JP2005097074A - 絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率樹脂複合材料 - Google Patents
絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率樹脂複合材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005097074A JP2005097074A JP2004002446A JP2004002446A JP2005097074A JP 2005097074 A JP2005097074 A JP 2005097074A JP 2004002446 A JP2004002446 A JP 2004002446A JP 2004002446 A JP2004002446 A JP 2004002446A JP 2005097074 A JP2005097074 A JP 2005097074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrafine powder
- dielectric constant
- conductive
- insulated
- composite material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASFVCDRHHQZBFT-UHFFFAOYSA-N barium;oxolead Chemical compound [Ba].[Pb]=O ASFVCDRHHQZBFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
- E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
- E06B7/00—Special arrangements or measures in connection with doors or windows
- E06B7/28—Other arrangements on doors or windows, e.g. door-plates, windows adapted to carry plants, hooks for window cleaners
- E06B7/36—Finger guards or other measures preventing harmful access between the door and the door frame
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/628—Coating the powders or the macroscopic reinforcing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/628—Coating the powders or the macroscopic reinforcing agents
- C04B35/62802—Powder coating materials
- C04B35/62805—Oxide ceramics
- C04B35/62818—Refractory metal oxides
- C04B35/62821—Titanium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F13/00—Illuminated signs; Luminous advertising
- G09F13/04—Signs, boards or panels, illuminated from behind the insignia
- G09F13/0404—Signs, boards or panels, illuminated from behind the insignia the light source being enclosed in a box forming the character of the sign
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F13/00—Illuminated signs; Luminous advertising
- G09F13/04—Signs, boards or panels, illuminated from behind the insignia
- G09F13/0418—Constructional details
- G09F13/0445—Frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/002—Inhomogeneous material in general
- H01B3/006—Other inhomogeneous material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
- H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E05—LOCKS; KEYS; WINDOW OR DOOR FITTINGS; SAFES
- E05Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES E05D AND E05F, RELATING TO CONSTRUCTION ELEMENTS, ELECTRIC CONTROL, POWER SUPPLY, POWER SIGNAL OR TRANSMISSION, USER INTERFACES, MOUNTING OR COUPLING, DETAILS, ACCESSORIES, AUXILIARY OPERATIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, APPLICATION THEREOF
- E05Y2800/00—Details, accessories and auxiliary operations not otherwise provided for
- E05Y2800/40—Physical or chemical protection
- E05Y2800/41—Physical or chemical protection against finger injury
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
- E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
- E06B3/00—Window sashes, door leaves, or like elements for closing wall or like openings; Layout of fixed or moving closures, e.g. windows in wall or like openings; Features of rigidly-mounted outer frames relating to the mounting of wing frames
- E06B3/02—Wings made completely of glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0215—Metallic fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0224—Conductive particles having an insulating coating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0242—Shape of an individual particle
