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ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
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ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
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スルホニウム塩を含む高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
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新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
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感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
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信越化学工業株式会社 |
重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
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방향족 환을 포함하는 산 발생제
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信越化学工業株式会社 |
熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法
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2009-06-22 |
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ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． |
光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
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2009-07-02 |
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信越化学工業株式会社 |
光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
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2009-09-30 |
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富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
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胆酸酯光酸发生剂和包含该发生剂的光致抗蚀剂
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2009-12-10 |
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羅門哈斯電子材料有限公司 |
光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻
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2009-12-31 |
2016-02-03 |
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ |
感光性組成物
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JP5216032B2
(ja)
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2010-02-02 |
2013-06-19 |
信越化学工業株式会社 |
新規スルホニウム塩、高分子化合物、高分子化合物の製造方法、レジスト材料及びパターン形成方法
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(en)
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2010-02-24 |
2011-09-01 |
Basf Se |
Latent acids and their use
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JP5969171B2
(ja)
|
2010-03-31 |
2016-08-17 |
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ |
光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
|
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JP5782283B2
(ja)
|
2010-03-31 |
2015-09-24 |
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ |
新規のポリマーおよびフォトレジスト組成物
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JP5756672B2
(ja)
|
2010-04-27 |
2015-07-29 |
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ |
光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
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JP5491450B2
(ja)
|
2011-05-30 |
2014-05-14 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。
|
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JP5411893B2
(ja)
|
2011-05-30 |
2014-02-12 |
信越化学工業株式会社 |
スルホニウム塩、高分子化合物、該高分子化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
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US9223208B2
(en)
*
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2011-12-29 |
2015-12-29 |
Fujifilm Corporation |
Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition
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JP5668710B2
(ja)
|
2012-02-27 |
2015-02-12 |
信越化学工業株式会社 |
高分子化合物及びそれを含んだレジスト材料並びにパターン形成方法、該高分子化合物の製造方法
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JP2013173855A
(ja)
|
2012-02-27 |
2013-09-05 |
Shin-Etsu Chemical Co Ltd |
高分子化合物の製造方法、該製造方法によって製造された高分子化合物及びそれを含んだレジスト材料並びにパターン形成方法
|
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JP6013218B2
(ja)
|
2012-02-28 |
2016-10-25 |
信越化学工業株式会社 |
酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法
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JP5615860B2
(ja)
|
2012-03-07 |
2014-10-29 |
信越化学工業株式会社 |
酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法
|
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KR20140129295A
(ko)
|
2012-03-27 |
2014-11-06 |
후지필름 가부시키가이샤 |
감활성 광선성 또는 감방사선성 조성물, 그것을 사용한 레지스트막, 레지스트 도포 마스크 블랭크스, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 포토마스크
|
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KR102537349B1
(ko)
|
2015-02-02 |
2023-05-26 |
바스프 에스이 |
잠재성 산 및 그의 용도
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JP2020011463A
(ja)
*
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2018-07-19 |
2020-01-23 |
京セラドキュメントソリューションズ株式会社 |
インクジェット記録用前処理液、インクジェット記録装置及び画像形成方法
|
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KR102080079B1
(ko)
*
|
2018-10-30 |
2020-02-21 |
인하대학교 산학협력단 |
고불소계 용제에 용해성을 가지는 고불소화 단분자 포토레지스트 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
US12134690B2
(en)
*
|
2019-12-31 |
2024-11-05 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Photoresist composition and method of manufacturing a semiconductor device
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