JP2003160327A - 疎水性沈降シリカ、その製法およびその使用 - Google Patents

疎水性沈降シリカ、その製法およびその使用

Info

Publication number
JP2003160327A
JP2003160327A JP2002225136A JP2002225136A JP2003160327A JP 2003160327 A JP2003160327 A JP 2003160327A JP 2002225136 A JP2002225136 A JP 2002225136A JP 2002225136 A JP2002225136 A JP 2002225136A JP 2003160327 A JP2003160327 A JP 2003160327A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
precipitated silica
silica
hydrophobic precipitated
hydrophobic
carried out
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002225136A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4440520B2 (ja
Inventor
Mario Dr Scholz
ショルツ マリオ
Michael Kempf
ケンプフ ミヒャエル
Christian Panz
パンツ クリスティアン
Ralf Schmoll
シュモール ラルフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Degussa GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Degussa GmbH filed Critical Degussa GmbH
Publication of JP2003160327A publication Critical patent/JP2003160327A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4440520B2 publication Critical patent/JP4440520B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09CTREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/28Compounds of silicon
    • C09C1/30Silicic acid
    • C09C1/3081Treatment with organo-silicon compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D19/00Degasification of liquids
    • B01D19/02Foam dispersion or prevention
    • B01D19/04Foam dispersion or prevention by addition of chemical substances
    • B01D19/0404Foam dispersion or prevention by addition of chemical substances characterised by the nature of the chemical substance
    • B01D19/0409Foam dispersion or prevention by addition of chemical substances characterised by the nature of the chemical substance compounds containing Si-atoms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2/00Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic
    • B01J2/30Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic using agents to prevent the granules sticking together; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10Solid density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/19Oil-absorption capacity, e.g. DBP values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/42Magnetic properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity
    • C01P2006/82Compositional purity water content
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991Coated
    • Y10T428/2993Silicic or refractory material containing [e.g., tungsten oxide, glass, cement, etc.]
    • Y10T428/2995Silane, siloxane or silicone coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い白色度を有し、非常に良好にシリコーン
ゴム配合物中に混和させることのできる疎水性沈降シリ
カ、その製法およびその使用を提供する。 【解決手段】 a)オルガノポリシロキサン誘導体およ
び沈降シリカからなる混合物を製造し、b)混合物のコ
ンディショニングを10〜150℃で0.5〜72時間
実施することにより疎水性沈降シリカを製造することに
より達せられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い白色度を有
し、非常に良好にシリコーンゴム配合物中に混和するこ
とができ、かつシリコーン加硫物中で高い補強効果を有
する、熱処理なしに製造される疎水性沈降シリカに関す
る。
【0002】
【従来の技術】微細な固体、金属酸化物およびシリケー
トの有機ケイ素化合物、例えば有機ポリシロキサンでの
処理は、例えばDE3085905から公知である。こ
の中で実施している熱処理工程は窒素不活性化において
実施されている。更に、疎水化シリケートは例えば、D
E2435860、DE2242728およびDE25
13608から公知である。
【0003】これらの明細書においては、シリケートお
よび沈降シリカと有機ケイ素化合物との反応を行うこと
により、親水性シリケートおよび沈降シリカを疎水化す
る。疎水化剤としては、例えば有機ハロシランもしくは
有機ポリシロキサン化合物を使用する。
【0004】DE2628975およびDE27292
44中には、僅かな吸水性を有する親水性沈降シリカを
シリコーンオイルもしくはジメチルジクロロシランと反
応させることによる、疎水性シリカの製造が記載されて
いる。DE2628975による方法においては、乾燥
沈降シリカに疎水化剤(シリコーンオイル)を添加する
ことにより反応を行い、DE2729244による方法
においては、疎水化剤(ジメチルジクロロシラン)を沈
降シリカ懸濁液中に直接添加する。この両方の場合に、
疎水化工程の後に高めた温度(すなわち200〜400
℃)で熱処理を実施する。
【0005】これらの方法の欠点は、このようにして疎
水化した沈降シリカが必要な処理温度で変色するという
ことである。シリカの変色は特にシリコーン配合物に添
加する際に、すなわちこの疎水性沈降シリカをシリコー
ンゴム配合物にまたはシリコーンオイルをベースとする
消泡剤混合物への添加の際に、特に妨害的に認識され
る。
【0006】200〜400℃の温度での熱処理におけ
る更なる欠点は、この方法が比較的費用がかかり、こう
して疎水性シリカを比較的高価にしている。
【0007】変色の尺度としてはいわゆる反射率を使用
する。反射率測定において、試料の拡散反射能を調べ
る。試料の拡散反射能が高ければ高いほどその反射率は
高く、こうして試料の白色度は高い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】沈降シリカは一般に最
大97%の反射率を有している。従って、本発明の課題
はシリカの疎水化を最初のシリカの反射率が理想的に維
持されるというように実施することである。
【0009】従って、本発明の課題はシリコーンゴム配
合物中に良好に混和することができかつシリコーンゴム
配合物中で良好な補強特性を示す、高い白色度を有する
疎水性沈降シリカを製造することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】意外にも、親水性沈降シ
リカにポリシロキサンを担持し、引き続きコンディショ
ニングすることにより、必要な特性を有する疎水性シリ
カを得ることができることが見いだされた。
【0011】従って、本発明の課題は以下の特性: 炭素含量 1.0〜8.0%、有利に2〜6%、 メタノール湿潤性 20〜55%、 反射率 >94%、 BET/CTABの比 ≦1 DBP−吸収量 250g/100g、有利には200g/100、 BET−表面積 50〜110m/g、 CTAB−表面積 100〜150m/g、 シアーズ値 <13 を特徴とする疎水性沈降シリカである。
【0012】前記の有利な範囲は相互に独立して調節す
ることができる。
【0013】本発明によるシリカは、市販の親水性沈降
シリカを安価なポリシロキサン誘導体を用いて温度<2
00℃で疎水化することができ、従って熱処理により製
造した疎水性シリカより明らかに安価に生産することが
できるという利点を有する。200℃未満の温度範囲で
は使用したポリシロキサン誘導体では決して変色現象は
生じない。
【0014】更に、本発明による疎水性シリカは次の特
性により相互に独立して特徴付けられる、 pH−値 5〜9 水分含量 <7% 導電率 <200μS 強熱減量 3〜14%。
【0015】導電率は150、100、60を下回って
よく、または40μSを下回ってよい。
【0016】更に、本発明の課題は以下の工程: a)オルガノポリシロキサン誘導体および沈降シリカか
