JP6087046B2 - 薄膜素子の転写方法及び回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)均一かつ低ダメージで、転写基板40へMIM構造を有する薄膜素子(薄膜キャパシタ30)を転写することができる。
(2)非耐熱性基板である転写基板40上に、高温プロセスを用いることなく、高容量な薄膜キャパシタ30を転写することができるため、回路の小型化,低背化を図ることができる。
(3)支持基板12上に形成された素子の特性を保持したまま、非耐熱性基板である転写基板40上へMIM膜26を転写できる。
(4)MIM膜26を剥離した後の支持基板12の再利用が可能となるため、省資源化及び低コスト化につながる。
(1)前記実施例で示した形状,寸法は一例であり、必要に応じて適宜変更してよい。
(2)前記実施例で示した材質も一例であり、同様の効果を奏する範囲内であれば、適宜変更可能である。例えば、前記実施例では、密着層46としてFeSiを用いたが、AuSiやAlSiなどのように、基板の性質に応じて使用する金属を変更してよい。
(3)前記実施例3で示したビアホール接続も一例であり、公知の各種の接続方法を適用してよい。
(4)前記実施例1では、真空中で基板同士の接合を行うこととしたが、真空度は使用材料によって変更してよく、大気中での接合も可能である。
(5)前記実施例では、転写基板40上にSi膜42を形成することとしたが、Si膜42は、転写基板40や転写するMIM膜26の材料によって、必要に応じて設ければよい。
(6)前記実施例では、MIM構造を有するMIMキャパシタを例に挙げて説明したが、本発明は、MIM構造を有する他の公知の各種の薄膜素子の転写技術全般に適用可能である。
12:支持基板
14:絶縁層(SiO2膜)
15:TiOx層
16,20,24:電極層(Pt膜)
18:層間絶縁層(BST膜)
22:誘電体層(Mn−BST膜)
26:MIM膜
28:絶縁層(SiN膜)
30:MIMキャパシタ
40:転写基板
42:Si膜
46,46A,46B:密着層
48:保護膜
50:回路基板
52:層間絶縁層(SiOF膜)
60:回路基板
62:パッシベーション膜(SiN膜)
64:ビアホール
66:導体
Claims (8)
- MIM構造を有する薄膜素子を、支持基板側から転写基板側に転写する薄膜素子の転写方法であって、
支持基板上に層間絶縁層を介して形成されたMIM構造膜の表面に、絶縁膜を形成する工程と、
前記支持基板側の前記絶縁膜の表面と、前記転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、金属とSiからなる密着層を、10−6〜10−7Paオーダーの超高真空中で形成する工程と、
前記支持基板の前記MIM構造膜が形成された側の表面と、前記転写基板側の表面を、前記密着層を挟むように接触させ、荷重を掛けて接合する工程と、
前記支持基板と転写基板を離し、支持基板側から転写基板側へ前記MIM構造膜を転写する工程と、
を含んでおり、
前記密着層による密着力をFAとし、前記支持基板上の前記層間絶縁層と前記MIM構造膜との界面の密着力をFBとしたときに、前記密着層を形成するイオンビームの照射条件を変更して金属の量を増やすことで、前記FAを増大してFA>FBとすることで、前記剥離・転写を可能としたことを特徴とする薄膜素子の転写方法。 - 前記転写基板側にも密着層を形成する場合には、前記転写基板上にSi膜を形成した後に、該Si膜上に前記密着層を形成することを特徴とする請求項1記載の薄膜素子の転写方法。
- 前記支持基板が耐熱性基板であり、
前記転写基板が非耐熱性基板であるとともに、
前記MIM構造膜が、高誘電率の誘電体薄膜を上部電極と下部電極で挟んだ構造であることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜素子の転写方法。 - 前記支持基板上の前記層間絶縁層がBST膜であり、
水素プラズマ処理もしくは水素インプランテーション処理を行うことで、前記BST膜と前記MIM構造膜との密着力FBを低下させる工程を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。 - 前記支持基板上に絶縁層を形成するとともに、この絶縁層の表面をフッ素プラズマ処理して低誘電率の層間絶縁層を形成し、その上に前記MIM構造膜を形成することで、前記層間絶縁層と前記MIM構造膜との界面の密着力FBを低下させる工程を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。
- 前記MIM構造膜と前記層間絶縁層の界面に、機械的な剥離起点を形成することで、前記層間絶縁層と前記MIM構造膜の密着力FBを低下させる工程を含むことを特徴とする請求項5記載の薄膜素子の転写方法。
- 前記MIM構造膜の形成後かつ前記絶縁膜の形成前,あるいは、前記MIM構造膜の転写基板側への転写後に、前記MIM構造膜を加工してMIMキャパシタ構造を形成する工程,
を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。 - 転写基板上に、請求項1〜7のいずれかの方法によって、前記密着層を介して薄膜素子を転写する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
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