- H05K2201/0257—Nanoparticles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/268—Monolayer with structurally defined element
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
- Y10T428/2993—Silicic or refractory material containing [e.g., tungsten oxide, glass, cement, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
- Y10T428/2998—Coated including synthetic resin or polymer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
Abstract
【課題】
フィラー添加量を抑制し、樹脂材料本来の加工性、成形性を保持した高誘電率樹脂複合材料を提供する。
【解決手段】
高誘電率フィラーとして、短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末を絶縁被覆した絶縁化超微粉末を樹脂に添加する。
【選択図】 図２
フィラー添加量を抑制し、樹脂材料本来の加工性、成形性を保持した高誘電率樹脂複合材料を提供する。
【解決手段】
高誘電率フィラーとして、短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末を絶縁被覆した絶縁化超微粉末を樹脂に添加する。
【選択図】 図２
Description
本発明は、絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率を特長とする、樹脂複合材料に関する。この材料は、ＩＣ(集積回路)パッケージ、モジュール基板、電子部品に一体化した高誘電率層を形成するのに好適である。特に、多層型配線基板の内層キャパシタ層を形成するのに好適である。また、高誘電率による波長短縮効果を利用することで、無線ＬＡＮや非接触ＩＣカードなどの内蔵アンテナの小型化や、高周波電子機器内部の電波干渉を防止する電波吸収体の薄型化にも有用である。
ＩＣ（集積回路）のデータエラーの原因の一つとして、高周波雑音の影響がある。これを抑制するために、配線基板に容量の大きなキャパシタを設けて、高周波雑音を取り除く方法が知られている。このような容量の大きなキャパシタは、配線基板に高誘電率層を形成することで実現される。また、無線ＬＡＮや非接触ＩＣカードなどの内蔵アンテナの大きさや電波吸収体の厚さは、構成材質の誘電率の平方根にほぼ反比例するため、高誘電率材料はこれら部材の小型化、薄型化に有用である。特に加工性や成形性に優れた樹脂材料にこのような特性を付与することが求められている。
従来の技術としては、チタン酸バリウムなどに代表される強誘電体を高誘電率フィラーとして６５vol％以上添加した樹脂複合材料が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このような強誘電性フィラーの大量添加が必要となる理由は以下のとおりである。添加量が少ない場合、高誘電率フィラーが比誘電率３程度の樹脂に絶縁された状態となっている。この状態を等価回路で考察すると、低誘電率の樹脂に対応する容量の小さいキャパシタンスと高誘電率フィラーに対応する容量の大きなキャパシタンスとの直列回路で表される。この場合、誘電率の逆数に加成性があるため、例えば高誘電率フィラーの添加率が５０vol％でも複合材料の誘電率は６程度にしかならない。この点を回避するためには複合材料の等価回路が並列回路になるようにする必要がある。実態としては高誘電率フィラーの連続層を複合材料内に形成することが必要となる。
この連続層を形成し、複合材料の高誘電率化を図るために、高誘電体などの高誘電率フィラーを６５vol％以上添加することが必要とされていた。このため比誘電率２０以上を実現するには８０wt％以上の強誘電体を高誘電率フィラーとして添加することが必要となり、高誘電率化と引き換えに樹脂材料本来の特長である加工性、成形性が損なわれることになる。従来の技術は上述のようなフィラーの大量添加という本質的な原因については何ら対策がとられていなかった。
特開２００１−２３７５０７号公報
本発明は、上記課題を解決し、樹脂材料本来の特長である加工性や成形性を維持できるようにフィラーの添加率を抑制したうえで、樹脂複合材料の高誘電率化を図る手段を提供するものである。
発明者らは、樹脂材料中でのフィラーの連続層形成およびナノサイズ粒子自身の高誘電率化について鋭意検討し、上記課題について以下の解決手段を発明するに到った。すなわち、導電性超微粉末の表面を絶縁体で被覆した絶縁化超微粉末は、５〜５０vol％といった少ない添加量でも、樹脂複合材料の誘電率を高くできることを見出した。
本発明は導電性超微粉末を絶縁被膜した絶縁化超微粉末を少量添加することによって、樹脂材料本来の優れた成形性や加工性を維持したまま樹脂複合材料の高誘電率化を可能にする。
本発明で用いる導電性超微粉末は、単独で樹脂材料に添加した場合、樹脂複合材料の体積抵抗を低下する、すなわち、導電性を付与する効果を有するものである。このような導電性超微粉末を構成する材質としては、ファーネスカーボンブラック、黒鉛化カーボンブラック、カーボンナノチューブなどの導電性炭素材料、アルミニウム、銅、金、銀、白金、スズ、パラジウム、ニッケル等の単体金属、これらのうち少なくとも一つを組成に含む合金が挙げられる。
本発明に用いる導電性超微粉末に望ましい材質は、導電性金属酸化物である。一部の貴金属を除いて金属の超微粉末は酸化され易く、導電性が低下しやすいのみでなく、粉塵爆発の可能性もある。また、金属原子が超微粉末から絶縁体媒質中に拡散し、複合材料の絶縁性を低下させる。このため、本発明に用いる導電性超微粉末には、アンチモンドープ二酸化スズ、スズドープ三酸化二インジウム、アルミニウムまたはガリウムドープ酸化亜鉛、あるいは鉛酸バリウムなどの導電性ペロブスカイト系複合酸化物などの導電性酸化物が望ましい。特に望ましくは製造コスト面からアンチモンドープ二酸化スズである。
本発明で用いる導電性超微粉末は、短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末である。導電性超微粉末の形状が球状である場合、短径（粒径に同じである）は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、望ましくは５ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。導電性超微粉末の形状が長球状である場合、短径は１ｎｍ以上１００ｎｍ、望ましくは５ｎｍ以上７０ｎｍ以下で、アスペクト比は３〜３０が望ましい。導電性超微粉末の形状が針状である場合は、短径は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、望ましくは５ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。短径が上記範囲より小さいと量子サイズ効果により導電性が低下する。一方、短径が上記範囲より大きいと、連続層の形成が４０vol％以下、すなわち樹脂特性を悪化させない添加率の範囲では連続層が形成されなくなってしまう。
本発明で用いる導電性超微粉末は、この中でも針状体が球状体よりも望ましい。これは針状体のほうが、比誘電率が２０以上である樹脂複合材料として連続層を形成するために必要な添加量が少なくてすむためである。針状体の導電性超微粉末のアスペクト比は、２以上１００以下が望ましく、１０以上４０以下がより望ましい。
