JP2005093988A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る発光ダイオード1の製造方法においては、GaN基板10は、この上に形成したAlGaN層16,18,20から分離されて、AlGaN層16,18,20にはCu−W合金基板26が接着された状態となる。このように、AlGaNの格子定数と近い格子定数を有するGaN基板10上に、内部にAlGaN発光層18を含むAlGaN層16,18,20を形成することで、サファイア基板を利用する従来の方法に比べて、AlGaN層16,18,20の内部に導入される貫通転位密度が大幅に低減される。すなわち、本発明に係る発光ダイオード1の製造方法によれば、発光効率が向上した発光ダイオード1を作製することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子(発光ダイオード(LED))1の作製方法を、図1を参照しつつ説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る発光ダイオード1を作製する手順を示した図である。
次に、本発明の第2実施形態に係る半導体発光素子(LED)1Aの作製方法を、図2を参照しつつ説明する。図2は、本発明の第2実施形態に係る発光ダイオード1Aを作製する手順を示した図である。
Claims (19)
- GaN基板上に、発光層を内部に含むGaN系半導体層を形成するステップと、
前記GaN系半導体層上に、電極膜を形成するステップと、
前記電極膜の表面に、導電性基板を導電性接着剤を用いて接着するステップと、
前記GaN基板を、前記GaN系半導体層から分離するステップとを有する、半導体発光素子の製造方法。 - 前記GaN基板上に前記GaN系半導体層を形成する際、前記GaN基板上に、GaNのバンドギャップエネルギより小さいバンドギャップエネルギを有する材料で構成される剥離層を積層した後、この剥離層を介して前記GaN基板上に前記GaN系半導体層を形成し、
前記GaN基板を前記GaN系半導体層から分離する際、前記剥離層を構成する材料のバンドギャップエネルギよりも大きく、GaNのバンドギャップエネルギよりも小さいエネルギの光を前記剥離層に照射して、前記GaN基板を前記GaN系半導体層から剥離させる、請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記剥離層はInを含む窒化物系化合物半導体で構成されている、請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記発光層は、GaNのバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する材料で構成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記GaN系半導体層から分離した前記GaN基板を、再度前記GaN系半導体層を形成する前記GaN基板として用いる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- AlxGa1−xN(0<x≦1)で構成された半導体基板上に、発光層を内部に含むGaN系半導体層を形成するステップと、
前記GaN系半導体層上に、電極膜を形成するステップと、
前記電極膜の表面に、導電性基板を導電性接着剤を用いて接着するステップと、
前記半導体基板を、前記GaN系半導体層から分離するステップとを有する、半導体発光素子の製造方法。 - 前記半導体基板上に前記GaN系半導体層を形成する際、前記半導体基板上に、前記半導体基板を構成するAlxGa1−xNのバンドギャップエネルギより小さいバンドギャップエネルギを有する材料で構成される剥離層を積層した後、この剥離層を介して前記半導体基板上に前記GaN系半導体層を形成し、
前記半導体基板を前記GaN系半導体層から分離する際、前記剥離層を構成する材料のバンドギャップエネルギよりも大きく、前記半導体基板を構成するAlxGa1−xNのバンドギャップエネルギよりも小さいエネルギの光を前記剥離層に照射して、前記半導体基板を前記GaN系半導体層から剥離させる、請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記剥離層はInを含む窒化物系化合物半導体で構成されている、請求項7に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記発光層は、前記半導体基板を構成するAlxGa1−xNのバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する材料で構成されている、請求項6〜8のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記GaN系半導体層から分離した前記半導体基板を、再度前記GaN系半導体層を形成する前記半導体基板として用いる、請求項6〜9のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記発光層はAlを含む窒化物系化合物半導体で構成されている、請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記導電性基板はCu−W合金又はFe−Ni合金で構成されている、請求項1〜11のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記導電性接着剤はAu−Sn半田又はPb−Sn半田である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記電極膜は、前記発光層の発光波長における反射率が前記導電性基板よりも高い材料で構成されている、請求項1〜13のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 貫通転位密度が1.0×107/cm2未満である発光層を内部に含むGaN系半導体層と、
前記GaN系半導体層上に形成された電極膜と、
前記電極膜の表面に導電性接着剤で接着された導電性基板とを備える、半導体発光素子。 - 前記発光層は、GaNのバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する材料で構成されている、請求項15に記載の半導体発光素子。
- 前記発光層は、AlxGa1−xN(0<x≦1)のバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する材料で構成されている、請求項15に記載の半導体発光素子。
- 前記電極膜は、前記発光層の発光波長における反射率が前記導電性基板よりも高い材料で構成されている、請求項15〜17のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記発光層はAlを含む窒化物系化合物半導体で構成されている、請求項15〜18のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
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