JP2003504893A - 半導体パッケージのアンダーフィル材 - Google Patents

半導体パッケージのアンダーフィル材

Info

Publication number
JP2003504893A
JP2003504893A JP2001510284A JP2001510284A JP2003504893A JP 2003504893 A JP2003504893 A JP 2003504893A JP 2001510284 A JP2001510284 A JP 2001510284A JP 2001510284 A JP2001510284 A JP 2001510284A JP 2003504893 A JP2003504893 A JP 2003504893A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor package
underfill material
wiring board
urethane
polyol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001510284A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4611588B2 (ja
JP2003504893A5 (ja
Inventor
錠志 後藤
辰弥 奥野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sunstar Giken KK
Original Assignee
Sunstar Giken KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sunstar Giken KK filed Critical Sunstar Giken KK
Publication of JP2003504893A publication Critical patent/JP2003504893A/ja
Publication of JP2003504893A5 publication Critical patent/JP2003504893A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4611588B2 publication Critical patent/JP4611588B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305—Affixing by adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 好ましくはポリオールと過剰のポリイソシアネートの反応によって得られる末端イソシアネート基含有ウレタンプレポリマーと、常温固形で、表面の活性基を微粉体により被覆した微粉体コーティング硬化剤とを含んでなる一液加熱硬化型ウレタン系組成物を含有する、回路基板に実装されたキャリア基材上に半導体素子を保持した半導体パッケージ用アンダーフィル材。この組成物は、低温硬化性および貯蔵安定性を同時に達成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は半導体パッケージのアンダーフィル材に関し、更に詳しくは、キャリ
ア基材上に半導体素子を保持してなる半導体パッケージを配線基板上へ実装する
ときに用いるアンダーフィル材、並びに上記実装によって得られる実装基板およ
びそのリペア方法に関する。
【０００２】 （従来の技術） この種の実装基板は、車載機器、コンピューター等の高信頼性用途や、特に最
近その普及に伴い量産体制にある携帯電話機などに用いられているが、通常、キ
ャリア基材上に半導体素子を保持してなる半導体パッケージを配線基板上に実装
する、たとえばはんだボールを用いて接続することによって製造される。 携帯電話機の場合、落下衝撃やボタン操作などの外圧による基板の変形等によ
ってはんだボールの接合不良を招くことがある。このため、はんだ接合部周囲の
隙間にアンダーフィル材を充填して硬化封止する、補強策が採られている。そこ
で、このように補強して接続信頼性の向上を目的として用いるアンダーフィル材
には、従来より、エポキシ樹脂、硬化剤および可塑剤を含有する一液または二液
加熱硬化型のエポキシ系材料が多用され主流となっている（特開平１０−２０４
２５９号公報参照）。
【０００３】 しかしながら、エポキシ系材料は、一般に８０℃で３０分から１５０℃で１０
分の加熱硬化が必要で、配合調整で低温硬化性を高めると、５℃付近もしくはそ
れ以下での冷蔵保存が必要となる。さらに、エポキシ系材料をアンダーフィル材
として用いて接合不良が発見された場合、上記半導体パッケージを配線基板から
取外してリペアする作業において、配線基板に付着した硬化物を加熱溶融および
／または溶剤膨潤で１つ１つ除去しなければならず、従来のエポキシ系材料では
作業現場で要望されるリペア性を確保するまでには至っていないのが現状であっ
た。
【０００４】 （発明の開示） （技術的課題） 本発明の１つの目的は、低温硬化性と貯蔵安定性の両立並びにリペア性の問題
を解決できる半導体パッケージ用のアンダーフィル材、すなわち、６０℃以上の
温度、たとえば７０℃で２０分あるいは８０℃で１０分で硬化でき、室温保存が
可能となるアンダーフィル材を提供することである。 本発明の別の目的は、キャリア基材上に半導体素子を保持してなり、配線基板
上に実装された半導体パッケージを含んでなる新規な実装基板を提供することで
ある。 本発明の他の目的は、実装基板を容易にリペアする方法を提供することである
。
【０００５】 （その解決方法） 本発明の第１の要旨によれば、配線基板、およびキャリア基材上に半導体素子
を保持した半導体パッケージを有してなる実装基板であって、該半導体パッケー
ジは、該配線基板に対しはんだボールを用いて接続され、はんだ接合部の隙間は
、一液加熱硬化型ウレタン系組成物を本質的に含むアンダーフィル材により充填
された実装基板が提供される。
【０００６】 本発明の第２の要旨によれば、本発明の実装基板の製造方法であって、 該半導体パッケージを、はんだボールを用いて該配線基板に接続し、 次いで、はんだ接合部の隙間を該アンダーフィル材により充填し、 該アンダーフィル材を硬化して実装基板を封止する ことからなる製造方法が提供される。
【０００７】 本発明の第３の要旨によれば、本発明の実装基板の製造方法であって、 該配線基板に該アンダーフィル材を適用し、 該半導体パッケージを、はんだボールを用いて該配線基板に接続し、 該アンダーフィル材を硬化して実装基板を封止する ことからなる製造方法が提供される。
【０００８】 本発明の第４の要旨によれば、一液加熱硬化型ウレタン系組成物から本質的に
なる、回路基板に実装されたキャリア基材上に半導体素子を保持した半導体パッ
ケージ用アンダーフィル材が提供される。
【０００９】 本発明の第５の要旨によれば、本発明の実装基板のリペア方法であって、 該半導体パッケージおよび該配線基板の少なくとも一方を１８０〜３５０℃の
温度に局部加熱し、 硬化したアンダーフィル材および場合により該はんだを溶融し、 該配線基板から該半導体パッケージを取り除き、 該配線基板上に、該半導体パッケージまたは新しい半導体パッケージを実装す
る ことからなる実装基板のリペア方法が提供される。
【００１０】 （発明を実施するための最良の形態） 本発明において用いられる一液加熱硬化型ウレタン系組成物の代表例は、ポリ
オールと過剰のポリイソシアネートとの反応によって得られる末端イソシアネー
