JP2003345267A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 多孔質層を有する基板上に半導体薄膜を形成する工程、前記半導体薄膜上にスイッチング素子を形成する工程、前記半導体薄膜上に画像表示部を形成する工程、前記画像表示部に上部保護膜を形成する工程、前記半導体薄膜、画像表示部及び上部保護膜を前記基板から前記多孔質層において分離する工程、前記半導体薄膜側に下部保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
- 多孔質層を有する基板上に半導体薄膜を形成する工程、前記半導体薄膜上にスイッチング素子と周辺回路部を形成する工程、前記半導体薄膜上に画像表示部を形成する工程、前記画像表示部上に上部保護膜を形成する工程、前記半導体薄膜、画像表示部及び上部保護膜を前記基板から前記多孔質層において分離する工程、前記半導体薄膜側に下部保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
- 多孔質層を有する基板上に半導体薄膜を形成する工程、前記半導体薄膜上にスイッチング素子、又はスイッチング素子と周辺回路部を形成する工程、前記半導体薄膜に切り込み溝を形成することにより半導体薄膜を複数の領域に分割する工程、分割された半導体薄膜上の各領域毎に画像表示部を形成する工程、前記画像表示部上に上部保護膜を形成する工程、前記半導体薄膜、画像表示部及び上部保護膜を前記基板から前記多孔質層において分離する工程、前記半導体薄膜側に下部保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
- 第１の多孔質層を有する第１の基板上に第１の半導体薄膜を形成する工程、前記第１の半導体薄膜上に少なくともスイッチング素子を含む回路部を形成する工程、前記第１の半導体薄膜上に仮基板を接着する工程、前記第１の基板を前記多孔質層から分離する工程、第２の多孔質層を有する第２の基板上に第２の半導体薄膜を形成する工程、前記第２の半導体薄膜上に周辺回路部を形成する工程、前記仮基板上の第１の半導体薄膜と前記第２の基板の第２の半導体薄膜とを接合する工程、前記仮基板を分離する工程、仮基板が分離された第１の半導体薄膜上に画像表示部を形成する工程、前記画像表示部上に上部保護膜を形成する工程、前記第２の基板を第２の多孔質層から分離する工程、前記第２の半導体薄膜側に下部保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
- 前記分離工程は、前記多孔質層に液体、或いは気体の流体を注入することによって行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
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