らなる混合物を製造し、かつ b)この混合物のコンディショニングを10〜150℃
で0.5〜72時間の間実施すること、を特徴とする疎
水性沈降シリカの製法でもある。
【0017】有利に工程b)を100〜150℃で0.
5〜2時間の熱処理によりまたは室温(10〜30℃)
で少なくとも48時間の間貯蔵することにより、実施す
る。
【0018】本発明による疎水性沈降シリカは以下の特
性により優れている: − 著しく高い白色度(94%を越える反射率)、 − 200℃までの温度でも変色が観察されない、 − 極めて均質な疎水化、つまり急勾配のメタノール湿
潤性曲線、 − 20〜50%のメタノール湿潤性、 − シリコーンゴム中への良好な混和性、 − イオン性の不純物をほとんど含有しない、つまり低
い導電率、 − 高温での変色につながりうる界面活性剤、乳化剤も
しくは有機溶剤を含有しない − 水性媒体に対する安定性(疎水化剤の切断が生じな
い)。
【0019】本発明によるシリカを製造するための方法
により、溶剤(水以外)、乳化剤、界面活性剤またはそ
の他の表面活性分子成分を疎水化剤中で使用する必要が
なく、かつそれにも係わらず疎水化剤の均質な分散を得
ることが可能になるので、得られるシリカは変色のない
低い増粘特性と結びつく。
【0020】疎水化剤のこの良好な分散および本発明に
よる沈降シリカの均質な疎水化は、シリコーンゴム配合
物中へのシリカの良好な混和性と同時に加硫物の良好な
機械的特性および光学特性をもたらすことができる。
【0021】本発明によるシリカは有利にはポリシロキ
サンを用いて処理されるので、有機基として主にメチル
基を含有し、このことは高い熱負荷耐力(200℃まで
の温度で変色につながらない)を伴う。
【0022】本発明による疎水性沈降シリカの、沈降シ
リカとしては低い吸水率は、極めて低いシラノール基密
度の親水性沈降シリカを選択し、かつ有機ケイ素化合物
を用いて極めて均質に疎水化することによって可能とな
る。シラノール基密度のための尺度としては実施例中に
その測定が記載されているシアーズ数を利用する。
【0023】液状のポリシロキサン、好ましくは有利に
30〜100cStのポリジメチルシロキサンの使用に
より、シリカ表面上での最適な分散が可能になる。
【0024】この粘度範囲のポリジメチルシロキサンは
一方では、シリカ上に良好に分散するために十分に粘度
の低い液体であり、他方ではシリカのシラノール基とシ
ロキサン分子のシロキサン架橋との間の複数の水素結合
によりシリカ表面上に強固に結合するために十分に大き
い。
【0025】メタノール湿潤性、すなわちメタノール濃
度対沈殿物形成の経過は均質な疎水化の尺度である。
【0026】本発明によるコンディショニングを行った
シリカは、急勾配のメタノール湿潤性を示す、つまり、
均質な疎水化が行われた(図1)。図2は、シリカ上に
コンディショニングを行わずにオルガノポリシロキサン
誘導体を分散した、通例の疎水性シリカのメタノール湿
潤性を示す。
【0027】従って本発明による疎水性沈降シリカは次
の適用において使用することができる: 1.LSR−シリコーン、HTV−シリコーン、RTV
−シリコーン中のシリコーンゴム配合物中での充填剤と
して。
【0028】2.消泡剤成分として たとえばDE2829906、DE2829906、U
S4377493、DE3411759、US4344
858およびWO95/05880から、疎水化された
シリカを消泡剤配合物中で使用することができることが
公知である。ここでは、本発明によるシリカの高い疎水
性および比較的大きな分子であっても良好に得られる大
きな表面積が高い消泡性能にとって有利である。
【0029】本発明によるシリカの高い反射率は、特に
鉱油およびシリコーンオイルをベースとする配合物中で
魅力的で変色のない消泡剤配合物をもたらす。
【0030】3.フリー・フロー剤として 疎水化されたシリカをフリー・フロー助剤として使用で
きることは公知である(たとえばSchriftenreihe Degus
sa AG, Faellungskieselsaeure und Silikate,1984)。
低い吸水率に基づいて、本発明によるシリカは特に加水
分解に敏感な物質のためのフリー・フロー助剤として好
適である。本発明によるシリカの高い反射率はここでも
さらなる利点を提供する。
【0031】さらに本発明によるシリカを担体物質、特
に殺虫剤のための担体物質として、殺虫剤自体として、
粘着防止助剤として、タイヤ中の充填剤としてまたは乳
化助剤として使用することができる。
【0032】本発明による疎水性沈降シリカの製造は、
2工程で行う: − まず液状のポリシロキサン誘導体をシリカ表面上に
物理的に分散させる。まずこの最初の分散を水性媒体中
で、つまり懸濁液として実施するか、または70%を越
える含水率を有するシリカで実施する場合、その分散は
一般に不安定である。従って分散後に迅速に濾別し、か
つ/または短時間乾燥させなくてはならない(たとえば
スピン−フラッシュ乾燥機、噴霧塔乾燥機)。これはシ
リカ上のオルガノポリシロキサン滴の分散の保存につな
がり、かつ水、シリコーンオイルおよびシリカへの分離
を防止する。
【0033】− 引き続き、適切なコンディショニング
工程b)において疎水化剤の分散をさらに改善し、かつ
シリカ表面上でのポリシロキサン誘導体の定着を行う。
この分散状態は水性媒体中でも安定している。ポリシロ
キサン誘導体は方法工程b)の後に、もはやシリカから
分離しない。こうしてコンディショニングしたシリカを
3.1以上の炭素含有率で無段階に55%までのメタノ
ール湿潤性まで調整することができる。BET/CTA
Bの比はこの方法工程後に1未満である。シリカへのポ
リシロキサンの結合はおそらく、ポリシロキサン分子の
シロキサン架橋とシリカ表面のシラノール基との間の複
数の水素結合の形成により行われる。
【0034】オルガノポリシロキサン誘導体として、通
常、沈降シリカの疎水化に使用される全てのオルガノシ
ランまたはオルガノハロシランを使用することができ
る。
【0035】本発明による方法の方法工程a)は、以下
の変法で実施することができる: − 含水率1〜80質量%、特に20〜60質量%を有
する沈降シリカ上へのオルガノポリシロキサン誘導体の
添加、 − 沈降シリカの分散液への、つまり酸によりシリケー
トを沈澱させた後でのたとえばライン−ヒュッテ−ミキ
サー(Rhein-Huette-Mischer)またはコトフ混合機(Kotth
of-Mischsirene)またはウルトラ−ツラックス(Ultra-Tu
rrax)を用いてオルガノポリシロキサン誘導体の添加。
これは反応後に迅速な濾過もしくは短時間の乾燥を必要
とする。
【0036】− 含水率70〜99質量%を有する沈降
シリカへのオルガノポリシロキサン誘導体の添加、引き
続き水からの固体の分離。分離は濾過、スピンフラッシ
ュ乾燥またはその他の短時間の乾燥により(例えば、噴
霧乾燥器または噴霧塔乾燥機を用いて)行うことができ
る。含水率が高いほど、分離を迅速に行わなくてはなら
ない。分離は回避すべきである。
【0037】− スピンフラッシュ乾燥機への沈降シリ
カ−もしくは含水のシリカまたはシリカ懸濁液およびオ
ルガノポリシロキサン誘導体の同時添加。
【0038】− たとえばゲーリッケ(Gericke)ミキサ
ー中での乾燥した沈降シリカとポリシロキサンとの混
合。
【0039】あるいはまず、方法工程a)およびb)に
より得られるコンディショニングした沈降シリカを製造
し、かつ(親水性の)もしくは含水沈降シリカと混合し
てもよい。
【0040】親水性沈降シリカの含水率は上記の範囲内
で変動してもよい。
【0041】ベースのシリカはたとえば質量比1:1〜
1:3でシリコーンオイル、たとえばDOW CORNING
(R) 200 FLUID 50 CS(ジメチルポリシロキサン50
mPas、トリメチルシリル末端基を有する。炭素含有
率約33%)により被覆されていてもよい(工程
a))。こうして得られた粉末をたとえば100℃を越
える温度で半時間コンディショニングする。この場合、
コンディショニング(工程b))は、水で濡れることが
できる(メタノール湿潤性<20、メタノール湿潤性の
定義については測定法を参照のこと)が、しかし水中に
導入したときにシリカとシリコーンオイルがそれぞれも
はや分離しない材料が生じるまで実施する。(工程b)
の後に直接、工程c)が続く場合には、メタノール湿潤
性は>20が有利である)。このマスターバッチ(たと
えばシリカ50質量%およびシリコーンオイル50質量
%)を水性のシリカ分散液もしくはシリカ懸濁液と混合
することにより安定した混合物が生じ、この場合、シリ
コーンオイルはもはやシリカから分離しない。全混合物
は、一般にシリコーンオイル1質量部、シリカ約4〜8
質量部および水20〜60質量部を含有している。この
ような懸濁液を製造するために、たとえば約10〜16
倍の量のフィルターケーキ(固体含有率約20%)およ
び約10〜20倍の量の付加的な水をマスターバッチ
(たとえばシリカ50%およびシリコーンオイル50
%)と強力に混合することができる。この方法の利点
は、(疎水性オルガノポリシロキサンを75%まで含有
している!)水で濡らすことができるマスターバッチが
直接、シリカ沈澱懸濁液またはシリカ供給流中で極めて
微細に分散し、かつ安定して分散することができ、乳化
剤または界面活性剤を使用する必要がないことである。
該混合物を乾燥もしくは濾過および引き続き乾燥した後
で、こうして得られたオルガノポリシロキサン含有のシ
リカをあらためてコンディショニングすることができる
(工程b)。
【0042】これらの工程は単独で、場合により先行す
る粉砕と共に実施することができる。しかし粉砕は被覆
a)の前に実施すべきではない。複数の、つまり同一も
しくは異なったこれらの変法を順次実施することも可能
である。次の本発明による方法の実施態様が考えられ
る: − 方法工程a)またはb)を複数回(2〜5回)連続
して実施する。
【0043】− 方法工程a)およびb)を複数回(2
〜5回)連続して実施する、つまりプロセスを複数回実
施する。
【0044】方法工程b)を有利には100〜150℃
の熱処理により0.5〜2時間以内に実施する。コンデ
ィショニングの後には、メタノール湿潤性20%以上を
有する部分的に疎水化したシリカが存在していてもよ
い。基本的に湿潤疎水化および乾燥疎水化は異なってい
てもよい。
【0045】湿潤疎水化とは、シリケート原料が水性の
シリカ懸濁液、シリカ供給流または含水率の高いシリカ
フィルターケーキであることを意味し、これらは相応す
る疎水化剤で被覆されており、たとえばDE27292
44にオルガノハロシランを含有する沈降懸濁液が記載
されている。
【0046】乾燥疎水化とは、シリケート原料が1〜7