本発明で用いる導電性超微粉末は、この中でも針状体が球状体よりも望ましい。これは針状体のほうが、比誘電率が２０以上である樹脂複合材料として連続層を形成するために必要な添加量が少なくてすむためである。針状体の導電性超微粉末のアスペクト比は、２以上１００以下が望ましく、１０以上４０以下がより望ましい。
次いで本発明に用いる絶縁皮膜は、樹脂複合材料の全体的な絶縁性の確保を目的の一つとしており、先に記述した導電性超微粉末の単なる酸化防止膜などの表面保護膜は含まれない。本発明における絶縁皮膜の厚さは、電子顕微鏡で観察した場合に０．３ｎｍ以上、かつ導電性超微粉末の短径以下であることが好ましい。なお、以下式で定義されるｄの値は、絶縁皮膜の厚さの概算値を示し、この値が０．３ｎｍ以上であることは、電子顕微鏡で観察した絶縁皮膜の厚さが０．３ｎｍ以上となる可能性が高く、本発明における絶縁効果の有用な目安となる。
ｄ＝ｗ／(Ｓ・ρ)
但し、ｗ：導電性超微粉末に対する絶縁皮膜の重量比
Ｓ：導電性超微粉末の比表面積
ρ：絶縁性皮膜を構成する材質の真密度
ｄは、ｗ、Ｓ、ρから計算した絶縁皮膜の厚さの概算値である。導電性超微粉末１(ｇ)を、ｗ(ｇ)の絶縁性材質で被覆する場合を考える。皮膜厚さｄと比表面積Ｓとの積が、導電性超微粉末１(ｇ)の絶縁性皮膜体積の概算値となる。したがって絶縁性皮膜材質の真密度ρを用いて、導電性超微粉末１(ｇ)あたりについて、Ｓｄρ≒ｗとなる。但し、あくまでも概算値であり、被覆処理時の導電性超微粉末の凝集状態によっては、実際に観察される二次粒子表面にｄの５倍から１０倍程度の厚い皮膜が形成されることもあるが、上述のように本発明における絶縁効果の有用な目安となる。
望ましくは、皮膜の厚みが０．３ｎｍ以上、導電性超微粉末の短径以下の範囲であり、かつ、被覆する導電性粒子の粒径と導電性超微粉末の短径との比率が、０．０１以上０．９以下、さらに望ましくはこの比率が、０．０１以上０．５以下となる厚さである。この比率が０．０１以上であると、十分な絶縁効果があり、導通を防げ、誘電体として十分に機能する。一方、この比率が０．９以下であると、樹脂複合材料の比誘電率が低下することがない。
ｄ＝ｗ／(Ｓ・ρ)
但し、ｗ：導電性超微粉末に対する絶縁皮膜の重量比
Ｓ：導電性超微粉末の比表面積
ρ：絶縁性皮膜を構成する材質の真密度
ｄは、ｗ、Ｓ、ρから計算した絶縁皮膜の厚さの概算値である。導電性超微粉末１(ｇ)を、ｗ(ｇ)の絶縁性材質で被覆する場合を考える。皮膜厚さｄと比表面積Ｓとの積が、導電性超微粉末１(ｇ)の絶縁性皮膜体積の概算値となる。したがって絶縁性皮膜材質の真密度ρを用いて、導電性超微粉末１(ｇ)あたりについて、Ｓｄρ≒ｗとなる。但し、あくまでも概算値であり、被覆処理時の導電性超微粉末の凝集状態によっては、実際に観察される二次粒子表面にｄの５倍から１０倍程度の厚い皮膜が形成されることもあるが、上述のように本発明における絶縁効果の有用な目安となる。
望ましくは、皮膜の厚みが０．３ｎｍ以上、導電性超微粉末の短径以下の範囲であり、かつ、被覆する導電性粒子の粒径と導電性超微粉末の短径との比率が、０．０１以上０．９以下、さらに望ましくはこの比率が、０．０１以上０．５以下となる厚さである。この比率が０．０１以上であると、十分な絶縁効果があり、導通を防げ、誘電体として十分に機能する。一方、この比率が０．９以下であると、樹脂複合材料の比誘電率が低下することがない。
絶縁皮膜の材質としては、二酸化シリコン、四窒化三シリコンなどの絶縁性酸化物、および窒化物が挙げられる。あるいは三酸化二アルミニウム、酸化ジルコンなどの絶縁性金属酸化物が挙げられる。望ましくは比誘電率２０以上の五酸化二タンタル、アナタース型およびブルカイト型二酸化チタン等の絶縁性金属酸化物、さらに望ましくは比誘電率１００以上の金属酸化物が挙げられる。この比誘電率１００以上の金属酸化物の例としては、ルチル型二酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸鉛、チタン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛などのチタン含有金属酸化物、およびこれらのうち少なくとも一種類を組成に含む絶縁性固溶体が挙げられる。これらの絶縁性酸化物及び絶縁性窒化物は、誘電率が大きく、そのため、厚く絶縁被覆しても複合材料の誘電率が低下しないために好適である。
絶縁化超微粉末の製造法の例は以下のとおりである。例えばアルコールなどの有機溶媒に導電性超微粉末を分散し、金属アルコキシドを添加してゾルゲル反応により導電性超微粉末を核とした金属水酸化物の析出、さらに有機溶媒中で脱水縮合反応、もしくは導電性超微粒子が分散した水溶液中で金属塩とアルカリを反応させ、導電性超微粉末を核として金属水酸化物を析出させ、濾別・乾燥することにより脱水縮合させ、導電性超微粉末表面に絶縁性金属酸化物が付着した状態を形成できる。この場合、予め金属塩水溶液に導電性超微粉末を分散させてアルカリを滴下しても、導電性超微粒子の水分散液に金属塩水溶液とアルカリ水溶液を同時もしくは逐次滴下してもよい。
上記のような液相沈殿反応を用いた被覆方法では、酸化物超微粒子が単に導電性超微粒子に付着した多孔質膜が形成され、金属酸化物が絶縁皮膜として導電性超微粒子の全面を覆わない状態であるのが普通である。絶縁皮膜層に空孔が生じると誘電率の低下等の問題を誘発する。そのため、本発明では導電性超微粒子表面に付着した金属酸化物の表面原子拡散が起こる温度以上で、かつ融点の温度以下で加熱して焼成もしくは焼結する必要がある。すなわち、本発明の絶縁化超微粉末の表面は、厚さが０．３ｎｍ以上１００ｎｍ以下の絶縁皮膜によって隙間無く被覆される。絶縁皮膜の絶縁性酸化物は、比誘電率２０以上の絶縁性酸化物であることが好ましい。表面に金属酸化物を析出させた導電性超微粉末の焼成温度は、通常、該金属酸化物の融点よりも１００〜９００℃低い温度である。たとえば、絶縁皮膜に融点１２７０℃のルチル型二酸化チタンを用いる場合には６７０℃以上、融点１６２０℃のチタン酸バリウムを用いる場合には８００℃以上の温度で焼成することが好ましい。その焼成時間は、通常０．５〜１２時間である。かかる工程により比誘電率２０以上である絶縁皮膜が隙間無く形成される。
本発明の絶縁化超微粉末は、短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状、もしくは針状の絶縁化された超微粉末である。本発明の絶縁化超微粉末は、樹脂に５０vol％以下の量を配合することにより比誘電率が２０以上である高誘電率樹脂複合材料が得られる。比誘電率２０以上の高誘電率樹脂複合材料を実現するには、従来の高誘電率フィラーを使用した場合は該フィラーを６５vol％程度以上配合する必要があるが、本発明の絶縁化超微粉末を使用した場合は該絶縁化超微粉末を５０vol％以下配合すればよい。したがって、本発明の絶縁化超微粉末を配合した樹脂複合材料は、樹脂材料本来の特長である加工性または成形性が損なわれることなく、高い誘電率を発揮する。
また本発明において、上記絶縁化超微粉末を添加する樹脂成分としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂のモノマーやオリゴマーなどの重合性化合物や、フェノキシ樹脂、フッ化炭素系樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂、あるいはこれらの混合系樹脂を挙げることができる。特に望ましくはエポキシ樹脂を含む樹脂組成物である。これは配線基板などに用いる場合、銅等の金属層と密着強度が大きいためである。
前記高誘電率樹脂複合材料は、誘電率以外の理由で、必要に応じてガラス繊維などの充填剤をさらに添加して用いることができる。
