JP2004179232A - 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】回路基板及びベース基板内での配線の設計の自由度を向上し、部品点数を少なくすることができ、積層体の薄型化を図ることができるようにする。
【解決手段】ベース基板１０の図示しない配線パターンに、半導体素子２１を有する回路基板２０の突起電極２２と、半導体素子３１を有する回路基板３０の突起電極３２と、半導体素子３４を有する回路基板４０の突起電極４２とを電気的に接続するようにする。半導体素子２１、３１、４１には、回路基板２０、３０、４０の図示しない配線パターンに電気的に接続する電極を儲けるようにする。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−１３５４１号公報
【０００４】
【発明の背景】
半導体素子を高密度に実装するために、複数の半導体素子を厚さ方向に積層する技術が提案されている。これは、半導体素子が実装された複数の回路基板の相互間の導通をとり、最下層の回路基板とベース基板とを電気的に接続することにより、積層して実装するものである。
回路基板相互間は、例えば、半田ボールを用いて電気的に接続され、最下層の回路基板の端子のみがベース基板と接続するものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した各先行技術では、異種の半導体素子を用いようとすると、回路基板に、回路基板の上方に位置する各半導体素子に対応させた配線がそれぞれ必要となり、各回路基板面積が大きくなるか、配線の引き回しの自由度が小さくなる。このように、配線の数が多くなると、回路基板及びベース基板の面積が大きくなるか、回路基板及びベース基板の面積制約から、回路基板及びベース基板内での配線の設計の自由度が低下する場合がある。
また、同種の半導体素子を用いた場合でも、複数の半導体メモリ素子を積層しようとすると、半導体メモリ素子のセレクター用に独立させた配線が必要となり、そのためにさらに別の回路基板が必要となる場合もある。
また、積層すべき回路基板の相互間を半田ボール等により接続する必要があるため、積層体の薄型化の妨げとなってしまうという問題もある。
【０００６】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、回路基板及びベース基板内での配線の設計の自由度を向上し、部品点数を少なくすることができ、積層体の薄型化を図ることができる半導体装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することができるようにするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、ベース配線パターンを含むベース基板と、前記ベース基板の上方に配置され、第１の配線パターンを含む第１の回路基板と、前記第１の回路基板に搭載され、前記第１の配線パターンに電気的に接続する第２の電極を含む第１の半導体素子と、前記第１の回路基板の上方に配置され、第２の配線パターンを含む第２の回路基板と、前記第２の回路基板に搭載され、前記第２の配線パターンに電気的に接続する第２の電極を含む第２の半導体素子と、前記第１の配線パターンに電気的に接続し、前記第１の回路基板から突出して設けられ、前記ベース配線パターンと接合した第１の突起電極と、前記第２の配線パターンに電気的に接続し、前記第２の回路基板から突出して設けられ、前記ベース配線パターンと接合した第２の突起電極と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、第１の配線パターンを含む回路基板であって、前記第１の配線パターンに電気的に接続する第１の電極を含む第１の半導体素子が搭載された第１の回路基板を、ベース配線パターンを含むベース配線基板の上方に配置し、前記第１の回路基板と前記ベース基板との間に設けられた第１の突起電極を、前記ベース配線パターンに接合して、前記第１の配線パターンと前記ベース配線パターンとを電気的に接続し、第２の配線パターンを含む回路基板であって、前記第２の配線パターンに電気的に接続する第２の電極を含む第２の半導体素子が搭載された第２の回路基板を、前記第１の回路基板の上方に配置し、前記第２の回路基板と前記ベース基板との間に設けられた第２の突起電極を、前記ベース配線パターンに接合して、前記第２の配線パターンと前記ベース配線パターンとを電気的に接続することを特徴とする。
本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、回路基板及びベース基板内での配線の設計の自由度を向上し、使用する部品点数を少なくすることができ、積層体の薄型化を図ることができる。
本発明の電子機器は、上記半導体装置を備えることを特徴とする。これによれば、電子機器の小型薄型化を図ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１から図７は、本発明の半導体装置の一実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図８はそれらの製造方法を示す図である。
本発明の一の実施の形態に係る半導体装置は、ベース基板１０及び少なくとも複数の回路基板２０，３０を有する。図１に示すように、回路基板３０は、回路基板２０の上方に位置している。さらに、回路基板３０の上方、又は、回路基板２０と回路基板３０との間に、一又は複数の他の回路基板を備えていてもよい。
ベース基板１０は、絶縁基材と、絶縁基材の表面に設けられた図示しないベース配線パターンと、を備える。ベース配線パターンは、絶縁基材内にも設けられて、多層配線構造をとっていてもよいし、絶縁基材の対向する２つの主面の一方に設けられて片面配線構造をとっていてもよいし、絶縁基材の対向する２つの主面の両面に設けられて両面配線構造をとっていてもよい。ベース基板１０上には、半導体素子１１が搭載されていてもよい。半導体素子１１は、図３に示すような電極１７を表面に有する。ベース基板１０には、図示しないベース配線パターンに電気的に接続する外部端子１２が形成されている。外部端子１２は、例えば、ベース基板１０の表面から突出する突起電極、リードや導電ピン等であってもよい。ベース配線パターンには、突起電極２２と接合する図示しないランド、突起電極３２と接合する図示しないランド、突起電極４２と接合する図示しないランドが含まれていてもよい。これら図示しないランドは、各外部端子１２と配線によって電気的に接続されている。
【０００９】
ベース基板１０の上方には、回路基板２０が位置している。回路基板２０は、絶縁基材と絶縁基材の表面に設けられた図示しない配線パターンを有する。配線パターンは、絶縁基材内にも設けられて、多層配線構造をとっていてもよいし、絶縁基材の対向する２つの主面の一方に設けられて片面配線構造をとっていてもよいし、絶縁基材の対向する２つの主面の両面に設けられて両面配線構造をとっていてもよい。
回路基板２０には、半導体素子２１が搭載されている。半導体素子２１は、図３に示すような電極２３を表面に有する。半導体素子２１の電極２３は、回路基板２０の図示しない配線パターンに電気的に接続している。電極２３は、半導体素子２１内に設けられた集積回路と電気的に接続しており、半導体素子２１の表面に設けられている。電極２３は、電極パッドのみからなるものであってもよいし、電極パッドと電極パッド上に設けられた突起電極を含んでもよい。また、図３に示すように、半導体素子２１は、回路基板２０の図示しない配線パターンに、フェースダウンボンディング法を用いて電気的に接続していてもよいし、ワイヤボンディング法を用いて電気的に接続していてもよい。
ベース基板１０の図示しないベース配線パターンと回路基板２０の図示しない配線パターンとは、突起電極２２を用いて電気的に接続している。突起電極２２は、図示しない配線パターンに電気的に接続し、回路基板２０の表面から突出して設けられている。突起電極２２は、回路基板２０とベース基板１０との間に設けられている。突起電極２２は、ベース基板１０の図示しない配線パターンに接合している。この接合には、異方性導電接着剤や絶縁性接着剤のみを用いた接着剤接合であってもよいし、合金接合や金属間拡散接合等を用いた金属接合であってもよいし、公知の接合技術を用いることができる。
【００１０】
回路基板２０の上方には、回路基板３０が位置している。回路基板３０は、図示しない配線パターンを有する。回路基板３０には、半導体素子３１が搭載されている。半導体素子３１は、表面に図示しない電極を有する。半導体素子３１の電極は、回路基板３０の図示しない配線パターンに電気的に接続している。電極は、半導体素子３１内に設けられた集積回路と電気的に接続しており、半導体素子３１の表面に設けられている。電極は、電極パッドからなるものであってもよいし、電極パッドと電極パッド上に設けられた突起電極を含んでもよい。図３に示すように、半導体素子３１の電極は、回路基板３０の図示しない配線パターンに対して、フェースダウンボンディング法を用いて電気的に接続していてもよいし、ワイヤ３３によるワイヤボンディング法を用いて電気的に接続していてもよい。
ベース基板１０の図示しないベース配線パターンと回路基板３０の図示しない配線パターンとは、突起電極３２を用いて電気的に接続している。突起電極３２は、回路基板３０の表面から突出して設けられ、図示しない配線パターンに電気的に接続している。突起電極３２は、回路基板３０とベース基板１０との間に設けられている。突起電極３２は、ベース基板１０の図示しない配線パターンに接合している。この接合には、異方性導電接着剤や絶縁性接着剤のみを用いた接着剤接合であってもよいし、合金接合や金属間拡散接合等を用いた金属接合であってもよいし、公知の接合技術を用いることができる。
【００１１】
突起電極３２の厚みは、突起電極２２の厚みよりも大きい。これにより、回路基板３０を回路基板２０の上方に位置させることができる。突起電極２２，３２は、導電部材からなる。導電部材は、複数の導電膜が積層した構造を含むものであってもよい。導電部材は、金属、金属化合物、合金、導電ペースト、半田等のろう材又はこれらの組み合わせであってもよい。突起電極２２，３２は、ボール状に設けられたものであってもよいし、側面が平面になるように設けられていてもよい。
回路基板３０の上方に、さらに、一又は複数の回路基板（例えば、回路基板４０）が位置していてもよい。また、図４や図６に示すように、回路基板２０と回路基板３０との間に、一又は複数の回路基板（例えば、回路基板４０）が位置していてもよい。回路基板４０を用いて説明すると、図示しない配線パターンを有する回路基板４０に、図示しない電極を有する半導体素子４１が搭載され、半導体素子４１の電極は、図示しない配線パターンに電気的に接続している。突起電極４２は、図示しない配線パターンに電気的に接続している。ベース基板１０の図示しないベース配線パターンと回路基板４０の図示しない配線パターンとは、回路基板４０の表面から突出する突起電極４２を用いて、電気的に接続している。突起電極４２は、図１や図４に示すように、ベース基板１０の図示しない配線パターンに接合して、電気的に接続していてもよい。接合には、異方性導電接着剤や絶縁性接着剤のみを用いた接着剤接合であってもよいし、合金接合や金属間拡散接合等を用いた金属接合であってもよいし、公知の接合技術を用いることができる。また、図６や図７に示すように、他の回路基板、例えば回路基板２０，３０の図示しない配線パターンに接合して、図示しない配線パターンを介してベース基板１０の図示しない配線パターンに電気的に接続していてもよい。図５に示すように、ベース基板１０の両面に、回路基板が配置されていてもよい。図５には、ベース基板１０の一方の面の上方に回路基板２０，３０が配置されており、他方の面の上方に回路基板５０，６０が配置している。
【００１２】
ベース基板１０及び回路基板２０，３０，４０は、それぞれ、リジット基板でもよいし、フレキシブル基板であってもよい。リジッド基板である場合、絶縁基材がガラスエポキシ材料からなるものであってもよい。フレキシブル基板である場合、絶縁基材がポリイミド材料やポリエチレンテレフタレート材料からなるものであってもよい。また、ベース基板１０及び回路基板２０，３０，４０には、異種の半導体素子が搭載されていてもよいし、同種の半導体素子が搭載されていてもよい。異種の半導体素子とは、半導体素子表面に設けられた電極の配置が異なる半導体素子のことをいう。また、同種の半導体素子とは、半導体素子表面に設けられた電極の配置が同じ半導体素子のことをいう。
半導体素子１１，２１，３１，４１にはそれぞれ、ベース基板１０，回路基板２０，３０，４０の下面に搭載されていてもよいし、上面に搭載されていてもよい。ベース基板１０，回路基板２０，３０，４０の少なくともいずれか一つに、複数の半導体素子が搭載される場合には、両面に半導体素子が搭載されていてもよい。本実施の形態では、ベース基板１０と回路基板２０，３０，４０に半導体素子が一つずつ搭載された場合について説明したが、この例に限らず、図２に示す半導体素子１１ａ，１１ｂのように、ベース基板１０及び回路基板２０，３０，４０の少なくともいずれかに、半導体素子を複数積層して搭載してもよい。この場合、検査により不良が生じた場合のリペア性がよくなり、製造コストを削減することができる。図２に示す半導体素子１１ａのように、下層の半導体素子はベース基板１０、回路基板２０，３０，４０の少なくともいずれかにフェースダウンボンディング法によって接続されていてもよい。この場合、半導体素子１１ｂのように、下層の半導体素子の図示しない電極が形成された表面の裏面に固着された上層の半導体素子は、図示しない配線パターンの少なくともいずれかとワイヤ１５によるワイヤボンディング法によって接続されていてもよい。また、図４に示す半導体素子３１ａ，３１ｂのように、ベース基板１０及び回路基板２０，３０，４０の少なくともいずれか一つに、複数の半導体素子を搭載してもよい。この場合、半導体素子の高密度実装を実現することができ、半導体装置の厚みを抑えることができる。半導体素子１１，２１，３１，４１は、図３に示すように、樹脂１８，２４で封止されていてもよい。
【００１３】
次に、このような構成の半導体装置の製造方法について説明する。
まず、半導体素子２１が搭載された回路基板２０と、半導体素子３１が搭載された回路基板３０と、を用意する。半導体素子２１は、回路基板２０の図示しない配線パターンに電気的に接続する図示しない電極を含む。半導体素子３１は、回路基板３０の図示しない配線パターンに電気的に接続する図示しない電極を含む。さらに、ベース基板１０の上方に他の回路基板を搭載する場合、例えば、回路基板４０を搭載する場合には、回路基板４０の図示しない配線パターンに電気的に接続する図示しない電極を有する半導体素子４１が搭載された回路基板４０を用意する。
半導体素子２１が搭載された回路基板２０は、半導体素子２１の表面に設けられた図示しない電極と、回路基板２０の図示しない配線パターンを電気的に接続することにより用意される。この際、半導体素子２１と回路基板２０とは、半導体素子２１の図示しない電極が設けられた表面を回路基板２０の表面と対向させて、フェースダウンボンディング法を用いて、図示しない電極と図示しない配線パターンとを電気的に接続してもよいし、図示しない電極が設けられた表面の裏面を回路基板２０の表面と対向させて、ワイヤボンディング法を用いて図示しない電極と図示しない配線パターンとを電気的に接続してもよい。図示しない電極と図示しない配線パターンとは、異方性導電接着剤、導電接着剤、絶縁性接着剤等によって接着剤接合されていてもよいし、共晶合金を形成したり金属間拡散を用いることによって金属接合されていてもよいし、ワイヤボンディングされていてもよい。図示しない配線パターンに電気的に接続された半導体素子２１は、樹脂１８，２４によって封止されてもよい。
【００１４】
半導体素子２１が搭載された回路基板２０と同様に、回路基板３０の図示しない配線パターンに電気的に接続する図示しない電極を有する半導体素子３１が搭載された回路基板２０は、半導体素子３１の図示しない電極と、回路基板３０の図示しない配線パターンを電気的に接続することにより用意される。半導体素子３１と回路基板３０とは、図示しない電極が設けられた表面を回路基板３０の表面と対向させて、フェースダウンボンディング法を用いて、図示しない電極と図示しない配線パターンとを電気的に接続してもよいし、図示しない電極が設けられた表面の裏面を回路基板３０の表面と対向させて、ワイヤ３３によるワイヤボンディング法を用いて図示しない電極と図示しない配線パターンとを電気的に接続してもよい。図示しない電極と図示しない配線パターンとは、異方性導電接着剤、導電接着剤、絶縁性接着剤等によって接着剤接合されていてもよいし、共晶合金を形成したり金属間拡散を用いることによって金属接合されていてもよいし、ワイヤボンディングされていてもよい。図示しない配線パターンに電気的に接続された半導体素子３１は、樹脂によって封止されてもよい。
回路基板２０の半導体素子２１が搭載される面、又は、その裏面に、回路基板２０の表面から突出する突起電極２２を設ける。突起電極２２は、半導体素子２１を回路基板２０に搭載する前に設けてもよいし、半導体素子２１を回路基板２０に搭載した後に設けてもよい。また、回路基板３０の半導体素子３１が搭載される面、又は、その裏面に、回路基板３０の表面から突出する突起電極３２を設ける。突起電極３２は、半導体素子３１を回路基板３０に搭載する前に設けてもよいし、半導体素子３１を回路基板３０に搭載した後に設けてもよい。
【００１５】
突起電極２２は、図示しない配線パターンと電気的に接続して設けられる。突起電極３２は、図示しない配線パターンと電気的に接続して設けられる。突起電極２２及び３２の少なくともいずれか一方は、例えば、図示しない配線パターンに電気的に接続するように半田ボールを搭載し、加熱することによって、突起電極２２を形成してもよい。また、半田ボールを用いる方法に限らず、メッキ法を用いて、メッキ金属を析出し、突起電極２２及び３２の少なくともいずれか一方を形成してもよい。
さらに、他の回路基板、例えば、回路基板４０を有する場合は、半導体素子２１と回路基板２０との電気的接続と同様に、半導体素子４１の図示しない電極と、回路基板４０の図示しない配線パターンを電気的に接続し、回路基板４０に突起電極４２を設ける。
【００１６】
次に、図８（ａ）に示すように、半導体素子２１が搭載された回路基板２０をベース基板１０の上方に配置し、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極２２とを接合して、図示しない配線パターンと突起電極２２とを電気的に接続する。図示しない配線パターンと突起電極２２とは、半田接合、共晶接合や金属間拡散による接合等の金属接合を用いて接合されてもよいし、異方性導電接着剤、絶縁性接着剤や導電接着剤を用いた接着剤接合を用いて接合されてもよい。
次に、図８（ｂ）に示すように、少なくとも回路基板２０が、回路基板３０の突起電極３２の形成領域の下方を避けて位置するように、回路基板３０とベース基板１０とを位置合わせをする。この際、回路基板３０を矢印方向に移動してもよいし、ベース基板１０を矢印方向に移動して位置合わせしてもよい。例えば、回路基板３０の外周に沿って突起電極３２が形成されている場合、突起電極３２の形成領域に囲まれた領域の下方に回路基板２０が位置するように位置合わせを行う。
図８（ｃ）に示すように、半導体素子３１が搭載された回路基板３０を回路基板２０の上方に配置し、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極３２とを接合して、図示しない配線パターンと突起電極３２とを電気的に接続する。図示しない配線パターンと突起電極３２とは、半田接合、共晶接合や金属間拡散による接合等の金属接合を用いて接合されてもよいし、異方性導電接着剤、絶縁性接着剤や導電接着剤を用いた接着剤接合を用いて接合されてもよい。
【００１７】
さらに、回路基板３０の上方に他の回路基板、例えば、回路基板４０を有する場合には、半導体素子４１が搭載された回路基板４０を回路基板３０の上方に搭載し、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを電気的に接続する。この際、図１に示すように、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを接合して、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを電気的に接続してもよい。また、図７に示すように、回路基板４０よりも下方に位置する回路基板の配線パターンと突起電極４２とを接合して、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを電気的に接続してもよい。例えば、回路基板３０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを接合してもよい。
また、回路基板２０と回路基板３０との間に他の回路基板、例えば回路基板４０を有する場合は、回路基板２０の突起電極２２と図示しない配線パターンとの接合工程の後であって、回路基板３０の突起電極３２と図示しない配線パターンとの接合工程の前に、半導体素子４１が搭載された回路基板４０を回路基板２０の上方に搭載し、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを電気的に接続する。この際、例えば図４に示すように、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを接合して、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを電気的に接続してもよい。また、回路基板４０よりも下方に位置する回路基板の配線パターンと突起電極４２とを接合して、ベース基板１０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを電気的に接続してもよい。例えば、図６に示すように、回路基板２０の図示しない配線パターンと突起電極４２とを接合してもよい。
【００１８】
突起電極４２といずれかの配線パターンとは、半田接合、共晶接合や金属間拡散による接合等の金属接合を用いて接合されてもよいし、異方性導電接着剤、絶縁性接着剤や導電接着剤を用いた接着剤接合を用いて接合されてもよい。
突起電極２２，３２，４２といずれかのベース基板又は回路基板の配線パターンとの接合において、加熱や光照射等のエネルギーを接合部に加える工程が必要な場合には、ベース基板１０の上方に各回路基板を載置する工程後に、都度、接合部にエネルギーを加える工程を入れてもよいし、ベース基板１０の上方に複数の回路基板を載置した後に、一括してエネルギーを接合部に加えてもよい。
【００１９】
本実施の形態に係る説明は、ベース基板１０の上方に配置される各回路基板２０，３０，４０に各突起電極２２，３２，４２が設けられて、ベース基板１０に実装される形態について説明したが、これに限定されるものではなく、あらかじめ、ベース基板１０の図示しないベース配線に各突起電極２２，３２，４２が接合されていて、各突起電極２２，３２，４２にそれぞれの各回路基板２０，３０，４０が位置合わせされ、各突起電極２２，３２，４２上に各回路基板２０，３０，４０を載置して、各突起電極２２，３２，４２と図示しない各配線パターンとが電気的に接続されてもよい。
また、本実施の形態による半導体装置を、携帯電話やディジタルカメラ等の電子機器に搭載することで、電子機器の小型薄型化を図ることができる。
【００２０】
【発明の効果】
以上の如く本発明に係る半導体装置及びその製造方法並びに電子機器によれば、ベース配線パターンを含むベース基板と、ベース基板の上方に配置され、第１の配線パターンを含む第１の回路基板と、第１の回路基板に搭載され、第１の配線パターンに電気的に接続する第２の電極を含む第１の半導体素子と、第１の回路基板の上方に配置され、第２の配線パターンを含む第２の回路基板と、第２の回路基板に搭載され、第２の配線パターンに電気的に接続する第２の電極を含む第２の半導体素子と、第１の配線パターンに電気的に接続し、第１の回路基板から突出して設けられ、ベース配線パターンと接合した第１の突起電極と、第２の配線パターンに電気的に接続し、第２の回路基板から突出して設けられ、ベース配線パターンと接合した第２の突起電極と、を備えるので、各回路配線基板内部での配線の引き回しを容易とし、回路基板等の部品点数を少なくすることができるとともに、積層体の薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の一実施の形態を示す図である。
【図２】本発明の半導体装置の一実施の形態を示す図である。
【図３】本発明の半導体装置の一実施の形態を示す図である。
【図４】本発明の半導体装置の一実施の形態を示す図である。
【図５】本発明の半導体装置の一実施の形態を示す図である。
【図６】本発明の半導体装置の一実施の形態を示す図である。
【図７】本発明の半導体装置の一実施の形態を示す図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態を示す図である。
【符号の説明】
１０ ベース基板
２０，３０，４０，５０，６０ 回路基板
１１，１１ａ，１１ｂ，２１，３１，３１ａ，３１ｂ，４１，５１，６１ 半導体素子
２２，３２，４２，５２ 突起電極
１２，６２ 外部端子

Claims (8)

  1. ベース配線パターンを含むベース基板と、
    前記ベース基板の上方に配置され、第１の配線パターンを含む第１の回路基板と、
    前記第１の回路基板に搭載され、前記第１の配線パターンに電気的に接続する第２の電極を含む第１の半導体素子と、
    前記第１の回路基板の上方に配置され、第２の配線パターンを含む第２の回路基板と、
    前記第２の回路基板に搭載され、前記第２の配線パターンに電気的に接続する第２の電極を含む第２の半導体素子と、
    前記第１の配線パターンに電気的に接続し、前記第１の回路基板から突出して設けられ、前記ベース配線パターンと接合した第１の突起電極と、
    前記第２の配線パターンに電気的に接続し、前記第２の回路基板から突出して設けられ、前記ベース配線パターンと接合した第２の突起電極と、
    を備えることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１記載の半導体装置において、さらに、前記ベース基板に搭載され、前記ベース配線パターンに電気的に接続する第３の電極を含む第３の半導体素子を備えることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は２に記載の半導体装置において、前記第２の突起電極は、前記第１の突起電極よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置において、さらに、前記第１の半導体素子に他の半導体素子が積層されていることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置において、さらに、前記第２の半導体素子に他の半導体素子が積層されていることを特徴とする半導体装置。
  6. 第１の配線パターンを含む回路基板であって、前記第１の配線パターンに電気的に接続する第１の電極を含む第１の半導体素子が搭載された第１の回路基板を、ベース配線パターンを含むベース配線基板の上方に配置し、前記第１の回路基板と前記ベース基板との間に設けられた第１の突起電極を、前記ベース配線パターンに接合して、前記第１の配線パターンと前記ベース配線パターンとを電気的に接続し、
    第２の配線パターンを含む回路基板であって、前記第２の配線パターンに電気的に接続する第２の電極を含む第２の半導体素子が搭載された第２の回路基板を、前記第１の回路基板の上方に配置し、
    前記第２の回路基板と前記ベース基板との間に設けられた第２の突起電極を、前記ベース配線パターンに接合して、前記第２の配線パターンと前記ベース配線パターンとを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第２の突起電極は、前記第２の回路基板の表面から突出しており、
    前記第１の配線パターンと前記ベース配線パターンとを電気的に接続する工程の後であって、第２の回路基板を前記第１の回路基板の上方に配置する工程の前に、前記第１の回路基板が、前記第２の回路基板の前記第２の突起電極形成領域を避けた領域の下方に位置するように、前記第２の回路基板と前記ベース基板とを位置合わせすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
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