JP2003152178A - 高スイッチングスピードのための横方向パワーｍｏｓｆｅｔ - Google Patents

高スイッチングスピードのための横方向パワーｍｏｓｆｅｔ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲート信号を良好に伝達しつつ、高い電流伝
導レベルで高速なスイッチングを達成する高電圧パワー
トランジスタ構造を提供すること。 【解決手段】 絶縁したゲートがコンタクトを介して複
数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を
有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジ
スタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。ソース電極は、第
１及び第２セグメントを含む。第１セグメントは、ドレ
イン電極とゲート電極との間に挿入されて、フィールド
プレートとして機能する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン基層にお
いて製作される半導体デバイスに関する。本発明は、特
に、改善されたゲートデザインを有する高電圧の電界効
果トランジスタ（field effect transistor）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的なタイプの集積回路デバイスは、
酸化金属半導体電界効果トランジスター（ＭＯＳＦＥ
Ｔ）である。ＭＯＳＦＥＴは、ソース領域と、ドレイン
領域と、これらソース領域とドレイン領域との間に延び
るチャネル領域と、このチャネル領域の上に設けられる
ゲート領域と、を含む電界効果デバイスである。ゲート
領域は、薄い酸化物層（oxide layer）の上に付与され
かつこの酸化物層によってチャネル領域から分離される
伝導性のゲート構造を含む。
【０００３】横方向（lateral）電界効果トランジスタ
が、例えば２００ボルトより大きな高電圧回路アプリケ
ーションにおいて幅広く用いられる。パワーアプリケー
ションとしての従来の横方向ＭＯＳＦＥＴは、例えば、
米国特許第５,８６９,８７５号、第５,８２１,１４４
号、第５,７６０,４４０号及び第４,７４８,９３６号を
含む。これらデバイスのそれぞれは、中間領域によって
分離されたソース領域及びドレイン領域を有する。ゲー
ト構造は、デバイスの酸化金属半導体（ＭＯＳ）チャネ
ル上の薄い酸化物層の上に付与される。オン状態（on s
tate）では、伝導チャネルをソース領域とドレイン領域
との間に形成させるようにするためにゲート領域に電圧
が印加され、これにより、デバイス間に電流を流すこと
ができる。オフ状態（off state）では、ゲート領域に
対する電圧は、基層に伝導チャネルが形成されない程度
に十分に低いので、電流は生じない。この状態では、高
電圧がドレイン領域とソース領域との間で維持される。
【０００４】横方向パワートランジスタは、一般的に
は、引き延ばした（elongated）、すなわちそれ自体の
幅よりずっと長く、かつ、インターディジタルなソース
領域およびドレイン領域を用いてデザインされる。この
ようなデバイス構造は、本出願の譲受人に譲渡された米
国特許第６,０８４,２７７号に開示されている。この'
２７７号特許は、大きな安全動作領域（ＳＯＡ）性能レ
ベルと、スイッチングノイズを抑圧するための適度なゲ
ートスピード（gate speed）を有する高電流性能とを提
供する、改善されたゲートデザインを有する横方向パワ
ーＭＯＳＦＥＴ又はトランジスタを教示している。これ
は、パワーＭＯＳＦＥＴのフィンガ（finger）の長さに
沿った多結晶シリコンゲート構造と平行に金属ゲート電
極を付与することにより達成される。ゲート電極の金属
とゲート構造の多結晶シリコンとは、ゲート構造に沿っ
て間隔をおいた複数の金属コンタクトを用いて接続され
る。一実施の形態では、'２７７号特許は、パワーＭＯ
ＳＦＥＴのフィンガに沿ったゲート電極とゲート構造と
の間の多数の場所にコンタクトを配置して、高スイッチ
ングスピードのために、フィンガの長さに沿ったゲート
信号の伝達を改善している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】'２７７号特許によっ
て教示される横方向パワートランジスタ構造に関連する
１つの欠点は、ゲート電極とドレイン電極との位置が近
いことに起因して、ゲート−ドレイン容量が高いことで
ある。ドレイン電極は、ドレインのフィールドプレート
の役割を担い、ゲート電極及び／又はソース電極は、こ
れらのデバイスの降伏電圧を改善するためのソースのフ
ィールドプレートの役割を担う。したがって、これらの
電極の大きさ及び間隔は、降伏電圧の必要条件によって
大きく決定付けられる。例えば、'２７７号特許は、オ
フ状態におけるソースとドレインとの間に７００ボルト
を維持しうるデバイスの一例を教示している。したがっ
て、このデバイスは、ドレインの金属ラインと、ゲート
又はソースの金属ラインとの間に、比較的に大きな間隔
を含んでいる。
【０００６】しかしながら、デバイスが著しく低い電圧
のためにデザインされているような場合には、ドレイン
電極とゲート電極との間にこれらをより近づけるような
間隔を設けると、ゲート−ドレイン容量が高くなってし
まう結果となる。降伏電圧として例えば２００ボルトを
有するようにデザインされたＭＯＳＦＥＴは、ドレイン
電極とゲート電極との間に５μｍ未満の間隔を有するで
あろう。これらの電極が一般に非常に長い（例えば３０
０−４００ｎｍ）ので、ドレイン電極と、ゲート又はソ
ース電極との間の容量は、非常に大きくなりうる。この
大きな容量によって、トランジスタの高スピードなスイ
ッチング性能が低下する。ゲート−ドレインの容量が高
いことは、この容量がトランジスタのゲインによって増
幅されることから、特に問題となる。
【０００７】したがって、ゲート信号を良好に伝達しつ
つ、高い電流伝導レベルで高速なスイッチングを達成す
る高電圧パワートランジスタ構造が必要とされている。
このようなデバイスは、全体のデバイスサイズ又はセル
のピッチ［cell pitch］（すなわちシリコンの「フット
プリント（footprint）」）を増加させることなく、ド
レイン−ゲート容量を最小化すべきである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電界効果トラン
ジスタは、パワーＭＯＳＦＥＴにおける引き伸ばした
（elongated）ソース領域とドレイン領域とを分離する
チャネル領域の上に付与した絶縁したゲートに接続され
た金属のゲート電極を含む。一実施の形態では、ゲート
は多結晶シリコンを含み、ゲート電極は多結晶シリコン
を含み、ゲート電極は、引き伸ばされたソース領域の一
側と隣り合う絶縁したゲートの部分における両端に配置
された金属コンタクト（バイアともいわれる）を用いて
多結晶シリコンに接続される。ソース電極は、２つのセ
グメント、すなわち、デバイスがオン状態（on state）
である際に流れる電流の大部分を伝達する幅の広いセグ
メントと、ドレイン電極とゲート電極との間に挿入され
てデバイスのドレイン−ゲート容量を著しく低減する幅
の狭いセグメントと、を含む。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明を、限定ではなく例として
添付図面における各図に示す。
【００１０】高スイッチングスピードのためにゲート−
ドレイン容量を低減させた、高電圧横方向パワーＭＯＳ
ＦＥＴについて、説明する。以下の説明において、本発
明の完全な理解に資するために、材料のタイプ、寸法、
構造的特徴等のような特定の具体例を示す。半導体分野
における当業者は、本発明はこれら多くの具体例がなく
とも実施されうる、ということを理解しうる。本発明が
不明瞭となることを防止するために、周知の要素、技術
および処理工程については、詳細には説明しない。
【００１１】図１Ａ−図１Ｃは、本発明の一実施の形態
に係るインターディジタルな（interdigitated）横方向
パワーＭＯＳＦＥＴの位相幾何学的な図面である。図１
Ａは、本デバイスの上方部分を示す図面であり、図１Ｂ
は、本デバイスの中央部分を示す図面であり、図１Ｃ
は、同一のトランジスタデバイスの下方部分を示す。こ
れら図面のそれぞれは、ドレイン、ゲート及びソース電
極、多結晶ゲート構造の位置、並びに、選択された数の
コンタクトすなわちバイア（vias）の配置、についての
計算機援用設計（ＣＡＤ）レイアウトを示している。ド
レイン及びソースコンタクトは示されておらず、また、
下に位置する基層拡散領域（substrate diffusion regi
ons）は、明確化のために図１Ａ−図１Ｃからは省略さ
れている、ということを理解されたい（以下の説明中、
図１Ａ−図１Ｃを図２とともに参照すべきである。ここ
で、図２は、より包括的な理解のための、線Ａ−Ａ'か
らみた上記トランジスタの側面図である）。
【００１２】図１Ａは、本発明の一実施の形態のインタ
ーディジタルな横方向パワーデバイスの上方部分のレイ
アウトを示す。図１Ａの電界効果トランジスタは、半導
体基層に付与されかつソース電極２１にコンタクトによ
って接続されたＮ型ソース領域４４（図１には示されて
いない）を含む。ソース電極２１は、ソース電極セグメ
ント２１Ａ及び２１Ｂを含む。ソース領域４４は、２つ
のドレイン領域４２の間の半導体基層に挿入されてお
り、これらドレイン領域４２のそれぞれは、コンタクト
によってドレイン電極２２に接続されている（図２参
照）。
【００１３】ソース電極セグメント（segment）２１Ａ
及び２１Ｂの両方は、ドレイン電極セグメント２２Ａと
２２Ｂとの間に配置されている。図１Ｃは、トランジス
タの底部（bottom）において１つの金属に合併している
セグメント２２Ａ及び２２Ｂを示す。図１Ａ−図１Ｃの
デバイスレイアウト構造は、本実施の形態における完全
なトランジスタの一部分のみしか示していない、という
ことを理解されたい。完全なデバイスは、上記各図に示
したインターディジタルなソース／ドレイン／ゲート構
造を繰り返したパターンを含む。ドレイン及びソース構
造は、それら自体の幅より著しく長いので、ドレイン及
びソース「フィンガ（finger）」といわれることが多
い、ということを理解されたい。
【００１４】トランジスタのゲートを構成する多結晶材
料２８が、図１Ａ−図１Ｃにおいて点線により描かれて
いる。ゲート自体は、ソースのフィンガの長さを延ばし
ているチャネル領域４９の上に付与された２つの平行な
メンバ（member）２８Ａ及び２８Ｂを含む。図１Ｃは、
メンバ２８Ａがメンバ２８Ｂと合併しているソース領域
におけるファーエンド（far end）すなわちフィンガチ
ップ（fingertip）の周りを包む多結晶シリコンのゲー
ト２８を示す。多くのメンバ２８Ａ及び２８Ｂは、図１
Ｂに示すように、トランジスタの中央部分において接続
されている。
【００１５】トランジスタの上方端において、ゲートの
多結晶シリコン材料が、ソース電極２１の下に延びてお
り、複数のコンタクト３０によって金属のライン２９に
接続している。金属のライン２９は、トランジスタを駆
動するために用いられる制御又はスイッチング回路に接
続している。
【００１６】図２に示すように、２つの多結晶シリコン
のゲートメンバ２８Ａ及び２８Ｂは、ゲートの誘電体層
４８によって、下に位置する半導体材料から絶縁されて
いる。誘電体層は二酸化ケイ素を含みうるが、窒化ケイ
素のようなその他の絶縁材料をも用いることができる。
メンバ２８Ａ及び２８Ｂのそれぞれの一部が、フィール
ドプレート目的のためのより厚いフィールド酸化物層４
１の上に延びている。多結晶シリコンのゲートメンバ２
８Ａ及び２８Ｂのそれぞれは、図２の断面図からわかる
ように、ゲートを上に位置する金属のゲート及びソース
電極から絶縁する中間層誘電体４０によって覆われてい
る。
【００１７】ゲート電極２５は、図１Ａに示すように、
ソースフィンガのベースと隣り合う多結晶シリコンのゲ
ートの一端をコンタクト３１に接触させている。ここで
図示した実施の形態では、ゲート電極は、ゲートメンバ
２８Ａの一端から、ソースの領域におけるフィンガチッ
プと隣り合う他端にまで、縦方向に延びている。図１Ｃ
は、ゲートメンバ２８Ａの他端に１組のコンタクト３４
を介して接続されているゲート電極２５を示す。ゲート
電極２５は、ソースのフィンガチップと隣り合って終わ
っており、ゲートメンバ２８Ｂの上には延びていない、
ということに注意されたい。このゲートメンバ２８Ｂ
は、ソース領域４４の対向する面に並んで延びている。
【００１８】絶縁したゲートメンバ２８Ａと平行にゲー
ト電極２５を接続することによって、高スイッチングス
ピード性能を改善すべく、印加したゲート信号が各フィ
ンガの長さに沿って効果的に分配される。ソース、ドレ
イン及びゲートのフィンガの長さに依存して、１つ以上
のさらなるコンタクトを、フィンガの両端の間の絶縁し
たゲートにおける中間点又は中間領域に配置することが
できる。例えば、図１Ｂは、ゲートメンバ２８Ａの２つ
の端の間のほぼ中間にある中間点においてゲート電極２
５をゲートメンバ２８Ａに接続する選択的に設けられる
さらなるコンタクト３３を示す。ゲートメンバ２８Ｂを
コンタクト３３に近接させてゲートメンバ２８Ａに接続
することにより、メンバ２８Ｂに沿ってゲート信号を分
配する際に同一の効果を得ることもできる。
【００１９】コンタクト３３の配置の便宜を図るため
に、ゲート電極２５の幅は、十分にコンタクト３３を囲
むようにコンタクト３３よりわずかに広くされている。
ソース電極とゲート電極との間のデザインルール（desi
gn rule）の分離を維持するために、ソース電極セグメ
ント２１Ｂは、対応する寸法だけわずかに狭くされる。
ここで、さらなるコンタクト３３の配置の便宜を図るた
めには、ソース電極セグメント２１Ａ（又はドレイン電
極２２Ａ及び２２Ｂ）の幅を変更する必要はない、とい
うことに注意されたい。
【００２０】ゲート電極２５は、ソース電極２１により
完全に囲まれている。ソース電極における幅が広い方の
電流伝達（current-carrying）部分は、図１Ａ−図１Ｃ
においてソース電極セグメント２１Ｂとして示されてい
る。セグメント２１Ｂは、大多数のソース電流を、ソー
スのフィンガにおける上方端に配置されたソースボンド
パッド（図示せず）に伝達する。ソース電極セグメント
２１Ｂはまた、ゲートメンバ２８Ｂに重なる横方向に延
びた部分を含む。この横方向に延びた部分は、ゲート電
極２５に対向するフィンガの側に配置され、フィールド
プレートとして機能する。主なソース電極セグメント２
１Ｂは、実質的に基層のソース領域４４の上に付与さ
れ、かつ、このソース領域４４に接触している。
【００２１】ソース電極における幅が狭い方の部分は、
図１Ａ−図１Ｃにおいてソース電極セグメント２１Ａと
して示されている。ソース電極セグメント２１Ａは、ゲ
ート電極２５とドレイン電極２２Ａとの間に挿入されて
いる。図１Ａ−図１Ｃの実施の形態では、ソース電極セ
グメント２１Ａは、下に位置するソースの拡散のための
コンタクトを有しておらず、ソース電流をほとんど伝達
しない。このセグメント２１Ａは、ソースのフィールド
プレートとして機能し、また、トランジスタのドレイン
−ゲート容量を低減する。別の実施の形態において、ソ
ース電極セグメント２１Ａは、ソースの拡散領域に対す
るコンタクトを含むことができ、及び／又は、著しい量
のソース電流を伝達することができる、ということを理
解されたい。
【００２２】なお、ソース、ドレイン及びゲート電極の
それぞれは金属の単一層を含むものとして図１及び図２
に示されているが、別の実施の形態では、上記電極のそ
れぞれ又はすべてについて、多数のレベルの伝導体材料
を用いることができる。
【００２３】図１Ｃは、トランジスタにおけるソースの
フィンガチップ領域の周りを包み、かつ、ソース電極セ
グメント２１Ｂに接続された、ソース電極セグメント２
１Ａを示す。ソースのフィンガのこの端におけるセグメ
ント２１Ａと２１Ｂとの間の接続は選択的なものである
ことを理解されたい。すなわち、これら２つのセグメン
トはこの点で接続する必要はない。しかしながら、ソー
ス電極セグメント２１Ａは、デバイスが動作している間
においてセグメント２１Ａ及び２１Ｂの両方が実質的に
同電位であるように、レイアウトにおけるいくつかの点
においてセグメント２１Ｂに接続されるべきである。こ
れは、ソースセグメント２１Ａが、ゲート電極２５とド
レイン電極２２との間に挿入されたソースのフィールド
プレートとしての役割を担うという目的に一致する。
【００２４】図２は、線Ａ−Ａ'からみた図１Ａ−図１
Ｃの横方向パワートランジスタの断面図を示す。この図
面は、ドレイン電極２２Ａが中間層誘電体４０を通過し
て下方に延びてＮ＋ドレイン領域４２に接触する様子を
示す。ドレイン電極２２Ａはまた、ソース電極セグメン
ト２１Ａの方向に向かって中間層誘電体４０の上を横方
向に延びるフィールドプレート部分を含む。ここで図示
した実施の形態では、ドレイン電極２２Ａとソース電極
セグメント２１Ａとの間の距離は、ゲート電極２５とソ
ース電極セグメント２１Ａとの間の距離（例えば３μ
ｍ）と同一である。この同一の距離が、ゲート電極２５
をソース電極セグメント２１Ｂから分離している。この
セグメント２１Ｂは、基層の表面へと下方に延びて、Ｎ
型のソース領域４４及びＰ＋拡散領域４５に接触する。
この間隔は、例示した２００Ｖの降伏電圧を有する横方
向パワートランジスタのための最小デザインルールに一
致する。
【００２５】ドレイン拡散領域４２がＮ井戸領域５１に
付与される。このＮ井戸領域５１自体は、Ｐ基層６０に
形成された深い拡散（deep diffusion）である。ソース
拡散領域４４は、基層６０のＮ井戸５１に隣接して形成
されたＰ井戸５０に付与される。チャネル領域４９がＮ
井戸領域５１の境界とソース領域４４の境界との間で定
められる。多結晶シリコンのゲートメンバ２８Ａ及び２
８Ｂは、チャネル領域４９の上の薄いゲート酸化物（ox
ide）の上に形成される。ここで、ゲートメンバ２８Ａ
及び２８Ｂのそれぞれはこれらより厚いフィールド酸化
物層４１の上に伸びるフィールドプレートを含む、とい
うことに注意されたい。Ｎ＋ドレイン領域４２とチャネ
ル４９との間の領域は、一般にデバイスの延長されたド
レイン領域といわれる。
【００２６】基層の上部表面の下の半導体材料に形成さ
れた様々な領域についての上述した詳細は、示した実施
の形態に特有のものであり、本発明に不可欠とされるも
のではない、ということを理解されたい。別言すれば、
金属の電極及びゲートメンバのレイアウト構造を、本デ
バイスの様々にドープされた半導体領域を有するトラン
ジスタにおいても利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一実施の形態に係るイン
ターディジタルな横方向パワーＭＯＳＦＥＴの位相幾何
学的な図面である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の一実施の形態に係るイン
ターディジタルな横方向パワーＭＯＳＦＥＴの位相幾何
学的な図面である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の一実施の形態に係るイン
ターディジタルな横方向パワーＭＯＳＦＥＴの位相幾何
学的な図面である。
【図２】図２は、図１Ａの実施の形態における線Ａ−
Ａ'からみた断側面図である。
フロントページの続き (72)発明者 ウェイン ブライアン グラボウスキ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94024 ロス アルトス ミラヴァル ア ベニュー 1390 Ｆターム(参考） 5F140 AA01 AA25 AC21 BA01 BD07 BD19 BF01 BF04 BF44 BF53 BF54 BF58 BH03 BH04 BH18 BH30 BH43 BH47 BJ25 CA01 CD09

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チャネル領域によって分離される引き伸
    ばされたソース領域及びドレイン領域と、 前記チャネル領域の上に付与される絶縁したゲートと、 前記ドレイン領域に接続されるドレイン電極と、 前記絶縁したゲートの第１及び第２コンタクト領域のそ
    れぞれに配置される第１及び第２コンタクトを介して、
    前記絶縁したゲートに接続されるゲート電極と、を備
    え、 前記第１及び第２コンタクト領域は、コンタクトのない
    領域によって分離されており、 さらに、前記ソース領域に接続され、第１及び第２セグ
    メントを含む、ソース電極を備え、 前記第１セグメントは、前記ドレイン電極と前記ゲート
    電極との間に挿入されている、ことを特徴とする電界効
    果トランジスタ。
  2. 【請求項２】 前記ソース電極の前記第２セグメント
    は、実質的に前記ソース領域の上に付与される請求項１
    に記載の電界効果トランジスタ。
  3. 【請求項３】 前記ドレイン電極は、実質的に前記ドレ
    イン領域の上に付与される請求項２に記載の電界効果ト
    ランジスタ。
  4. 【請求項４】 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の
    それぞれは、フィールドプレート部分を含む請求項３に
    記載の電界効果トランジスタ。
  5. 【請求項５】 前記第１及び第２セグメントは、前記ゲ
    ート電極の両側に付与される請求項１に記載の電界効果
    トランジスタ。
  6. 【請求項６】 前記第１及び第２セグメントは前記ゲー
    ト電極を囲む請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
  7. 【請求項７】 前記第２セグメントは、前記第１セグメ
    ントより幅が広い請求項１に記載の電界効果トランジス
    タ。
  8. 【請求項８】 前記ソース領域及び前記ドレイン領域
    は、インターディジタルである請求項１に記載の電界効
    果トランジスタ。
  9. 【請求項９】 前記絶縁したゲートは、第１端と、該第
    １端に対向する第２端を有し、 前記第１コンタクト領域は前記第１端に配置され、前記
    第２コンタクト領域は前記第２端に配置される、請求項
    １に記載の電界効果トランジスタ。
  10. 【請求項１０】 前記絶縁したゲートは、第１端と、該
    第１端に対向する第２端を有し、 前記第１コンタクト領域は前記第１端に配置され、前記
    第２コンタクト領域は、前記第１端と前記第２端との間
    の中間点に配置され、 前記ゲート電極は、前記絶縁したゲートの第３コンタク
    ト領域に配置される第３コンタクトを介して前記絶縁し
    たゲートにさらに接続され、 前記第３コンタクト領域は前記第２端に配置される、請
    求項１に記載の電界効果トランジスタ。
  11. 【請求項１１】 チャネル領域によって分離される引き
    伸ばされたソース領域及びドレイン領域と、 前記チャネル領域の上に付与され、第１端領域と該第１
    端領域に対向する第２端領域とを有する、絶縁したゲー
    トと、 前記ドレイン領域に接続されるドレイン電極と、 前記絶縁したゲートの前記第１端領域及び第２端領域の
    それぞれに配置される第１及び第２コンタクトを介して
    前記絶縁したゲートに接続されるゲート電極と、 前記ソース領域に接続され、第１及び第２セグメントを
    含む、ソース電極と、を備え、 前記第１セグメントは、前記ドレイン電極と前記ゲート
    電極との間に挿入される、ことを特徴とする横方向電界
    効果トランジスタ。
  12. 【請求項１２】 前記ソース電極の前記第２セグメント
    は、実質的に前記ソース領域の上に付与される請求項１
    １に記載の横方向電界効果トランジスタ。
  13. 【請求項１３】 前記ドレイン電極は、実質的に前記ド
    レイン領域の上に付与される請求項１２に記載の横方向
    電界効果トランジスタ。
  14. 【請求項１４】 前記ソース電極及び前記ドレイン電極
    のそれぞれは、フィールドプレート部分を含む請求項１
    １に記載の横方向電界効果トランジスタ。
  15. 【請求項１５】 前記第１及び第２セグメントは、前記
    ゲート電極の両側に付与される請求項１１に記載の横方
    向電界効果トランジスタ。
  16. 【請求項１６】 前記第１及び第２セグメントは、前記
    ゲート電極を囲む請求項１１に記載の横方向電界効果ト
    ランジスタ。
  17. 【請求項１７】 前記第２セグメントは、前記第１セグ
    メントより幅が広い請求項１１に記載の横方向電界効果
    トランジスタ。
  18. 【請求項１８】 前記ソース領域及び前記ドレイン領域
    はインターディジタルである請求項１１に記載の横方向
    電界効果トランジスタ。
  19. 【請求項１９】 前記ソース電極の前記第１セグメント
    は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極とから等距離だ
    け隔てられる請求項１１に記載の横方向電界効果トラン
    ジスタ。
  20. 【請求項２０】 前記絶縁したゲートは、前記第１端領
    域と前記第２端領域との間の中間領域を有し、 前記ゲート電極は、前記中間領域に配置される第３コン
    タクトを介して前記絶縁したゲートにさらに接続される
    請求項１１に記載の横方向電界効果トランジスタ。
  21. 【請求項２１】 １組のドレイン領域の間においてイン
    ターディジタルとされた引き伸ばされたソース領域であ
    って、チャネル領域によって前記１組のドレイン領域か
    ら分離され、第１端及び第２端を有するソース領域と、 前記チャネル領域の上に付与された絶縁したゲートであ
    って、前記引き伸ばされたソース領域の一側に沿って、
    隣接する前記第１端から隣接する前記第２端に延びる第
    １部分と、前記引き伸ばされたソース領域の逆側に沿っ
    て、隣接する前記第１端から隣接する前記第２端に延び
    る第２部分と、を有する、絶縁したゲートと、 前記ドレイン領域に接続されるドレイン電極と、 前記絶縁したゲートの前記第１部分の両端に配置される
    第１及び第２コンタクトを介して、前記絶縁したゲート
    に接続されるゲート電極と、 前記引き伸ばされたソース領域に接続され、第１及び第
    ２の引き伸ばされたセグメントを含む、ソース電極と、
    を備え、 前記第１の引き伸ばされたセグメントは、前記ドレイン
    電極と前記ゲート電極との間に挿入される、ことを特徴
    とする横方向パワーＭＯＳＦＥＴ。
  22. 【請求項２２】 前記ソース電極の前記第２セグメント
    は、実質的に前記ソース領域の上に付与される請求項２
    １に記載の横方向パワーＭＯＳＦＥＴ。
  23. 【請求項２３】 前記ドレイン電極は、実質的に前記ド
    レイン領域の上に付与される請求項２１に記載の横方向
    パワーＭＯＳＦＥＴ。
  24. 【請求項２４】 前記ソース電極及び前記ドレイン電極
    のそれぞれは、フィールドプレート部分を含む請求項２
    １に記載の横方向パワーＭＯＳＦＥＴ。
  25. 【請求項２５】 前記第１及び第２の引き伸ばされたセ
    グメントは、前記ゲート電極の両側に付与される請求項
    ２１に記載の横方向パワーＭＯＳＦＥＴ。
  26. 【請求項２６】 前記第１及び第２の引き伸ばされたセ
    グメントは、前記ゲート電極を囲む請求項２１に記載の
    横方向パワーＭＯＳＦＥＴ。
  27. 【請求項２７】 前記第２の引き伸ばされたセグメント
    は、前記第１の引き伸ばされたセグメントより幅が広い
    請求項２１に記載の横方向パワーＭＯＳＦＥＴ。
  28. 【請求項２８】 前記１組のドレイン領域のそれぞれ
    は、引き伸ばされている請求項２１に記載の横方向パワ
    ーＭＯＳＦＥＴ。
  29. 【請求項２９】 前記ソース電極の前記第１セグメント
    は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極とから等距離だ
    け隔てられる請求項２１に記載の横方向パワーＭＯＳＦ
    ＥＴ。
  30. 【請求項３０】 前記絶縁したゲートの前記第１部分
    は、両端の間に中間領域を有しており、 前記ゲート電極は、前記中間領域に配置される第３コン
    タクトを介して前記絶縁したゲートにさらに接続され
    る、請求項２１に記載の横方向パワーＭＯＳＦＥＴ。
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