JP2003536257A - 窒化ガリウムのコーティングの製造方法 - Google Patents
窒化ガリウムのコーティングの製造方法Info
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Abstract
Description
合窒化物の厚い層、およびこれらの製造方法に関する。 また本発明は、かかる層を有する電子または光電子装置に関する。 本発明の技術分野は、一般に、基板上における窒化物をベースとする半導体物
質層の調製として定義することができる。
電子および光電子分野において重要な地位を占めており、この地位は益々重要に
なるであろう。窒化物をベースとするこれらの半導体物質の応用分野は、現に、
レーザーダイオードから高周波数および高温で機能することができるトランジス
タの範囲にわたり、紫外線検出装置、表面音響を備えた装置、および発光ダイオ
ード(LED)を含む広範囲をカバーする。
および、より使用頻度は低いが炭化ケイ素SiCである。これら二つの物質、特
にサファイアは、多くの欠点を有する。
ことであり、一方、SiCの欠点は、それが高価であり、その性質が変化しやす
いということである。それゆえ、これら二つの物質と比較して明らかに経済的で
あり、技術的利点を有するケイ素で、サファイアおよびSiCを置換することが
提案されている。
に化学的に除去できることを含む。 さらに、完全に工業規模で制御されるケイ素をベースとした技術システムが既
に存在し、そのコストがサファイアやSiCのコストよりも顕著に低いことから
、ケイ素は、低コスト大量生産に好ましい基板である。
熱膨張係数と格子定数の大きな差異に関連した問題によって妨げられている。そ
れゆえ、GaNのような良好な品質の窒化物層を成長させるために、数十ナノメ
ートルの厚みを有する“バッファー層”と呼ばれる、例えばAlAs、SiCま
たはAlNのような薄層を、開始前にケイ素基板上に堆積すべきことが、一般的
に受け入れられている。この層は、基板を連続的にカバーし、GaN層が二次元
的に成長することを可能にする。しかしながら、ケイ素基板上のGaNには、ケ
イ素とGaNとの間の熱膨張係数と格子定数に上記ミスマッチが存在するため、
張力が加わる。成長後の冷却中に生じるこの張力応力の値は、GaNのような窒
化物層の厚みとともに増加し、この層が臨界的厚み、通常1μmより厚くなると
、クラックがそれに形成される。
層は、薄くてクラックを含まないか、あるいは厚くてクラックを含むかのいずれ
かであった。 いずれの場合にも、かかる層を用いることは困難である。 これと同じ問題が、炭化ケイ素SiCからなる基板上における、GaNのよう
な窒化物層の成長にも生じる。 GaN層の厚みを増加させることが、構造的、光学的、および電子的特性を改
善することは自明である。結果的に、ケイ素基板上に、厚くて、しかもクラック
を含まない窒化物層、特にGaN層を調製できることは、非常に有益であろう。
, G.A.SERYOGIN, H.TEMKIN, T.I.PROKOFYEVA, M.HOLTZおよびS.N.G.CHU, APPL.P
HYS.LETT.75,2073(1999)の刊行物は、クラッキングが排除されるべき、そしてケ
イ素上のGaN層における張力応力が制限されるべきであるならば、ケイ素基板
上に堆積された薄いAlNバッファー層の成長モードは、二次元成長モードにで
きるだけ早く移さなければならないことを示唆している。かくして2.2μmま
での厚みを有するクラックを含まないGaN層が得られる。
モニアに曝した後に、アルミニウムの単一層を堆積し、AlNバッファー層の成
長を開始することからなる、ケイ素基板表面の予備処理によるものであることが
見出されている。 さらに、この予備処理を用いると、AlNバッファー層の成長は、二次元成長
モードへとより早く移る。
応力を有し、この層は、2μmより厚い場合にはクラックを生じることになる。 それゆえ、層に張力応力を引き起こしうる基板上の、窒化ガリウムおよびガリ
ウム合金の単結晶層、特に厚くて連続的、言い換えればクラックが存在しない層
が必要とされている。 また、信頼性があり、簡単で、再現性があり、しかも安価である、基板上にお
けるかかる層の調製方法も必要とされている。
来技術に係る層および方法の欠点、短所、および制限を有さない層およびこの層
の調製方法を提供することである。 より正確には、本発明の目的は、窒化ガリウムとその合金のクラックを含まな
い単結晶層を提供することである。