5%の種々の含水率を有するシリカ粉末であることを意
味し、これらは相応する疎水化剤で被覆されている。こ
の方法はたとえばDE2628975に記載されてい
る。
【0047】本発明によるシリカを製造するためにオル
ガノポリシロキサン誘導体を使用する。しかし、選択さ
れた反応条件下で反応してオルガノポリシロキサンが得
られるその他のケイ素化合物(たとえば水性の環境中で
のジクロロジメチルシラン)を使用することもできる。
【0048】疎水化試薬としてオルガノポリシロキサン
誘導体またはその前駆物質、たとえば組成R - Si
(その際、n=1、2、3)、[SiRO]
(その際、0≦x≦2、0≦y≦2、3≦z≦10,
その際x+y=2)、[SiRN](その際、
0≦x≦2、0≦y≦2、3≦z≦10、その際x+y
=2)、SiROSiR(その際、0≦n
≦3、0≦m≦3、0≦o≦3、0≦p≦3、その際、
n+m=3、o+p=3)、SiRNSiR
(その際、0≦n≦3、0≦m≦3、0≦o≦3、0
≦p≦3、その際、n+m=3、o+p=3)、SiR
[SiRO]SiR (その際、0
≦n≦3、0≦m≦3、0≦x≦2、0≦y≦2、0≦
o≦3、0≦p≦3、1≦z≦10000、その際、n
+m=3、x+y=2、o+p=3)のものを使用す
る。これらの化合物は直鎖状、環状および分枝鎖状のシ
ラン、シラザンおよびシロキサン化合物であってもよ
い。Rはアルキル基および/またはアリール基であって
もよく、これらは官能基、たとえばヒドロキシル基、ア
ミノ基、ポリエーテル基、たとえばエチレンオキシドお
よび/またはプロピレンオキシドおよびハロゲン化物
基、たとえばフルオリドにより置換されていてもよい。
Rはヒドロキシ基、アミノ基、ハロゲン化物基、アルコ
キシ基、アルケニル基、アルキニル基およびアリール基
および硫黄含有基のような基を有していてもよい。Xは
反応性の基、たとえばシラノール基、アミノ基、メルカ
プト基、ハロゲン化物基、アルコキシ基、アルケニル基
およびヒドリド基であってもよい。
【0049】有利にはRが有利にメチルにより表され
る、組成SiR[SiRO]SiR
(その際、0≦n≦3、0≦m≦3、0≦x≦2、0
≦y≦2、0≦o≦3、0≦p≦3、1≦z≦1000
0、その際n+m=3、x+y=2、o+p=3であ
る)の直鎖状のポリシロキサンを使用する。
【0050】特に有利にはRが有利にメチルにより表さ
れる、組成SiR[SiRO]SiR
(その際、0≦n≦3、0≦m≦1、0≦x≦2、
0≦y≦0.2、0≦o≦3、0≦p≦1、1≦z≦1
000、その際n+m=3、x+y=2、o+p=3で
ある)のポリシロキサンを使用する。しかし選択され
る、本発明による方法に基づいて特に官能基を有してい
ない難揮発性のポリシロキサンを使用することもでき
る。
【0051】特定の官能基がポリシロキサン中に存在す
ることにより、塩もしくは低分子の物質、たとえばNH
、アミン、アルコールなどが生じることがあり、これ
らは妨げとなる不純物につながりうる。ここで重要な例
外はシラノール官能化されたポリシロキサンであり、と
いうのも、ここでは不純物として単に水が生じるのみで
あり、水は選択されたプロセス条件下で容易に除去する
ことができる。
【0052】有利には疎水化剤はメチル末端のポリジメ
チルシロキサン、特に粘度30〜100mPas、有利
には40〜60mPasを有するものであってもよい。
適切なポリシロキサン油はたとえばDOW CORNING (R)
200 FLUID 50CSである。
【0053】前記の疎水化剤は難揮発性の化合物である
ので、疎水化剤をシリカ表面上に予め分散させるために
は、液相と固相との界面における毛管作用および拡散プ
ロセスが重要な役割を果たす。
【0054】有利に使用される疎水化剤が熱処理の過程
で特定の揮発性を有している場合でさえ、液/固−分散
はそれにも係わらず重要である。この理由から、ここで
は物理的な前分散、コンディショニングおよび熱処理を
区別する。
【0055】疎水化したシリカをコンディショニング工
程の後に粉砕することが最適である。しかし被覆工程
a)の前の粉砕は適切ではなく、不均質な被覆および疎
水化につながる。この粉砕は平均粒径d4.32〜30
μm、有利には8〜15μmを有する生成物が得られる
ように実施するのが有利である。
【0056】シリコーンゴム配合物、エラストマー、ポ
リマー、タイヤまたはシーラント中の充填剤として、消
泡剤、担体物質、乳化助剤、粘着防止助剤として、顔料
として、フリー・フロー助剤として、または殺虫剤とし
ての、本発明による沈降シリカの使用は同様に本発明の
対象である。
【0057】シリコーンゴム配合物はその機械的特性を
完全に形成するために活性な補強充填剤を必要とする。
この場合、通常、高分散性のシリカを使用する。この場
合、補強充填剤は加硫物中で良好な機械的特性をもたら
し、シリコーンゴム配合物中に容易に混和されなくては
ならない。
【0058】HTV−およびLSR−シリコーンゴム配
合物は100℃よりもはるかに高い温度で加工する。こ
の際水含有充填剤はシリコーン配合物中で妨げとなる気
泡の形成につながる可能性がある。従って本発明による
シリカにおけるように低い吸水率はこのシリコーン配合
物中へのシリカの加工において利点を有する。
【0059】この特性は使用されるベースシリカの性質
および疎水化の性質から誘導される。ベースシリカは有
利には沈降シリカであり、これは極めて低いシラノール
基密度を有する(シラノール基密度の尺度としてBET
表面積を考慮に入れたシアーズ数を使用する)。ベース
シリカの低いシラノール基密度は、BET表面積150
〜170m/gにおいて3.0±0.5の低い強熱減
量においても明らかである。
【0060】空気の流入下に約200℃の温度で加工さ
れるシリコーンゴム混合物にとって、酸素の影響下にこ
の温度で変色する可能性のあるシリカ上に有機成分が存
在しないことが重要である。ところでもっぱらメチル
基、フェニル基、フッ化炭素もしくはフッ化炭化水素を
有機基として含有している有機ケイ素化合物は、空中酸
素の存在下でも極めて温度安定性である。本発明による
方法はこの変色を押さえることができる。この変色現象
は拡散反射に基づいた光学的な測定法による反射率の測
定によって測定することができる。シリカの反射率の値
が>94%である場合、シリカ充てんシリコーンゴムコ
ンパウンドは純白である。シリカとシリコーンゴムとの
屈折率はほぼ並んでいるのでシリコーンゴム中のシリカ
充填剤のごくわずかな不純物および変色さえも明らかに
目に見える。93%の反射率はすでに、配合前のシリカ
粉末が観察者に純白であると映るとしても、すでにシリ
コーンゴム中での肉眼で可視の明らかな変色につなが
る。
【0061】有利にはエラストマーへと硬化可能な配合
物の全質量に対して、5〜50質量%、有利には10〜
40質量%の量で疎水性沈降シリカをシリコーンゴム配
合物中に使用する。HTV−オルガノポリシロキサンエ
ラストマーの場合、50質量%まで使用することができ
る。
【0062】エラストマーへと硬化可能な配合物がジオ
ルガノポリシロキサン、本発明による疎水化された沈降
シリカ、架橋剤および架橋触媒以外に、場合により通常
多くの場合、もしくはしばしばエラストマーへと硬化可
能な配合物中で使用される充填剤を含有していてもよい
ことは自明である。このような物質の例は、50m
g未満の表面積を有する充填剤、たとえば石英粉末、ケ
イ藻土、さらにケイ酸ジルコニウムおよび炭酸カルシウ
ム、さらに未処理の熱分解法シリカ、有機樹脂、たとえ
ばポリビニルクロリド粉末、オルガノポリシロキサン樹
脂、繊維状の充填剤、たとえばアスベスト、ガラス繊維
および有機顔料、可溶性染料、香料、腐食防止剤、配合
物を水の影響に対して安定化する薬剤、たとえば無水酢
酸、硬化を遅延させる薬剤、たとえばベンゾトリアゾー
ルおよび可塑剤、例えばトリメチルシロキシ基により末
端がブロックされたジメチルポリシロキサンである。
【0063】本発明による疎水性沈降シリカの物理化学
的な物質データの記載の組合せは、優れた補強充填剤に
つながる。公知法により製造した沈降シリカに対して明
らかに低い平衡含水率は、加工の際、たとえば常圧での
加硫の際に、公知の水和沈降シリカの使用と比較して孔
のない加硫物が生じるという利点をもたらす。最適に調
整されたpH値および低いDBP数は、著しく短縮され
たローラ軟化時間(roller-softening time)につなが
る。低い電解質含有率は低い含水率と組み合わされて最
終的に加硫物の良好な電気的特性につながる。
【0064】以下の実施例に基づいて本発明を詳細に説
明するが、これは本発明の範囲を制限するものではな
い。
【0065】
【実施例】シリケート原料として有利には極めて低いシ
ラノール基密度、つまりアルカリ消費量/BET表面積
の低い比、ほぼ同一のBET表面積において比較的高い
CTAB表面積および高い白色度および純度を有する沈
降シリカを使用する。
【0066】ベースシリカの製造 反応容器中に、水50.0mを装入する。徐々に水ガ
ラス溶液9.2mおよびHSO 0.9mを撹
拌下で装入物に添加し、その際、混合物中で添加の間、
アルカリ性のpH値を維持する。水ガラスおよびH
の添加の終了後、得られる懸濁液のpH値はアルカ
リ性の範囲内である。この懸濁液を酸性にし、濾別し、
かつ脱イオン水を用いて洗浄する。親水性のベースシリ
カの乾燥は、有利には短時間の乾燥により行う。以下の
データは得られた乾燥させた沈降シリカに関するもので
ある。
【0067】 BET表面積[m/g] 150〜170、 CTAB表面積[m/g] 150〜170、 2時間/105℃で乾燥させた物質に関する強熱減量 3±0.5、 (DIN55921)[%] pH値5%(メタノール−水溶液) 6〜7、 (DIN53200) 導電率(5%の水性分散液中)[μS] <150、 タッピング密度[g/l] >250。
【0068】ベースシリカとポリシロキサンとを定義さ
れた炭素含有率が得られるまで混合した。つまり混合比
は要求される炭素含有率を調整するために算出される比
率の関数である。
【0069】1.測定法 1.1 メタノール湿潤性 その表面が加水分解できない有機基により変性されてい
るシリカは通常、水で濡らすことができない。
【0070】しかしこの疎水性シリカはメタノール/水
の混合物によって濡らすことができる。この混合物にお
けるメタノールの割合(質量%で記載)は、変性された
シリカの疎水性に関する尺度である。メタノール割合が
高いほど、物質はより良好に疎水化されている。
【0071】測定の実施:容量15mlの遠心分離管6
本中に、それぞれ疎水性シリカもしくはシリケートを2
00mg秤量し、かつそれぞれの遠心管にメタノールと
水との混合物8mlをメタノール濃度を上昇させながら
添加する。混合物のメタノール濃度は、予測されるメタ
ノール湿潤性に合わせて調整する。遠心管を密閉し、次
いで強力に振とうする(上下に10回動かす)。次いで
濡れたシリカ−シリケート割合を分離するために遠心管
を2500rpmで5分間遠心する。濡れた割合は沈殿
物を形成し、その体積を遠心管の目盛で読みとる。沈殿
物の体積をメタノールと水との混合物の濃度に対するグ
ラフにプロットする。これらの個々の測定点から曲線が
得られ、その位置および勾配によって、分析した試験体
の疎水化度を特徴付ける。
【0072】装置: 精密てんびん 遠心分離機 遠心分離管、目盛付き、 ディスペンス用ピペット(Dispensetten)。
【0073】1.2 DBP−吸収量 沈降シリカの吸収率のための尺度であるDBP吸収量
(DBP数)を以下のように決定した:ジブチルフタレ
ート数の測定は、ブラベンダープラストグラフを用いて
行う。DBP−数は粉末状の生成物の液体の吸収度のた
めの尺度である。吸収度は分析される材料の含水率、粒
度および秤量に依存する。
【0074】装置および試薬 Metrohm Dibutylphthalat社のプロッターMulti-Dosimat
E 415(50 l)を有するブラベンダープラストグラフ。
【0075】実施 シリカ12.5gをブラベンダープラストグラフの混練
機へ導入した。連続的な混合下で(混練羽根の回転速度
125rpm)、ジブチルフタレートを4ml/分の速
度で混合物へ流入させる。混合のために必要とされる力
はわずかである。測定の終わり頃に混合物の流動性は劣
化する。この事実は、力の必要量の増大において示され
ており、これは目盛で示されている。目盛が300に触
れたらDBPの供給を自動的に停止する。
【0076】評価 DBPの密度は1.047g/mlである。DBP吸収
量は無水の、乾燥した物質に対するものである。比較的
高い含水率を有する沈降シリカを使用する場合、この沈
降シリカをDBP数の測定前に乾燥しない場合には、値
を以下の補正表を用いて補正する。
【0077】
【表1】
【0078】含水率に相応する補正値を実験的に測定し
たDBP値に加算する。これはたとえば含水率5.8%
はDBP吸収量に関して33g/100gを加えること
を意味することになる。
【0079】1.3 粒径 粒径をエタノール中でMalvern Mastersizerを用いて5
分間の超音波処理の後で測定する。測定は自動的に行
い、かつ平均粒径d4.3は体積分布から得られる。
【0080】1.4 DIN5033による基準色数(t
ristimulus value)Rの測定適用 分光光度計Datacolor 3890を用いてシリカ、シリケート
およびゼオライト(粉末−懸濁液)における基準色数R
を測定する。
【0081】測定の実施 測定前に試験体をまず平均粒径約8〜15μmに粉砕
し、かつ引き続き粉末プレス機を用いて圧縮成形して錠
剤を得る。必要量は粉末の微粉度に依存する。プレス機
の蓋のネジの最後のピッチに達するまで粉末を充てんし
た。
【0082】試験体を測定装置の下に置き、かつ制御コ
ンピュータのメニューから白色度測定RおよびR
460を選択する。試験体の標識をインプットした後
で、測定の開始のためのスペースキーを押す。
【0083】メモリーコードを入力した後で測定値をプ
リントアウトする。
【0084】値の算出は自動的に次の式
【0085】
【数1】
【0086】により行い、その際、Y(λ)は基準スペ
クトル値の関数であり、S(λ)は照射源の相対分光放
射分布であり、かつR(λ)は試験体のスペクトル反射
率である。
【0087】1.5 シリカ、シリケートおよび疎水性
シリカのシアーズ数の測定 1.適用: 0.1NのKOHを用いてpH6〜pH9の範囲で滴定
することにより遊離OH基を検出することができる。
【0088】2.装置: 2.1 感量0.01gの精密はかり、 2.2 10mlおよび20mlのビュレット、pH
電極を1つならびにポンプ(たとえばNOUVAGポンプ、S
P 40/6タイプ)を1つを備えたMettler社のMemot
itrator DL 70、 2.3 プリンター、 2.4 Mettler社の滴定容器250ml、 2.5 Ultra-Turrax、8000〜24000rp
m、 2.6 恒温水浴、 2.7 メタノールおよび脱イオン水を計量供給する
ためのディスペンサー10〜100ml 2つ、 2.8 脱イオン水を計量供給するためのディスペン
サー10〜50ml1つ、 2.9 メスシリンダー100ml 1つ、 2.10 IKA ユニバーサルミル M20。
【0089】3.試薬 3.1 メタノール 分析用純度(p.A.)、 3.2 塩化ナトリウム溶液(脱イオン水1000m
l中のNaCl p.A. 250g)、 3.3 0.1N 塩酸、 3.4 0.1N 水酸化カリウム溶液、 3.5 脱イオン水、 3.6 緩衝液pH7およびpH9。
【0090】4.実施 4.1 試験体の準備 試験体約10gをIKA−ユニバーサルミルM20中で
60秒粉砕した。
【0091】重要:極めて微細に粉砕した試験体のみが
再現性のある結果につながるので、これらの条件を正確
に維持しなくてはならない。
【0092】4.2 分析の実施 4.2.1 4.1で準備した試験体2.50gを25
0mlの滴定容器中に秤量する、 4.2.2 メタノールp.A. 60mlを計量供給
する、 4.2.3 試験体を完全に濡らした後で、脱イオン水
40mlを添加する、 4.2.4 約18000rpmの回転数でUltra Turr
axを用いて30秒間分散させる、 4.2.5 脱イオン水100mlを用いて容器の縁お
よび撹拌機に付着している試験体粒子を懸濁液中へ洗い
流す、 4.2.6 恒温水浴中で試験体を25℃に温度処理す
る(少なくとも20分)、 4.2.7 緩衝液pH7およびpH9を用いてpH電
極を較正する、 4.2.8 試験体を方法S911によりMemotitrator
DL 70中で滴定する。滴定の経過が明確でない場合、引
き続き二重反復測定を実施する。
【0093】次の結果がプリントアウトされる: pH V ml/5g中 V ml/5g中。
【0094】5.計算:
【0095】
【数2】
【0096】V=物質5gあたりのpH6までのKO
HのmlもしくはHClのml、 V=物質5gあたりのpH9までのKOH消費量のm
l、 E=秤量。
【0097】原理:まず懸濁液のpHの初期値を全て測
定し、その後、結果に応じてKOHもしくはHClを用
いてpH値を6に調整する。その後、NaCl溶液20
mlを計量供給する。次いで0.1NのKOHを用いて
pH値が9になるまで滴定を継続する。
【0098】シアーズ数 Si−OH+NaCl→Si−ONa+HCl、 HCl+KOH→KCl+HO。
【0099】1.6 DIN/ISO787/11に準
拠したタンピング密度の測定測定の実施: 分析すべき試験体10gを感量0.01g
の精密てんびんで正確に秤量し、かつタッピング体積計
の250mlのガラスシリンダ中へ充てんする。125
0回のタッピングの後、タッピングした材料の体積を読
みとる。
【0100】計算:
【0101】
【数3】
【0102】E=秤量(g)、 I=体積(ml)。
【0103】装置:精密てんびん、タッピング体積計、
Ludwigshafen、Engelsmann社製、250mlのガラスシ
リンダ、目盛付き、Ludwigshafen、Engelsmann社製。
【0104】注釈:特殊なケースでは材料を秤量前に5
00μmのふるいによって分級するか、もしくは秤量を
増量する。このことは試験報告に記載しなくてはならな
い。
【0105】1.7 CTAB−表面積の測定1.適用 方法は、「ゴム活性表面(rubber-active surface)」と
もよばれている「外側」表面におけるCTAB(N−セ
チル−N,N,N−トリメチルアンモニウムブロミド)
の吸着に基づく。
【0106】CTABの吸着は、水溶液中、pH=9で
攪拌および超音波処理下で行う。過剰量の、吸着されて
いないCTABは、NDSS(ジオクチルナトリウムス
ルホスクシネート溶液)を用いた逆滴定により滴定装置
(Titroprozessor)を用いて測定し、その際、最終点を溶
液の濁りの最大値により与え、かつフォトローデ(Photo
trode)を用いて測定する。
【0107】計算のためにCTAB分子あたり、0.3
5nmの占有面積を想定する。
【0108】測定はASTM3765に準拠して行う。
【0109】それぞれの測定列において、VN3タイプ
のシリカの標準試験体を一緒に試験する。
【0110】2.反応式:(逆滴定)
【0111】
【数4】
【0112】3.装置: 3.1 ミル、たとえばFabrikat IKA、M20タイ
プ、 3.2 分析用てんびん、 3.3 電磁撹拌機、 3.4 電磁攪拌棒、 3.5 滴定装置、たとえばMETTLER、DL55タイ
プまたはDL70タイプ、次のものを装備:pH電極、
たとえばFabrikat Mettler、タイプDG111、光電
極、たとえばFabrikat Mettler、タイプDP550およ
びNDSS溶液用の容量20mlのビュレット(Kolbenb
uerette)、0.1NのKOH用の容量10mlのビュレ
ット、 3.6 ポリプロピレンからなる滴定ビーカー、10
0ml、 3.7 スナップオン・キャップで密封可能な滴定用
ガラス容器、容量150ml、 3.8 ネジ蓋またはNSストッパにより密閉可能
な、エルレンマイヤーフラスコ、容量100ml、 3.9 超音波浴、 3.10 圧力濾過装置、 3.11 硝酸セルロースの薄膜フィルタ、孔径0.1
μm、直径47mm、たとえばSartorius、113 5
8タイプ、 3.12 ピペット、5ml、100ml。
【0113】4.試薬: 4.1 水酸化カリウム溶液、0.1N、 4.2 CTAB溶液、0.0151モル/l。
【0114】CTAB5.50gをガラスビーカー中で
温かい(約30〜40℃)脱塩水約800ml中に撹拌
下(電磁撹拌機)で溶解し、1lのメスシリンダー中に
移し、脱塩水を用いて、23〜25℃に冷却後、目印ま
で満たし、かつ貯蔵ビンに移し替える。
【0115】注意:溶液の保存および測定の実施は23
℃以上で行わなくてはならない。というのも、CTAB
はこの温度以下で結晶化するからである。溶液は使用の
10〜14日前に製造すべきである。
【0116】4.3 NDSS溶液、0.00426
モル/l NDSS(ジオクチルナトリウムスルホスクシネート)
1.895gをガラスビーカー中で脱塩水約800ml
と混合し、かつ全ての材料が溶解してしまうまで電磁撹
拌機で攪拌する。引き続き、該溶液を1lのメスシリン
ダー中に移し、脱塩水により目印まで満たし、かつ貯蔵
ビンに移し替える。
【0117】NDSS溶液は容易に生物学的に分解され
る。従って製造される溶液を密封し、かつ3ヶ月より長
い間貯蔵すべきではない。
【0118】CTAB溶液の濃度は正確であると想定す
る:0.0151モル/l。
【0119】NDSS溶液の濃度は毎日、「盲検滴定(B
lindtitration)」により測定される。
【0120】5.実施 5.1 盲検滴定(NDSS溶液の濃度の測定)、 5.2 CTAB溶液5mlに関するNDSS溶液の
消費量を毎日、それぞれの試験列の前に1回検査すべき
である(盲検値)。
【0121】5.1.2 CTAB溶液5mlをピペッ
トで正確に滴定ビーカーへ移す、 5.1.3 脱塩水約50mlを添加する、 5.1.4 滴定装置を用いて滴定が終了するまで滴定
する。それぞれの盲検滴定を二重反復測定として実施
し、値が一致しない場合、結果の再現性が得られるまで
さらに滴定を実施する、 5.2 吸着、 5.2.1 造粒した粗い試験体をミル中で粉砕する
(ミルのビーターブレードは被覆されていなくてはなら
ない)、 5.2.2 粉砕した試験体500mgを正確に、感量
0.1mgの分析用てんびんで秤量する、 5.2.3 秤量した試験体量を定量的に、電磁攪拌棒
を有する150mlの滴定容器中へ移す、 5.2.4 CTAB溶液100mlを正確に計量供給
し、滴定容器を蓋で密閉し、かつ電磁撹拌機で15分間
攪拌する。
【0122】5.2.5 滴定装置の滴定容器をネジ止
めし、かつ懸濁液のpH値をKOH0.1モル/lによ
り9.0±0.05の値に調整する、 5.2.6 懸濁液を超音波浴中で4分間処理する、 5.2.7 薄膜フィルターを備えた圧力濾過器により
濾過を行う。吸着の間、温度が必ず23℃〜25℃の範
囲に維持されるように注意すべきである。
【0123】5.3 滴定 5.3.1 濾液(5.2.7を参照のこと)5mlを
100mlの滴定ビーカーへとピペットで移し、かつ脱
塩水で約50mlまで満たす。
【0124】5.3.2 滴定装置に滴定ビーカーをネ
ジで固定する、 5.3.3 規定の測定方法によりNDSS溶液を用い
て濁りが最大になるまで滴定する。それぞれの滴定は二
重反復測定として実施すべきであり、値が一致しない場
合には結果の再現性が得られるまでさらに滴定を実施す
べきである。
【0125】6.計算
【0126】
【数5】
【0127】V=盲検試験体(CTAB5mlを適用
した場合のNDSSのml)、 V=消費量(濾液5mlを適用した場合のNDSSの
ml)、 E=lあたりのCTABの秤量(g)(5.5g)、 578.435=CTAB 1gの占有面積(m)。
【0128】測定値は通常、無水の物質に対して較正し
て記載される:
【0129】
【数6】
【0130】標準試験体の測定値が理論値から3±m
/gよりも大きく逸脱する場合に、全測定列を繰り返す
べきである。
【0131】7.注釈 1.に関して 文献中ではNDSS(ジオクチルナトリウムスルホスク
シネート)はAerosolOTともよばれている。pH値>9
を有する試験体、たとえばExtrusilにおいて、pH値を
測定したが、しかし較正しなかった。というのは、酸が
表面を変えうるからである。光電極を滴定の開始前に1
000mVに調整し、これは100%の透明度に相応す
る。
【0132】3.に関して CTAB溶液の、規定の、異なった体積の測定のために
ディスペンサーもしくはピペットもまた、規則的に較正
されるのであれば使用することができる。
【0133】4.に関して 4.1および4.3に記載の溶液はすぐに使用すること
ができる溶液として購入することもできる。納入業者は
目下Duisburg在、Kraft社である。電話番号:0203
−58−3025、注文番号6056.4、CTAb溶
液、0.0151ml/l、注文番号6057.4、N
DSS溶液、0.00423モル/l(2.5リットル
のガラスビン中)。
【0134】5.2.4に関して 攪拌後に濡れていない疎水性の試験体はpH値を調整す
る前にULTRA-TURRAXを用いて慎重に分散させて濡らす。
【0135】5.2.5に関して pH値の調整のために滴定装置の使用が推奨される。滴
定は終点測定法(Endpunktmethode)により実施する。
【0136】5.2.7に関して 圧縮ガスボトルからの窒素を濾過のために使用する。前
圧力は4〜6バールに調整すべきである。
【0137】6.に関して 測定列を繰り返す必要がある場合、特に、pH値の調整
のために使用されるpHメーターを再度、新たに較正す
ることに注意すべきである。
【0138】1.8 吸湿量の測定(水蒸気等温線) 吸湿量を測定するために、試験体を一定の温度(30
℃)で異なった相対空気湿度に暴露する。一定の質量が
調整されるまで待機する。
【0139】完全に乾燥した空気(つまり空気湿度がほ
ぼゼロである)を用いて開始する。平衡に達した後で、
この質量を基準点として選択する、つまり空気湿度が高
い場合の吸湿量は完全に乾燥した空気(平衡状態の調整
後)中の試験体質量と、湿った空気(平衡状態の調整
後)中の試験体質量との間の差として表される。空気湿
度は10%の段階で変化する。ヒステリシス効果を排除
するために、水の吸着も水蒸気の脱着も測定する。
【0140】例1 スピンフラッシュ乾燥機中でベースシリカを乾燥させ、
かつシリコーンオイル(たとえばDOW CORNING (R) 2
00 FLUID 50 CS、炭素含有率約33%、粘度50mPa
s)により被覆した。次いで少なくとも20%のメタノ
ール湿潤性に達するまで、シリカを(室温で少なくとも
48時間時効させることにより)コンディショニングす
る。コンディショニングしたシリカの分析データは第
1.1表に記載されている。
【0141】
【表2】
【0142】例2 ゲーリッケミキサー中でベースシリカをシリコーンオイ
ル(ジメチルポリシロキサン、50mPas、例えばDO
W CORNING (R) 200 FLUID 50 CS、炭素含有率約33
%)により混合比1:1で被覆する。このようにして生
じた粉末を温度105℃で1時間にわたってコンディシ
ョニングする。この際、水湿潤性であるが、シリカおよ
びシリコーンオイルとが水中でもはや相互に分離しない
材料が生じる。このマスターバッチとベースシリカのフ
ィルターケーキとの混合により、シリコーンオイルが親
水性フィルターケーキからもはや分離しない、安定な配
合物が生じる。このようにして製造された疎水性マスタ
ーバッチおよび親水性フィルターケーキを一緒にスピン
フラッシュ乾燥機中に供給し、そこで混合および乾燥す
る。ジメチルシロキサンで処理したシリカを室温で少な
くとも48時間(約3日間)の時効により、これを少な
くとも20%のメタノール湿潤性に達するまでコンディ
ショニングする。コンディショニングしたシリカの分析
データは第2.1表に記載されている。
【0143】
【表3】
【0144】例3 シリカ(フィルターケーキの形のシリカ)上にシリコー
ンオイル(粘度50mPasを有するメチル末端シリコ
ーンオイル、たとえばDOW CORNING (R) 200FLUID 50
CS、炭素含有率約33%)の分散をスピンフラッシュ
乾燥機中で、同時に乾燥下に、実施する。ジメチルシロ
キサン処理シリカを、少なくとも20%のメタノール湿
潤性に達するまで、室温で48時間(約3日間)時効さ
せることによりコンディショニングする。コンディショ
ニングしたシリカの分析データは第3.1表に記載され
ている。
【0145】
【表4】
【0146】例4 ゲーリッケミキサー中でベースシリカをシリコーンオイ
ル(ジメチルポリシロキサン 50mPas、トリメチ
ルシリル基を末端に有する、例えばDOW CORNING (R)
200 FLUID 50 CS、炭素含有率約33%)により混合比
1:1で被覆した。このようにして生じた粉末を温度1
05℃で1時間にわたってコンディショニングする。こ
の際、水湿潤性であるが、シリカおよびシリコーンオイ
ルとが水中でもはや相互に分離しない材料が生じた。こ
のマスターバッチ(すなわち、シリカ50%およびシリ
コーンオイル50%)と水性のシリカ分散液との混合に
より、シリコーンオイルがシリカからもはや分離しな
い、安定な分散液が生じる。この全混合物は通常シリコ
ーンオイル1質量部、シリカ約4〜8質量部および水2
0〜6質量部を含有する。そのような懸濁液の製造のた
めには、マスターバッチ(すなわち、シリカ50%およ
びシリコーンオイル50%)をフィルターケーキ(固体
含量約20%)約14〜16倍量および付加的な水11
〜13倍量を強力に混合する。懸濁液の分析データは第
4.1表に記載されており、相当するコンディショニン
グを行ったシリカの分析データは第4.2表中に記載さ
れている。
【0147】
【表5】
【0148】懸濁液の乾燥は噴霧乾燥機により行う。ジ
メチルシロキサン処理したシリカは、少なくとも20%
までのメタノール湿潤性が達せられるまで、室温での4
8時間(約3日間)の時効によりコンディショニングさ
れる。コンディショニングしたシリカの分析データは第
4.2表に記載されている。
【0149】
【表6】
【0150】例5 ベースシリカのシリカ懸濁液(固体含量12.8%)中
に強力な混合装置を用いてシリコーンオイル(メチル基
末端を有するポリジメチルシロキサン、50mPas、
例えばDOW CORNING (R) 200 FLUID 50 CS、炭素含有
率約33%)を懸濁させる。シリカ懸濁液中へのシリコ
ーンオイルの分散は迅速な噴霧乾燥により保存される。
ジメチルシロキサン処理したシリカを、メタノール湿潤
性が少なくとも20%に達するまで、室温で48時間
(約3日間)の時効によりコンディショニングする。コ
ンディショニングしたシリカの分析データは第5.1表
中に記載する。
【0151】
【表7】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明により均質な疎水化が行われたシリカの
メタノール湿潤性を示すグラフ図。
【図2】本発明によるコンディショニングを行わない、
通例の疎水性シリカのメタノール湿潤性を示すグラフ
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09C 3/12 C09C 3/12 (72)発明者 クリスティアン パンツ ドイツ連邦共和国 ヴェッセリング ヴェ ーザーシュトラーセ 39 (72)発明者 ラルフ シュモール ドイツ連邦共和国 ボン マックス−エル ンスト−シュトラーセ 30 Fターム(参考) 4G072 AA41 CC14 GG02 HH21 HH29 JJ03 MM36 QQ07 QQ09 TT04 TT06 TT12 UU08 4J002 AA001 AC001 CP031 DJ016 FB266 FD016 GJ00 GN01 4J037 AA18 CC28 EE03 EE43

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 以下の特性: 炭素含量 1.0〜8.0% メタノール湿潤性 20〜55% 反射率 >94% BET/CTABの比 ≦1 DBP−吸収量 <250g/100g BET−表面積 50〜110m/g CTAB−表面積 100〜150m/g シアーズ値 <13 を特徴とする、疎水性沈降シリカ。
  2. 【請求項2】 平均粒度が2〜30μmである、請求項
    1記載の疎水性沈降シリカ。
  3. 【請求項3】 pH−値が5〜9である、請求項1また
    は2記載の疎水性沈降シリカ。
  4. 【請求項4】 水分含量が<7%である、請求項1から
    3までのいずれか1項記載の疎水性沈降シリカ。
  5. 【請求項5】 導電率が<200μSである、請求項1
    から4までのいずれか1項記載の疎水性沈降シリカ。
  6. 【請求項6】 強熱減量が3〜14%である、請求項1
    から5までのいずれか1項記載の疎水性沈降シリカ。
  7. 【請求項7】 疎水性沈降シリカを製造するための方法
    において、 a)オルガノポリシロキサン誘導体および沈降シリカか
    らなる混合物を製造し、かつ b)この混合物を10〜150℃で0.5〜72時間の
    間コンディショニングを実施することを特徴とする、疎
    水性沈降シリカの製法。
  8. 【請求項8】 工程a)を水分含量1〜80%の沈降シ
    リカにオルガノポリシロキサン誘導体を添加することに
    より実施する、請求項7記載の方法。
  9. 【請求項9】 工程a)を水分含量70〜99%の沈降
    シリカにオルガノポリシロキサン誘導体を添加し、引き
    続き水から固体を分離することにより実施する、請求項
    7記載の方法。
  10. 【請求項10】 工程a)を沈降シリカまたは水含有沈
    降シリカとオルガノポリシロキサン誘導体とをスピンフ
    ラッシュ乾燥機中に同時に供給することにより実施す
    る、請求項7から9までのいずれか1項記載の方法。
  11. 【請求項11】 沈降シリカを、工程a)および工程
    b)により得られたすでにコンディショニングを施した
    沈降シリカと混合することにより工程a)を実施する、
    請求項7から9までのいずれか1項記載の方法。
  12. 【請求項12】 工程a)または工程b)を複数回連続
    して実施する、請求項7から11までのいずれか1項記
    載の方法。
  13. 【請求項13】 工程a)および工程b)を複数回連続
    して実施する、請求項1から12までのいずれか1項記
    載の方法。
  14. 【請求項14】 工程b)を100〜150℃で0.5
    〜2時間の熱処理により実施する、請求項7から13ま
    でのいずれか1項記載の方法。
  15. 【請求項15】 工程b)を室温で少なくとも48時間
    の貯蔵により実施する、請求項7から13までのいずれ
    か1項記載の方法。
  16. 【請求項16】 シリコーンゴム配合物中への請求項1
    から6までのいずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使
    用。
  17. 【請求項17】 消泡剤中への請求項1から6までのい
    ずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使用。
  18. 【請求項18】 フリーフロー助剤中への請求項1から
    6までのいずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使用。
  19. 【請求項19】 ポリマー中の充填剤としての請求項1
    から6までのいずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使
    用。
  20. 【請求項20】 エラストマー混合物、タイヤまたはシ
    ーラント中の充填材としての請求項1から6までのいず
    れか1項記載の疎水性沈降シリカの使用。
  21. 【請求項21】 担体物質としての請求項1から6まで
    のいずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使用。
  22. 【請求項22】 乳化助剤としての請求項1から6まで
    のいずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使用。
  23. 【請求項23】 粘着防止助剤としての請求項1から6
    までのいずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使用。
  24. 【請求項24】 顔料としての請求項1から6までのい
    ずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使用。
  25. 【請求項25】 殺虫剤としての請求項1から6までの
    いずれか1項記載の疎水性沈降シリカの使用。
JP2002225136A 2001-08-04 2002-08-01 疎水性沈降シリカ、その製法およびその使用 Expired - Fee Related JP4440520B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10138492A DE10138492A1 (de) 2001-08-04 2001-08-04 Hydrophobe, nicht getemperte Fällungskieselsäure mit hohem Weißgrad
DE10138492.0 2001-08-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003160327A true JP2003160327A (ja) 2003-06-03
JP4440520B2 JP4440520B2 (ja) 2010-03-24

Family

ID=7694516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002225136A Expired - Fee Related JP4440520B2 (ja) 2001-08-04 2002-08-01 疎水性沈降シリカ、その製法およびその使用

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6899951B2 (ja)
EP (1) EP1281733B1 (ja)
JP (1) JP4440520B2 (ja)
KR (1) KR100923647B1 (ja)
CN (1) CN1405085A (ja)
AT (1) ATE368708T1 (ja)
BR (1) BR0202882A (ja)
DE (2) DE10138492A1 (ja)
ES (1) ES2290216T3 (ja)
TW (1) TWI296995B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003155383A (ja) * 2001-11-21 2003-05-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd タイヤトレッド用ゴム組成物
JP2005206697A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンゴム組成物
JP2006002151A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Degussa Ag 表面特性を改善するための塗料配合物
JP2006002152A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Degussa Ag 改善されたレオロジー特性を有する塗料配合物
FR2882272A1 (fr) * 2005-02-22 2006-08-25 Rincent Btp Services Soc En Co Procede de traitement de surface de granulats a base d'elastomere
JP2006342327A (ja) * 2005-05-13 2006-12-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP2007526373A (ja) * 2004-03-05 2007-09-13 デグサ ゲーエムベーハー シリコーンゴム
JP2010529223A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 エボニック デグサ ゲーエムベーハー Rtv二成分シリコーンゴム
JP2022104993A (ja) * 2016-12-28 2022-07-12 ポーラ化成工業株式会社 粉体粒子表面の改質方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10138490A1 (de) * 2001-08-04 2003-02-13 Degussa Hydrophobe Fällungskieselsäure mit hohem Weißgrad und extrem niedriger Feuchtigkeitsaufnahme
DE10203500A1 (de) * 2002-01-30 2003-08-07 Degussa Raumtemperaturvernetzende Einkomponenten-Silikonkautschukformulierungen mit hydrophoben Kieselsäuren
ATE315537T1 (de) * 2002-06-14 2006-02-15 Degussa Aluminium-haltige fällungskieselsäure mit einstellbarem bet/ctab-verhältnis
WO2004065443A2 (de) * 2003-01-22 2004-08-05 Degussa Ag Speziell gefällte kieselsäuren für gummianwendungen
MXPA05007588A (es) * 2003-01-22 2006-02-22 Degussa Silice altamente dispersable para utilizar en hule.
JP4682290B2 (ja) * 2003-02-18 2011-05-11 国立大学法人東京工業大学 ポリマー被覆金属酸化物およびその製造方法
DE502004004410D1 (de) 2003-05-14 2007-09-06 Degussa Oberflächenmodifizierte Fällungskieselsäuren
DE102004012090A1 (de) * 2003-05-14 2004-12-09 Degussa Ag Oberflächenmodifizierte Fällungskieselsäuren
DE10337198A1 (de) * 2003-08-13 2005-03-17 Degussa Ag Träger auf Basis von Granulaten, die aus pyrogen hergestelltem Siliciumdioxiden hergestellt sind
DE102004005409A1 (de) * 2004-02-03 2005-08-18 Degussa Ag Hydrophile Fällungskieselsäure für Entschäumerformulierungen
DE102004005222A1 (de) * 2004-02-03 2005-08-18 Degussa Ag Silikonkautschuk
DE102004005411A1 (de) * 2004-02-03 2005-08-18 Degussa Ag Hydrophobe Fällungskieselsäure für Entschäumerformulierungen
DE102004029069A1 (de) 2004-06-16 2005-12-29 Degussa Ag Oberflächenmodifizierte Silicagele
US7276156B2 (en) * 2005-05-26 2007-10-02 Tony Mason Lockerman Storm drain filter
DE102005043202A1 (de) * 2005-09-09 2007-03-15 Degussa Ag Fällungskieselsäuren mit besonderer Porengrößenverteilung
DE102005043201A1 (de) * 2005-09-09 2007-03-15 Degussa Ag Fällungskieselsäuren mit einer besonderen Porengrößenverteilung
US7767180B2 (en) 2006-05-26 2010-08-03 Degussa Gmbh Precipitated silicas having special surface properties
DE102006048850A1 (de) * 2006-10-16 2008-04-17 Evonik Degussa Gmbh Amorphe submicron Partikel
DE102006024590A1 (de) * 2006-05-26 2007-11-29 Degussa Gmbh Hydrophile Kieselsäure für Dichtungsmassen
US8455165B2 (en) * 2006-09-15 2013-06-04 Cabot Corporation Cyclic-treated metal oxide
US8435474B2 (en) * 2006-09-15 2013-05-07 Cabot Corporation Surface-treated metal oxide particles
US8202502B2 (en) 2006-09-15 2012-06-19 Cabot Corporation Method of preparing hydrophobic silica
US20080070146A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Cabot Corporation Hydrophobic-treated metal oxide
DE102007052269A1 (de) * 2007-11-02 2009-05-07 Evonik Degussa Gmbh Fällungskieselsäuren für lagerstabile RTV-1 Siliconkautschukformulierungen ohne Stabilisator
US7985292B2 (en) 2007-11-26 2011-07-26 Evonik Degussa Corporation Precipitated silica for thickening and creating thixotropic behavior in liquid systems
CN101904802B (zh) 2009-06-03 2015-03-11 赢创德固赛有限公司 油包水乳液体系及其制备方法
DE102009045104A1 (de) * 2009-09-29 2011-03-31 Evonik Degussa Gmbh Neuartige Mattierungsmittel für UV-Lacke
DE102009045109A1 (de) * 2009-09-29 2011-03-31 Evonik Degussa Gmbh Oberflächenmodifizierte Semi-Gele
US20110244382A1 (en) 2010-04-06 2011-10-06 Christopher Alyson M Hydrophobic silica particles and method of producing same
DE102010029945A1 (de) * 2010-06-10 2011-12-15 Evonik Degussa Gmbh Neuartige Mattierungsmittel für UV-Überdrucklacke
US9581922B2 (en) 2012-03-26 2017-02-28 Cabot Corporation Treated fumed silica
US20140271900A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 J.M. Huber Corporation High Cleaning Silica with Low Abrasion and Method for Making Same
KR101509478B1 (ko) * 2013-07-22 2015-04-06 넥센타이어 주식회사 수분 함량이 조절된 실리카를 포함하는 타이어 트레드용 고무의 제조방법 및 조성물
US10995218B2 (en) 2016-07-27 2021-05-04 Wacker Chemie Ag Method for producing modified precipitated silica and a composition containing the same
KR20190124263A (ko) * 2017-02-27 2019-11-04 와커 헤미 아게 소수성 실리카 그래뉼의 제조 방법
JP6778662B2 (ja) * 2017-08-01 2020-11-04 信越化学工業株式会社 造粒処理シリカの製造方法
EP3653673A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-20 Rhodia Operations Organosilane-modified precipitated silica
WO2021167728A1 (en) 2020-02-20 2021-08-26 Dow Silicones Corporation Foam control composition
DE102020208510A1 (de) 2020-07-07 2022-01-13 Evonik Operations Gmbh Modifizierte Kieselsäuren, Verfahren zur deren Herstellung und deren Verwendung

