 130 or may be set commonly for two or more processing units 130 .

<基板処理装置100の動作の一例>
図6は、基板処理装置100の処理の一例を示すフローチャートである。まず、ユーザは、各種情報を設定する(ステップS10:設定工程)。具体的には、ユーザは、一連処理の内容、ジャンプ先を指定する入力を入力部96に対して行う。具体的な一例として、この設定工程において、上述のように、表示部97はレシピステップおよびジャンプ先を表示する。ユーザは表示部97を確認しつつ、一連処理およびジャンプ先を入力部96に入力する。この設定工程により、記憶装置94には、フローレシピ情報およびジャンプ先情報を含む設定情報D1が記憶される。表示部97がレシピステップおよびジャンプ先を表示することによって、ユーザは第1異常処理の内容を容易に確認して、ジャンプ先を設定することができる。
<Example of Operation of Substrate Processing Apparatus 100>
FIG. 6 is a flow chart showing an example of processing of the substrate processing apparatus 100 . First, the user sets various information (step S10: setting step). Specifically, the user inputs to the input unit 96 to specify the content of the series of processes and the jump destination. As a specific example, in this setting process, the display unit 97 displays recipe steps and jump destinations as described above. While confirming the display section 97 , the user inputs a series of processes and a jump destination to the input section 96 . Through this setting process, the storage device 94 stores the setting information D1 including the flow recipe information and the jump destination information. By displaying the recipe step and the jump destination on the display unit 97, the user can easily confirm the contents of the first abnormality process and set the jump destination.

また、設定工程において、ユーザは、第1異常処理の有効/無効および第2異常処理の有効/無効を入力部96に入力する。制御部90は当該入力に応答して第1フラグF1および第2フラグF2を記憶装置94に記憶させる。 Also, in the setting process, the user inputs enable/disable of the first abnormality process and enable/disable of the second abnormality process to the input unit 96 . The control unit 90 stores the first flag F1 and the second flag F2 in the storage device 94 in response to the input.

次に、基板処理装置100は基板Wに対する処理を行う(ステップS11:基板処理工程)。具体的には、制御部90は設定情報D1に基づいて基板処理装置100の各構成を制御する。これにより、キャリアC内の基板Wが順次に処理ユニット130に搬送され、各処理ユニット130において一連処理が行われる。基板処理装置100に異常が生じることなく、すべての基板Wが処理ユニット130によって処理された上でキャリアCに搬送されると、基板処理装置100は処理を終了する。 Next, the substrate processing apparatus 100 processes the substrate W (step S11: substrate processing step). Specifically, the control unit 90 controls each component of the substrate processing apparatus 100 based on the setting information D1. As a result, the substrates W in the carrier C are sequentially transported to the processing units 130 , and a series of processes are performed in each processing unit 130 . When all the substrates W are processed by the processing unit 130 and transported to the carrier C without any abnormality occurring in the substrate processing apparatus 100, the substrate processing apparatus 100 finishes processing.

図7は、基板処理装置100に異常が生じた場合の基板処理装置100の動作の一例を示すフローチャートである。図7は、一つの処理ユニット130についての処理の流れを示している。以下では、該一つの処理ユニット130を自処理ユニット130とも呼ぶ。まず、基板処理装置100のいずれかのセンサ10が異常を検出し、その検出結果を制御部90に出力する(ステップS1:検出工程)。ここでいう異常とは、ガード7が所定位置まで移動しない異常、基板保持部2が回転しない異常、基板Wの処理中において脱着カバーがチャンバ1から取り外される異常、処理液が各ノズル31に至る経路において処理液の漏れが発生している異常、処理ユニット130からの排気圧が所定範囲外となる異常等の異常である。 FIG. 7 is a flow chart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 100 when an abnormality occurs in the substrate processing apparatus 100. FIG. FIG. 7 shows the flow of processing for one processing unit 130 . The one processing unit 130 is hereinafter also referred to as its own processing unit 130 . First, one of the sensors 10 of the substrate processing apparatus 100 detects an abnormality and outputs the detection result to the control section 90 (step S1: detection step). The abnormalities referred to here are abnormalities in which the guard 7 does not move to a predetermined position, abnormalities in which the substrate holder 2 does not rotate, abnormalities in which the detachable cover is removed from the chamber 1 during processing of the substrate W, and processing liquid reaching each nozzle 31 . This includes an abnormality such as leakage of the processing liquid from the path, an abnormality such that the exhaust pressure from the processing unit 130 is out of a predetermined range, and the like.

異常が検出されたときには、制御部90は第1異常処理が有効であるか無効であるか否かを判断する(ステップS2)。具体的には、制御部90は、記憶装置94に記憶された第1フラグF1が立ち上がっているか否かを判断する。 When an abnormality is detected, the control unit 90 determines whether the first abnormality process is valid or invalid (step S2). Specifically, the control unit 90 determines whether or not the first flag F1 stored in the storage device 94 has risen.

第1フラグF1が立ち上がっているときには、制御部90は、実行中の処理内容に応じたジャンプ先が設定されているか否かを、設定情報D1に基づいて判断する(ステップS3)。具体的には、制御部90は、記憶装置94に記憶された設定情報D1を確認する。ここでいうジャンプ先が設定されていない場合とは、ジャンプ先の情報自体が設定されていない場合、および、ジャンプ先とは無関係な記号等の情報が設定されている場合を含む。 When the first flag F1 is raised, the control unit 90 determines whether or not a jump destination corresponding to the content of the process being executed is set based on the setting information D1 (step S3). Specifically, the control unit 90 checks the setting information D1 stored in the storage device 94 . The case where the jump destination is not set includes the case where the jump destination information itself is not set and the case where information such as a symbol irrelevant to the jump destination is set.