ガリウムとその他の金属との混合窒化物のクラックを含まない単結晶層であって
、前記基板は前記層に張力応力を引き起こし、かつバッファー層により被覆され
ており; 格子定数が、前記窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の
格子定数よりも小さく、100から300nm、好ましくは200から250n
mの間の厚みを有する物質の少なくとも一つの単結晶層が、前記窒化ガリウムま
たはガリウムとその他の金属との混合窒化物の層に挿入されている層、によって
達成される。
またはガリウムとその他の金属との混合窒化物の格子定数よりも小さい。 必要とされる目的のために、中間層に関わらず、そして窒化物の単結晶層に関
わらず、中間単結晶層の格子定数は、窒化物層の格子定数よりも小さくなければ
ならない。 本発明に係る層は、あらゆる厚みを有することができ、例えば1μmまたはそ
れより低くてもよい。特に、本発明に係る層は厚い層であってもよく、本発明に
係る厚い層とは、通常、2μm以上、例えば2から5μm、好ましくは2μmよ
りは大きく5μmまで、さらには3から5μmの厚みを有する層を意味する。
物の格子定数よりも小さい格子定数を有する少なくとも一つの中間単結晶層を有
する点、当該層が、特異的および根本的に単結晶層であって、多結晶層または非
晶質層でない点、そして最後に、中間層の特異的厚みが100から300nmで
ある点で、従来技術にかかる層とは根本的に異なる。本発明にかかる目的は、応
力を変化させることであり、それゆえ、“厚い”中間層が用いられるが、数十ナ
ノメートルの厚みの薄層が従来技術で用いられており、そこでは欠点が利用され
ている。
子定数よりも小さい格子定数を有する挿入された中間層を含むだけでなく、さら
に、この挿入された中間層は特異的な単結晶層であるべきであり、そして最終的
にこの層が特異的厚みを有するべきである。 この層は、通常、正確かつ定義された条件下で、特に高温、すなわち通常は8
00から1000℃、好ましくは900から950℃の間の温度で形成される。
明に従って高温で形成された、特に単結晶中間層を用いることである。 従来技術では、有利に高温で形成された単結晶中間層(例えばAlNからなる
)が、厚く、クラックのないGaN層の形成を助けることができることについて
、何ら示唆も言及もしていない。 格子定数のミスマッチ(すなわち、中間層物質の格子定数が、窒化ガリウムま
たはガリウムとその他の金属との混合窒化物の格子定数よりも小さい)は、高い
方の窒化物層が成長の際に圧縮されるようなものである。 この圧縮は、冷却時に生じる張力応力を埋め合わせまたは取消し、驚くべきこ
とに、窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の層は厚く、
クラックを含まず、言い換えれば、層に張力応力を引き起こしうる基板において
連続的である。
、それ以外にガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物からなる物
質内に別の中間層を含み、これが、バッファー層自体が妨げることができないク
ラックを効果的に消失させる。 言い換えれば、特に本発明に係る中間層は、クラックが現れる臨界的厚みを、
バッファー層のみを用いた場合に得られる臨界的厚み以上に、顕著に増加させる
。
合わせる、より高い圧縮応力を加えることを可能にすることを意味する。上記刊
行物では、クラックを含まない層の最大の厚みが僅かに2μmであったが、本発
明では3μmまたはそれ以上(5μmまで)と大きいことから、結果的に、本発
明に係る層のクラックを含まない厚みが以前に達成されたことはない。 しかしながら、本発明は“厚い”層に制限されるのではなく、本発明に係る構
造を有する全ての層、例えば1μm以上の厚みを有する層に適用可能であること
に注意すべきである。
い。 有利に、混合窒化ガリウムは、ガリウムとアルミニウムまたはインジウムとの
混合窒化物から選択される。
ることができるが、好ましくは、ケイ素および炭化ケイ素基板から選択される基
板である。 より正確には、本発明によれば、クラックのない層、特に厚い層を、これらの
基板上に有する。かかる基板には多くの利点があるが、これらの利点にもかかわ
らず、従来技術では、生成された応力に関連した欠点は、これらの基板を使用す
ることができないようなものであった。 炭化ケイ素基板は、窒化物を用いて形成されるタイプの部材に特に適している
ことが示されている。 ケイ素基板は、(111)面に沿って配向されたケイ素基板が好ましく、また、
ケイ素が脱酸素化されていることが好ましい。
は10から50nmの厚みである。 中間層は、バッファー層と同じ物質からなるものであってもよく、別の物質か
らなるものであってもよい。しかしながら、中間層は、通常は、AlNまたはA
lGaNの層である。本発明によれば、この層は単結晶層である。 この中間層の厚みは、通常、100から300nm、好ましくは200から2
50nmである。 本発明に係る層は、1から5の中間層を含んでもよい。
を含まない単結晶層の製造方法であって、前記基板が前記層に張力応力を引き起
こすことができ、当該方法は、以下の順に以下の工程: a)場合により、加熱した基板表面をアンモニアに曝露する工程;この処理は、
基板がケイ素からなる場合に実施される; b)アルミニウムの単一原子層を堆積する工程; c)バッファー層を堆積する工程; d)窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の堆積を成長さ
せる工程; e)窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の堆積の成長を
妨げる工程; f)格子定数が、窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の
格子定数よりも小さく、かつ100から300nm、好ましくは200から25
0nmの間の厚みを有する物質の中間単結晶層を成長させる工程; g)必要に応じて工程d)からf)を繰り返す工程; h)窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の層が最終的に
必要な厚みとなるまで、窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒
化物の堆積の成長を続ける工程; i)基板、および窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の
層を冷却する工程 を含む方法にも関する。
本的工程は、工程f)である。 既に上述したように、窒化ガリウムの格子定数とは異なる格子定数(上記参照
)、すなわち、窒化ガリウムの格子定数よりも小さい、またはGaN層の混合窒
化ガリウムの格子定数、またはガリウムとその他の金属との混合窒化物の格子定
数よりも小さい格子定数を有する物質の少なくとも一つの単結晶層を挿入するこ
とが、例えば周囲温度まで冷却する際に生じる張力応力を埋め合わせるまたは取
消し、結果的に、本発明にかかる方法を用いることによって、連続的なクラック
のない層、特に厚い層を、層に張力応力を誘導または生じることができる基板上
に形成することができる。
の刊行物に記載されているような従来技術にかかる方法において生じる応力より
も高い圧縮応力を付与することを可能にする。 この圧縮応力は、冷却時に生成される張力応力を正確にまたは部分的に埋め合
わせ、結果的に、形成された層が緩和され、クラックが生じるこれらの層の臨界
的厚みが、上述したように顕著に増加する。
層は緩和されるが、1μmよりも厚い層は張力がかかるが、3μmよりも厚くな
ければ、クラックは生じない。 従来技術にかかる方法にかかる公知工程a)、b)、c)、d)に、特異的厚
みを有する根本的に単結晶層の中間層の成長に関するさらなる工程f)の付加が
、従来技術の欠点を解決しうるということは、完全に予想し得ないことであった
。 従来技術にかかる表面予備処理a)に加えて、中間層を成長させることにより
、厚い層(そして、特に厚い緩和された層またはクラックのない応力のかかった
層)を、本発明に従って調製することができる。
クのない層を得ることを可能にする単結晶層であるべきであることが必須である
。 中間層の特異的厚みが、応力が変化され得るように、100から300nmの
間であるべきであることも重要である。 言い換えれば、本発明に係る方法の工程a)、b)、c)およびd)は、上記
従来技術にかかる方法に類似しているが、残留応力の値と、従来技術では2μm
だが、この方法では通常3μm以上である可能な最大のクラックのない厚みとの
間の比較により、本発明に係る方法におけるさらなる工程が、圧縮応力を増加さ
せるのに本質的かつ決定的な役割を演じ、そしてさらに冷却時に生じる張力を埋
め合わせることが示される。
に正確に選択されなければならない。 特に、中間層の成長の際に用いられる温度は、有利に高温、通常は800から
1000℃、好ましくは900から950℃である。 通常正確に選択される必要のあるその他の特定のパラメーターまたは成長条件
