JP2003007537A - 積層型バラントランス - Google Patents
積層型バラントランスInfo
- Publication number
- JP2003007537A JP2003007537A JP2002100719A JP2002100719A JP2003007537A JP 2003007537 A JP2003007537 A JP 2003007537A JP 2002100719 A JP2002100719 A JP 2002100719A JP 2002100719 A JP2002100719 A JP 2002100719A JP 2003007537 A JP2003007537 A JP 2003007537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- terminal
- balanced
- unbalanced
- balun transformer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 80
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 27
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Balance/unbalance networks
- H03H7/422—Balance/unbalance networks comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/008—Electric or magnetic shielding of printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
Abstract
(57)【要約】
【課題】 伝送線路のみにバイアス電圧を印加すること
ができる積層型バラントランスを提供する。 【解決手段】 線路部２４と２７は、中継端子４３を介
して直列に接続され、不平衡伝送線路を構成している。
線路部２５と２８は、それぞれ平衡伝送線路を構成して
いる。線路部２４と２５は電磁結合して結合器を構成す
る。同様に、線路部２７と２８は電磁結合して結合器を
構成する。グランド用端子Ｇ１は、それぞれ線路部２５
と２８からなる平衡伝送線路に接続している。一方、シ
ールド用端子Ｇ２は、シールド用電極３０〜３２の引出
し部３０ａ〜３２ａに接続している。これら二つの端子
Ｇ１とＧ２は電気的に独立している。
ができる積層型バラントランスを提供する。 【解決手段】 線路部２４と２７は、中継端子４３を介
して直列に接続され、不平衡伝送線路を構成している。
線路部２５と２８は、それぞれ平衡伝送線路を構成して
いる。線路部２４と２５は電磁結合して結合器を構成す
る。同様に、線路部２７と２８は電磁結合して結合器を
構成する。グランド用端子Ｇ１は、それぞれ線路部２５
と２８からなる平衡伝送線路に接続している。一方、シ
ールド用端子Ｇ２は、シールド用電極３０〜３２の引出
し部３０ａ〜３２ａに接続している。これら二つの端子
Ｇ１とＧ２は電気的に独立している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層型バラントラ
ンス、特に、無線通信機器用ＩＣの平衡−不平衡信号変
換器ないし位相変換器等として用いられる積層型バラン
トランスに関する。
ンス、特に、無線通信機器用ＩＣの平衡−不平衡信号変
換器ないし位相変換器等として用いられる積層型バラン
トランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】バラントランスとは、例えば、平衡伝送
線路（バランス伝送線路）の平衡信号及び不平衡伝送線
路（アンバランス伝送線路）の不平衡信号を相互に変換
するためのものであり、バランとはバランス−アンバラ
ンスの略称である。平衡伝送線路は、対をなす２本の信
号線を有し、信号（平衡信号）が２本の信号線間の電位
差として伝搬するものをいう。平衡伝送線路では、外来
ノイズが２本の信号線に等しく影響するため、外来ノイ
ズが相殺されて、外来ノイズの影響を受けにくいという
利点がある。また、アナログＩＣの内部の回路は差動増
幅器で構成されるため、アナログＩＣの信号用の入出力
端子も、信号を二つの端子間の電位差として入力あるい