ジャンプ先が設定されている場合には、制御部90は自処理ユニット130に当該ジャンプ先の処理内容から一連処理を実行させる(ステップS4:第1異常処理工程)。つまり、自処理ユニット130は一連処理をそのまま続行するのではなく、ジャンプ先の処理内容からの一連処理(第1異常処理)を実行する。 When the jump destination is set, the control unit 90 causes the self processing unit 130 to execute a series of processes from the processing contents of the jump destination (step S4: first abnormality processing step). In other words, the self-processing unit 130 does not continue the series of processes as it is, but executes the series of processes (first abnormal process) starting from the processing content of the jump destination.

次に、制御部90は第1異常処理の実行中に、その自処理ユニット130内のセンサ10が異常を検出したか否かを判断する(ステップS5)。つまり、制御部90は、第1異常処理の実行を阻害する異常が検出されたか否かを判断する。制御部90はこのセンサ10による異常監視を少なくとも第1異常処理の完了まで継続する。異常が生じなかったときには、自処理ユニット130は第1異常処理を完了することができる。例えば、ステップS1の異常が他の処理ユニット130において生じた場合、自処理ユニット130はより適切な第1異常処理を完了することができる。 Next, the control section 90 determines whether or not the sensor 10 in its own processing unit 130 has detected an abnormality during execution of the first abnormality processing (step S5). That is, the control unit 90 determines whether or not an abnormality that hinders execution of the first abnormality process has been detected. The control unit 90 continues abnormality monitoring by the sensor 10 at least until the first abnormality processing is completed. When no abnormality has occurred, the self-processing unit 130 can complete the first abnormality processing. For example, if the abnormality in step S1 occurs in another processing unit 130, the own processing unit 130 can complete more appropriate first abnormality processing.

一方で、第1異常処理の実行中にセンサ10によって異常が検出されると、制御部90は、第2異常処理が有効であるか否かを判断する(ステップS6)。具体的には、制御部90は、記憶装置94に記憶された第2フラグF2が立ち上がっているか否かを判断する。 On the other hand, when an abnormality is detected by sensor 10 during execution of the first abnormality process, control unit 90 determines whether or not the second abnormality process is effective (step S6). Specifically, the control unit 90 determines whether or not the second flag F2 stored in the storage device 94 is raised.

第2フラグF2が立ち上がっているときには、制御部90は、自処理ユニット130に第2異常処理を実行させる(ステップS7:第2異常処理工程)。第2異常処理は、例えば、固定ノズル51からリンス液を吐出するリンス処理と、該リンス処理後の乾燥処理とを含む。これによれば、たとえ基板W上に薬液が存在していたとしても、該薬液をリンス液に置換した後に基板Wを乾燥させ得る。よって、薬液による基板Wの損傷を抑制し得る。 When the second flag F2 is set, the control section 90 causes the processing unit 130 to execute the second abnormality processing (step S7: second abnormality processing step). The second abnormal process includes, for example, a rinse process of discharging the rinse liquid from the fixed nozzle 51 and a drying process after the rinse process. According to this, even if the chemical liquid exists on the substrate W, the substrate W can be dried after the chemical liquid is replaced with the rinsing liquid. Therefore, damage to the substrate W due to the chemical solution can be suppressed.

なお、第2異常処理の実行中にも自処理ユニット130において異常が生じた場合、制御部90は自処理ユニット130に第2異常処理を途中で終了させてもよい。あるいは、制御部90は、自処理ユニット130に予め決められた回数だけ第2異常処理をやり直させてもよい。制御部90は、最初からやり直したすべての第2異常処理で異常が生じたときに、自処理ユニット130に第2異常処理を途中で終了させてもよい。 If an abnormality occurs in self-processing unit 130 even during execution of the second error handling, control section 90 may cause self-processing unit 130 to end the second error handling in the middle. Alternatively, the control section 90 may cause the self-processing unit 130 to redo the second abnormality process a predetermined number of times. The control section 90 may cause the self-processing unit 130 to terminate the second abnormality process in the middle when an abnormality occurs in all the second abnormality processes that have been redone from the beginning.

第1異常処理が無効に設定されているとき(ステップS2:NO)には、制御部90は第2異常処理が有効であるか否かを判断する(ステップS6)。また、実行中の処理内容に対応したジャンプ先が設定されていないとき(ステップS3:NO)にも、制御部90は第2異常処理が有効であるか否かを判断する(ステップS6)。 When the first abnormality process is disabled (step S2: NO), the control unit 90 determines whether the second abnormality process is effective (step S6). Further, even when the jump destination corresponding to the process being executed is not set (step S3: NO), the control unit 90 determines whether or not the second abnormality process is effective (step S6).

第2異常処理が無効に設定されているときには(ステップS6:NO)、制御部90は自処理ユニット130の動作を停止させる。つまり、自処理ユニット130は基板Wに対する異常処理を行わずに、動作を停止する。 When the second abnormality process is disabled (step S6: NO), the control section 90 stops the operation of the processing unit 130 itself. In other words, the self-processing unit 130 does not perform the abnormal processing on the substrate W and stops its operation.

<処理例>
以下、具体的な処理例について説明する。以下では、特に説明がない限り、すべてのレシピステップに対応してジャンプ先が設定されており、第1異常処理および第2異常処理が有効に設定されているものとする。
<Processing example>
A specific processing example will be described below. Hereinafter, unless otherwise specified, it is assumed that jump destinations are set for all recipe steps, and that the first and second error processes are enabled.

<排気機構の異常>
基板処理装置100の排気機構に異常が生じた場合について説明する。このような異常が生じると、チャンバ1内の圧力が変動し得る。しかしながら、チャンバ1内の圧力が変わっても、各処理ユニット130の各駆動機構は正常に動作することが可能であるので、第1異常処理を行うことができる。
<Exhaust Mechanism Abnormality>
A case where an abnormality occurs in the exhaust mechanism of the substrate processing apparatus 100 will be described. When such an anomaly occurs, the pressure in chamber 1 may fluctuate. However, even if the pressure in the chamber 1 changes, each driving mechanism of each processing unit 130 can operate normally, so the first abnormal processing can be performed.

よって、このような異常が一連処理の実行中に生じた場合、各処理ユニット130は第1異常処理を完了させることができる(ステップS1からステップS5)。なお、第1異常処理の実行中に排気機構の異常が検出され得るものの、制御部90は第1異常処理の続行に支障がないので、第1異常処理を続行する。 Therefore, when such an anomaly occurs during execution of a series of processes, each processing unit 130 can complete the first anomaly process (steps S1 to S5). Although an abnormality in the exhaust mechanism may be detected during execution of the first abnormality process, the control unit 90 continues the first abnormality process because there is no problem in continuing the first abnormality process.

<処理ユニット130の異常>
次に、一つの処理ユニット130に異常が生じた場合について説明する。当該異常は、例えば、ノズル移動機構4の駆動系の異常である。
<Abnormality of Processing Unit 130>
Next, a case where an abnormality occurs in one processing unit 130 will be described. The abnormality is, for example, an abnormality in the driving system of the nozzle moving mechanism 4 .

このような異常は、該一つの処理ユニット130による第1異常処理の実行中にも生じるので、該一つの処理ユニット130は該異常の検出に応答して第2異常処理を行うこととなる(ステップS1からステップS7)。 Since such an anomaly also occurs while the one processing unit 130 is executing the first anomaly processing, the one processing unit 130 performs the second anomaly processing in response to the detection of the anomaly ( step S1 to step S7).

その一方で、他の処理ユニット130においては異常が生じないので、他の処理ユニット130は第1異常処理を完了することができる(ステップS1からステップS5)。 On the other hand, since no abnormality occurs in the other processing units 130, the other processing units 130 can complete the first abnormality processing (steps S1 to S5).

<ジャンプ先の未設定>
また、一連処理の処理内容のいくつかに対応してジャンプ先が適切に設定されない場合もあり得る。図8は、基板処理およびジャンプ先の一例を示す図である。図8の例では、薬液処理の処理内容に対応したジャンプ先が設定されていない。具体的には、2番目から5番目のレシピステップに対応したジャンプ先が設定されていない。
<Jump destination not set>
Also, there may be a case where the jump destination is not appropriately set corresponding to some of the processing contents of the series of processes. FIG. 8 is a diagram showing an example of substrate processing and jump destinations. In the example of FIG. 8, the jump destination corresponding to the processing contents of chemical liquid processing is not set. Specifically, jump destinations corresponding to the second to fifth recipe steps are not set.

この場合、薬液処理の実行中に異常が生じると、処理ユニット130は第1異常処理を行わずに、第2異常処理を行う(ステップS1からステップS3、ステップS6およびステップS7)。 In this case, if an abnormality occurs during the chemical liquid process, the processing unit 130 does not perform the first abnormality process, but performs the second abnormality process (steps S1 to S3, steps S6 and S7).

<第1の実施の形態の効果>
以上のように、基板処理装置100に異常が生じたときには、各処理ユニット130は一連処理をそのまま続行するのではなく、第1異常処理を行う(ステップS4)。具体的には、各処理ユニット130は第1異常処理として、その異常が生じたときに実行していた処理内容に対応したジャンプ先から一連処理を行う。つまり、第1異常処理は、一連処理の一部に相当する。一連処理は基板Wに対して適切な処理内容によって規定されるので、第1異常処理も基板Wにとって適切な処理となる。
<Effects of the first embodiment>
As described above, when an abnormality occurs in the substrate processing apparatus 100, each processing unit 130 performs the first abnormality process instead of continuing the series of processes (step S4). Specifically, each processing unit 130 performs a series of processes from a jump destination corresponding to the processing content that was being executed when the abnormality occurred as the first abnormality process. That is, the first abnormality process corresponds to part of the series of processes. Since the series of processes is defined by the content of processing suitable for the substrate W, the first abnormal process is also suitable for the substrate W. FIG.

例えば一連処理において、薬液処理の後に実行されるリンス処理では、薬液に適した種類のリンス液が採用され、また、リンス液の流量および処理時間も適切に設定される。これにより、一連処理において基板Wの薬液を適切にリンス液に置換することができる。そして、本実施の形態によれば、薬液処理の実行中に異常が生じると、第1異常処理において、一連処理と同じリンス処理が行われる。よって、第1異常処理においても、基板Wの薬液を適切にリンス液に置換することができる。 For example, in a series of processes, in the rinse process that is performed after the chemical process, a type of rinse liquid suitable for the chemical liquid is used, and the flow rate and processing time of the rinse liquid are also set appropriately. As a result, the chemical solution on the substrate W can be appropriately replaced with the rinse solution in a series of processes. Then, according to the present embodiment, when an abnormality occurs during the execution of the chemical solution processing, the same rinse processing as the series of processing is performed in the first abnormality processing. Therefore, even in the first abnormal process, the chemical liquid on the substrate W can be appropriately replaced with the rinse liquid.

また、例えば、乾燥によってパターンが倒壊しやすい基板Wに対しては、一連処理においてパターンが倒壊しないように処理が行われる。具体的な一例として、処理ユニット130は一連処理として、薬液処理、第1リンス処理、疎水化処理、第2リンス処理および乾燥処理をこの順で行う。疎水化処理とは、基板Wに疎水化液を供給して基板Wのパターンの表面に疎水化膜を形成する処理であり、第2リンス処理は基板W上の疎水化液をリンス液に置換する処理である。このように疎水化処理を行うことにより、乾燥処理におけるパターン倒壊を抑制することができる。 Further, for example, for a substrate W whose pattern is likely to collapse due to drying, processing is performed so that the pattern does not collapse in a series of processes. As a specific example, the processing unit 130 performs chemical liquid processing, first rinsing processing, hydrophobic processing, second rinsing processing, and drying processing in this order as a series of processing. The hydrophobizing process is a process of supplying a hydrophobizing liquid to the substrate W to form a hydrophobizing film on the surface of the pattern of the substrate W, and the second rinsing process replaces the hydrophobizing liquid on the substrate W with the rinse liquid. It is a process to By performing the hydrophobizing treatment in this way, it is possible to suppress the collapse of the pattern during the drying treatment.

この場合、ユーザは、薬液処理に対応したジャンプ先として、第1リンス処理開始に対応するレシピステップを設定するとよい。これによれば、薬液処理の実行中に異常が生じると、処理ユニット130は第1異常処理として、第1リンス処理から一連処理を実行する。つまり、処理ユニット130は第1異常処理として、第1リンス処理、疎水化処理、第2リンス処理および乾燥処理をこの順で行う。よって、第1異常処理においても、パターン倒壊をより確実に抑制することができる。 In this case, the user may set the recipe step corresponding to the start of the first rinse process as the jump destination corresponding to the chemical liquid process. According to this, when an abnormality occurs during execution of the chemical liquid process, the processing unit 130 executes a series of processes from the first rinse process as the first abnormality process. That is, the processing unit 130 performs the first rinsing process, the hydrophobic process, the second rinsing process, and the drying process in this order as the first abnormal process. Therefore, even in the first abnormality process, pattern collapse can be suppressed more reliably.

以上のように、第1異常処理は一連処理の一部と同じであるので、基板Wにとってより適切な異常処理を行うことができる。したがって、基板Wに対して生じ得る種々の不具合を抑制または回避することができる。 As described above, since the first abnormal process is the same as a part of the series of processes, more appropriate abnormal process for the substrate W can be performed. Therefore, various problems that may occur with respect to the substrate W can be suppressed or avoided.

また、入力部96は、一連処理の各処理内容に対応したジャンプ先の入力を受け付けるので、ユーザはより適切な第1異常処理を設定することができる。例えば、ユーザは、乾燥処理の処理内容に対応したジャンプ先として、乾燥処理の処理内容を設定するとよい(図4も参照)。この場合、処理ユニット130は乾燥処理の実行中に異常が生じると、第1異常処理として乾燥処理から一連処理を行う。言い換えれば、処理ユニット130は第1異常処理においてリンス処理を行わない。よって、リンス液の消費量および基板処理装置100の消費電力を低減させることができる。 Further, since the input unit 96 accepts input of a jump destination corresponding to each process content of the series of processes, the user can set a more appropriate first abnormality process. For example, the user may set the processing content of the drying process as a jump destination corresponding to the processing content of the drying process (see also FIG. 4). In this case, when an abnormality occurs during the execution of the drying process, the processing unit 130 performs a series of processes from the drying process as the first abnormality process. In other words, the processing unit 130 does not perform rinse processing in the first abnormality processing. Therefore, consumption of the rinse liquid and power consumption of the substrate processing apparatus 100 can be reduced.

また、例えば、ユーザは、処理液が未だ吐出されずに基板Wに処理液が付着していない状況での処理内容(例えば「薬液処理準備」)に対応したジャンプ先として、乾燥処理後の処理内容(例えば「レシピ処理終了」)を設定するとよい(図4も参照)。この場合、処理ユニット130は処理液の吐出前の処理内容の実行中に異常が生じると、乾燥処理後の処理内容から一連処理を行う。言い換えれば、処理ユニット130は第1異常処理においてリンス処理および乾燥処理を行わない。よって、リンス液の消費量を低減させることができ、また、基板処理装置100の消費電力をさらに低減させることができる。 Further, for example, the user may select a post-drying process as a jump destination corresponding to a process content (for example, "preparation for chemical liquid process") in a situation where the process liquid has not yet been discharged and the process liquid has not adhered to the substrate W. It is preferable to set the contents (for example, "recipe processing end") (see also FIG. 4). In this case, if the processing unit 130 encounters an abnormality during execution of the processing content before discharging the processing liquid, the processing unit 130 performs a series of processing from the processing content after the drying processing. In other words, the processing unit 130 does not perform the rinsing process and the drying process in the first abnormality process. Therefore, the consumption of the rinse liquid can be reduced, and the power consumption of the substrate processing apparatus 100 can be further reduced.

また、上述の例では、処理ユニット130において第1異常処理の実行中に異常が生じた場合には、異常が生じた処理ユニット130は第1異常処理をやり直すのではなく、第1異常処理とは異なる第2異常処理を行う(ステップS5およびステップS6)。第2異常処理では、予め設定されたノズル(例えば固定ノズル51)を用いたリンス処理と、該リンス処理後の乾燥処理とが行われる。 Further, in the above example, when an abnormality occurs in the processing unit 130 during execution of the first abnormality process, the processing unit 130 in which the abnormality occurs does not redo the first abnormality process, but performs the first abnormality process. performs different second abnormality processing (steps S5 and S6). In the second abnormality process, a rinsing process using a preset nozzle (for example, the fixed nozzle 51) and a drying process after the rinsing process are performed.

そして、第2異常処理において異常が生じなければ、処理ユニット130は第2異常処理を完了させることができる。例えば、第1異常処理においてノズル移動機構4の駆動異常が生じても、第2異常処理において、固定ノズル51を用いたリンス処理を行うことができる。したがって、たとえ第1異常処理が行うことができない場合であっても、第2異常処理により、基板Wの処理液を除去して乾燥させ得る。よって、薬液による基板Wの損傷を抑制することができる。 Then, if no abnormality occurs in the second abnormality processing, the processing unit 130 can complete the second abnormality processing. For example, even if the nozzle moving mechanism 4 malfunctions in the first abnormality process, the rinse process using the fixed nozzle 51 can be performed in the second abnormality process. Therefore, even if the first abnormal process cannot be performed, the second abnormal process can remove the processing liquid from the substrate W and dry it. Therefore, damage to the substrate W due to the chemical solution can be suppressed.

また、上述の例では、第1異常処理の有効および無効の区別を示す第1フラグF1が設定される。これによれば、ユーザビリティを向上させることができる。 Further, in the above example, the first flag F1 is set to indicate whether the first abnormality process is valid or invalid. According to this, usability can be improved.

また、上述の例では、第2異常処理の有効および無効の区別を示す第2フラグF2が設定される。これによっても、ユーザビリティを向上させることができる。 Further, in the above example, the second flag F2 is set to indicate whether the second abnormality process is valid or invalid. Usability can be improved also by this.

<ジャンプ先の他の設定例>
上述の例では、「薬液処理準備」のレシピステップに対応したジャンプ先は「レシピ処理終了」のレシピステップであった(図4参照)。しかしながら、ユーザは、「薬液処理準備」のレシピステップに対応したジャンプ先として、「薬液処理準備」のレシピステップを設定してもよい。これによれば、「薬液処理準備」のレシピステップの実行中に異常が生じると、処理ユニット130は第1異常処理として、「薬液処理準備」のレシピステップから一連処理を実行する。
<Another setting example of the jump destination>
In the above example, the jump destination corresponding to the recipe step "prepare for chemical liquid processing" was the recipe step "end of recipe processing" (see FIG. 4). However, the user may set the recipe step "preparation for chemical processing" as a jump destination corresponding to the recipe step "preparation for chemical processing". According to this, when an abnormality occurs during execution of the recipe step of "preparation for chemical processing", the processing unit 130 executes a series of processes from the recipe step of "preparation for chemical processing" as the first error processing.

この場合、「薬液処理準備」のレシピステップが重複して行われ得るものの、このレシピステップは、基板Wに対して薬液を供給するものではないので、重複動作が生じても問題はない。そして、処理ユニット130は第1異常処理として、薬液処理、リンス処理および乾燥処理をこの順で行う。よって、第1異常処理において異常が生じなければ、処理ユニット130は実質的な一連処理を完了させることができる。よって、基板Wを破棄する必要はなく救済できるとともに、基板Wをそのまま次の製造工程に進めることができる。 In this case, although the recipe step "preparation for chemical liquid processing" may be performed redundantly, this recipe step does not supply the chemical liquid to the substrate W, so there is no problem even if the redundant operation occurs. Then, the processing unit 130 performs chemical liquid processing, rinsing processing, and drying processing in this order as the first abnormal processing. Therefore, if no abnormality occurs in the first abnormality process, the processing unit 130 can substantially complete a series of processes. Therefore, the substrate W can be rescued without being discarded, and the substrate W can be directly advanced to the next manufacturing process.

一方、第1異常処理の実行中に異常が生じれば、処理ユニット130は第2異常処理を行う。これにより、薬液による基板Wの損傷を抑制することができる。 On the other hand, if an abnormality occurs during execution of the first abnormality process, the processing unit 130 performs a second abnormality process. As a result, damage to the substrate W due to the chemical solution can be suppressed.

また、上述の例では、一連処理において、遮断板6が用いられていないが、遮断板6が用いられてもよい。例えば、薬液処理および乾燥処理において遮断板6が近接位置で停止してもよい。この場合、「薬液処理準備」のレシピステップでは、遮断板6の近接位置への下降が規定され、「レシピ処理終了」のレシピステップでは、遮断板6のホーム位置への上昇が規定される。 Also, in the above example, the blocking plate 6 is not used in the series of processes, but the blocking plate 6 may be used. For example, the blocking plate 6 may stop at the close position during the chemical solution treatment and the drying treatment. In this case, the recipe step "Chemical solution preparation" defines the lowering of the blocking plate 6 to the adjacent position, and the recipe step "Recipe processing end" defines the lifting of the blocking plate 6 to the home position.

この場合も、図4のように「薬液処理準備」のレシピステップに対応したジャンプ先として、「レシピ処理終了」のレシピステップが設定されていてもよい。「薬液処理準備」の実行中に異常が生じると、処理ユニット130は「レシピ処理終了」のレシピステップから一連処理を行うので、遮断板6をホーム位置に上昇させることができる。また、この場合も、リンス処理および乾燥処理を行わないので、処理液の消費量および消費電力を低減させることができる。 In this case as well, as shown in FIG. 4, the recipe step "end of recipe processing" may be set as a jump destination corresponding to the recipe step "preparation for chemical liquid processing". If an abnormality occurs during the execution of "preparation for chemical liquid processing", the processing unit 130 performs a series of processes from the recipe step of "completion of recipe processing", so that the blocking plate 6 can be raised to the home position. Also in this case, since the rinsing process and the drying process are not performed, the consumption of the processing liquid and the power consumption can be reduced.

<ジャンプ先の自動設定>
上述の例では、ユーザがすべてのジャンプ先を設定している。しかしながら、必ずしもこれに限らない。制御部90は、一連処理のレシピステップのいくつか、または、全部に対して、ジャンプ先を自動的に設定してもよい。
<Automatic setting of jump destination>
In the example above, the user has set all jump destinations. However, it is not necessarily limited to this. The control unit 90 may automatically set jump destinations for some or all of the recipe steps of the series of processes.

例えば、制御部90は、処理液を供給する前の処理内容(例えば「薬液処理準備」)のレシピステップに対応したジャンプ先を、自動的に、乾燥処理後のレシピステップ(例えば「レシピ処理終了」)に設定してもよい。この乾燥処理後のレシピステップ以降のレシピステップには、各種の駆動機構(ノズル移動機構4、昇降機構68および昇降機構74)が待機位置に移動させるレシピステップが含まれる。 For example, the control unit 90 automatically changes the jump destination corresponding to the recipe step of the processing content (for example, "preparation for chemical liquid processing") before supplying the processing liquid to the recipe step after the drying processing (for example, "recipe processing end"). ”). Recipe steps subsequent to the recipe step after the drying process include a recipe step in which various drive mechanisms (the nozzle moving mechanism 4, the lifting mechanism 68 and the lifting mechanism 74) move to the standby position.

制御部90は、ユーザが入力部96にジャンプ先を入力したときには、当該入力に応答してジャンプ先を更新すればよい。つまり、制御部90は、自動的に設定したジャンプ先を、ユーザが入力したジャンプ先に更新すればよい。 When the user inputs a jump destination to the input unit 96, the control unit 90 may update the jump destination in response to the input. In other words, the control unit 90 may update the automatically set jump destination to the jump destination input by the user.

これによれば、ユーザがより簡単にジャンプ先を設定することができるので、ユーザビリティをさらに向上させることができる。 According to this, the user can more easily set the jump destination, so that usability can be further improved.

<第2の実施の形態>
第2の実施の形態にかかる基板処理装置100の構成は第1の実施の形態と同様である。図9は、第2の実施の形態にかかる基板処理装置100の動作の一例を示すフローチャートである。
<Second Embodiment>
The configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment is similar to that of the first embodiment. FIG. 9 is a flow chart showing an example of the operation of the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment.

第2の実施の形態では、第1異常処理が有効であるときに(ステップS2:YES)、制御部90は継続処理を行う(ステップS8:継続処理工程)。図10は、継続処理の具体的な一例を示すフローチャートである。まず、制御部90は、異常が生じたときに実行中の処理内容がプロセスレシピで規定された処理内容であるか否かを判断する(ステップS81)。実行中の処理内容がプロセスレシピで規定された処理内容でないときには、制御部90は継続処理を終了する。実行中の処理内容がプロセスレシピで規定された処理内容であるときには、制御部90は、実行中の処理内容が薬液処理であるか否かを判断する(ステップS82)。実行中の処理内容が薬液処理でないときには、制御部90は継続処理を終了する。 In the second embodiment, when the first abnormality process is valid (step S2: YES), the control section 90 performs the continuation process (step S8: continuation process step). FIG. 10 is a flowchart illustrating a specific example of continued processing. First, the control unit 90 determines whether or not the processing content being executed when the abnormality occurs is the processing content specified in the process recipe (step S81). When the processing content being executed is not the processing content specified by the process recipe, the control unit 90 terminates the continuation processing. When the processing content being executed is the processing content specified by the process recipe, the control unit 90 determines whether or not the processing content being executed is chemical liquid processing (step S82). When the content of the process being executed is not the chemical liquid process, the control unit 90 terminates the continuation process.

実行中の処理内容が薬液処理であるときには、制御部90はその薬液処理を継続する(ステップS83)。なお、薬液処理の継続中に異常が生じることにより、薬液処理を継続できない場合には、制御部90は薬液処理を終了してもよい。 When the content of the process being executed is the chemical liquid process, the controller 90 continues the chemical liquid process (step S83). It should be noted that the controller 90 may terminate the chemical processing when the chemical processing cannot be continued due to an abnormality occurring during the chemical processing.

次に、制御部90は継続処理(ステップS8)の後に、第1の実施の形態と同様にステップS3以降のステップを実行する(図9参照)。 Next, after the continuation process (step S8), the control unit 90 executes steps after step S3 in the same manner as in the first embodiment (see FIG. 9).

以上のように、第2の実施の形態では、処理ユニット130の薬液処理の実行中に基板処理装置100に異常が生じた場合に、該処理ユニット130は該薬液処理を続行する。よって、例えば、他の処理ユニット130で異常が生じた場合には、該処理ユニット130は該薬液処理を完了させることができる。 As described above, in the second embodiment, when an abnormality occurs in the substrate processing apparatus 100 while the processing unit 130 is performing chemical processing, the processing unit 130 continues the chemical processing. Therefore, for example, when an abnormality occurs in another processing unit 130, the processing unit 130 can complete the chemical processing.

そして、薬液処理の完了後には、該処理ユニット130は第1の実施の形態と同様に、第1異常処理または第2異常処理を行う。これによれば、第1異常処理においてジャンプ先に薬液処理が設定されていない場合でも、薬液処理を完了させることができる。なお、第1異常処理においても薬液処理が行われると、重複して薬液処理が行われるので、継続処理は、ジャンプ先に薬液処理が設定されていない場合に限って行われてもよい。 Then, after the chemical solution processing is completed, the processing unit 130 performs the first abnormality processing or the second abnormality processing as in the first embodiment. According to this, even if the chemical solution processing is not set as the jump destination in the first abnormality processing, the chemical solution processing can be completed. Note that if the chemical solution process is performed in the first abnormality process as well, the chemical solution process is performed redundantly, so the continuation process may be performed only when the chemical solution process is not set to the jump destination.

以上のように、第2の実施の形態では、薬液処理の実行中に異常が生じると、継続処理において薬液処理が継続される(ステップS83)。そして、この薬液処理の継続中に異常が生じずに薬液処理を完了させることができる場合には、異常処理後の基板Wをそのまま次の製造工程に進めることができる。 As described above, in the second embodiment, if an abnormality occurs during execution of the chemical liquid process, the chemical liquid process is continued in the continuation process (step S83). Then, if the chemical treatment can be completed without causing any abnormality during the continuation of the chemical treatment, the substrate W after the abnormal treatment can be directly advanced to the next manufacturing process.

図11は、継続処理の他の一例を示すフローチャートである。図11の例では、異常が生じたときに実行中の処理内容が薬液処理であるとき(ステップS82:YES)、制御部90は、薬液処理の残時間を取得する(ステップS84)。残時間とは、現在時刻から薬液処理の終了時刻までの残りの時間である。具体的には、制御部90は、フローレシピ情報で規定された薬液処理の処理時間と、薬液処理の開始からの経過時間とに基づいて、残時間を算出する。経過時間は例えばタイマー回路によって測定される。 FIG. 11 is a flowchart illustrating another example of continued processing. In the example of FIG. 11, when the processing content being executed when an abnormality occurs is chemical processing (step S82: YES), the control unit 90 acquires the remaining time of chemical processing (step S84). The remaining time is the remaining time from the current time to the end time of chemical treatment. Specifically, the control unit 90 calculates the remaining time based on the processing time of the chemical treatment specified by the flow recipe information and the elapsed time from the start of the chemical treatment. Elapsed time is measured, for example, by a timer circuit.

次に、制御部90は、残時間がしきい値以下であるか否かを判断する(ステップS85)。しきい値は例えば予め設定され、記憶装置94に記憶される。残時間がしきい値以下であるときには、薬液処理を短時間で完了させることができるので、制御部90は薬液処理を続行する(ステップS83)。一方で、残時間がしきい値よりも大きいときには、制御部90は薬液処理を停止して、継続処理を終了する。 Next, the control unit 90 determines whether or not the remaining time is equal to or less than the threshold (step S85). The threshold is set in advance and stored in the storage device 94, for example. When the remaining time is equal to or less than the threshold value, the chemical treatment can be completed in a short time, so the controller 90 continues the chemical treatment (step S83). On the other hand, when the remaining time is longer than the threshold value, the control unit 90 stops the chemical solution processing and terminates the continuous processing.

上述の例では、制御部90は薬液処理の残時間が短い場合には薬液処理を続行し、薬液処理の残時間が長い場合には薬液処理を続行しない。これによれば、異常が生じたときの第1異常処理に要する時間が長くなりすぎることを回避することができる。つまり、異常処理をより短時間で終了させることができる。 In the above example, the control unit 90 continues the chemical processing when the remaining time of the chemical processing is short, and does not continue the chemical processing when the remaining time of the chemical processing is long. According to this, it is possible to avoid excessively long time required for the first abnormality process when an abnormality occurs. In other words, it is possible to finish the error processing in a shorter time.

以上のように、基板処理装置100は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この基板処理装置100および基板処理方法がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the substrate processing apparatus 100 has been described in detail as above, the above description is illustrative in all aspects, and the substrate processing apparatus 100 and the substrate processing method are not limited thereto. It is understood that numerous variations not illustrated can be envisioned without departing from the scope of this disclosure. Each configuration described in each of the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

10 センサ
90 制御部
100 基板処理装置
130 処理ユニット
97 表示部
S1 検出工程(ステップ)
S10 設定工程(ステップ)
S11 基板処理工程(ステップ)
S4 第1異常処理工程(ステップ)
S7 第2異常処理工程(ステップ)
S8 継続処理工程(ステップ)
W 基板
REFERENCE SIGNS LIST 10 sensor 90 control unit 100 substrate processing apparatus 130 processing unit 97 display unit S1 detection process (step)
S10 setting process (step)
S11 Substrate processing step (step)
S4 First abnormality handling step (step)
S7 Second abnormality handling step (step)
S8 Continuation process (step)
W substrate

Claims (7)

基板に対する一連処理を規定する複数の処理内容の各々に対応して前記複数の処理内容の一つをジャンプ先に設定する設定工程と、
前記基板に対して前記一連処理を開始する基板処理工程と、
異常を検出する検出工程と、
前記異常を検出したときに、実行中の処理内容である実行内容に対応して設定された前記ジャンプ先から、前記一連処理を行う第1異常処理工程と
を備える、基板処理方法。
a setting step of setting one of the plurality of processing contents as a jump destination corresponding to each of a plurality of processing contents defining a series of processes for the substrate;
a substrate processing step of starting the series of processes on the substrate;
a detection step of detecting an anomaly;
and a first abnormality processing step of performing the series of processes from the jump destination set corresponding to the execution content, which is the processing content being executed, when the abnormality is detected.
請求項1に記載の基板処理方法であって、
前記異常を検出したときの前記実行内容に対応した前記ジャンプ先が設定されていないとき、または、前記第1異常処理工程の実行中に前記異常を検出したときに、前記実行内容に依存しない予め設定された第2異常処理を行う第2異常処理工程をさらに備える、基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1,
When the jump destination corresponding to the execution contents when the abnormality is detected is not set, or when the abnormality is detected during the execution of the first abnormality handling step, a pre-determined operation that does not depend on the execution contents is performed. A substrate processing method, further comprising a second abnormality processing step of performing a set second abnormality processing.
請求項1または請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記設定工程において、前記複数の処理内容および前記ジャンプ先を表示部に表示する、基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1 or 2,
The substrate processing method, wherein in the setting step, the plurality of processing contents and the jump destination are displayed on a display unit.
請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記実行内容が、前記基板に薬液を供給する薬液処理であるときに、前記第1異常処理工程よりも前に、前記薬液処理を継続して行う継続処理工程をさらに備える、基板処理方法。
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3,
The substrate processing method further comprising, when the execution content is a chemical liquid process of supplying a chemical liquid to the substrate, a continuous processing step of continuing the chemical liquid processing prior to the first abnormality processing step.
請求項4に記載の基板処理方法であって、
前記継続処理工程において、前記薬液処理の終了時刻までの残時間がしきい値以下であるときに、前記薬液処理を継続して行い、前記残時間が前記しきい値よりも大きいときに、前記薬液処理を停止する、基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 4,
In the continuous processing step, when the remaining time until the end time of the chemical processing is equal to or less than a threshold value, the chemical processing is continued, and when the remaining time is greater than the threshold value, the A substrate processing method for stopping chemical processing.
基板処理装置であって、
基板に対して一連処理を行う処理ユニットと、
異常を検出するセンサと、
前記一連処理を規定する複数の処理内容の各々に対応して前記複数の処理内容の一つをジャンプ先に設定し、前記処理ユニットに、前記基板に対して前記一連処理を開始させ、前記センサが前記異常を検出したときに、前記処理ユニットに、実行中の処理内容である実行内容に対応して設定された前記ジャンプ先から前記一連処理を行わせる制御部と
を備える、基板処理装置。
A substrate processing apparatus,
a processing unit that performs a series of processes on the substrate;
a sensor for detecting anomalies;
setting one of the plurality of processing contents as a jump destination corresponding to each of the plurality of processing contents defining the series of processing, causing the processing unit to start the series of processing for the substrate, and a control unit that causes the processing unit to perform the series of processes from the jump destination set corresponding to the execution content, which is the processing content being executed, when the detects the abnormality.
基板に対して一連処理を行う処理ユニットと、異常を検出するセンサとを備える基板処理装置を制御するプログラムであって、
コンピュータに、
前記一連処理を規定する複数の処理内容の各々に対応して前記複数の処理内容の一つをジャンプ先に設定する設定工程と、
前記処理ユニットに、前記基板に対する前記一連処理を開始させる基板処理工程と、
前記異常を検出する検出工程と、
前記異常を検出したときに、前記処理ユニットに、実行中の処理内容である実行内容に対応して設定された前記ジャンプ先から前記一連処理を行わせる第1異常処理工程と
を実行させるための、プログラム。
A program for controlling a substrate processing apparatus comprising a processing unit that performs a series of processes on a substrate and a sensor that detects an abnormality,
to the computer,
a setting step of setting one of the plurality of processing contents as a jump destination corresponding to each of the plurality of processing contents defining the series of processes;
a substrate processing step of causing the processing unit to start the series of processes on the substrate;
a detection step of detecting the abnormality;
for causing the processing unit to perform the series of processes from the jump destination set corresponding to the execution content, which is the processing content being executed, when the abnormality is detected; ,program.
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