ト基含有ウレタンプレポリマー（以下、ＮＣＯ含有プレポリマーと称す）と、常
温固形で、表面の活性基を微粉体により被覆した微粉体コーティング硬化剤を含
んでなるウレタン組成物である。このウレタン組成物は、可塑剤（フタル酸系、
イソフタル酸系、アジピン酸系、アゼライン酸系、セバシン酸系、マレイン酸系
、フマル酸系、トリメリット酸系、ピロメリット酸系、リン酸系、スルホン酸系
などのエステル可塑剤）、密着剤（メルカプトシラン、エポキシシラン、ビニル
シラン等のシラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウ
ム系カップリング剤、エポキシ樹脂、フェノール樹脂など）、安定剤（ヒンダー
ドフェノール系、モノフェノール系、ビス・トリスポリフェノール系、チオビス
フェノール系など）、脱水剤（酸化カルシウム、ゼオライト、シリカゲルなど）
、染顔料を含有していてもよい。 加熱硬化型ウレタン系組成物の粘度は、通常５００〜５００００ｍＰa・ｓ、
好ましくは１０００〜２００００ｍＰa・ｓに設定すればよい。
【００１１】 上記ＮＣＯ含有プレポリマーは、ポリオールと過剰のポリイソシアネートとの
反応によって製造される。ＮＣＯ／ＯＨ当量比は、通常１.５：１〜２.５：１、
好ましくは１.９：１〜２.２：１である。ＮＣＯ含有プレポリマーの分子量は、
８００〜５００００、好ましくは１０００〜１００００である。
【００１２】 上記ポリオールの例は、ポリオキシアルキレンポリオール（ＰＰＧ）、ポリエ
ーテルポリオール変性体、ポリテトラエチレンエーテルグリコールなどのポリエ
ーテルポリオール；縮合系ポリエステルポリオール、ラクトン系ポリエステルポ
リオール、ポリカーボネートジオールなどのポリエステルポリオール；アクリル
ポリオール、ポリブタジエン系ポリオール、ポリオレフィン系ポリオール、ひま
し油などの主鎖がＣ−Ｃ結合よりなるポリオール等である。
【００１３】 上記ポリイソシアネートの例は、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、４,
４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、リジンジイソシア
ネート、イソプロピリデンビス（４−シクロヘキシルイソシアネート）、水添キ
シリレンジイソシアネート等である。
【００１４】 ポリオールとしてポリエーテルポリオールを用いて調製したＮＣＯ含有プレポ
リマー（ＰＰＧ系プレポリマー）、またはとりわけポリオールとして炭化水素系
ポリオールを用いて調製したＮＣＯ含有プレポリマー（ＰＨ系プレポリマー）は
、材料に電気絶縁性を与えるので有利であるが、材料の粘度を高くすることがあ
る。従って、ＨＣまたはＰＢ系プレポリマーを、ＰＰＧを含むＮＣＯ含有プレポ
リマー（ＰＰＧ系プレポリマー）と組み合わせて用いるのが好ましい。この場合
、ＨＣまたはＰＢ系プレポリマー対ＰＰＧ系プレポリマーの重量比は、通常９：
１〜２：８、好ましくは９：１〜５：５である。また、ＰＢ（ポリブタジエン）
系ポリオールとＰＰＧの所定割合の混合物と過剰のポリイソシアネートを反応さ
せて得られるＮＣＯ含有プレポリマーを使用してもよい。
【００１５】 上記微粉体コーティング硬化剤は、常温固形の硬化剤を通常中心粒径２０μm
以下に粉砕しつつ、同時にこれに微粉体を、硬化剤と微粉体の重量比が通常１：
０.００１〜１：０.７、好ましくは１：０.０１〜１：０.５となるように加え、
該微粉体の中心粒径が通常２μm以下となるように混合粉砕して、固形硬化剤の
表面に微粉体を固着させる剪断摩擦式混合方式により製造される。また、予め微
粉砕した固形硬化剤を微粉体と共に高速衝撃式混合攪拌機（たとえば、ジェット
ミル）または圧縮剪断式混合攪拌機を用いることにより、微粉体コーティング硬
化剤を製造することができ、特に高速衝撃式混合攪拌機を用いるのが好ましい。
【００１６】 常温固形の硬化剤の例は、イミダゾール化合物（イミダゾール、２−メチルイ
ミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、
２−イソプロピルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ドデシルイミ
ダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、これ
らの酢酸、乳酸、サリチル酸、安息香酸、アジピン酸、フタル酸、クエン酸、酒
石酸、マレイン酸、トリメリット酸等のカルボン酸との塩など）；イミダゾリン
化合物（２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシル
イミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、１−（２−ヒドロキシ−３−フ
ェノキシプロピル）−２−フェニルイミダゾリン、１−（２−ヒドロキシ−３−
ブトキシプロピル）−２−メチルイミダゾリンなど）；芳香族アミン化合物（４
,４'−ジアミノジフェニルメタン、２,４'−ジアミノジフェニルメタン、３,３'
−ジアミノジフェニルメタン、３,４'−ジアミノジフェニルメタン、２,２'−ジ
アミノビフェニル、２,４'−ジアミノビフェニル、３,３'−ジアミノビフェニル
、２,４−ジアミノフェノール、２,５−ジアミノフェノール、ｏ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン、２,３−トリレンジアミン、２,４−トリレン
ジアミン、２,５−トリレンジアミン、２,６−トリレンジアミン、３,４−トリ
レンジアミンなど；脂肪族アミン化合物（１,８−オクタンジアミン、１,１０−
デカンジアミン、１,１２−ドデカンジアミン、１,１４−テトラデカンジアミン
、１,１６−ヘキサデカンジアミンなど）；グアニジン化合物（ジシアンジアミ
ドなど）；酸無水物（無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒ
ドロフタル酸、メチル化無水ヘキサヒドロフタル酸、無水トリメリット酸など）
、二塩基酸ヒドラジド（アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジドなど
）、グアナミン類（ベンゾグアナミンなど）、メラミン、アミンアダクト系（２
−エチル−４−メチルイミダゾールとビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアダク
ト体など）等である。
【００１７】 微粉体の例は、無機粉末（例えば、酸化チタン、炭酸カルシウム、クレー、シ
リカ、ジルコニア、カーボン、アルミナ、タルク等）および有機粉末（例えば、
ポリ塩化ビニル、ポリアクリル樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン等）である。
【００１８】 このように固形硬化剤と微粉体を混合粉砕することにより、静電気が発生して
固形硬化剤の粒子表面に微粉体が固着するか、または混合攪拌機の機械力により
、発生する摩擦、衝撃、圧縮剪断等による発熱によって固形硬化剤の局所的な溶
融固着現象で微粉体が固着するか、あるいは固形硬化剤の粒子表面に物理的に投
錨固着するか、さらには化学的に活性化して固着することなどが予測される。す
なわち、固形硬化剤の粒子表面の活性基（−ＮＨ2、−ＮＨなど）は、微粉体で
被覆された状態となる。 微粉体コーティング硬化剤は、固形硬化剤の融点以上の加熱で活性化され、加
熱活性後に存在する活性基がＮＣＯ含有プレポリマーのＮＣＯ基との硬化反応に
関与する。 微粉体コーティング硬化剤の使用量は通常、ＮＣＯ含有プレポリマーに対して