は、成長されるべき中間層の成長速度と厚みである。 さらに、本発明に係る方法は、単純で、信頼でき、再現性があり、かくして、
例えば、約20の生成された層の方法の再現性は100%であることが示されて
いる。
ことができる。これは、もはや基板に依存せず、非常に広く適用可能であるとい
う、本発明に係る方法の利点の一つである。例えばAlN層のような単結晶層が
窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の層に挿入される必
要があるという必須工程は、完全に基板とは独立している。好ましい基板は、上
述したとおりである。 さらに、本発明に係る方法は、バッファー層の堆積、窒化ガリウムまたはガリ
ウムとその他の金属との混合窒化物の堆積の成長、そして中間層の成長に関する
あらゆる成長技術を用いることができる。しかしながら、この層の成長条件は、
それが単結晶となるようなものでなければならない。
学気相成長(MOCVD)、またはヒドリド気相エピタキシー(HVPE)も、
これらの層および堆積物の成長に用いることができる。好ましい方法は、特に、
単結晶中間層の成長が可能な以下に記載の条件下、すなわち温度は800から1
000℃、好ましくは900から950℃、成長速度は0.1から0.5μm/
hでのMBEである。 本発明に係る方法を用いて、例えば、窒化ガリウム層またはガリウムとその他
の金属との混合窒化物の層におけるAlNの、いくつかの中間層を堆積させるこ
とも可能である。言い換えれば、g)で述べているように、工程d)からf)を
、例えば1から5回繰り返して、2から6の中間単結晶層の堆積を誘導すること
もできる。
長方法の両方から極めて柔軟である。 この方法は、NIKISHIN等の刊行物に記載されている従来技術にかかる方法の場
合とは異なる。これはAlN層の三次元から2次元の成長への変遷の速さが、用
いた成長技術と基盤に依存することが明らかであるためである。 さらに、この方法は、基板とAlNバッファー層との間の界面に一回だけしか
適用できない。それゆえ、本発明の方法は、例えば、炭化ケイ素基板をケイ素基
板の代わりに用いた場合に、変更せずに、適用および置換できるという利点を有
する。既に確認したように、これらのSiC基板は、窒化物を用いて作製したい
部材のタイプに特に適している。
とその他の金属の混合窒化物の少なくとも一つの厚く、クラックのない単結晶層
を含む電子および/または光電子装置にも関する。 例えば、これらの装置は、レーザーダイオード、高周波数および高温で機能す
ることができるトランジスタ、紫外線検出装置、表面音響装置、発光ダイオード
等とすることができる。
れ、窒化ガリウム層またはガリウムとその他の金属との混合窒化物の厚みの増加
が、構造的、光学的および電子的特性を同時に改善しうることは明らかである。
例えば、A.T.SCHREMER, J.A.SMART, Y.WANG, O.AMBACHER, N.C.MacDONALDおよび
J.R.SHEALY, Appl.Phys.Lett.76,736(2000)による、ケイ素基板上の窒化物ヘテ
ロ構造をベースとするトランジスタの製造を記載した唯一存在する文献は、60
0から700cm2/Vsの間の移動値(mobility value)を言及するが、本発明
に係る層を用いれば、1500cm2/Vsより高い値が300Kで得られる。
これは、本質的に、この刊行物では、クラックを形成することなく0.7μmよ
り厚い層を形成することが不可能であるということによるものである。かくして
、この文献にかかるヘテロ構造の品質は、少なくとも2μmの厚みの層に関する
本発明に従って形成されたヘテロ構造ほど良好ではない。
無関係に、本発明に係る厚い層から形成される産物は、薄層を用いて形成される
産物より優れた特性を有する。これは単に、界面と基板との距離が増加するので
、成長物質の品質も改善されるからである。
詳細な説明においてより正確に記載する。
ide layer)を、例えば950℃までの高速熱アニーリングにより成長チャンバ内
でin situで蒸発させる;これを図1には示されていない“脱酸素化(deoxidatio
n)”工程(工程0)と称する。
の温度を、通常は、例えば、600℃に固定し、ケイ素表面をアンモニアに数秒
間(通常は2から10秒)曝す(工程1)。 基板温度を、一般に約830℃まで増加させる。次いで基板の温度を、一般に
