JP2013513963A - 基板を再利用する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
− 初期基板を用意するステップと、
− 支持基板の面に中間層を形成するステップであって、前記中間層は少なくとも電磁放射の波長に対して実質的に透明な材料のものである、ステップと、
− 初期基板の接合面および/または中間層のいずれかの上に電磁放射吸収層を形成するステップと、
− 初期基板を支持基板に電磁放射吸収層を介して接合するステップと、
− 支持基板および中間層を通して電磁放射吸収層の照射を実行して、初期基板からの支持基板の分離を引き起こすステップと
を含む。
− 層100を機能化するステップ、
および/または
− さらなる層を層100に接合するステップと
を含む基板を再利用するプロセスが、本発明ではさらに好ましい。
Claims (23)
- 少なくとも電磁放射の波長に対して実質的に透明な材料の支持基板(25)を再利用する方法であって、
a)初期基板(10)を用意するステップと、
b)初期の粗さを有する前記支持基板(25)の接合面上に中間層(15)を形成するステップであって、前記中間層(15)は少なくとも電磁放射の波長に対して実質的に透明な材料のものである、ステップと、
c)前記初期基板(10)の接合面(10b)および/または前記中間層(15)のいずれかの上に電磁放射吸収層(24)を形成するステップであって、前記電磁放射吸収層は前記少なくとも電子放射の波長を吸収する材料のものである、ステップと、
d)前記初期基板(10)を前記支持基板(25)に前記電磁放射吸収層(24)を介して接合するステップと、
e)前記支持基板(25)および前記中間層を通して前記少なくとも電子放射の波長を有する電磁放射により前記電磁放射吸収層(24)の照射を実行して、前記電磁放射吸収層(24)の化学的変化および/または物理的変化により前記初期基板からの前記支持基板(25)の分離を引き起こすステップと
を含むことを特徴とする方法。 - ステップe)の後に、後続の使用のために前記中間層(15)を除去して前記支持基板(25)を回復させるステップf)をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- ステップf)の後に、前記回復された支持基板(25)の前記接合面は前記初期の粗さと実質的に同様の粗さを有することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- ステップf)の後に、少なくとも、前記回復された支持基板(25)を使用するステップg)をさらに含むことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の方法。
- 前記中間層は少なくとも10nmの厚さを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性の中間層は、SiO2、LiF、CaF2、およびMgF2から選択された群のうちの少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の方法。
- ステップf)において、前記中間層(15)は化学エッチングによって、または研磨によって除去されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記支持基板(25)は、サファイア(Al2O3)、MgO、CaF2、MgF2、LiTaO3、およびLiNbO3から選択された群のうちの少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記中間層はSiO2で製作され、前記支持基板(25)はサファイア(Al2O3)で製作され、前記支持基板(25)の前記接合面は、1マイクロメートル×1マイクロメートルについてAFMで測定された約1ÅRMSの初期の粗さを有し、再利用される支持基板(25)の接合面の粗さは1マイクロメートル×1マイクロメートルについてAFMで測定された約1ÅRMSであることを特徴とする請求項2から請求項8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記支持基板(25)はホウ素ドープされた石英ガラスを含み、前記中間層(15)はガラス質材料を含み、前記中間層(15)はステップf)において研磨によって除去されることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の方法。
- ステップa)の後に、および好ましくはステップe)の前に、前記初期基板の一部が除去されて層(100)を形成することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の方法。
- ステップd)の後に、前記層(100)を機能化する、かつ/またはさらなる層もしくは基板を前記層(100)に接合するステップd’)をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- ステップd’)は、前記層(100)の中または上に、光起電機能、光学機能、オプトエレクトロニクス機能、電子機能、および/または機械機能をもつ領域を形成するステップを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 層(100)および/または支持基板(25)は、光起電機能、光学機能、オプトエレクトロニクス機能、電子機能、および/または機械機能をもつ領域を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- ステップd’)は、前記基板(10)の前記露出された面を最終基板(30)に接続するように接合を行うステップを含むことを特徴とする請求項12から請求項14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記初期基板(10)はバルクの自立構造の基板であることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記初期基板(10)は、前記支持基板(25)に接合するための面(10b)を有する表面層(12)を含み、下にある支持基板(11)は、表面層(12)が堆積されたテンプレートとして働くことを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記初期基板(10)は、表面層(12)、中間層、および下にある支持基板(11)を含むことを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の方法。
- イオン注入は、前記面(10b)を通して前記最初の基板(10)に、ステップd)における前記電磁放射吸収層(24)を介した前記支持基板(25)への接合の前に行われ、前記基板(10)の上部領域を画定する脆弱な面を用意し、前記脆弱な面で分割することによって前記上部領域を除去することを特徴とする請求項11から請求項18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記初期基板(10)は、GaN、InGaN、SiC、Si、Si(000)、Si(111)、GaAs、ZnO、結晶性AlN、AlGaN、InGaAs、InP、Ge、InAlAsから選択された群のうちの少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする請求項1から請求項19のいずれか一項に記載の方法。
- 電磁放射吸収層(24)は、SixNy、SixNy:H、Si3N4、GaN、AlN、InN、またはIn、Ga、およびAlのうちの1つまたは複数の混合窒化物、またはポリSi、単結晶Siまたは少なくとも2原子百分率の水素を含む非晶質シリコンの群のうちの少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする請求項1から請求項20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記初期基板(10)と前記支持基板(25)との間の前記接合は1つまたは複数の酸化ケイ素の接合層を使用して実行されることを特徴とする請求項1から請求項21のいずれか一項に記載の方法。
- ステップe)の後に、エピタキシまたはさらなる機能化は、ステップe)の前記電磁放射吸収層(24)の照射によって解放された前記初期基板(10)の前記接合面(10b)に実行されることを特徴とする請求項11から請求項22のいずれか一項に記載の方法。
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