ほぼ当量反応になる範囲で選定すればよい。
【００１９】 他の一液加熱硬化型ウレタン系組成物として、ポリイソシアネートのＮＣＯ基
を適当なブロック剤（フェノール系、オキシム系、ラクタム系など）で不活性化
したものや、常温固形ポリイソシアネートを不活性化したものに、ポリオールや
ポリアミンの硬化剤を組合せたものがある。ポリイソシアネートは、上記ＮＣＯ
含有プレポリマーの製造で用いたものであってよい。 更に、不活性化したポリアミン硬化剤とポリイソシアネートとを組合せた系も
使用することができる。
【００２０】 好ましくは、本発明の一液加熱硬化型ウレタン系組成物は、さらにエポキシ樹
脂、有機シリコーンおよび／または脱水剤を含んでいてもよい。
【００２１】 エポキシ樹脂は、本発明のウレタン系組成物の硬化物の物理的性質を向上させ
る。 エポキシ樹脂の量は、ウレタン系組成物の重量に対し、５〜３０重量％、好ま
しくは７〜２０重量％である。 エポキシ樹脂の量が５重量％より少ないと、本発明のウレタン系組成物の物理
的性質が改良されない。また、３０重量％を越えると、本発明のウレタン系組成
物の粘度が高くなることがあり、作業性、浸透性が損なわれる。 エポキシ樹脂は、通常使用されるエポキシ樹脂のいずれであってもよい。
【００２２】 エポキシ樹脂の例には以下のようなものがある： （１）グリシジルアミン型エポキシ樹脂 Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ基を少なくとも１個有するエポキシ樹脂、例えば
、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジルアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ−ジグ
リシジルメタ（またはパラ)アミノフェノールグリシジルエーテルおよびそれら
の縮合物。これらはアラルダイトＭＹ７２０(チバガイギー社製)、エポトートＹ
Ｈ４３４、ＹＨｌ２０（東都化成社製)として市販。
【００２３】 （２）ノボラック型エポキシ樹脂 フェノールノボラック型エポキシ樹脂、例えば、エピコート１５２，１５４（
シェル化学社製)、ダウエポキシ樹脂ＤＥＮ４３１，４３８，４３９，４８５(ダ
ウケミカル社製)、ＲＥ−３０５ (日本化薬社製)等。クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、例えば、ＥＣＮ１２３５，１２７３，１２８０，１２９９(チバガ
イギー社製)、ＥＯＣＮ１００，１０２，１０３，１０４，ＥＯＣＮ−１０２０
，１０２５，１０２７，３３００，４４００（日本化薬社製)、ＱＵＡＴＲＥＸ
３３１０，３４１０，３７１０（ダウケミカル社製）等。
【００２４】 （３）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、例えば、エピコート８２８，８３４，８２
７，１００１，１００２，１００４，１００７，１００９（油化シェル社製）、
ダウエポキシＤＥＲ３３１，３３２，６６２，６６３Ｕ，６６２Ｕ(ダウケミカ
ル社製)、アラルダイト６０７１，７０７１，７０７２（チバガイギー社製)、エ
ピクロン８４０，８５０，８５５，８６０，１０５０，３０５０，４０５０，７
０５０（大日本インキ化学工業社製）、ＲＥ−３１０Ｓ、ＲＥ−４１０Ｓ（日本
化薬社製）等。ウレタン変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、例えば、アデカ
レジンＥＰＶ―６，ＥＰＶ−９，ＥＰＶ−ｌ５（旭電化工業社製）等。臭素化ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、例えば、アラルダイト８０１１（チバガイギー
社製）、ダウエポキシ樹脂ＤＥＲ５１１（ダウケミカル社製)等。
【００２５】 （４）脂環式エポキシ樹脂 脂環式エポキシ樹脂、例えば、アラルダイトＣＹ−１７９，ＣＹ−ｌ７８，Ｃ
Ｙ−ｌ８２，ＣＹ−１８３(チバガイギー社製）等。 （５）その他のエポキシ樹脂 ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、例えば、エピコート８０７（油化シェル社
製）、ＲＥ―３０４Ｓ、ＲＥ−４０３Ｓ、ＲＥ−４０４Ｓ（日本化薬社製）、Ｓ
‐ｌ２９、８３０Ｓ（大日本インキ化学社製）、レゾルシン型、テトラヒドロキ
シフェニルエタン型、ポリアルコール型、ポリグリコール型、グリセリントリエ
ーテル型、ポリオレフィン型、エポキシ化大豆油、エステル型エポキシ樹脂、フ
ェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、難燃性エポキシ樹脂等。
【００２６】 なお、これらのエポキシ樹脂は、常温液状のものはそのまま使用できるが、常
温固形のものは、その融点以上に加熱溶融するか、あるいは液状エポキシ樹脂を
併用して液状化して使用すればよい。
【００２７】 オルガノシリコーン化合物は、接着特性および濡れ性を改良することができる
。オルガノシリコーン化合物は、シランカップリング剤、末端シラノールオルガ
ノポリシロキサン、ポリエーテル変性シリコーン、および変性オルガノポリシロ
キサンの少なくとも１種であってよい。
【００２８】 オルガノシリコーン化合物の配合量は、ウレタン系組成物の重量に基づき、０
．０１〜５．０ｗｔ％、好ましくは０．０５〜５．０ｗｔ％である。オルガノシ
リコーン化合物の配合量が０．０１ｗｔ％未満であれば、本発明のウレタン系組
成物の接着特性や濡れ性が悪くなり、５ｗｔ％を越えると、本発明のウレタン系
組成物の貯蔵安定性が損なわれる傾向になる。
【００２９】 上記シランカップリング剤の例は、アミノシラン化合物〔例えば、γ−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、β−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルジエトキシメチルシラン、γ−アリルアミノプロピルトリメトキシシ
ラン、β−（β−アミノエチルチオエチル）ジエトキシメチルシラン、β−（β
−アミノエチルチオエチル）トリエトキシシラン、β−フェニルアミノプロピル
トリメトキシシラン、γ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、
γ−ベンジルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（ビニルベンジルアミノ
プロピル）トリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプ口ピルメチル
ジメトキシシラン、β−アミノエチルアミノメチルトリメトキシシラン、γ−〔
β−（β−アミノエチルアミノエチルアミノ）プロピル〕トリエトキシシラン、
Ｎ−（（３−トリエトキシシリルプロピル）ウレアなど〕、メルカプトシラン化
合〔例えば、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプト
プロピルトリエトキシシラン、メルカプトメチルトリメトキシシラン、３−メル
カプトプロピルトリメトキシシランなど〕、エポキシシラン化合物（例えば、β
−（３，４‐エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、〔２−（３
，４−エポキシ−４−メチルシクロヘキシル）プロピル〕メチルジエトキシシラ
ン、（３−グリシドキシプロピル）メチルジエトキシシラン、３‐グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランなど〕、イソシアネートシラン化合物〔例えば、γ