600℃に低下させ、アルミニウムの単一原子層を堆積させる(工程2)。 バッファー層、通常はAlNの成長を、温度を900℃まで増加させることに
より開始する(工程3)。 ここに記載されている方法はMBE(分子線エピタキシー)法であることに注
意すべきである。
成長を停止させ、温度を一般に780℃まで低下させる。この温度で、GaNま
たはガリウムとその他の金属との混合窒化物を、例えばAlNからなるバッファ
ー層の上に成長させる(工程4)。 GaNまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の成長を、一般に、10
0から300nmの厚み(例えば図1では250nm)の堆積後に阻害し、温度
を、一般に、バッファー層と中間層が両方ともAlNからなる場合、AlNの中
間単結晶層の成長のために900℃まで増加させる。この単結晶中間層の厚みは
、一般に100から300nmの間である。
aNまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の成長を開始し、必要とする
最終的な厚み、通常は2から5μmに到達させる。 バッファーまたはGaN層またはガリウムとその他の金属との混合窒化物の層
の堆積および成長工程に用いられる温度、時間、試薬などの種々のパラメーター
、並びに、例えば基板の表面処理は、当業者に公知および/または容易に決定さ
れることに注意すべきである。上記の値は、指標として示されているものである
。 しかしながら、本発明に必須である、中間の、単結晶層の堆積の条件は、特に
、正確に単結晶層の成長を可能にするものである。
図2は、本発明に従って形成された層の構造の図式的断面を示す。例えば、Si
(111)からなる基板(21)、例えばAlNからなるバッファー層(22)、
およびAlNの中間層(24)が存在するGaNの層(23)を有する。 本発明を、例示的であって、限定を目的としない以下の実施例を参照して記載
する。
に従ってGaNの2μmの厚さの層、言い換えれば、250μmの厚さの中間A
lN単結晶層を有する層を調製した。 ケイ素基板を、超真空下で約10時間約600℃に熱して、脱気した。次いで
、これを成長チャンバーに移し、表面の酸化ケイ素層を除くために、温度を約9
50℃まで素早く増加させた。この温度を約600℃まで低下させ、ケイ素表面
をアンモニア気流下に2秒間曝露した。
温度で、アルミニウムの単一層(10秒の堆積に相当する)を堆積させ、温度を
600℃まで増加させた。この温度で、アンモニアとアルミニウムを同時に添加
して、窒化アルミニウム(AlN)のバッファー層を形成した。温度を最初の2
分間、徐々に増加させて、900℃のオーダーの温度とし、この温度を維持して
、50ナノメートルAlNを成長させ、バッファー層を形成した(すなわち、我
々の成長条件下で約20分)。バッファー層が完了したら、温度を約780℃ま
で低下させ、窒化ガリウム(GaN)の成長を開始した。GaNの250ナノメ
ートルの層を成長させた(我々の成長条件下で約15分必要)。
の成長の開始を780℃で行ったが、温度を急速に900℃まで増加させた(温
度上昇に2分かかった)。中間AlN層の厚みは250nmであった(我々の成
長条件下で約2時間かかった)。この層が完了したら、温度を約780℃まで低
下させ、2マイクロメートルの厚みのGaN層の成長を開始し、約2時間続けた
。
じ厚み(2μm)のGaNの層を実施例1と同じ条件下ではあるが、ただし、比
較目的のため、AlNの中間層を含まない条件で調製した。 ケイ素基板を、超真空下で約10時間約600℃に熱して、脱気した。次いで
、これを成長チャンバーに移し、表面の酸化ケイ素層を除くために、温度を約9
50℃まで素早く増加させた。この温度を約600℃まで低下させ、ケイ素表面
をアンモニア気流下に2秒間曝露した。
温度で、アルミニウムの単一層(10秒の堆積に相当する)を堆積させ、温度を
650℃まで増加させた。この温度で、アンモニアとアルミニウムを同時に添加
して、窒化アルミニウム(AlN)のバッファー層を形成した。温度を最初の2
分間、徐々に増加させて、900℃のオーダーの温度とし、この温度を維持して
、50ナノメートルのAlNをバッファー層に成長させた(すなわち、我々の成
長条件下で約20分)。バッファー層が完了したら、温度を約780℃まで低下
させ、2マイクロメートルの厚みのGaN層の成長を開始し、約2時間続けた。
観察は(図3Aおよび3B)、中間AlN層無しに形成されたGaN層(実施例
2、図3A、比較用であって本発明に適合しない)が完全にクラックを有するが
、中間単結晶層を有するGaNの層(実施例1、図3B、本発明に適合する)は
、連続的であってクラックを完全に含まないことを示している。
GaNの層、言い換えれば250nmの厚みのAlNの中間単結晶層を有する層
を実施例1と同じ条件下で本発明に従って調製した。 ケイ素基板を、超真空下で約10時間約600℃に熱して、脱気した。次いで
、これを成長チャンバーに移し、表面の酸化ケイ素層を除くために、温度を約9
50℃まで素早く増加させた。この温度を約600℃まで低下させ、ケイ素表面
をアンモニア気流下に2秒間曝露した。
温度で、アルミニウムの単一層(10秒の堆積に相当する)を堆積させ、温度を
650℃まで増加させた。この温度で、アンモニアとアルミニウムを同時に添加
して、窒化アルミニウム(AlN)のバッファー層を形成した。温度を最初の2
分間、徐々に増加させて、900℃のオーダーの温度とし、この温度を維持して
、バッファー層に50ナノメートルのAlNを形成した(すなわち、我々の成長
条件下で約20分かかった)。バッファー層が完了したら、温度を約780℃ま
で低下させ、窒化ガリウム(GaN)の成長を開始した。GaNの250ナノメ
ートルの厚みの層を成長させた(我々の成長条件下で約15分必要)。
の成長を780℃で開始したが、温度を急速に900℃まで増加させた(温度上
昇に2分かかった)。中間単結晶AlN層の厚みは250nmであった(我々の
成長条件下で約2時間かかった)。この層が完了したら、温度を約780℃まで
低下させ、1μmの厚みのGaN層の成長を開始し、約1時間を要した。
ではあるが、ただし、比較目的のため、AlNの中間単結晶層を省略して調製し
た。 ケイ素基板を、超真空下で約10時間約600℃に熱して、脱気した。次いで
、これを成長チャンバーに移し、表面の酸化ケイ素層を除くために、温度を約9
50℃まで素早く増加させた。この温度を約600℃まで低下させ、ケイ素表面
をアンモニア気流下に2秒間曝露した。
温度で、アルミニウムの単一層(10秒の堆積に相当する)を堆積させ、温度を
650℃まで増加させた。この温度で、アンモニアとアルミニウムを同時に添加
して、窒化アルミニウム(AlN)のバッファー層を形成した。温度を最初の2
分間、徐々に増加させて、900℃のオーダーの温度とし、この温度を維持して
、50ナノメートルのAlNをバッファー層に成長させた(すなわち、我々の成
長条件下で約20分)。バッファー層が完了したら、温度を約780℃まで低下
させ、1マイクロメートルの厚みのGaN層の成長を開始し、約1時間を要した
。
験を組み合わせて、実施例3および4の層に実施した。これらの実験は、物質の
正確な応力状態を調べるために半導体の物性において慣例的に用いられる。同じ
厚み(1μm)を有するGaNの二つの層、一方は中間層を含まず(実施例4)
、他方はAlNの中間層を含む(実施例3)、について得られたスペクトルは、
図4Bおよび4Aに示されている。これらのスペクトルの分析は、AlNの中間
層を含まないGaNの層は張力がかかっているが、AlNの中間単結晶層を含む
GaNの層は緩和されていることを示す(この観察は、自由励起子A(free exci
ton A)のエネルギー位によるGaN物質の禁止バンド(prohibited band)を正確
に調べることである)。
MBEによる堆積および成長に関する本発明に係る方法の種々の工程を図式的に
示すチャートを示す。
本発明に適合しない)と、中間層を含む2μmの厚みのGaN層(本発明に適合
する)の光学顕微鏡写真である。
N(本発明に適合しない)と、中間層を含む同一の厚みのGaN層(本発明に適
合する)をそれぞれ用いて得られた、フォトルミネセンスおよび反射スペクトル
である。縦座標は、任意単位(u.a (arbitrary units))であり、横座標は、光
子エネルギーE(eV)を示す。
Claims (21)
- 【請求項1】 基板上の、窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との
混合窒化物のクラックを含まない単結晶層であって、前記基板は前記層に張力応
力を引き起こし、かつバッファー層により被覆されており; 格子定数が、前記窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の
格子定数よりも小さく、100から300nm、好ましくは200から250n
mの間の厚みを有する物質の少なくとも一つの単結晶層が、前記窒化ガリウムま
たはガリウムとその他の金属との混合窒化物の層に挿入されている層。 - 【請求項2】 2μm以上の厚みを有する厚い層である、請求項1記載の層
。 - 【請求項3】 2から5μmの間の厚みを有する厚い層である、請求項1記
載の層。 - 【請求項4】 ガリウムとその他の金属の混合窒化物が、ガリウムとアルミ
ニウムまたはインジウムとの混合窒化物から選択される、請求項1記載の層。 - 【請求項5】 基板が、ケイ素および炭化ケイ素基板から選択される、請求
項1記載の層。 - 【請求項6】 バッファー層がAlN層である、請求項1記載の層。
- 【請求項7】 中間層がAlNまたはAlGaNの層である、請求項1記載
の層。 - 【請求項8】 1ないし5の中間層を含む、請求項1ないし7のいずれか一
項に記載の層。 - 【請求項9】 基板上の窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混
合窒化物のクラックを含まない単結晶層の製造方法であって、前記基板が前記層
に張力応力を引き起こすことができ、当該方法は、以下の順に以下の工程: a)場合により、加熱した基板表面をアンモニアに曝露する工程; b)アルミニウムの単一原子層を堆積する工程; c)バッファー層を堆積する工程; d)窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の堆積を成長さ
せる工程; e)窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の堆積の成長を
妨げる工程; f)格子定数が、窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の
格子定数よりも小さく、かつ100から300nm、好ましくは200から25
0nmの間の厚みを有する物質の中間単結晶層を成長させる工程; g)必要に応じて工程d)からf)を繰り返す工程; h)窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の層が最終的に
必要な厚みとなるまで、窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒
化物の堆積の成長を続ける工程; i)基板、および窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物の
層を冷却する工程 を含む方法。 - 【請求項10】 中間層(工程f))を成長させる条件が、この層が単結晶
となるような条件である、請求項9記載の方法。 - 【請求項11】 単結晶中間層の成長温度が、800から1000℃の間、
好ましくは900から950℃の間である、請求項10記載の方法。 - 【請求項12】 窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化
物の層の最終的な厚みが、2μm以上である、請求項9記載の方法。 - 【請求項13】 窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化
物の層の最終的な厚みが、2から5μmの間である、請求項12記載の方法。 - 【請求項14】 混合窒化ガリウムが、ガリウムとアルミニウムまたはイン
ジウムとの混合窒化物であるように選択される、請求項9記載の方法。 - 【請求項15】 基板が、ケイ素および炭化ケイ素基板から選択される、請
求項9記載の方法。 - 【請求項16】 バッファー層がAlN層である、請求項9記載の方法。
- 【請求項17】 中間層がAlNまたはAlGaNの層である、請求項9記
載の方法。 - 【請求項18】 工程d)ないしf)を1ないし5回繰り返す、請求項9記
載の方法。 - 【請求項19】 バッファー層の堆積、窒化ガリウムまたはガリウムとその
他の金属との混合窒化物の成長または堆積、および中間単結晶層の成長が、分子
線エピタキシー(MBE)、有機金属化学気相成長(MOCVD)、またはヒド
リド気相エピタキシー(HVPE)によって行われる、請求項9ないし18のい
ずれか一項に記載の方法。 - 【請求項20】 中間単結晶層を、分子線エピタキシーにより800から1
000℃の間の温度で0.1から0.5μm/hの間の成長速度で成長させる、
請求項19記載の方法。 - 【請求項21】 請求項1ないし8のいずれか一項に記載の少なくとも一つ
の層を有する電子または光電子装置。
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