本発明において、絶縁化超微粉末と樹脂の配合割合（絶縁化超微粉末の体積／樹脂の体積）は、５／９５〜５０／５０の範囲であることが好ましく、さらに望ましくは５／９５〜２０／８０の範囲である。５／９５の割合以上に絶縁化超微粉末が配合されると、樹脂組成物中で連続層が形成され、充分な比誘電率が得られる。一方、５０／５０の割合以下に絶縁化超微粉末が配合されると、樹脂組成物本来の加工性などが損なわれることがない。なお、絶縁化超微粉末と配合する際の樹脂は、重合体の形態としてのみならず、重合性化合物の形態として配合しておいて後で重合させても良い。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、当然これに限定されるものではない。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、当然これに限定されるものではない。
実施例１
イソプロパノール２００ｇ中に針状アンチモンドープ酸化スズ（石原産業（株）製、ＦＳ-１０Ｐ短径１０〜２０ｎｍ、長径２００〜２０００ｎｍ、比表面積２５〜３５ｍ2/ｇ）５０ｇとテトラプロピルオキシチタネート２７ｇを添加し、室温（２０〜３０℃）にて３０分アジターで攪拌混合した。この分散溶液に蒸留水：イソプロパノールの比が１：６の混合液１３４ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後更に３０分攪拌を継続し、濾過し、１２時間自然乾燥した後、１００℃にて真空乾燥した。図１に示したとおり、このゾルゲル反応により生成したチタン水酸化物粒子が針状アンチモンドープ酸化スズの表面に付着しているのを走査型電子顕微鏡にて確認した。この粉末をマッフル炉にて１０００℃で３時間、焼成した。図２に示したとおり、走査型電子顕微鏡にて多層構造を確認した。得られた絶縁化超微粉末は、短径１５〜４０ｎｍ、長径２００〜２０００ｎｍであり、その表面は、厚さが５〜１０ｎｍのルチル型二酸化チタンからなる絶縁皮膜によって隙間無く被覆されていた。なお、二酸化チタンと針状アンチモンドープ酸化スズとの重量比は０．２：１、針状アンチモンドープ酸化スズの比表面積は２５〜３５ｍ2／ｇであり、絶縁皮膜に関するｄ値は１．６７ｎｍであった。このｄ値と電子顕微鏡観察値との差異は、既に述べたように絶縁被覆処理時の針状アンチモンドープ酸化スズの凝集によると考えられる。
イソプロパノール２００ｇ中に針状アンチモンドープ酸化スズ（石原産業（株）製、ＦＳ-１０Ｐ短径１０〜２０ｎｍ、長径２００〜２０００ｎｍ、比表面積２５〜３５ｍ2/ｇ）５０ｇとテトラプロピルオキシチタネート２７ｇを添加し、室温（２０〜３０℃）にて３０分アジターで攪拌混合した。この分散溶液に蒸留水：イソプロパノールの比が１：６の混合液１３４ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後更に３０分攪拌を継続し、濾過し、１２時間自然乾燥した後、１００℃にて真空乾燥した。図１に示したとおり、このゾルゲル反応により生成したチタン水酸化物粒子が針状アンチモンドープ酸化スズの表面に付着しているのを走査型電子顕微鏡にて確認した。この粉末をマッフル炉にて１０００℃で３時間、焼成した。図２に示したとおり、走査型電子顕微鏡にて多層構造を確認した。得られた絶縁化超微粉末は、短径１５〜４０ｎｍ、長径２００〜２０００ｎｍであり、その表面は、厚さが５〜１０ｎｍのルチル型二酸化チタンからなる絶縁皮膜によって隙間無く被覆されていた。なお、二酸化チタンと針状アンチモンドープ酸化スズとの重量比は０．２：１、針状アンチモンドープ酸化スズの比表面積は２５〜３５ｍ2／ｇであり、絶縁皮膜に関するｄ値は１．６７ｎｍであった。このｄ値と電子顕微鏡観察値との差異は、既に述べたように絶縁被覆処理時の針状アンチモンドープ酸化スズの凝集によると考えられる。
焼成して得られた絶縁化超微粉末５ｇとビスフェノールＡ型エポシキモノマー(旭電化工業（株）製ＥＰ−４１００Ｇ)１０ｇ、イミダゾール系硬化触媒(四国化成工業（株）製キュアゾール２Ｅ４ＭＺ)０．２ｇ、および溶媒としてメチルエチルケトン１５ｇをホモジナイザーで３０分間粉砕混合した。これは焼成粉末を７vol％添加したことになる。得られた溶液をテフロン（登録商標）シャーレに入れ１２時間自然乾燥した後に１２０℃で６時間加熱し硬化物の板を得た。これを用いてSolartorn社製１２６０型インピーダンス／ゲイン・フェーズ・アナライザで１ＭＨｚの誘電率を測定したところ、比誘電率は４５．７であった。
実施例２
硬化物を得るに当たり、焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を７．５g、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を７．５ｇとした以外は実施例１と同様にして硬化物の板を得た。これは焼成粉末を１３vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は９６．２であった。
硬化物を得るに当たり、焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を７．５g、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を７．５ｇとした以外は実施例１と同様にして硬化物の板を得た。これは焼成粉末を１３vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は９６．２であった。
実施例３
硬化物を得るに当たり、導電性超微粉末に球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ−１００Ｐ、粒径１０〜３０ｎｍ、比表面積６５〜８０ｍ2/ｇ)を用い、絶縁化超微粉末を得た。電子顕微鏡観察による絶縁皮膜の厚さは２〜１０ｎｍであった。なお、この場合の絶縁皮膜に関するｄ値は０．６４ｎｍであった。該絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は８８．７であった。
硬化物を得るに当たり、導電性超微粉末に球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ−１００Ｐ、粒径１０〜３０ｎｍ、比表面積６５〜８０ｍ2/ｇ)を用い、絶縁化超微粉末を得た。電子顕微鏡観察による絶縁皮膜の厚さは２〜１０ｎｍであった。なお、この場合の絶縁皮膜に関するｄ値は０．６４ｎｍであった。該絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は８８．７であった。
実施例４
球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ―１００Ｐ粒径１０〜３０ｎｍ)を１０００℃にて６時間焼成した。この結果、粒径が４０ｎｍ〜６０ｎｍとなった。硬化物を得るに当り、この球状アンチモンドープ酸化スズを用い、焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は５７．６であった。
球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ―１００Ｐ粒径１０〜３０ｎｍ)を１０００℃にて６時間焼成した。この結果、粒径が４０ｎｍ〜６０ｎｍとなった。硬化物を得るに当り、この球状アンチモンドープ酸化スズを用い、焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は５７．６であった。
比較例１
実施例１において、焼成して得られた絶縁化超微粉末の代わりに針状アンチモンドープ酸化スズ（ＦＳ−１０Ｐ）を５ｇとしたこと以外は同様にして硬化物の板を得た。これは体積組成では７vol％添加したことになる。誘電率測定を試みたが、この板は体積抵抗率１１．２Ωｍの導電体であり誘電率は測定できなかった。すなわち、この硬化物の板は誘電体ではなかった。
実施例１において、焼成して得られた絶縁化超微粉末の代わりに針状アンチモンドープ酸化スズ（ＦＳ−１０Ｐ）を５ｇとしたこと以外は同様にして硬化物の板を得た。これは体積組成では７vol％添加したことになる。誘電率測定を試みたが、この板は体積抵抗率１１．２Ωｍの導電体であり誘電率は測定できなかった。すなわち、この硬化物の板は誘電体ではなかった。