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS636062A (ja) * 1986-06-25 1988-01-12 Toray Silicone Co Ltd シリカ微粉末の表面改質方法
JPH0214809A (ja) * 1988-04-28 1990-01-18 Rhone Poulenc Chim 改善された特性を有する疎水性沈降シリカ
JPH02169506A (ja) * 1988-10-19 1990-06-29 Degussa Ag 昆虫の駆除法
JPH06191826A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 撥水性シリカの製造方法
JPH06316408A (ja) * 1993-05-06 1994-11-15 Nippon Shirika Kogyo Kk 疎水性湿式法合成珪酸の製造方法
JPH07330324A (ja) * 1994-06-01 1995-12-19 Wacker Chemie Gmbh 微細な無機酸化物のシリル化法
JPH08176462A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Nippon Silica Ind Co Ltd 部分疎水性化沈降ケイ酸
JPH1087317A (ja) * 1996-04-26 1998-04-07 Degussa Ag シラン化ケイ酸、その製法及びそれを含有する低い降伏価を有する低粘度ポリマー系
JP2000053880A (ja) * 1998-06-25 2000-02-22 Degussa Huels Ag 疎水性沈降ケイ酸、その製造法およびその使用

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB813453A (en) * 1954-12-14 1959-05-13 Columbia Southern Chem Corp Silica pigments
US3334062A (en) * 1965-03-01 1967-08-01 Dow Corning Process for rendering inorganic powders hydrophobic
US3830738A (en) * 1970-02-16 1974-08-20 Ici Ltd Surface treatment of particulate solids
DE2435860B2 (de) 1974-07-25 1977-10-20 Deutsche Gold- U. Silber-Scheideanstalt, Vorm. Roessler, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von feinteiligen hydrophoben kieselsaeuren oder silicaten
DE2513608C2 (de) 1975-03-27 1982-08-05 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur Hydrophobierung von Kieselsäuren und Silikaten mit Organosilanen
DE2628975A1 (de) 1976-06-28 1977-12-29 Degussa Faellungskieselsaeure
US4344858A (en) 1977-03-23 1982-08-17 Kalcor Coatings Company, Inc. Anti-foaming compositions
DE2729244A1 (de) 1977-06-29 1979-01-04 Degussa Faellungskieselsaeure
FR2471947A1 (fr) * 1979-12-20 1981-06-26 Rhone Poulenc Ind Silice de precipitation, notamment utilisable comme charge renforcante
US4377493A (en) 1981-06-26 1983-03-22 Drew Chemical Corporation Defoamer composition and use thereof
WO1995005880A1 (en) 1993-08-20 1995-03-02 Henkel Corporation Defoamer
IN191468B (ja) 1996-03-29 2003-12-06 Degussa
US6191122B1 (en) * 1996-03-29 2001-02-20 DEGUSSA HüLS AKTIENGESELLSCHAFT Partially hydrophobic precipitated silicas
US5959005A (en) * 1996-04-26 1999-09-28 Degussa-Huls Aktiengesellschaft Silanized silica
US5908660A (en) * 1997-09-03 1999-06-01 Dow Corning Corporation Method of preparing hydrophobic precipitated silica
US6184408B1 (en) * 1999-04-28 2001-02-06 Dow Corning Corporation Method for preparation of hydrophobic precipitated silica
AU6785900A (en) * 1999-08-19 2001-03-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Hydrophobic particulate inorganic oxides and polymeric compositions containing same
US6736891B1 (en) * 1999-08-19 2004-05-18 Ppg Industries Ohio, Inc. Process for producing hydrophobic particulate inorganic oxides

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS636062A (ja) * 1986-06-25 1988-01-12 Toray Silicone Co Ltd シリカ微粉末の表面改質方法
JPH0214809A (ja) * 1988-04-28 1990-01-18 Rhone Poulenc Chim 改善された特性を有する疎水性沈降シリカ
JPH02169506A (ja) * 1988-10-19 1990-06-29 Degussa Ag 昆虫の駆除法
JPH06191826A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 撥水性シリカの製造方法
JPH06316408A (ja) * 1993-05-06 1994-11-15 Nippon Shirika Kogyo Kk 疎水性湿式法合成珪酸の製造方法
JPH07330324A (ja) * 1994-06-01 1995-12-19 Wacker Chemie Gmbh 微細な無機酸化物のシリル化法
JPH08176462A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Nippon Silica Ind Co Ltd 部分疎水性化沈降ケイ酸
JPH1087317A (ja) * 1996-04-26 1998-04-07 Degussa Ag シラン化ケイ酸、その製法及びそれを含有する低い降伏価を有する低粘度ポリマー系
JP2000053880A (ja) * 1998-06-25 2000-02-22 Degussa Huels Ag 疎水性沈降ケイ酸、その製造法およびその使用

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003155383A (ja) * 2001-11-21 2003-05-27 Toyo Tire & Rubber Co Ltd タイヤトレッド用ゴム組成物
JP2005206697A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンゴム組成物
JP4524565B2 (ja) * 2004-01-22 2010-08-18 信越化学工業株式会社 湿式シリカ含有シリコーンゴム硬化物の発泡を抑制する方法
JP2007526373A (ja) * 2004-03-05 2007-09-13 デグサ ゲーエムベーハー シリコーンゴム
JP2006002151A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Degussa Ag 表面特性を改善するための塗料配合物
JP2006002152A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Degussa Ag 改善されたレオロジー特性を有する塗料配合物
FR2882272A1 (fr) * 2005-02-22 2006-08-25 Rincent Btp Services Soc En Co Procede de traitement de surface de granulats a base d'elastomere
WO2006090084A1 (fr) * 2005-02-22 2006-08-31 Rincent Btp Services Materiaux Procede de traitement de surface de granulats a base d'elastomere
JP2006342327A (ja) * 2005-05-13 2006-12-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP2010529223A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 エボニック デグサ ゲーエムベーハー Rtv二成分シリコーンゴム
JP2022104993A (ja) * 2016-12-28 2022-07-12 ポーラ化成工業株式会社 粉体粒子表面の改質方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI296995B (en) 2008-05-21
DE50210583D1 (de) 2007-09-13
KR100923647B1 (ko) 2009-10-28
BR0202882A (pt) 2003-06-03
ES2290216T3 (es) 2008-02-16
KR20030012822A (ko) 2003-02-12
DE10138492A1 (de) 2003-02-13
EP1281733B1 (de) 2007-08-01
JP4440520B2 (ja) 2010-03-24
ATE368708T1 (de) 2007-08-15
EP1281733A1 (de) 2003-02-05
CN1405085A (zh) 2003-03-26
US20030162881A1 (en) 2003-08-28
US6899951B2 (en) 2005-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4440520B2 (ja) 疎水性沈降シリカ、その製法およびその使用
JP4503914B2 (ja) 疎水性沈降シリカ、その製造方法およびその使用
JP4241065B2 (ja) 疎水性シリカを含有する室温加硫型一成分シリコーンゴム調製物
US7074457B2 (en) Process for preparing high-whiteness hydrophobic precipitated silica with ultralow moisture absorption
US6846865B2 (en) Silicone rubber formulations with hydrophobic silicas
RU2516830C2 (ru) Гидрофильный диоксид кремния в качестве наполнителя для композиций силиконового каучука
JP4697569B2 (ja) 表面改質シリカ微粉末とその用途
DE10200247A1 (de) Silikonkautschukformulierungen mit hydrophoben Kieselsäuren

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081017

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091218

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100107

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees