JP2004296903A5 - - Google Patents

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  1. レーザチップの光出射面の少なくとも片側に、多層誘電体膜で構成された反射膜を有する半導体レーザ装置において、
    反射膜は、レーザチップに接する側から順に、屈折率ｎ１の第１誘電体膜、屈折率ｎ２の第２誘電体膜、屈折率ｎ３の第３誘電体膜、屈折率ｎ４の第４誘電体膜を含み、
    各屈折率は、ｎ２＝ｎ４＜ｎ１＜ｎ３の関係を満たすことを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. レーザチップの光出射面の少なくとも片側に、多層誘電体膜で構成された反射膜を有する半導体レーザ装置において、
    反射膜は、レーザチップに接する側から順に、屈折率ｎ１の第１誘電体膜、屈折率ｎ２の第２誘電体膜、屈折率ｎ３の第３誘電体膜、屈折率ｎ４の第４誘電体膜を含み、
    各屈折率は、ｎ２＝ｎ４＜ｎ３＜ｎ１の関係を満たすことを特徴とする半導体レーザ装置。
  3. 第１〜第４誘電体膜の各膜厚は、光学長に換算して１／４発振波長の整数倍の厚さに±３０％の範囲で設定されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
  4. レーザチップの光出射面の少なくとも片側に、多層誘電体膜で構成された反射膜を有し、発振波長λの光を放射する半導体レーザ装置において、
    反射膜は、３〜１５％の反射率を有し、レーザチップに接する側から順に、屈折率ｎ１および膜厚ｄ１の第１誘電体膜、屈折率ｎ２および膜厚ｄ２の第２誘電体膜、屈折率ｎ３および膜厚ｄ３の第３誘電体膜、屈折率ｎ４および膜厚ｄ４の第４誘電体膜を含み、
    屈折率ｎ１は１．６＜ｎ１≦１．９の範囲で、屈折率ｎ２は１．３≦ｎ２≦１．６の範囲で、屈折率ｎ３は１．９＜ｎ３≦２．３の範囲で、屈折率ｎ４は１．３≦ｎ４≦１．６の範囲であり、
    膜厚ｄ１は（２・ｈ＋１）λ／（４・ｎ１）、膜厚ｄ２は（２・ｉ＋１）λ／（４・ｎ２）、膜厚ｄ３は（２・ｊ＋１）λ／（４・ｎ３）、膜厚ｄ４は（２・ｋ＋１）λ／（４・ｎ４）、（ｈ，ｉ，ｊ，ｋは０以上の整数）に実質上設定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
  5. レーザチップの光出射面の少なくとも片側に、多層誘電体膜で構成された反射膜を有し、発振波長λの光を放射する半導体レーザ装置において、
    反射膜は、３〜１５％の反射率を有し、レーザチップに接する側から順に、屈折率ｎ１および膜厚ｄ１の第１誘電体膜、屈折率ｎ２および膜厚ｄ２の第２誘電体膜、屈折率ｎ３および膜厚ｄ３の第３誘電体膜、屈折率ｎ４および膜厚ｄ４の第４誘電体膜を含み、
    屈折率ｎ１は１．９＜ｎ１≦２．３の範囲で、屈折率ｎ２は１．３≦ｎ２≦１．６の範囲で、屈折率ｎ３は１．６＜ｎ３≦１．９の範囲で、屈折率ｎ４は１．３≦ｎ４≦１．６の範囲であり、
    膜厚ｄ１は（２・ｈ＋１）λ／（４・ｎ１）、膜厚ｄ２は（２・ｉ＋１）λ／（４・ｎ２）、膜厚ｄ３は（２・ｊ＋１）λ／（４・ｎ３）、膜厚ｄ４は（２・ｋ＋１）λ／（４・ｎ４）、（ｈ，ｉ，ｊ，ｋは０以上の整数）に実質上設定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
  6. 第１誘電体膜は、Ａｌ２Ｏ３，ＣｅＦ３，ＮｄＦ３，ＭｇＯ，Ｙ２Ｏ３のいずれかで形成され、
    第２誘電体膜および第４誘電体膜は、ＳｉＯ２，ＭｇＦ２，ＢａＦ２，ＣａＦ２のいずれかで形成され、
    第３誘電体膜は、Ｔａ２Ｏ５，ＳｉＯ，ＺｒＯ２，ＺｎＯ，ＴｉＯ，ＴｉＯ２，ＺｎＳ，Ｎｂ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＡｌＮのいずれかで形成されることを特徴とする請求項１または４記載の半導体レーザ装置。
  7. 第１誘電体膜は、Ｔａ２Ｏ５，ＳｉＯ，ＺｒＯ２，ＺｎＯ，ＴｉＯ，ＴｉＯ２，ＺｎＳ，Ｎｂ２Ｏ５，ＨｆＯ２，ＡｌＮのいずれかで形成され、
    第２誘電体膜および第４誘電体膜は、ＳｉＯ２，ＭｇＦ２，ＢａＦ２，ＣａＦ２のいずれかで形成され、
    第３誘電体膜は、Ａｌ２Ｏ３，ＣｅＦ３，ＮｄＦ３，ＭｇＯ，Ｙ２Ｏ３のいずれかで形成されることを特徴とする請求項２または５記載の半導体レーザ装置。
  8. レーザチップの光出射面において、発光点以外の領域に第５誘電体膜および第６誘電体膜を組み合せた多層誘電体膜が追加して形成され、発光点以外の領域の反射率が発光点の領域での反射率より小さいことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  9. 第５誘電体膜および第６誘電体膜の各膜厚は、光学長に換算して１／４発振波長の整数倍の厚さに±３０％の範囲で設定されていることを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置。
  10. 第５誘電体膜は、Ａｌ２Ｏ３，ＣｅＦ３，ＮｄＦ３，ＭｇＯ，Ｙ２Ｏ３のいずれかで形成され、
    第６誘電体膜は、ＳｉＯ２，ＭｇＦ２，ＢａＦ２，ＣａＦ２のいずれかで形成されることを特徴とする請求項９記載の半導体レーザ装置。
  11. レーザチップは、２つ以上の異なる発振波長を放射する複数の発光点を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  12. 請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置が単一のパッケージ内に複数配置され、
    各レーザチップは、互いに異なる発振波長を放射し、
    各レーザチップの光出射面に設けられた多層誘電体膜は、同一の材料および同一の膜厚で形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
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