比較例２
硬化物を得るに当たり、粒径２μｍのチタン酸バリウムを９．３ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を２．７ｇとした以外は実施例１と同様にして、硬化物の板を得た。これはチタン酸バリウム粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は６．８であった。
硬化物を得るに当たり、粒径２μｍのチタン酸バリウムを９．３ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を２．７ｇとした以外は実施例１と同様にして、硬化物の板を得た。これはチタン酸バリウム粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は６．８であった。
比較例３
球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ―１００Ｐ、粒径１０〜３０ｎｍ)を１０００℃にて４８０時間焼成した。この結果、粒径が１００ｎｍを超える球状のアンチモンドープ酸化スズとなった。硬化物を得るに当り、該アンチモンドープ酸化スズを用い焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は１７．８であった。
球状アンチモンドープ酸化スズ(石原産業（株）製ＳＮ―１００Ｐ、粒径１０〜３０ｎｍ)を１０００℃にて４８０時間焼成した。この結果、粒径が１００ｎｍを超える球状のアンチモンドープ酸化スズとなった。硬化物を得るに当り、該アンチモンドープ酸化スズを用い焼成して得られた絶縁化超微粉末の量を９ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシモノマーの量を６ｇとした以外は実施例２と同様にして、硬化物の板を得た。これは焼成粉末を２０vol％添加したことになる。実施例１と同様に誘電率を測定したところ、比誘電率は１７．８であった。
比較例４
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を２．７ｇとした以外は実施例１と同様にした。電子顕微鏡観察による二酸化チタン皮膜の厚さは０．２ｎｍであった。また、この場合ｄ値は０．１７ｎｍであった。この場合、導通した。
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を２．７ｇとした以外は実施例１と同様にした。電子顕微鏡観察による二酸化チタン皮膜の厚さは０．２ｎｍであった。また、この場合ｄ値は０．１７ｎｍであった。この場合、導通した。
比較例５
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を６．８ｇとした以外は実施例３と同様にした。この場合、電子顕微鏡観察による二酸化チタン皮膜の厚さは０．２ｎｍであった。また、ｄ値は０．１７ｎｍであった。この場合、導通した。
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を６．８ｇとした以外は実施例３と同様にした。この場合、電子顕微鏡観察による二酸化チタン皮膜の厚さは０．２ｎｍであった。また、ｄ値は０．１７ｎｍであった。この場合、導通した。
比較例６
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を５４ｇとした以外は実施例１と同様にした。この場合、電子顕微鏡観察により絶縁化処理後の短径が６０ｎｍ以上となっていたことから、絶縁皮膜の厚は３０ｎｍ以上と考えられる。この場合の誘電率は７．８であった。
テトラプロピルオキシチタネートの添加量を５４ｇとした以外は実施例１と同様にした。この場合、電子顕微鏡観察により絶縁化処理後の短径が６０ｎｍ以上となっていたことから、絶縁皮膜の厚は３０ｎｍ以上と考えられる。この場合の誘電率は７．８であった。
これらの結果を表１にまとめた。
実施例１および比較例１より導電性超微粉末に絶縁被覆していない場合は導通により誘電体として機能せず、絶縁皮膜により誘電体として性質が備わったことがわかる。また、実施例１〜３、特に球状導電性超微粉末を絶縁被覆した絶縁化超微粉末を用いた実施例３と、従来技術の代表的なフィラーであるチタン酸バリウム微粉末を用いた比較例２からわかるように、本発明の絶縁化超微粉末を用いると、従来技術で必要とされていたよりもはるかに少ない添加率で高誘電率が実現していることがわかる。また、比較例４と比較例５からわかるように、絶縁皮膜の厚みが０．３ｎｍより小さくなると、導通し誘電体として利用できないことがわかる。また、比較例６からわかるように、絶縁皮膜の厚みが芯となる導電性超微粉末の短径を超えると誘電率が低下することがわかる。
Claims (11)
- 短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末に絶縁皮膜を設けてなる絶縁化超微粉末。
- 前記絶縁皮膜の比誘電率が２０以上である請求項１に記載の絶縁化超微粉末。
- 絶縁皮膜が絶縁性酸化物及び絶縁性窒化物から選ばれる少なくとも１種からなる請求項１に記載の絶縁化超微粉末。
- 導電性超微粉末が金属酸化物からなる請求項１に記載の絶縁化超微粉末。
- 絶縁皮膜の厚さが０．３ｎｍ以上で、かつ導電性超微粉末の短径以下である請求項１に記載の絶縁化超微粉末。
- 短径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の球状、長球状もしくは針状の導電性超微粉末に、比誘電率２０以上の金属酸化物からなる絶縁皮膜を設けてなる絶縁化超微粉末の製造方法であって、下記のａ）、ｂ）又はｃ）のいずれかの工程を有し、かつ、該工程に次いで、金属酸化物の融点より９００℃低い温度以上で、かつ、該金属酸化物の融点未満の温度で焼成する工程を有する絶縁化超微粉末の製造方法。
ａ）有機溶媒中に導電性超微粉末を分散し、金属アルコキシドを添加し、ゾルゲル反応により、導電性超微粉末の表面に金属酸化物を析出させる工程、
ｂ）金属塩水溶液中に導電性超微粉末を分散し、アルカリを添加し、該導電性超微粉末の表面に金属水酸化物を析出させ、さらに乾燥による脱水縮合を経て金属酸化物を該導電性超微粉末の表面に付着させる工程、
ｃ）導電性超微粉末の水分散液に、金属塩水溶液とアルカリ水溶液を同時または逐次添加し、該導電性超微粉末の表面に金属水酸化物を析出させ、さらに乾燥による脱水縮合を経て金属酸化物を該導電性超微粉末の表面に付着させる工程。 - 請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁化超微粉末と樹脂を、絶縁化超微粉末／樹脂の体積比で５／９５〜５０／５０の範囲で配合する樹脂複合材料。
- さらに、充填剤を含有する請求項７に記載の樹脂複合材料。
- 比誘電率が２０以上である請求項７又は８に記載の樹脂複合材料。
- 請求項７〜９のいずれかに記載の樹脂複合材料を用いて形成される、高誘電率フィルム又はシート。
- 請求項１１に記載の高誘電率フィルム又はシートを用いることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004002446A JP4867130B2 (ja) | 2003-02-17 | 2004-01-07 | 絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率樹脂複合材料 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003038680 | 2003-02-17 | ||
| JP2003038680 | 2003-02-17 | ||
| JP2003305966 | 2003-08-29 | ||
| JP2003305966 | 2003-08-29 | ||