−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルト
リメトキシシランなど〕である。
【００３０】 末端シラノールオルガノポリシロキサンとしては、式：
【化１】 ［式中、Ｒ１はメチルまたはフェニル、Ｒ２はフェニル、Ｐｈはｐ−フェニレン
、ｒは９〜５００の数、およびｓは０またはｒの６％以下である。］ で示されるポリシロキサンが挙げられる。これらは、１種または２種以上の混合
物として使用される。
【００３１】 市販の末端シラノールオルガノポリシロキサンの例は、末端シラノールポリジ
メチルシロキサン、末端シラノールジフェニルシロキサン、末端シラノールポリ
ジメチル−ジフェニルシロキサン、ポリテトラメチル−ｐ−シリルフェニレンシ
ロキサンが例示できる。
【００３２】 上記ポリエーテル変成シリコーンの例としては、式：
【化２】 ［式中、Ｘ１は−ＯＨ、−ＮＨ２または−ＮＨＲ(ここで、Ｒは炭素数１〜８の
直鎖または分岐状アルキルまたはフェニルである。)、Ｒ１０およびＲ１１は、
同一または異なって、水素、メチルまたはフェニル、Ｒ１２は水素またはメチル
、ｍは３〜３００の数、ｎは１〜１００の数、ｎ'は１〜１００の数である。］
で示される化合物である。
【００３３】 変成オルガノシリコーンとしては、（ａ）両末端活性水素シリコーン化合物、
（ｂ）多価活性水素化合物、（ｃ）ジイソシアネート化合物および（ｄ）両末端
活性水素鎖延長剤を、以下の手順に従って反応させることにより製造される変成
オルガノシリコーンを挙げることができる。 （ｉ）製法１： 先ず、両末端活性水素シリコーン化合物（ａ）とジイソシアネート化合物（ｃ
）を要すれば適当な溶媒中、２０〜１２０℃で２〜１２０時間反応させてモノ付
加物を形成する。 溶媒の例は、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、キシレン、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン等である。 一方、多価活性水素化合物（ｂ）とジイソシアネート化合物（ｃ）も、前記と
同様な条件下で反応させてモノ付加物を形成する。 次に、上記それぞれのモノ付加物を両末端活性水素鎖延長剤（ｄ）の存在下、
２０〜１２０℃で１〜１２０時間ブロック付加反応させて、ウレタン変性シリコ
ーン樹脂を得る。
【００３４】 （ii）製法２： 上記４成分（ａ）〜（ｄ）を、要すれば上記溶媒中、ワンバッチ方式でブロッ
ク付加反応に供することによっても、ウレタン変性シリコーン樹脂を得ることが
できる。
【００３５】 上記両末端活性水素シリコーン化合物（ａ）としては、式:
【化３】 ［式中、Ｘ２は−ＯＨ、−ＮＨ２または−ＮＨＲ（ここでＲは前記と同意義。)
、Ｒ１３およびＲ１４は同一または異なって、水素、メチルまたはフェニル、Ｒ １５ は炭素数１〜１２のアルキレン基もしくはアルキレンエーテル基、およびｐ
は３〜３００の数である。］ で示されるシリコーン化合物が挙げられる。 両末端活性水素シリコーン化合物（ａ）の分子量は、９００〜２００００、好
ましくは１８００〜１００００である。 これらはＫＦ６００１、ＫＦ６００２、ＫＦ６００３(信越シリコーン社製)、
ＦＭ３３１１、ＦＭ３３２１、ＦＭ４４２１（チッソ社製）等として市販されて
いる。
【００３６】上記多価活性水素化合物(b)の例としては、式:
【化４】 ［式中、Ｘ３は−ＯＨ、−ＮＨ２または−ＮＨＲ（ここで、Ｒは前記と同意義)
、Ｒ１６は水素またはメチル、Ｒ１７は炭素数１〜１２のアルキレン基または式
：
【化５】 （ここで、Ｒ１８およびＲ１９は、同一もしくは異なって、水素またはメチル、
Ｐｈ'は水素化されていてもよいｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン基） で示され基、ｑは５〜１００の数およびｑ'は５〜１００数である。］ で示される化合物（例えば、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレンエチレングリコール、ビスフェノールＡのプロピレンオキシ
ド付加体もしくはエチレンオキシド付加体）、または式：
【化６】 ［式中、Ｒ２０は脂肪族または芳香族ジカルボン酸の残基、およびＲ２１は脂肪
族または芳香族ジアルコールの残基である。但し、Ｒ２０および／またはＲ２１ は全ての繰返し単位中で同じであっても、あるいは繰返し単位ごとに異なってい
てもよい。］ で示される繰返し単位を有し、かつ両末端が−ＯＨであるポリエステルポリオー
ルが挙げられる。多価活性水素化合物(b)の分子量５００〜１００００、好まし
くは１０００〜３０００である。
【００３７】 上記ジイソシアネート化合物（ｃ）の例としては、２，４−又は２，６−トリ
レンジイソシアネート(ＴＤＩ)、４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート(
ＭＤＩ)、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート、ヘキサ
メチレンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネ
ート、水添ＭＤＩ、水添ＴＤＩなどの脂肪族ジイソシアネートが挙げられる。
【００３８】 上記両末端活性水素鎖延長剤（ｄ）の例としては、エチレングリコール、プロ
ピレングリコール、ブタンジオール、ジメチロールシクロヘキサン、メチルイミ
ノジエタノール、ジメチロールプロピオン酸、エチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン等が挙げられる。
【００３９】 変性オルガノシリコーンは、例えば、ａ成分として式：
【化７】 で示される両末端活性水素シリコーン化合物を、ｂ成分として式:
【化８】 で示されるビスフェノールＡ・プロピレンオキシド付加体を、ｃ成分としてＴＤ
Ｉを、ｄ成分としてブタンジオールを用いた場合、式：
【化９】 （式中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、ｐ、ｑ、ｑ’およびＰｈは前記と同意義。ｘ
は１〜１０の数、ｙは１〜２０の数である。） で示される構造を有する。
【００４０】 本発明の一液加熱硬化型ウレタン系組成物は、さらに必要に応じて、通常の添
加剤を含んでいてよい。添加剤の例は、増量材、補強材、充填材（コールタール
、ガラス繊維、ホウ素繊維、炭素繊維、セルロース、ポリエチレン粉、ポリプロ
ピレン粉、石英粉、鉱物性ケイ酸塩、雲母、スレート粉、カオリン、酸化アルミ
ニウム・三水和物、水酸化アルミニウム、チョーク粉、石膏、炭酸カルシウム、
三酸化アンチモン、ベントナイト、シリカ、エアロゾル、リトポン、バライト、
二酸化チタン、カーボンブラック、グラファイト、酸化鉄、金粉、アルミニウム
粉、鉄粉など）、顔料、有機溶剤（トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、反応性希釈剤（ブチ
ルグリシジルエーテル、Ｎ,Ｎ'−ジグリシジル−ｏ−トルイジン、フェニルグリ
シジルエーテル、スチレンオキサイド、エチレングリコールジグリシジルエーテ
ル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、１,６−ヘキサンジオールジ
グリシジルエーテルなど）、非反応性希釈剤（ジオクチルフタレート、ジブチル
フタレート、ジオクチルアジペート、石油系溶剤など）、変性エポキシ樹脂（ウ