は出力するバランス型であることが多い。これに対し
て、不平衡伝送線路は、信号（不平衡信号）がグランド
電位（ゼロ電位）に対する一本の信号線の電位として伝
搬するものをいう。例えば、同軸線路や基板上のマイク
ロストリップラインがこれに相当する。
線路（バランス伝送線路）の平衡信号及び不平衡伝送線
路（アンバランス伝送線路）の不平衡信号を相互に変換
するためのものであり、バランとはバランス−アンバラ
ンスの略称である。平衡伝送線路は、対をなす２本の信
号線を有し、信号（平衡信号）が２本の信号線間の電位
差として伝搬するものをいう。平衡伝送線路では、外来
ノイズが２本の信号線に等しく影響するため、外来ノイ
ズが相殺されて、外来ノイズの影響を受けにくいという
利点がある。また、アナログＩＣの内部の回路は差動増
幅器で構成されるため、アナログＩＣの信号用の入出力
端子も、信号を二つの端子間の電位差として入力あるい
は出力するバランス型であることが多い。これに対し
て、不平衡伝送線路は、信号（不平衡信号）がグランド
電位（ゼロ電位）に対する一本の信号線の電位として伝
搬するものをいう。例えば、同軸線路や基板上のマイク
ロストリップラインがこれに相当する。
【０００３】従来、高周波回路における伝送線路の平衡
−不平衡変換器として、図７に示す積層型バラントラン
ス１が提案されている。このバラントランス１は、引出
し電極３を表面に設けた誘電体シート２ｂと、１／４波
長ストリップライン４，５，８，９をそれぞれ設けた誘
電体シート２ｃ，２ｄ，２ｆ，２ｇと、シールド用電極
１２，１３，１４をそれぞれ表面に設けた誘電体シート
２ａ，２ｅ，２ｈ等で構成されている。ストリップライ
ン４と９は中継端子Ｎを介して電気的に直列に接続さ
れ、一つの不平衡伝送線路を構成している。ストリップ
ライン５と８は、それぞれ平衡伝送線路を構成してい
る。そして、ストリップライン５はシート２ｃを挟んで
ストリップライン４に対向するように形成されている。
従って、ストリップライン４と５は電磁結合して結合器
を構成する。ストリップライン９はシート２ｆを挟んで
ストリップライン８に対向するように形成されている。
従って、ストリップライン８と９は電磁結合して結合器
を構成する。なお、図７において、符号１８はビアホー
ルを表示している。
−不平衡変換器として、図７に示す積層型バラントラン
ス１が提案されている。このバラントランス１は、引出
し電極３を表面に設けた誘電体シート２ｂと、１／４波
長ストリップライン４，５，８，９をそれぞれ設けた誘
電体シート２ｃ，２ｄ，２ｆ，２ｇと、シールド用電極
１２，１３，１４をそれぞれ表面に設けた誘電体シート
２ａ，２ｅ，２ｈ等で構成されている。ストリップライ
ン４と９は中継端子Ｎを介して電気的に直列に接続さ
れ、一つの不平衡伝送線路を構成している。ストリップ
ライン５と８は、それぞれ平衡伝送線路を構成してい
る。そして、ストリップライン５はシート２ｃを挟んで
ストリップライン４に対向するように形成されている。
従って、ストリップライン４と５は電磁結合して結合器
を構成する。ストリップライン９はシート２ｆを挟んで
ストリップライン８に対向するように形成されている。
従って、ストリップライン８と９は電磁結合して結合器
を構成する。なお、図７において、符号１８はビアホー
ルを表示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、携帯電話な
どの移動体通信機や無線ＬＡＮに用いられるバラントラ
ンス１に対して、平衡伝送線路のみにバイアスを印加し
て、平衡信号を増幅させることが求められることがあ
る。ところが、従来のバラントランス１は、平衡伝送線
路を構成しているストリップライン５と８のそれぞれの
一端が、シールド用電極１３を介してシールド用端子Ｇ
に電気的に接続しているため、平衡伝送線路のみにバイ
アス電圧を印加することができなかった。従って、従来
のバラントランス１の構造では、平衡信号を増幅させる
ことができないという問題があった。
どの移動体通信機や無線ＬＡＮに用いられるバラントラ
ンス１に対して、平衡伝送線路のみにバイアスを印加し
て、平衡信号を増幅させることが求められることがあ
る。ところが、従来のバラントランス１は、平衡伝送線
路を構成しているストリップライン５と８のそれぞれの
一端が、シールド用電極１３を介してシールド用端子Ｇ
に電気的に接続しているため、平衡伝送線路のみにバイ