| JP2004002446A JP4867130B2 (ja) | 2003-02-17 | 2004-01-07 | 絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率樹脂複合材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005097074A true JP2005097074A (ja) | 2005-04-14 |
| JP4867130B2 JP4867130B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=32852720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004002446A Expired - Fee Related JP4867130B2 (ja) | 2003-02-17 | 2004-01-07 | 絶縁化超微粉末とその製造方法、およびそれを用いた高誘電率樹脂複合材料 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7592065B2 (ja) |
| EP (1) | EP1447817B1 (ja) |
| JP (1) | JP4867130B2 (ja) |
| KR (1) | KR101082658B1 (ja) |
| DE (1) | DE602004013064T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344570A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-12-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 絶縁化超微粉末および高誘電率樹脂複合材料 |
| EP2077519A2 (en) | 2006-02-22 | 2009-07-08 | Toyo Seikan Kaisya, Ltd. | RFID tag substrate for metal component |
| JP2011026189A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性針状酸化アンチモン錫微粉末およびその製造方法 |
| JP2011073921A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Materials Corp | 針状酸化錫微粉末およびその製造方法 |
| JP2013542548A (ja) * | 2010-03-31 | 2013-11-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ディスプレイ用の電子物品、及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112009001229B4 (de) * | 2008-05-20 | 2015-10-29 | E.I. Du Pont De Nemours And Co. | Thermisch und dimensional stabile Polyimidfolien und Verfahren, die sich darauf beziehen |
| GB0815724D0 (en) * | 2008-08-29 | 2008-10-08 | Peratech Ltd | Pressure sensitive composition |
| WO2011003635A1 (de) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Nanokomposit mit halbleitenden nanopatikeln |
| JP5644130B2 (ja) * | 2009-07-28 | 2014-12-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 絶縁化超微粉末およびその製造方法、並びに高誘電率樹脂複合材料 |
| US9283619B2 (en) * | 2011-11-03 | 2016-03-15 | Baker Hughes Incorporated | Polarizable nanoparticles comprising coated metal nanoparticles and electrorheological fluid comprising same |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296168A (en) * | 1989-08-03 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive particles and method for adjusting the isoelectric point thereof |
| JPH08143313A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-04 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | 酸化チタン膜付き球状粒子の製造方法 |
| JPH08183875A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Otsuka Chem Co Ltd | 高熱伝導性複合充填材及び高熱伝導性樹脂組成物 |
| JPH08231222A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-09-10 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | 針状導電性酸化錫微粉末およびその製造方法 |
| JPH09161658A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子放出素子およびその製造方法 |
| JP2001068012A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
| JP2001237507A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高誘電率複合材料及びそれを用いたプリント配線板並びに多層プリント配線板 |
| JP2002531590A (ja) * | 1998-11-30 | 2002-09-24 | インスティトゥート フィア ノイエ マテリアーリエン ゲマインニュッツィゲ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクタ ハフトゥンク | コートされた、電気的に分極可能な、非磁性粒子、それらの製造方法およびそれらの使用 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294374A (en) * | 1992-03-20 | 1994-03-15 | Leviton Manufacturing Co., Inc. | Electrical overstress materials and method of manufacture |
| US5424129A (en) * | 1992-11-16 | 1995-06-13 | Xerox Corporation | Composite metal oxide particle processes and toners thereof |
| US5364566A (en) * | 1993-02-12 | 1994-11-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making electroconductive powders |