レタン変性エポキシ樹脂、アルキッド変性エポキシ樹脂など）等である。
【００４１】 本発明に係る実装基板は、半導体パッケージのアンダーフィル材として本発明
の一液加熱硬化型ウレタン系組成物を用いる以外は、従来の実装基板を製造する
通常の手順に従って製造することができる。 以下、実装基板の製造方法を、図１に基づき説明する。 図１に示されるように、実装基板１は、半導体パッケージ２を配線基板３に対
しはんだボール４（径３００〜８００μm）を用いてボールピッチ１００〜５０
０μmで接続した後、該はんだボール４間の隙間にアンダーフィル材５、すなわ
ち本発明の一液加熱硬化型ウレタン系組成物を、液体精密定量吐出装置で充填し
、次いで８０〜１００℃で５〜１０分間加熱処理を行って硬化封止することによ
って製造される。 配線基板は、ガラスエポキシ樹脂、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂等の樹脂から
なるものであってよい。
【００４２】 上記半導体パッケージは、キャリア基材上に半導体素子（ＬＳＩ等）を保持し
、すなわち、半導体素子とキャリア基材を、高融点はんだや異方性導電性接着剤
あるいはワイヤ接続等で電気的に接続し、さらに接続の信頼性や耐久性を高める
ために、適当な樹脂で封止することによって製造される。 キャリア基材は、Ａl2Ｏ3、ＳiＮ3、Ａl2Ｏ3／ＳiＯ2などのセラミックやポリ
イミド樹脂などの耐熱性樹脂からなる基材もしくはテープ；上記配線基板と同材
料の基材であってよい。 半導体パッケージの例として、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）やボールグ
リップアレイ（ＢＧＡ）が挙げられる。
【００４３】 実装基板に、万一接続不良が発見された場合、以下の手順でリペアを行うこと
ができる。 ｉ）先ず、図１の如く、半導体パッケージ２の上部表面を熱風Ａで１８０〜３
００℃に局部加熱してはんだ接合部のはんだボール４を溶融させながら、半導体
パッケージ２を取外す（図２参照）。 ii）次に、配線基板３の下部から熱風Ｂをあてながら、１８０〜３５０℃、好
ましくは２５０〜３００℃に加熱し、残存するアンダーフィル材５'とはんだ残
渣４'の一体物６の先端を、たとえばピンセットまたは他の器具（図示せず）で
挟むことにより、容易に上記一体物６を引き剥がすことができる。 このように配線基板３の表面をきれいにした後、改めて上述の操作で半導体パ
ッケージを実装すればよい。
【００４４】
【実施例】
次に実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する。 実施例１〜４ （１）ＮＣＯ含有プレポリマーの合成 ポリブタジエン系ポリオールとＴＤＩをＮＣＯ／ＯＨ＝２.０となる割合で反
応させて、分子量１５００のＮＣＯ含有プレポリマー（ＰＨ系プレポリマー）を
得る。 （２）微粉体コーティング硬化剤 １,１０−デカンジアミン（融点６０℃）と中心粒径０.２７μmの酸化チタン
を、重量比１／０.３にて混合し、ジェットミルで粉砕することにより、中心粒
径約１０μmの微粉体コーティング硬化剤を得る。
【００４５】 （３）一液加熱硬化型ウレタン系組成物の調製 ｉ）先ず、ＰＰＧとＴＤＩから調製したＮＣＯ含有プレポリマー（三洋化成社
製「サンプレンＳＥＬ Ｎｏ.３」、ＮＣＯ含有量３.６％、分子量７０００）（
ＰＰＧ系プレポリマー）と、上記（１）のＮＣＯ含有プレポリマー（ＰＨ系プレ
ポリマー）を下記表１に示す重量比で混合し、８０℃×１０分で硬化させる。次
いで、硬化物の物性（３号ダンベル使用）および電気的特性を測定する。結果を
表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】 ii）次に、表２に示す量（重量部）で、上記ｉ）で調製された混合プレポリマ
ーＮｏ.７（ＰＰＧ系プレポリマー／ＰＨ系プレポリマー＝３０／７０）、上記
（２）で調製された微粉体コーティング硬化剤、ビスフェノールＡエポキシ樹脂
、シランカップリング剤、ポリジメチルシロキサン、安定剤および脱水剤を均一
に混合して、表２に示す粘度（２３℃）を有する一液加熱硬化型ウレタン系組成
物を得る。 （４）性能試験 調製された組成物について下記項目の試験を行った。 （ａ）低温硬化性 スチール製プレート上に厚み２mmで組成物を塗布したときの、硬化に要する加
熱条件を測定した。スチール製プレートは、熱風加熱オーブンで加熱した。 （ｂ）接着強度 ガラスエポキシ樹脂を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６８５０に準じて、引
張剪断接着強度を測定した。 （ｃ）浸透性 ウレタン系組成物が、２枚のガラス板の間の５００μの隙間を毛管作用により
４０℃で１０mm通過するのに要する時間を測定 （ｄ）体積抵抗率（Ω・cm） ＪＩＳ Ｋ−６９１１に準じ、２３℃で１００Ｖの電圧を１分間印加した後の
体積抵抗率を測定した。
【００４８】 （ｅ）リペア性 ウレタン系組成物をガラスエポキシ樹脂板に厚み５００μで塗布し、８０℃で
２０分間硬化させた。次いで、塗布板をホットプレートに載せ、ホットプレート
の表面温度２１０、２２０または２３０℃として硬化ウレタン系組成物を剥離し
た。リペア性は、塗布したウレタン系組成物の剥離常態により判定し、以下の基
準によりランク付けした： ◎：ピール状に完全剥離 ○：ウレタン組成物硬化物のほぼ全体が剥離 △：回路基板上にきれぎれの残物あり ×：リペア不能 （ｆ）貯蔵安定性 ウレタン系組成物を４０℃で２ヶ月保存し、組成物の粘度を測定した。次いで
、貯蔵前の粘度に対する増粘率（％）を計算した。 但し、下記比較例１では、エポキシ系組成物を１日だけ貯蔵し、粘度を測定し
た。 結果を下記表２に示す。
【００４９】 比較例１ 一液加熱硬化型エポキシ系材料（サンスター技研（株）製「ペンギンセメント
１０９０」）を用い、実施例１〜４と同様な性能試験を行った。結果を表２に併
記する。
【表２】 注： １）トリ(2-エチルヘキシル)トリメリテート＋シ゛(2-エチルヘキシル)アシ゛ヘ゜ート（重量比２：１）。 ２）ヒ゛スフェノールAエホ゜キシ樹脂（油化シェル製エヒ゜コート(登録商標）828）。 ３）3-ク゛リシト゛キシフ゜ロヒ゜ルトリメトキシシラン（信越化学工業製KBM-351A （商品名））。 ４）ホ゜リエーテル変性シリコーン（信越化学工業製KF-351A（商品名）。 ５）テトラキス[メチレン-3-(3',5'-シ゛-t-フ゛チル-4'-ヒト゛ロキシフェニル)フ゜ロヒ゜オネート]メタン（旭電化工 業製ADEKA STUB AO-60）
【００５０】 表２の結果から分かるように、本発明のウレタン系組成物は、従来のウレタン
系材料よりも優れた低温硬化性および貯蔵安定性を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実装基板の一例を示す模式的断面図である。
【図２】 図１の実装基板のリペア操作途中で半導体パッケージを回路基板
から取外した状態を示す模式的断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J034 CC03 DA01 DF01 DF02 DF03 DF11 DG02 DK00 DM00 DP18 DP19 HA07 HC17 HC22 HC45 HC46 HC54 HC61 HC64 HC71 HC73 JA01 JA42 KB03 LA16 LA22 LA33 MA01 MA02 MA03 MA04 MA22 QA03 QB12 RA08 RA14 5E319 AC01 BB04 5F044 LL11 RR19 5F061 AA01

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 配線基板、およびキャリア基材上に半導体素子を保持した半
    導体パッケージを有してなる実装基板であって、該半導体パッケージは、該配線
    基板に対しはんだボールを用いて接続され、はんだ接合部の隙間は、一液加熱硬
    化型ウレタン系組成物を本質的に含むアンダーフィル材により充填された実装基
    板。
  2. 【請求項２】 該一液加熱硬化型ウレタン系組成物は、 ポリオールと過剰のポリイソシアネートの反応によって得られる末端イソシア
    ネート基含有ウレタンプレポリマーと、 常温固形で、表面の活性基を微粉体により被覆した微粉体コーティング硬化剤
    を含んでなる請求項１に記載の実装基板。
  3. 【請求項３】 配線基板、およびキャリア基材上に半導体素子を保持した半
    導体パッケージを有してなる実装基板であって、該半導体パッケージは、該配線
    基板に対しはんだボールを用いて接続され、はんだ接合部の隙間は、一液加熱硬
    化型ウレタン系組成物を本質的に含むアンダーフィル材により充填された実装基
    板の製造方法であって、 該半導体パッケージを、はんだボールを用いて該配線基板に接続し、 次いで、はんだ接合部の隙間を該アンダーフィル材により充填し、 該アンダーフィル材を硬化して実装基板を封止する ことからなる製造方法。
  4. 【請求項４】 配線基板、およびキャリア基材上に半導体素子を保持した半
    導体パッケージを有してなる実装基板であって、該半導体パッケージは、該配線
    基板に対しはんだボールを用いて接続され、はんだ接合部の隙間は、一液加熱硬
    化型ウレタン系組成物を本質的に含むアンダーフィル材により充填された実装基
    板の製造方法であって、 該配線基板に該アンダーフィル材を適用し、 該半導体パッケージを、はんだボールを用いて該配線基板に接続し、 該アンダーフィル材を硬化して実装基板を封止する ことからなる製造方法。
  5. 【請求項５】 一液加熱硬化型ウレタン系組成物から本質的になる、回路基
    板に実装されたキャリア基材上に半導体素子を保持した半導体パッケージ用アン
    ダーフィル材。
  6. 【請求項６】 該一液加熱硬化型ウレタン系組成物が、 ポリオールと過剰のポリイソシアネートの反応によって得られる末端イソシア
    ネート基含有ウレタンプレポリマーと、 常温固形で、表面の活性基を微粉体により被覆した微粉体コーティング硬化剤
    を含んでなる請求項５に記載のアンダーフィル材。
  7. 【請求項７】 該ウレタンプレポリマーが、ポリオールとして炭化水素系ポ
    リオールを含んでなる末端イソシアネート基含有ウレタンプレポリマーと、ポリ
    オールとしてポリオキシアルキレンポリオールを含んでなる末端イソシアネート
    基含有ウレタンプレポリマーとの重量比９：１〜２：８の混合物である請求項６
    に記載のアンダーフィル材。
  8. 【請求項８】 室温固形の該硬化剤が、イミダゾール化合物、イミダゾリン
    化合物、アミン化合物、グアニジン化合物、酸無水物、二塩基酸ヒドラジド、グ
    アナミン類、メラミンおよびアミンアダクトからなる群から選ばれる請求項６に
    記載のアンダーフィル材。
  9. 【請求項９】 該微粉体が、酸化チタン、炭酸カルシウム、クレー、シリカ
    、ジルコニア、カーボン、アルミナ、タルク、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル樹
    脂、ポリスチレンおよびポリエチレンからなる群から選ばれる請求項６に記載の
    アンダーフィル材。
  10. 【請求項１０】 該一液加熱硬化型ウレタン系組成物が、さらに、エポキシ
    樹脂、有機シリコーン化合物および脱水剤からなる群から選択される少なくとも
    一種の添加剤を含む請求項６に記載のアンダーフィル材。
  11. 【請求項１１】 請求項１に記載の実装基板のリペア方法であって、 該半導体パッケージおよび該配線基板の少なくとも一方を１８０〜３５０℃の
    温度に局部加熱し、 硬化したアンダーフィル材および場合により該はんだを溶融し、 該配線基板から該半導体パッケージを取り除き、 該配線基板上に、該半導体パッケージまたは新しい半導体パッケージを実装す
    る ことからなる実装基板のリペア方法。
JP2001510284A 1999-07-08 2000-07-06 半導体パッケージのアンダーフィル材 Expired - Lifetime JP4611588B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19450199 1999-07-08
JP11-194501 1999-07-08
PCT/JP2000/004490 WO2001005203A1 (en) 1999-07-08 2000-07-06 Underfilling material for semiconductor package

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003504893A true JP2003504893A (ja) 2003-02-04
JP2003504893A5 JP2003504893A5 (ja) 2007-09-06
JP4611588B2 JP4611588B2 (ja) 2011-01-12

Family

ID=16325577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001510284A Expired - Lifetime JP4611588B2 (ja) 1999-07-08 2000-07-06 半導体パッケージのアンダーフィル材

Country Status (13)

Country Link
US (2) US6660943B1 (ja)
EP (1) EP1195083B1 (ja)
JP (1) JP4611588B2 (ja)
KR (1) KR100672130B1 (ja)
CN (1) CN1198493C (ja)
AT (1) ATE315886T1 (ja)
BR (1) BR0012273A (ja)
DE (1) DE60025489T2 (ja)
MY (2) MY140714A (ja)
NO (1) NO20020060L (ja)
PL (1) PL353034A1 (ja)
TW (1) TWI282806B (ja)
WO (1) WO2001005203A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003246828A (ja) * 2002-02-27 2003-09-05 Fujitsu Ltd 熱硬化性ポリウレタン組成物、実装基板、実装基板の製造方法および電子回路基板
JP2010532017A (ja) * 2007-06-26 2010-09-30 イー インク コーポレイション 電子光学表示素子およびそれに使用する材料
WO2021006164A1 (ja) * 2019-07-08 2021-01-14 Dic株式会社 樹脂組成物、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ソルダーレジスト、ドライフィルム及びプリント配線板
WO2022102467A1 (ja) * 2020-11-16 2022-05-19 東レ株式会社 熱硬化性エポキシ樹脂組成物とその成形品、繊維強化複合材料、繊維強化複合材料用成形材料、および繊維強化複合材料の製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW469609B (en) * 2000-10-11 2001-12-21 Ultratera Corp Chipless package semiconductor device and its manufacturing method
GB0107236D0 (en) * 2001-03-22 2001-05-16 Microemissive Displays Ltd Method of creating an electroluminescent device
JP2002322343A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及びその製造方法
JP4108488B2 (ja) * 2003-01-17 2008-06-25 山洋電気株式会社 防水型ブラシレスファンモータ
US20050014313A1 (en) * 2003-03-26 2005-01-20 Workman Derek B. Underfill method
US20110164301A1 (en) 2003-11-05 2011-07-07 E Ink Corporation Electro-optic displays, and materials for use therein
US7213739B2 (en) * 2004-04-02 2007-05-08 Fry's Metals, Inc. Underfill fluxing curative
KR100662176B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-27 제일모직주식회사 이방성 도전 필름용 조성물
JP4883996B2 (ja) * 2005-05-24 2012-02-22 四国化成工業株式会社 水溶性プレフラックス及びその利用
US20060276024A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Jian Wang Process for forming an electronic device including workpieces and a conductive member therebetween
JP4598620B2 (ja) * 2005-07-22 2010-12-15 富士通株式会社 対象部品の取り外し方法及び取り外し治具
JP2007281173A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Alps Electric Co Ltd 配線基板
KR100813286B1 (ko) * 2006-12-21 2008-03-13 한국생산기술연구원 언더필 주입방법
US7912501B2 (en) 2007-01-05 2011-03-22 Apple Inc. Audio I/O headset plug and plug detection circuitry
KR100893024B1 (ko) * 2007-08-24 2009-04-15 트리포드 테크놀로지 코포레이션 전자소자의 장착에 사용되는 무공동장착방법
JP5571568B2 (ja) * 2007-12-18 2014-08-13 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー シリコーンポリエーテルを含む熱硬化性組成物、それらの製造及び用途
US20120156474A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Article having curable coating comprising imidazolium monocarboxylate salt
US20150159062A1 (en) * 2011-07-22 2015-06-11 Albert M. Giorgini Two part dual-cure adhesive for use in electronics
JP2013224362A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Nitto Denko Corp 接合シート、電子部品およびそれらの製造方法
KR101392441B1 (ko) * 2012-09-21 2014-05-07 도레이첨단소재 주식회사 몰드 언더필 공정의 마스킹 테이프용 점착제 조성물 및 그를 이용한 마스킹 테이프
JP5827203B2 (ja) * 2012-09-27 2015-12-02 三ツ星ベルト株式会社 導電性組成物
WO2015108905A1 (en) * 2014-01-17 2015-07-23 Momentive Performance Materials Inc. Compositions with enhanced flexibility
DE112014006844T5 (de) * 2014-07-28 2017-04-13 GM Global Technology Operations LLC Systeme und Verfahren zum verstärkten Kleben
CN105038137B (zh) * 2015-08-31 2017-03-15 四川大学 一种兼具结构强度和阻尼性能的复合材料及其制备方法与用途
WO2017077722A1 (ja) 2015-11-05 2017-05-11 サンスター技研株式会社 微紛体コーティングアミンおよびそれを含有する組成物
KR102162495B1 (ko) 2018-03-28 2020-10-07 주식회사 엘지화학 수지 조성물
KR20210015863A (ko) * 2018-06-06 2021-02-10 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접속체의 제조 방법, 접속 방법
KR102157633B1 (ko) 2018-12-27 2020-09-18 주식회사 케이씨씨 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물
US11618814B2 (en) 2020-12-04 2023-04-04 Covestro Llc Elastomeric compositions containing a solid residue of isocyanate manufacturing
KR102488697B1 (ko) * 2020-12-09 2023-01-13 세메스 주식회사 반도체 칩 패키지 이송용 패드 및 그 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995026374A1 (fr) * 1994-03-28 1995-10-05 Sunstar Giken Kabushiki Kaisha Composition thermodurcissable
JPH0964236A (ja) * 1995-08-22 1997-03-07 Hitachi Ltd チップ サイズ パッケージとその製造方法及びセカンド レヴェル パッケージング
JPH09102564A (ja) * 1995-10-09 1997-04-15 Hitachi Ltd 半導体装置およびその実装構造
JPH10204259A (ja) * 1997-01-17 1998-08-04 Loctite Corp 熱硬化性樹脂組成物
JPH118334A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk ボールグリッドアレイパッケージの中間体及び製造方法
JPH1140624A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のリペア方法
JP2000022048A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の実装構造体及びそれを用いた携帯機器

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4499149A (en) * 1980-12-15 1985-02-12 M&T Chemicals Inc. Siloxane-containing polymers
JP2713760B2 (ja) 1988-11-16 1998-02-16 サンスター技研株式会社 高分子分散剤およびエポキシ樹脂組成物
DE3918511A1 (de) * 1989-06-07 1990-12-13 Basf Lacke & Farben Verfahren zur beschichtung elektrisch leitfaehiger substrate, waessriger lack, verfahren zur herstellung eines kationischen, aminmodifizierten epoxidharzes und nach diesem verfahren hergestelltes kationisches, aminmodifiziertes epoxidharz
US5061776A (en) * 1990-11-19 1991-10-29 Hughes Aircraft Company Modified polyurethane flow-under thermal transfer adhesive
US5288944A (en) * 1992-02-18 1994-02-22 International Business Machines, Inc. Pinned ceramic chip carrier
US5390082A (en) * 1992-07-06 1995-02-14 International Business Machines, Corp. Chip carrier with protective coating for circuitized surface
US5249101A (en) * 1992-07-06 1993-09-28 International Business Machines Corporation Chip carrier with protective coating for circuitized surface
KR100280762B1 (ko) * 1992-11-03 2001-03-02 비센트 비.인그라시아 노출 후부를 갖는 열적 강화된 반도체 장치 및 그 제조방법
JP2738487B2 (ja) 1992-12-03 1998-04-08 サンスター技研株式会社 液状エポキシ樹脂組成物
JP3410202B2 (ja) * 1993-04-28 2003-05-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
US5386624A (en) * 1993-07-06 1995-02-07 Motorola, Inc. Method for underencapsulating components on circuit supporting substrates
JPH0846098A (ja) * 1994-07-22 1996-02-16 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 直接的熱伝導路を形成する装置および方法
KR0181615B1 (ko) * 1995-01-30 1999-04-15 모리시다 요이치 반도체 장치의 실장체, 그 실장방법 및 실장용 밀봉재
DE69618458T2 (de) * 1995-05-22 2002-11-07 Hitachi Chemical Co Ltd Halbleiterteil mit einem zu einem verdrahtungsträger elektrisch verbundenem chip
US5866953A (en) * 1996-05-24 1999-02-02 Micron Technology, Inc. Packaged die on PCB with heat sink encapsulant
DE19638630B4 (de) * 1996-09-20 2004-11-18 Siemens Ag UV- und thermisch härtbare Gießharzformulierung und ihre Verwendung zum Unterfüllprozeß bei elektrischen und elektronischen Bauelementen
US6144101A (en) * 1996-12-03 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Flip chip down-bond: method and apparatus
US5929512A (en) * 1997-03-18 1999-07-27 Jacobs; Richard L. Urethane encapsulated integrated circuits and compositions therefor
JP3455871B2 (ja) * 1997-06-23 2003-10-14 株式会社スリーボンド マイクロカプセル型導電性フィラーの製造方法
US6309915B1 (en) * 1998-02-05 2001-10-30 Tessera, Inc. Semiconductor chip package with expander ring and method of making same
JP3092587B2 (ja) * 1998-04-22 2000-09-25 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6492204B1 (en) * 1999-01-26 2002-12-10 Jp Ox Engineering Electronic devices having thermodynamic encapsulant portions predominating over thermostatic encapsulant portions
US6226981B1 (en) 1999-02-02 2001-05-08 Caterpillar Inc. Air to fuel ratio control for gas engine and method of operation
US6507101B1 (en) * 1999-03-26 2003-01-14 Hewlett-Packard Company Lossy RF shield for integrated circuits
JP3451373B2 (ja) * 1999-11-24 2003-09-29 オムロン株式会社 電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995026374A1 (fr) * 1994-03-28 1995-10-05 Sunstar Giken Kabushiki Kaisha Composition thermodurcissable
JPH0964236A (ja) * 1995-08-22 1997-03-07 Hitachi Ltd チップ サイズ パッケージとその製造方法及びセカンド レヴェル パッケージング
JPH09102564A (ja) * 1995-10-09 1997-04-15 Hitachi Ltd 半導体装置およびその実装構造
JPH10204259A (ja) * 1997-01-17 1998-08-04 Loctite Corp 熱硬化性樹脂組成物
JPH118334A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk ボールグリッドアレイパッケージの中間体及び製造方法
JPH1140624A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のリペア方法
JP2000022048A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の実装構造体及びそれを用いた携帯機器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003246828A (ja) * 2002-02-27 2003-09-05 Fujitsu Ltd 熱硬化性ポリウレタン組成物、実装基板、実装基板の製造方法および電子回路基板
JP2010532017A (ja) * 2007-06-26 2010-09-30 イー インク コーポレイション 電子光学表示素子およびそれに使用する材料
WO2021006164A1 (ja) * 2019-07-08 2021-01-14 Dic株式会社 樹脂組成物、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ソルダーレジスト、ドライフィルム及びプリント配線板
JPWO2021006164A1 (ja) * 2019-07-08 2021-09-13 Dic株式会社 樹脂組成物、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、ソルダーレジスト、ドライフィルム及びプリント配線板
CN113993924A (zh) * 2019-07-08 2022-01-28 Dic株式会社 树脂组合物、半导体密封材料、预浸体、电路基板、增层膜、阻焊剂、干膜及印刷配线板
WO2022102467A1 (ja) * 2020-11-16 2022-05-19 東レ株式会社 熱硬化性エポキシ樹脂組成物とその成形品、繊維強化複合材料、繊維強化複合材料用成形材料、および繊維強化複合材料の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
MY140714A (en) 2010-01-15
PL353034A1 (en) 2003-10-06
DE60025489T2 (de) 2006-08-03
ATE315886T1 (de) 2006-02-15
US6881591B2 (en) 2005-04-19
US20040112631A1 (en) 2004-06-17
CN1198493C (zh) 2005-04-20
JP4611588B2 (ja) 2011-01-12
NO20020060D0 (no) 2002-01-07
EP1195083B1 (en) 2006-01-11
WO2001005203A1 (en) 2001-01-18
TWI282806B (en) 2007-06-21
MY126046A (en) 2006-09-29
EP1195083A1 (en) 2002-04-10
BR0012273A (pt) 2002-04-02
CN1360815A (zh) 2002-07-24
KR20020036965A (ko) 2002-05-17
US6660943B1 (en) 2003-12-09
DE60025489D1 (de) 2006-04-06
NO20020060L (no) 2002-02-22
KR100672130B1 (ko) 2007-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4611588B2 (ja) 半導体パッケージのアンダーフィル材
KR101044132B1 (ko) 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치
US8232355B2 (en) Liquid resin composition for electronic components and electronic component device
JP5277537B2 (ja) 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置
US20100014263A1 (en) Liquid resin composition for electronic part sealing, and electronic part apparatus utilizing the same
JP5114935B2 (ja) 電子部品用液状樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置
JP6619628B2 (ja) 接着フィルム用エポキシ樹脂組成物。
JP5692212B2 (ja) 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置
JP2010053353A (ja) エポキシ樹脂用マイクロカプセル型潜在性硬化剤及びその製造方法、一液性エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物、接着剤、接合用フィルム、導電性材料並びに異方導電性材料
JP4994743B2 (ja) フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法
KR100563509B1 (ko) 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물을 사용한 적층 필름 및 반도체 장치
KR20190003585A (ko) 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치
JP4001493B2 (ja) 実装基板の製造方法
JP7167912B2 (ja) 液状封止樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2001055487A (ja) フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置
JP2001055488A (ja) フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置
JP3672011B2 (ja) エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置
JP2001049221A (ja) 電子部品用接着剤組成物及び接着シート
JP2009032732A (ja) アンダーフィル材
JPH08277322A (ja) 液状エポキシ樹脂系封止材
JP2008247951A (ja) 半導体装置保護用液状エポキシ樹脂組成物およびエポキシ樹脂硬化物、半導体装置の製造方法ならびに半導体装置
JPWO2005080502A1 (ja) アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物および同組成物を用いて封止した半導体装置
KR100756799B1 (ko) 용융점이 서로 다른 두 가지 이상의 경화제를 포함하는 이방 도전성 접착제용 조성물
JP2023137042A (ja) 一液性エポキシ樹脂組成物用マスターバッチ型硬化剤、及びエポキシ樹脂組成物
JPH1121420A (ja) エポキシ樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20040629

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070627

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070627

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070627

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100420

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100909

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101005

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101014

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4611588

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term