アス電圧を印加することができなかった。従って、従来
のバラントランス１の構造では、平衡信号を増幅させる
ことができないという問題があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、伝送線路のみに
バイアス電圧を印加することができる積層型バラントラ
ンスを提供することにある。
バイアス電圧を印加することができる積層型バラントラ
ンスを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段と作用】前記目的を達成す
るため、本発明に係る積層型バラントランスは、（ａ）
一対の平衡伝送線路と、前記一対の平衡伝送線路に電磁
結合する一つの不平衡伝送線路と、前記平衡伝送線路及
び前記不平衡伝送線路の少なくともいずれか一方の伝送
線路に対向しているシールド用電極と、複数の誘電体層
とを少なくとも積み重ねて構成した積層体と、（ｂ）前
記積層体の表面に設けられ、前記平衡伝送線路に電気的
に接続されたグランド用端子と、（ｃ）前記積層体の表
面に設けられ、前記シールド用電極に電気的に接続され
たシールド用端子とを備え、（ｄ）前記グランド用端子
とシールド用端子が電気的に独立していること、を特徴
とする。
るため、本発明に係る積層型バラントランスは、（ａ）
一対の平衡伝送線路と、前記一対の平衡伝送線路に電磁
結合する一つの不平衡伝送線路と、前記平衡伝送線路及
び前記不平衡伝送線路の少なくともいずれか一方の伝送
線路に対向しているシールド用電極と、複数の誘電体層
とを少なくとも積み重ねて構成した積層体と、（ｂ）前
記積層体の表面に設けられ、前記平衡伝送線路に電気的
に接続されたグランド用端子と、（ｃ）前記積層体の表
面に設けられ、前記シールド用電極に電気的に接続され
たシールド用端子とを備え、（ｄ）前記グランド用端子
とシールド用端子が電気的に独立していること、を特徴
とする。
【０００７】以上の構成により、シールド用端子から電
気的に独立したグランド用端子を設けているため、例え
ば、バイアス電圧をグランド用端子のみに印加できる。
気的に独立したグランド用端子を設けているため、例え
ば、バイアス電圧をグランド用端子のみに印加できる。
【０００８】また、本発明に係る積層型バラントランス
は、（ｅ）一対の平衡伝送線路と、（ｆ）前記一対の平
衡伝送線路に電磁結合する一つの不平衡伝送線路と、
（ｇ）前記不平衡伝送線路の一端に電気的に接続された
不平衡信号端子と、（ｈ）前記一対の平衡伝送線路の一
端に電気的にそれぞれ接続された二つの平衡信号端子
と、（ｉ）前記一対の平衡伝送線路のそれぞれの他端に
電気的に接続された一つの共通バイアス端子と、（ｊ）
前記共通バイアス端子とグランドとの間に電気的に接続
されたバイアス用コンデンサと、を備えたことを特徴と
する。
は、（ｅ）一対の平衡伝送線路と、（ｆ）前記一対の平
衡伝送線路に電磁結合する一つの不平衡伝送線路と、
（ｇ）前記不平衡伝送線路の一端に電気的に接続された
不平衡信号端子と、（ｈ）前記一対の平衡伝送線路の一
端に電気的にそれぞれ接続された二つの平衡信号端子
と、（ｉ）前記一対の平衡伝送線路のそれぞれの他端に
電気的に接続された一つの共通バイアス端子と、（ｊ）
前記共通バイアス端子とグランドとの間に電気的に接続
されたバイアス用コンデンサと、を備えたことを特徴と
する。
【０００９】より具体的には、（ｋ）一対の平衡伝送線
路と、前記一対の平衡伝送線路に電磁結合する一つの不
平衡伝送線路と、前記平衡伝送線路及び前記不平衡伝送
線路の少なくともいずれか一方の伝送線路に対向してい
るシールド用電極と、一対のバイアス用コンデンサパタ
ーンと、複数の誘電体層とを少なくとも積み重ねて構成
した積層体と、（ｌ）前記積層体の表面に設けられ、前
記平衡伝送線路及び前記一対のバイアス用コンデンサパ
ターンの一方のコンデンサパターンに電気的に接続され
た共通バイアス端子と、（ｍ）前記積層体の表面に設け
られ、前記シールド用電極及び他方のコンデンサパター
ンに電気的に接続されたシールド用端子とを備え、
（ｎ）前記共通バイアス端子とシールド用端子が電気的
に独立していること、を特徴とする。
路と、前記一対の平衡伝送線路に電磁結合する一つの不
平衡伝送線路と、前記平衡伝送線路及び前記不平衡伝送
線路の少なくともいずれか一方の伝送線路に対向してい
るシールド用電極と、一対のバイアス用コンデンサパタ
ーンと、複数の誘電体層とを少なくとも積み重ねて構成