| KR100214428B1 (ko) * | 1993-06-30 | 1999-08-02 | 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 | 적외선차단재와 그것에 사용하는 적외선차단분말 |
| TW440544B (en) * | 1994-12-27 | 2001-06-16 | Ishihara Sangyo Kaisha | Electroconductive composition |
| JPH09115334A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Mitsubishi Materiais Corp | 透明導電膜および膜形成用組成物 |
| US6933331B2 (en) * | 1998-05-22 | 2005-08-23 | Nanoproducts Corporation | Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants |
| US5788887A (en) * | 1996-11-01 | 1998-08-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Antimony doped tin oxide electroconductive powder |
| US5908574A (en) * | 1998-04-17 | 1999-06-01 | Garland Commercial Industries, Inc. | Induction radiant broiler |
| ES2268881T3 (es) * | 1998-09-06 | 2007-03-16 | Leibniz-Institut Fur Neue Materialien Gemeinnutzige Gmbh | Metodo para la fabricacion de suspensiones y polvos a base de oxido de zinc y de indio y su utilizacion. |
| JP3900506B2 (ja) * | 1998-11-06 | 2007-04-04 | Ｊｓｒ株式会社 | 液状硬化性樹脂組成物、その硬化物および反射防止膜 |
| US6553966B2 (en) * | 2000-03-14 | 2003-04-29 | Caterpillar Inc | Method of presetting an internal combustion engine |
| JP2002080828A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-22 | Toshiba Corp | 帯電防止用分散液と帯電防止膜および画像表示装置 |
| MXPA03002897A (es) * | 2000-10-02 | 2003-06-24 | Kimberly Clark Co | Medio de registro con nanoparticulas y metodos para hacer los mismos. |
| US6908574B2 (en) * | 2001-08-13 | 2005-06-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Tin-containing indium oxides, a process for producing them, a coating solution using them and electrically conductive coatings formed of them |
-
2004
- 2004-01-07 JP JP2004002446A patent/JP4867130B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-12 DE DE602004013064T patent/DE602004013064T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-12 EP EP04003092A patent/EP1447817B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-13 US US10/777,082 patent/US7592065B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-17 KR KR1020040010287A patent/KR101082658B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-09-11 US US12/558,049 patent/US8173051B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-19 US US13/009,688 patent/US8187710B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296168A (en) * | 1989-08-03 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive particles and method for adjusting the isoelectric point thereof |
| JPH08143313A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-04 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | 酸化チタン膜付き球状粒子の製造方法 |
| JPH08231222A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-09-10 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | 針状導電性酸化錫微粉末およびその製造方法 |
| JPH08183875A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Otsuka Chem Co Ltd | 高熱伝導性複合充填材及び高熱伝導性樹脂組成物 |
| JPH09161658A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子放出素子およびその製造方法 |
| JP2002531590A (ja) * | 1998-11-30 | 2002-09-24 | インスティトゥート フィア ノイエ マテリアーリエン ゲマインニュッツィゲ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクタ ハフトゥンク | コートされた、電気的に分極可能な、非磁性粒子、それらの製造方法およびそれらの使用 |
| JP2001068012A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
| JP2001237507A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高誘電率複合材料及びそれを用いたプリント配線板並びに多層プリント配線板 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344570A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-12-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 絶縁化超微粉末および高誘電率樹脂複合材料 |
| EP2077519A2 (en) | 2006-02-22 | 2009-07-08 | Toyo Seikan Kaisya, Ltd. | RFID tag substrate for metal component |
| EP2690586A1 (en) | 2006-02-22 | 2014-01-29 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | RFID tag substrate for metal component |
| US8807438B2 (en) | 2006-02-22 | 2014-08-19 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | RFID tag substrate for metal component |
| JP2011026189A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性針状酸化アンチモン錫微粉末およびその製造方法 |
| JP2011073921A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Materials Corp | 針状酸化錫微粉末およびその製造方法 |
| JP2013542548A (ja) * | 2010-03-31 | 2013-11-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ディスプレイ用の電子物品、及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8173051B2 (en) | 2012-05-08 |
| EP1447817B1 (en) | 2008-04-16 |
| JP4867130B2 (ja) | 2012-02-01 |
| EP1447817A3 (en) | 2005-11-23 |
| KR101082658B1 (ko) | 2011-11-14 |
| DE602004013064D1 (de) | 2008-05-29 |
| KR20040074951A (ko) | 2004-08-26 |
| US20040162365A1 (en) | 2004-08-19 |
| US8187710B2 (en) | 2012-05-29 |
| US20110108776A1 (en) | 2011-05-12 |
| US20100009179A1 (en) | 2010-01-14 |
| EP1447817A2 (en) | 2004-08-18 |
| DE602004013064T2 (de) | 2009-07-02 |
| US7592065B2 (en) | 2009-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8187710B2 (en) | Insulated ultrafine powder, process for producing same and resin composite material with high dielectric constant using same | |
| JP5092341B2 (ja) | 絶縁化超微粉末および高誘電率樹脂複合材料 | |
| EP1788040B1 (en) | Insulated ultrafine powder and high dielectric constant resin composite material | |
| JP5882960B2 (ja) | 表面処理された金属粉、及びその製造方法 | |
| JP2019083315A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法、ならびに電子装置 | |
| JP2018172242A (ja) | チタン酸アルカリ土類金属粒子を含むゾルとその製造方法、及び、これを含むペースト | |
| JP5119873B2 (ja) | ノイズ抑制体及びノイズ抑制フィルム | |
| TWI352663B (en) | Paste composition and dielectric composition | |
| JP2015036440A (ja) | 表面処理された金属粉、及びその製造方法 | |
| JP4977976B2 (ja) | 絶縁化超微粉末および高誘電率樹脂複合材料 | |
| JP2004067889A (ja) | 高誘電体組成物 | |
| JP2008022416A (ja) | 高誘電体を用いたアンテナ | |
| JP5869538B2 (ja) | 表面処理された金属粉の製造方法 | |
| JP5986046B2 (ja) | 表面処理された金属粉、及びその製造方法 | |
| JP2006351390A (ja) | 複合材料 | |
| JP2009017142A (ja) | 誘電特性を用いたノイズ抑制材料およびノイズ抑制フィルム | |
| JP2001303102A (ja) | 複合誘電体材料とこれを用いた成形材料、圧粉成形粉末材料、塗料、プリプレグおよび基板 | |
| JP2009049263A (ja) | ノイズ抑制フィルムおよびその製造方法 | |
| JP2004124066A (ja) | 高誘電体組成物 | |
| Zheng et al. | Morphological engineering of SiO2 interlayer towards meliorative dielectric and thermal properties in β‐SiCw@ SiO2/PVDF composites | |
| JP2004307607A (ja) | 高誘電体組成物 | |
| JP2009001702A (ja) | ノイズ抑制樹脂複合材料 | |
| JP2009016506A (ja) | 誘電特性を用いたノイズ抑制体 | |
| JP2010155916A (ja) | プリプレグ及びその製造方法、積層板、プリント配線板 | |
| JP2010155914A (ja) | プリプレグ及びその製造方法、積層板、プリント配線板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100224 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100422 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100422 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100423 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110412 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110704 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110711 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110809 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110909 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111018 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111031 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |