JP2005142572A - (微細粉末)フルオロポリマーから部分的に誘導され、電子基板として有用なポリイミドをベースとした組成物、およびそれに関連する方法と組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ポリイミド成分およびフルオロポリマー成分(250から375℃の融点を有し、20から5000ナノメートル(5.0ミクロン)の平均粒径を有する)は、高い分散レベルで混合され、ここではフルオロポリマー成分は10から60%の重量比で存在する。これら2つの成分からなるポリマー複合体は、高速デジタル回路またはデジタル信号の低損失のための高い信号完全性で使用される薄いフィルム形態で特に有用である。該フィルムはまた、ワイヤラップ、あるいはフレキシブル回路積層体用のカバーレイフィルム基板またはベースフィルム基板としても使用され得る。
【選択図】 なし
Description
i.熱的操作および/または機械的操作(例えば、組成物をフィルムにキャストすることおよび/または加工の際に組成物を延伸すること)によるような加工の際の、ポリアミック酸溶媒の組成物からの移動によって、および/または、
ii.フルオロポリマーの軟化点を越える温度で組成物を処理して、組成物をより流動性または半流動性のものにし、それによって、より低い表面エネルギーのフルオロポリマー成分(相対的により高い表面エネルギーのポリアミック酸またはポリイミド成分に比べて)が、そのブレンドの表面で熱力学的により好ましい状態に到達できる(一般的に言えば、2つの成分間での移動が可能な場合、より高い表面エネルギー成分と混合したときに、より低い表面エネルギー成分は表面へブルーミングする傾向がある)ことによっても促進されると考えられる。
i.以下の平均粒径(ミクロン)、5、4、3、2、1、0.8、0.6、0.5、0.4、0.3、0.2、0.1、0.08、0.06、0.04または0.02ミクロン(すなわち20ナノメートル)のうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含む範囲の平均粒径を有し、
ii.375、370、365、350、325、300、280、275、265または250℃以下の融解温度を有し、かつ
iii.100重量部ポリイミド当たり、以下の、9、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、90、95、100、110および120重量部のうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含む充填量を有する、
と規定される。
1.「PFA」は、ポリマー全体の少なくとも50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99または約100重量%を示す以下の部分
2.上記式中、R1はCnF2n+1(nは20までまたはそれ以上を含む1以上の任意の自然数であってよく、典型的にはnは1から3である)であり、
xおよびyはモル分率であって、xは0.95から0.99の範囲内、典型的には0.97であり、yは0.01から0.05の範囲内、典型的には0.03であり、
ASTMD1238に記載のメルトフローレイトは、1から100(g/10分)、好ましくは1から50(g/10分)、より好ましくは2から30(g/10分)、最も好ましくは5から25(g/10分)の範囲内である。
3.「FEP」は、ポリマー全体の少なくとも50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99または約100重量%を示す以下の部分
上記式中、xおよびyはモル分率であり、xは0.85から0.95の範囲内、典型的には0.92であり、yは0.05から0.15の範囲内、典型的には0.08であり、
ASTMD1238に記載のメルトフローレイトは、1から100(g/10分)、好ましくは1から50(g/10分)、より好ましくは2から30(g/10分)、最も好ましくは5から25(g/10分)の範囲内である。
4.「PTFE」は、全体または一部において、テトラフルオロエチレンから誘導され、ポリマー全体の少なくとも50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99または約100重量%を示す以下の部分
を有する、ポリテトラフルオロエチレン(その変形形態もしくは誘導体を含む)である。
5.「ETFE」は、全体または一部において、エチレンとテトラフルオロエチレンとから誘導され、ポリマー全体の少なくとも50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99、または約100重量%を示す以下の部分
上記式中、xおよびyはモル分率であり、xは0.40から0.60の範囲内、典型的には0.50であり、yは0.40から0.60の範囲内、典型的には0.50であり、
ASTMD1238に記載のメルトフローレイトは、1から100(g/10分)、好ましくは1から50(g/10分)、より好ましくは2から30(g/10分)、最も好ましくは5から25(g/10分)の範囲内である。
を含む。
1.クロロトリフルオロエチレンポリマー(CTFE)
2.テトラフルオロエチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー(TFE/CTFE)、
3.エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー(ECTFE)、および
4.ポリビニリデンフルオリド(PVDF)
である。
1. ピロメリット酸二無水物(PMDA);
2. 3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA);
3. 3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA);
4. 4,4’−オキシジフタル酸無水物(ODPA);
5. ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物(DSDA);
6. 2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)1,1,1,3,3,3,−ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA);
7. 2,2’−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物(BPADA);
8. 2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物;
9. 1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物;
10. 1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物;
11. 2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物;
12. 2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物;
13. 2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物;
14. 2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物;
15. 2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物;
16. 2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物;
17. 2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物;
18. 1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物;
19. 1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物;
20. ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物;
21. ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物;
22. 4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物;
23. ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホキシド二無水物;
24. テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物;
25. ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物;
26. チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物;
27. フェナントレン−1,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物;
28. ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水物;
29. ビス−1,3−イソベンゾフランジオン;
30. ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)チオエーテル二無水物;
31. ビシクロ−[2,2,2]−オクテン−(7)−2,3,5,6−テトラカルボン酸−2,3,5,6−二無水物;
32. 2−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)5,6−ジカルボキシベンゾイミダゾール二無水物;
33. 2−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)5,6−ジカルボキシベンゾオキサゾール二無水物;
34. 2−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)5,6−ジカルボキシベンゾチアゾール二無水物;
35. ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)2,5−オキサジアゾール1,3,4−二無水物;
36. ビス2,5−(3’,4’−ジカルボキシジフェニルエーテル)1,3,4−オキサジアゾール二無水物;
37. その他同種のもの;
38. それらの酸、酸エステルおよび酸ハロゲン化物エステル誘導体、
が含まれる。
1. 2,2ビス−(4−アミノフェニル)プロパン;
2. 4,4’−ジアミノジフェニルメタン;
3. 4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド;
4. 3,3’−ジアミノジフェニルスルホン;
5. 4,4’−ジアミノジフェニルスルホン;
6. 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−ODA);
7. 3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA);
8. 1,3−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB−134);
9. 1,3−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB−133);
10. 1,2−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン;
11. 1,2−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン;
12. 1,4−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン;
13. 1,4−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン;
14. 1,5−ジアミノナフタレン;
15. 2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン;
16. 4,4’−ジアミノジフェニルジエチルシラン;
17. 4,4’−ジアミノジフェニルシラン;
18. 4,4’−ジアミノジフェニルエチルホスフィンオキシド;
19. 4,4’−ジアミノジフェニル−N−メチルアミン;
20. 4,4’−ジアミノジフェニル−N−フェニルアミン;
21. 1,2−ジアミノベンゼン(OPD);
22. 1,3−ジアミノベンゼン(MPD);
23. 1,4−ジアミノベンゼン(PPD);
24. 2,5−ジメチル−1,4−ジアミノベンゼン;
25. 2,5−ジメチル−1,4−フェニレンジアミン(DPX);
26. トリフルオロメチル−2,4−ジアミノベンゼン;
27. トリフルオロメチル−3,5−ジアミノベンゼン;
28. 2,2−ビス(4−アミノフェニル)1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン(6Fジアミン);
29. 2,2−ビス(3−アミノフェニル)1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン;
30. ベンジジン;
31. 4,4’−ジアミノベンゾフェノン;
32. 3,4’−ジアミノベンゾフェノン;
33. 3,3’−ジアミノベンゾフェノン;
34. m−キシリレンジアミン;
35. p−キシリレンジアミン;
36. ビスアミノフェノキシフェニルスルホン;
37. 4,4’−イソプロピリデンジアニリン;
38. N,N−ビス−(4−アミノフェニル)メチルアミン;
39. N,N−ビス−(4−アミノフェニル)アニリン
40. 3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル;
41. 4−アミノフェニル−3−アミノベンゾエート;
42. 2,4−ジアミノトルエン;
43. 2,5−ジアミノトルエン;
44. 2,6−ジアミノトルエン;
45. 2,4−ジアミン−5−クロロトルエン;
46. 2,4−ジアミン−6−クロロトルエン;
47. 2,4−ビス−(β−アミノ−t−ブチル)トルエン;
48. ビス−(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル;
49. p−ビス−2−(2−メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン;
50. 1−(4−アミノフェノキシ)−3−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン;
51. 1−(4−アミノフェノキシ)−4−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン;
52. 2,2−ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP);
53. ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニルスルホン(BAPS);
54. 4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン(m−BAPS);
55. 4,4’−ビス−(アミノフェノキシ)ビフェニル(BAPB);
56. ビス(4−[4−アミノフェノキシ]フェニル)エーテル(BAPE);
57. 2,2’−ビス−(4−フェノキシアニリン)イソプロピリデン;
58. 2,4,6−トリメチル−1,3−ジアミノベンゼン;
59. 4,4’−ジアミノ−2,2’−トリフルオロメチルジフェニルオキシド;
60. 3,3’−ジアミノ−5,5’−トリフルオロメチルジフェニルオキシド;
61. 4,4’−トリフルオロメチル−2,2’−ジアミノビフェニル;
62. 4,4’−オキシ−ビス−[(2−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン];
63. 4,4’−オキシ−ビス−[(3−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン];
64. 4,4’−チオ−ビス−[(2−トリフルオロメチル)ベンゼン−アミン];
65. 4,4’−チオビス−[(3−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン];
66. 4,4’−スルホキシル−ビス−[(2−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン;
67. 4,4’−スルホキシル−ビス−[(3−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン];
68. 4,4’−ケト−ビス−[(2−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン];
69. その他同種のもの、
が含まれる。
1.固体潤滑剤(例えば、二硫化モリブデン、グラファイト、窒化ホウ素、一酸化鉛および鉛粉末)、
2.1種または複数の補強材料(すなわち、ガラス繊維、炭素繊維、芳香族ポリアミド繊維、チタン酸カリウム繊維およびガラスビーズ)、
3.酸化防止剤、
4.熱安定剤、
5.紫外線吸収剤、
6.難燃剤、
7.難燃相乗剤、
8.帯電防止剤、
9.潤滑剤、
10.液晶ポリマー、
11.着色剤および
12.本発明の任意の実施形態に有用な慣用の添加剤または慣用でない添加剤
が含まれる。
3つの成分、ポリアミック酸、フルオロポリマー微細粉末および極性溶媒からなるスラリーを調製した。40gのジメチルアセトアミド溶媒をブレンダーに加えた。ZONYL(登録商標)微細化粉末をハンマーミルにかけ、325と400メッシュのスクリーンフィルターの両方を通じて篩にかけて、MP−1600から誘導された微細粉末を形成した。「微細粉末」のMP−1600を形成した後、10gを計量して、溶媒を含むブレンダーに加えた。ブレンダーを1分間低速で始動し、次いでさらに数分間高速に上昇させた。ジメチルアセトアミドで溶解された、20重量%のポリアミック酸溶液10gを、ブレンダーに加えて1分間攪拌した。ポリアミック酸溶液をジアミンと二無水物から誘導した。この場合、ジアミンは4,4’−ODAであり、二無水物はPMDAであった。
実施例6〜10を、実施例1〜5にしたがって調製した。しかし、これらの実施例では、フルオロポリマー樹脂微細粉末を、ZONYL(登録商標)MP−1600の代わりに、MP−1100から得た。
実施例11〜17を、実施例1〜5にしたがって調製した。しかし、高粘度のポリアミック酸を調製するために使用したモノマーを変更した。等モル比の4,4’−ODAおよびPMDAを用いる代わりに、3つのモノマーを使用した。
以下の実施例を、実施例1〜5にしたがって調製した。しかし、これらの実施例でのフルオロポリマーは、市販の「微細化」フルオロポリマー粉末(例えばZONYL(登録商標)MP製品)から誘導されなかった。これらの微細粉末は、デュポン社からTEFLON(登録商標)およびZONYL(登録商標)の商品名で販売されている、典型的なフルオロポリマー樹脂から誘導された(粉砕および篩分けされた)。TEFLON(登録商標)樹脂は典型的に非常に大きな粒径を有し、様々な分子量を有している。これらの樹脂は、微細粉末を最終的に形成するために、ハンマーミルにおける非常に長い粉砕時間と、篩分けとが必要である。
4,4’−ODAおよびPMDAを、実質的に等モル比で使用して高粘度のポリアミック酸溶液を調製した。まず、低粘度のポリアミック酸(約50ポアズ)を、約20重量%の溶液濃度で調製した。少量のPMDA溶液(該溶液はPMDAを6重量%含む)を、低粘度のポリアミック酸に加えた。PMDA溶液を加えて、ポリアミック酸溶液が約2000ポアズの最終粘度に達するまで、高せん断力下で低粘度のポリアミック酸とブレンドした。
比較例1にしたがって以下の比較例を調製したが、高粘度ポリアミック酸を調製するために使用されるモノマーを変更した。等モル比の4,4’−ODAとPMDAを用いる代わりに、3つのモノマーを使用した。この例では、二無水物成分としてピロメリット酸二無水物(PMDA)およびオキシジフタル酸無水物(ODPA)の混合物を使用し、ジアミン成分として等モル量のAPB−134(アミノフェノキシベンゼン)を使用した。
実施例18〜20にしたがって、以下の比較例を調製した。前述したように、実施例18〜20で当初使用したフルオロポリマー樹脂は、出発時は微細粉末フルオロポリマーではなかった。出発時は、これらのフルオロポリマー樹脂は、200から500ミクロンの範囲の大きな粒径を有していた。以下の比較例では、これらのフルオロポリマーを、より小さい粒径範囲に粉砕しなかった。したがって、以下のデータは標準的なフルオロポリマー樹脂成分を用いた結果を表す。これらのフルオロポリマーは、TEFLON(登録商標)およびZONYL(登録商標)のような商品名で市販されている。
実施例1〜5にしたがって以下の比較例を調製した。これらの比較例のためのフルオロポリマー樹脂は、より微細な粒径に粉砕されていない「微細化粉末」、ZONYL MP(登録商標)粉末であった。したがって、以下の表10のデータは、フルオロポリマー成分として標準的なフルオロポリマーの「微細化粉末」樹脂を用いた結果を表す。これらの「微細化粉末」は、粉砕および篩分けをせず、微細粉末を形成させなかった。
Claims (27)
- 単独でまたは多層構造の成分として電子用途または電気用途に有用である単一層基板であって、単一層基板は少なくともポリイミド成分およびフルオロポリマー成分のポリマーブレンドを含み、
a.フルオロポリマー成分は、100重量部のポリイミド成分当たり、以下の、9、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、90、95、100、110および120重量部のうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含む範囲にあり、
b.フルオロポリマー成分は、
i.以下の、5、4、3、2、1、0.8、0.6、0.5、0.4、0.3、0.2、0.1、0.08、0.06、0.04または0.02ミクロンのうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含む範囲の平均粒径を有するフルオロポリマー微細粉末から誘導され、かつ
ii.375、370、365、350、325、300、280、275、265または250℃以下の融解温度を有することを特徴とする単一層基板。 - 単独でまたは多層構造の成分として電子用途または電気用途に有用である外側表面と内部コアとを有する単一層基板であって、単一層基板は少なくともポリイミド成分およびフルオロポリマー成分のポリマーブレンドを含み、
a.フルオロポリマー成分は、100重量部のポリイミド成分当たり、以下の、9、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、90、95、100、110および120重量部のうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含む範囲にあり、
b.不均衡な量のフルオロポリマー成分は基板の外側表面と一体化しており、
c.不均衡な量のポリイミドは基板の内部コアと一体化しており、
d.外側表面のフルオロポリマー成分は、
i.0.05ミクロンよりも大きい平均厚さを有し、
ii.以下の、5、4、3、2、1、0.8、0.6、0.5、0.4、0.3、0.2、0.1、0.08、0.06、0.04または0.02ミクロンのうちの任意の2つの値の間の範囲の平均粒径を有するフルオロポリマー微細粉末から誘導され、かつ、
iii.375、370、365、350、325、300、280、275、265または250℃以下の融解温度を有することを特徴とする単一層基板。 - 基板表面の50%超はフルオロポリマーであることを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 表面の少なくとも1つの面に沿った大部分のフルオロポリマー成分が、単一連続相であることを特徴とする請求項3に記載の単一層基板。
- 単一連続相は、少なくとも0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、15、20、25、50または60ミクロンの厚さを規定することを特徴とする請求項4に記載の単一層基板。
- 以下の、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7および1.75%のうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含む範囲の吸水率値を有することを特徴とする請求項5に記載の単一層基板。
- ポリイミド前駆体溶液およびフルオロポリマー微細粉末を混合し、かつ、その混合物を、フルオロポリマー微細粉末の凝集体を平均5、4、3、2.5、2、1、0.5、0.2、0.1、0.05または0.02ミクロン未満に小さくするのに十分なせん断力および温度にかけることによって、基板を部分的に作製することを特徴とする請求項6に記載の単一層基板。
- フルオロポリマー相の少なくとも一部はまた、金属に積層されることを特徴とする請求項7に記載の単一層基板。
- 以下の、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7および1.75%のうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含む範囲の吸水率値を有し、かつ、散逸損失が1MHzで0.0005から0.0020の範囲内であることを特徴とする請求項8に記載の単一層基板。
- 基板は、以下の、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190および200ミクロンのうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含む範囲の総厚を有することを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 基板の少なくとも20、30、40、50または60重量%は、単一連続相であることを特徴とする請求項10に記載の単一層基板。
- 基板の少なくとも40、50、60、70または80重量%は、2つの別個の連続相によって規定されることを特徴とする請求項10に記載の単一層基板。
- ポリイミド成分は、1種または複数の二無水物成分を1種または複数のジアミン成分と接触させることによって、少なくとも部分的にもたらされるポリアミック酸前駆体から誘導され、二無水物成分は、ピロメリット酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)1,1,1,3,3,3,−ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA)、2,2’ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、およびこれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- ポリイミド成分は、1種または複数の二無水物成分と1種または複数のジアミン成分を接触させることによって、少なくとも部分的にもたらされるポリアミック酸前駆体から誘導され、ジアミン成分は、1,4−ジアミノベンゼン、1,3−ジアミノベンゼン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−ODA)、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、1,3−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB−134)、1,3−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB−133)、2,2−ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニルスルホン(BAPS)、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン(m−BAPS)、4,4’−ビス(アミノフェノキシ)ビフェニル(BAPB)、ビス(4−[4−アミノフェノキシ]フェニル)エーテル(BAPE)、2,2’−ビス−(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3−ヘキサフルオロプロパン(6Fジアミン)、およびこれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- フルオロポリマー成分は、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー(PFA)、クロロトリフルオロエチレンポリマー(CTFE)、テトラフルオロエチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー(TFE/CTFE)、エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー(ECTFE)、およびポリビニリデンフルオリド(PVDF)、ポリ(テトラフルオロエチレン−co−ヘキサフルオロプロピレン)(FEP)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、およびポリ(エチレン−co−テトラフルオロエチレン)(ETFE)を含む群から選択されるフルオロポリマー成分から誘導されることを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 基板の誘電率は、以下の、2.0、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8、2.9、3.00、3.1、3.2、3.3、3.4および3.5のうちの任意の2つの値の間であり、かつその2つの値を含むことを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 液晶ポリマー成分をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 前記基板は、高速デジタルアンテナの全部または一部を含むことを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 前記基板は、マイクロ波受信機、マイクロ波送信機またはマイクロ波トランシーバーの構成要素であることを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 前記基板は、多層のフレキシブル回路基板またはリジッド回路基板の構成要素であることを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 前記基板は、レベル1またはレベル2の回路パッケージの構成要素であることを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 前記基板が、1本または複数の導電性ワイヤまたは導電性ケーブル用のハウジングの全部または一部を構成することを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 充填材をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- シリコンゲル、シリカ、炭素、ゼオライト、エアーゾル製品、および金属酸化物からなる群から選択される充填材をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- リン酸二カルシウム、アルミナ、およびチタニアからなる群から選択される充填材をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の単一層基板。
- 基板はパッケージング構成物の構成要素であって、パッケージング構成物は、チップオンリード(「COL」)パッケージ、チップオンフレックス(「COF」)パッケージ、リードオンチップ(「LOC」)パッケージ、マルチチップモジュール(「MCM」)パッケージ、オプトエレクトロニックパッケージ、フラットワイヤ用途、ボールグリッドアレイ(「BGA」または「μ−BGA」)パッケージ、チップスケールパッケージ(CSP)またはテープ自動化ボンディング(「TAB」)パッケージであることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 基板は導電性通路を含む集積回路パッケージング基板の構成要素であって、前記通路は、以下の群、すなわち、ワイヤボンド、導電性金属およびはんだバンプのうちの1つまたは複数のメンバーを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板。
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