した積層体と、（ｌ）前記積層体の表面に設けられ、前
記平衡伝送線路及び前記一対のバイアス用コンデンサパ
ターンの一方のコンデンサパターンに電気的に接続され
た共通バイアス端子と、（ｍ）前記積層体の表面に設け
られ、前記シールド用電極及び他方のコンデンサパター
ンに電気的に接続されたシールド用端子とを備え、
（ｎ）前記共通バイアス端子とシールド用端子が電気的
に独立していること、を特徴とする。
【００１０】以上の構成により、共通バイアス端子にバ
イアス電圧を印加すると、バイアス用コンデンサを介し
て平衡伝送線路のみにバイアス電圧が印加され、平衡信
号を安定して増幅させることができる。
イアス電圧を印加すると、バイアス用コンデンサを介し
て平衡伝送線路のみにバイアス電圧が印加され、平衡信
号を安定して増幅させることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型バラン
トランスの実施の形態について添付の図面を参照して説
明する。各実施形態において、同一部品及び同一部分に
は同じ符号を付した。
トランスの実施の形態について添付の図面を参照して説
明する。各実施形態において、同一部品及び同一部分に
は同じ符号を付した。
【００１２】［第１実施形態、図１〜図４］図１に示す
ように、積層型バラントランス２１は、引出し電極２
３，２６，２９をそれぞれ表面に設けた誘電体シート２
２ｂ，２２ｅ，２２ｉと、１／４波長に相当する電気長
を有している線路部２４，２５，２７，２８をそれぞれ
表面に設けた誘電体シート２２ｃ，２２ｄ，２２ｇ，２
２ｈと、シールド用電極３０，３１，３２をそれぞれ表
面に設けた誘電体シート２２ａ，２２ｆ，２２ｊ等で構
成されている。誘電体シート２２ａ〜２２ｊの材料とし
ては、エポキシ等の樹脂あるいはセラミック誘電体等が
用いられる。第１実施形態では、誘電体シート２２ａ〜
２２ｊの材料として、誘電体セラミック粉末を結合剤等
と共に混練した後、シート状にしたものを用いた。各誘
電体シート２２ａ〜２２ｊのシート厚は所定の寸法に設
定されている。
ように、積層型バラントランス２１は、引出し電極２
３，２６，２９をそれぞれ表面に設けた誘電体シート２
２ｂ，２２ｅ，２２ｉと、１／４波長に相当する電気長
を有している線路部２４，２５，２７，２８をそれぞれ
表面に設けた誘電体シート２２ｃ，２２ｄ，２２ｇ，２
２ｈと、シールド用電極３０，３１，３２をそれぞれ表
面に設けた誘電体シート２２ａ，２２ｆ，２２ｊ等で構
成されている。誘電体シート２２ａ〜２２ｊの材料とし
ては、エポキシ等の樹脂あるいはセラミック誘電体等が
用いられる。第１実施形態では、誘電体シート２２ａ〜
２２ｊの材料として、誘電体セラミック粉末を結合剤等
と共に混練した後、シート状にしたものを用いた。各誘
電体シート２２ａ〜２２ｊのシート厚は所定の寸法に設
定されている。
【００１３】引出し電極２３は、一方の端部２３ａがシ
ート２２ｂの手前側の辺の中央に露出し、他方の端部２
３ｂがシート２２ｂの中央部に位置している。線路部２
４は渦巻状の形状をしており、一方の端部２４ａがシー
ト２２ｃの奥側の辺の中央に露出し、他方の端部２４ｂ
がシート２２ｃの中央部に位置している。線路部２４の
端部２４ｂは、シート２２ｂに設けたビアホール３５を
介して、引出し電極２３の端部２３ｂに電気的に接続さ
れる。
ート２２ｂの手前側の辺の中央に露出し、他方の端部２
３ｂがシート２２ｂの中央部に位置している。線路部２
４は渦巻状の形状をしており、一方の端部２４ａがシー
ト２２ｃの奥側の辺の中央に露出し、他方の端部２４ｂ
がシート２２ｃの中央部に位置している。線路部２４の
端部２４ｂは、シート２２ｂに設けたビアホール３５を
介して、引出し電極２３の端部２３ｂに電気的に接続さ
れる。
【００１４】線路部２５は渦巻状の形状をしており、一
方の端部２５ａがシート２２ｄの奥側の辺の左側に露出
し、他方の端部２５ｂがシート２２ｄの中央部に位置し
ている。引出し電極２６は、一方の端部２６ａがシート
２２ｅの手前側の辺の左側に露出し、他方の端部２６ｂ
がシート２２ｅの中央部に位置している。引出し電極２
６の端部２６ｂは、シート２２ｄに設けたビアホール３
５を介して、線路部２５の端部２５ｂに電気的に接続さ
れる。
方の端部２５ａがシート２２ｄの奥側の辺の左側に露出
し、他方の端部２５ｂがシート２２ｄの中央部に位置し
ている。引出し電極２６は、一方の端部２６ａがシート
２２ｅの手前側の辺の左側に露出し、他方の端部２６ｂ
がシート２２ｅの中央部に位置している。引出し電極２
６の端部２６ｂは、シート２２ｄに設けたビアホール３
５を介して、線路部２５の端部２５ｂに電気的に接続さ
れる。
【００１５】線路部２７は渦巻状の形状をしており、一
方の端部２７ａがシート２２ｇの奥側の辺の中央に位置
し、他方の端部２７ｂがシート２２ｇの中央部に位置し
ている。
方の端部２７ａがシート２２ｇの奥側の辺の中央に位置
し、他方の端部２７ｂがシート２２ｇの中央部に位置し
ている。
【００１６】線路部２８は渦巻状の形状をしており、一
方の端部２８ａがシート２２ｈの奥側の辺の右側に露出
し、他方の端部２８ｂがシート２２ｈの中央部に位置し
ている。引出し電極２９は、一方の端部２９ａがシート
２２ｉの手前側の辺の左側に露出し、他方の端部２９ｂ
がシート２２ｉの中央部に位置している。引出し電極２
９の端部２９ｂは、シート２２ｈに設けたビアホール３
５を介して、線路部２８の端部２８ｂに電気的に接続さ
れる。
方の端部２８ａがシート２２ｈの奥側の辺の右側に露出
し、他方の端部２８ｂがシート２２ｈの中央部に位置し
ている。引出し電極２９は、一方の端部２９ａがシート
２２ｉの手前側の辺の左側に露出し、他方の端部２９ｂ
がシート２２ｉの中央部に位置している。引出し電極２
９の端部２９ｂは、シート２２ｈに設けたビアホール３
５を介して、線路部２８の端部２８ｂに電気的に接続さ
れる。
【００１７】シールド用電極３０〜３２は、それぞれシ
ート２２ａ，２２ｆ，２２ｊの略全面に設けられ、その
引出し部３０ａ〜３２ａはシート２２ａ，２２ｆ，２２
ｊの手前側の辺の右側に露出している。これらのシール
ド用電極３０〜３２はバラントランス２１の特性を考慮
して、線路部２４，２５，２７，２８から所定の距離だ
け離れた位置に配置されることが好ましい。引出し電極
２３，２６，２９、線路部２４，２５，２７，２８及び
シールド用電極３０〜３２は、スパッタリング法、蒸着
法、印刷法等の方法により形成され、Ａｇ−Ｐｄ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ｃｕ等の材料からなる。
ート２２ａ，２２ｆ，２２ｊの略全面に設けられ、その
引出し部３０ａ〜３２ａはシート２２ａ，２２ｆ，２２
ｊの手前側の辺の右側に露出している。これらのシール
ド用電極３０〜３２はバラントランス２１の特性を考慮
して、線路部２４，２５，２７，２８から所定の距離だ
け離れた位置に配置されることが好ましい。引出し電極
２３，２６，２９、線路部２４，２５，２７，２８及び
シールド用電極３０〜３２は、スパッタリング法、蒸着
法、印刷法等の方法により形成され、Ａｇ−Ｐｄ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ｃｕ等の材料からなる。
【００１８】各シート２２ａ〜２２ｊは積み重ねられ、
一体的に焼成されることにより、図２に示すように積層
体４０とされる。積層体４０の手前側の側面には、グラ
ンド用端子Ｇ１、不平衡信号端子４１及びシールド用端
子Ｇ２が形成されている。積層体４０の奥側の側面に
は、平衡信号端子４２ａ，４２ｂ及び中継端子４３が形
成されている。端子４１〜４３，Ｇ１，Ｇ２はスパッタ
リング法、蒸着法、塗布法等の方法によって形成され，
Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｕ合金等の材料から
なる。
一体的に焼成されることにより、図２に示すように積層
体４０とされる。積層体４０の手前側の側面には、グラ
ンド用端子Ｇ１、不平衡信号端子４１及びシールド用端
子Ｇ２が形成されている。積層体４０の奥側の側面に
は、平衡信号端子４２ａ，４２ｂ及び中継端子４３が形
成されている。端子４１〜４３，Ｇ１，Ｇ２はスパッタ
リング法、蒸着法、塗布法等の方法によって形成され，
Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｕ合金等の材料から
なる。
【００１９】不平衡信号端子４１は引出し電極２３の端
部２３ａに電気的に接続し、平衡信号端子４２ａは線路
部２５の端部２５ａに電気的に接続し、平衡信号端子４
２ｂは線路部２８の端部２８ａに電気的に接続し、中継
端子４３は線路部２４，２７の端部２４ａ，２７ａに電
気的に接続している。グランド用端子Ｇ１は引出し電極
２６，２９の端部２６ａ，２９ａに電気的に接続し、シ
ールド用端子Ｇ２はシールド用電極３０〜３２の引出し
部３０ａ〜３２ａに電気的に接続している。図３は積層
型バラントランス２１の電気等価回路図である。
部２３ａに電気的に接続し、平衡信号端子４２ａは線路
部２５の端部２５ａに電気的に接続し、平衡信号端子４
２ｂは線路部２８の端部２８ａに電気的に接続し、中継
端子４３は線路部２４，２７の端部２４ａ，２７ａに電
気的に接続している。グランド用端子Ｇ１は引出し電極
２６，２９の端部２６ａ，２９ａに電気的に接続し、シ
ールド用端子Ｇ２はシールド用電極３０〜３２の引出し
部３０ａ〜３２ａに電気的に接続している。図３は積層
型バラントランス２１の電気等価回路図である。
【００２０】以上の構成からなるバラントランス２１に
おいて、線路部２４，２５はシールド用電極３０，３１
の間に配置され、ストリップライン構造をしている。線
路部２７，２８も、シールド用電極３１，３２の間に配
置され、ストリップライン構造をしている。そして、線
路部２４と２７は、中継端子４３を介して直列に接続さ
れ、不平衡伝送線路３８を構成している。線路部２５と
２８は、それぞれ平衡伝送線路３９，３９を構成してい
る。線路部２４と２５並びに線路部２７と２８は、それ
ぞれシート２２ｃ，２２ｇを挟んで対向するように形成
されている。従って、線路部２４の渦巻状パターンと線
路部２５の渦巻状パターンとは平面視で略重なってお
り、対向している部分で電磁結合（ライン結合）して結
合器を構成する。同様に、線路部２７の渦巻状パターン
と線路部２８の渦巻状パターンとは平面視で略重なって
おり、対向している部分で電磁結合（ライン結合）して
結合器を構成する。なお、不平衡伝送線路３８の一端
（具体的には線路部２７の端部２７ａ）は開放端となっ
ているが、接地端としてもよい。
おいて、線路部２４，２５はシールド用電極３０，３１
の間に配置され、ストリップライン構造をしている。線
路部２７，２８も、シールド用電極３１，３２の間に配
置され、ストリップライン構造をしている。そして、線
路部２４と２７は、中継端子４３を介して直列に接続さ
れ、不平衡伝送線路３８を構成している。線路部２５と
２８は、それぞれ平衡伝送線路３９，３９を構成してい
る。線路部２４と２５並びに線路部２７と２８は、それ
ぞれシート２２ｃ，２２ｇを挟んで対向するように形成
されている。従って、線路部２４の渦巻状パターンと線
路部２５の渦巻状パターンとは平面視で略重なってお
り、対向している部分で電磁結合（ライン結合）して結
合器を構成する。同様に、線路部２７の渦巻状パターン
と線路部２８の渦巻状パターンとは平面視で略重なって
おり、対向している部分で電磁結合（ライン結合）して
結合器を構成する。なお、不平衡伝送線路３８の一端
（具体的には線路部２７の端部２７ａ）は開放端となっ
ているが、接地端としてもよい。
【００２１】バラントランス２１の電気特性を調整する
場合、誘電体シート２２ｃ，２２ｇの厚みや線路部２
４，２５，２７，２８のライン幅を変えることにより、
線路部２４と２５の間の電磁結合、あるいは、線路部２
７と２８の間の電磁結合を調整する。
場合、誘電体シート２２ｃ，２２ｇの厚みや線路部２
４，２５，２７，２８のライン幅を変えることにより、
線路部２４と２５の間の電磁結合、あるいは、線路部２
７と２８の間の電磁結合を調整する。
【００２２】また、平衡伝送線路３９，３９に電気的に
接続されたグランド用端子Ｇ１は、シールド用端子Ｇ２
から電気的に独立しているので、グランド端子として使
用するだけでなく、バイアス端子等としても使用するこ
とができる。例えば、携帯電話などの移動体通信機にバ
ラントランス２１を組み込み、従来はグランドに接続し
ていたグランド用端子Ｇ１にバイアス電圧を印加して、
平衡伝送線路３９，３９を伝搬する平衡信号を増幅させ
ることができる。図４は、移動体通信機に組み込まれた
バラントランス２１の要部電気回路図である。バラント
ランス２１はフィルタ回路と低ノイズ増幅器Ａｍｐとの
間に接続されている。フィルタ回路から入力された不平
衡信号Ｓ１はバラントランス２１によって平衡信号Ｓ２
に変換され、この平衡信号Ｓ２は平衡信号端子４２ａ，
４２ｂから低ノイズ増幅器Ａｍｐに出力される。
接続されたグランド用端子Ｇ１は、シールド用端子Ｇ２
から電気的に独立しているので、グランド端子として使
用するだけでなく、バイアス端子等としても使用するこ
とができる。例えば、携帯電話などの移動体通信機にバ
ラントランス２１を組み込み、従来はグランドに接続し
ていたグランド用端子Ｇ１にバイアス電圧を印加して、
平衡伝送線路３９，３９を伝搬する平衡信号を増幅させ
ることができる。図４は、移動体通信機に組み込まれた
バラントランス２１の要部電気回路図である。バラント
ランス２１はフィルタ回路と低ノイズ増幅器Ａｍｐとの
間に接続されている。フィルタ回路から入力された不平
衡信号Ｓ１はバラントランス２１によって平衡信号Ｓ２
に変換され、この平衡信号Ｓ２は平衡信号端子４２ａ，
４２ｂから低ノイズ増幅器Ａｍｐに出力される。
【００２３】ここで、バラントランス２１のグランド用
端子Ｇ１には、バイアス電圧が印加される。これによ
り、バイアス電圧は、平衡伝送線路３９，３９を介して
低ノイズ増幅器Ａｍｐの電源電圧として低ノイズ増幅器
Ａｍｐに印加される。この結果、電気回路が簡素にな
り、移動体通信機の小型化が可能となる。
端子Ｇ１には、バイアス電圧が印加される。これによ
り、バイアス電圧は、平衡伝送線路３９，３９を介して
低ノイズ増幅器Ａｍｐの電源電圧として低ノイズ増幅器
Ａｍｐに印加される。この結果、電気回路が簡素にな
り、移動体通信機の小型化が可能となる。
【００２４】また、バラントランス２１は、上面にシー
ルド用電極３０が形成されているのでシールド効果を有
する。なお、シールド用電極３０が上面に露出している
が、このシールド用電極３０を他の誘電体シートで一体
的に覆うようにしてもよいことは言うまでもない。
ルド用電極３０が形成されているのでシールド効果を有
する。なお、シールド用電極３０が上面に露出している
が、このシールド用電極３０を他の誘電体シートで一体
的に覆うようにしてもよいことは言うまでもない。
【００２５】また、このバラントランス２１を平衡−不
平衡信号変換器として用いた場合を、図３を参照して説
明する。不平衡信号端子４１に不平衡信号Ｓ１が入力さ
れると、不平衡信号Ｓ１は不平衡伝送線路３８（引出し
電極２３−線路部２４−中継端子４３−線路部２７）を
伝搬する。そして、線路部２４においては線路部２５と
電磁結合し、線路部２７においては線路部２８と電磁結
合することによって、不平衡信号Ｓ１は平衡信号Ｓ２に
変換され、この平衡信号Ｓ２は平衡信号端子４２ａ，４
２ｂから出力される。逆に、平衡信号端子４２ａ，４２
ｂに平衡信号Ｓ２が入力されると、平衡信号Ｓ２は平衡
伝送線路３９，３９を伝搬し、不平衡伝送線路３８にて
不平衡信号Ｓ１に変換された後、不平衡信号端子４１か
ら出力される。
平衡信号変換器として用いた場合を、図３を参照して説
明する。不平衡信号端子４１に不平衡信号Ｓ１が入力さ
れると、不平衡信号Ｓ１は不平衡伝送線路３８（引出し
電極２３−線路部２４−中継端子４３−線路部２７）を
伝搬する。そして、線路部２４においては線路部２５と
電磁結合し、線路部２７においては線路部２８と電磁結
合することによって、不平衡信号Ｓ１は平衡信号Ｓ２に
変換され、この平衡信号Ｓ２は平衡信号端子４２ａ，４
２ｂから出力される。逆に、平衡信号端子４２ａ，４２
ｂに平衡信号Ｓ２が入力されると、平衡信号Ｓ２は平衡
伝送線路３９，３９を伝搬し、不平衡伝送線路３８にて
不平衡信号Ｓ１に変換された後、不平衡信号端子４１か
ら出力される。
【００２６】［第２実施形態、図５及び図６］前記第１
実施形態のバラントランス２１は、グランド用端子Ｇ１
をバイアス端子として使用したとき、特性が劣化する場
合がある。そこで、この特性劣化を防止するため、第２
実施形態のバラントランスは、バイアス用コンデンサを
設けている。
実施形態のバラントランス２１は、グランド用端子Ｇ１
をバイアス端子として使用したとき、特性が劣化する場
合がある。そこで、この特性劣化を防止するため、第２
実施形態のバラントランスは、バイアス用コンデンサを
設けている。
【００２７】第２実施形態のバラントランスは、前記第
１実施形態のバラントランス２１において、誘電体シー
ト２２ａと２２ｂの間に、バイアス用コンデンサパター
ンを表面に設けた誘電体シートを挿入したものである。
すなわち、図５に示すように、誘電体シート２２ｋは誘
電体シート２２ａと２２ｂの間に配設され、その表面に
はバイアス用コンデンサパターン３３が形成されてい
る。バイアス用コンデンサパターン３３の引出し部３３
ａはシート２２ｋの手前側の辺の左側に露出している。
そして、このバイアス用コンデンサパターン３３とシー
ルド用コンデンサパターン３０にて、例えば３０ｐＦ程
度のバイアス用コンデンサＣが形成される。つまり、シ
ールド用コンデンサパターン３０は、バイアス用コンデ
ンサパターンとしても機能している。コンデンサパター
ン３０，３３の形状は任意であるが、コンデンサパター
ン３０はシールド効果が要求されるため、広面積に設定
することが好ましい。
１実施形態のバラントランス２１において、誘電体シー
ト２２ａと２２ｂの間に、バイアス用コンデンサパター
ンを表面に設けた誘電体シートを挿入したものである。
すなわち、図５に示すように、誘電体シート２２ｋは誘
電体シート２２ａと２２ｂの間に配設され、その表面に
はバイアス用コンデンサパターン３３が形成されてい
る。バイアス用コンデンサパターン３３の引出し部３３
ａはシート２２ｋの手前側の辺の左側に露出している。
そして、このバイアス用コンデンサパターン３３とシー
ルド用コンデンサパターン３０にて、例えば３０ｐＦ程
度のバイアス用コンデンサＣが形成される。つまり、シ
ールド用コンデンサパターン３０は、バイアス用コンデ
ンサパターンとしても機能している。コンデンサパター
ン３０，３３の形状は任意であるが、コンデンサパター
ン３０はシールド効果が要求されるため、広面積に設定
することが好ましい。
【００２８】各シート２２ａ〜２２ｋは積み重ねられ、
一体的に焼成されることにより、図２に示すような積層
体とされる。積層体の手前側の側面には、共通バイアス
端子Ｇ１、不平衡信号端子４１及びシールド用端子Ｇ２
が形成される。積層体の奥側の側面には、平衡信号端子
４２ａ，４２ｂ及び中継端子４３が形成される。図６は
積層型バラントランス５１の電気等価回路図である。共
通バイアス端子Ｇ１は、バイアス用コンデンサＣを介し
て平衡伝送線路３９，３９のそれぞれの一端に電気的に
接続されている。以上の構成により、バイアス用コンデ
ンサＣを内蔵した積層型バラントランス５１を得ること
ができる。
一体的に焼成されることにより、図２に示すような積層
体とされる。積層体の手前側の側面には、共通バイアス
端子Ｇ１、不平衡信号端子４１及びシールド用端子Ｇ２
が形成される。積層体の奥側の側面には、平衡信号端子
４２ａ，４２ｂ及び中継端子４３が形成される。図６は
積層型バラントランス５１の電気等価回路図である。共
通バイアス端子Ｇ１は、バイアス用コンデンサＣを介し
て平衡伝送線路３９，３９のそれぞれの一端に電気的に
接続されている。以上の構成により、バイアス用コンデ
ンサＣを内蔵した積層型バラントランス５１を得ること
ができる。
【００２９】［他の実施形態］なお、本発明に係る積層
型バラントランスは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
線路部２４，２５，２７，２８の形状は任意であり、渦
巻状の他に、蛇行状、直線状であってもよい。また、線
路部は、必ずしも１／４波長の長さに設定する必要はな
く、ライン幅も全ての線路部が等しい寸法に設定される
必要もない。
型バラントランスは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
線路部２４，２５，２７，２８の形状は任意であり、渦
巻状の他に、蛇行状、直線状であってもよい。また、線
路部は、必ずしも１／４波長の長さに設定する必要はな
く、ライン幅も全ての線路部が等しい寸法に設定される
必要もない。
【００３０】また、線路部は、二つのシールド用電極の
間に配置されたストリップライン構造に限るものではな
く、誘電体基板（裏面にシールド用電極を設けている）
の表面に、線路部が配置された、いわゆるマイクロスト
リップライン構造であってもよい。
間に配置されたストリップライン構造に限るものではな
く、誘電体基板（裏面にシールド用電極を設けている）
の表面に、線路部が配置された、いわゆるマイクロスト
リップライン構造であってもよい。
【００３１】また、前記実施形態の積層型バラントラン
スは、線路部２４，２５からなる結合器と線路部２７，
２８からなる結合器を、誘電体シート２２ａ〜２２ｋを
積み重ねてなる積層体の上下に配置している。しかし、
これら結合器を誘電体シートの左右に配置してもよいこ
とは言うまでもない。
スは、線路部２４，２５からなる結合器と線路部２７，
２８からなる結合器を、誘電体シート２２ａ〜２２ｋを
積み重ねてなる積層体の上下に配置している。しかし、
これら結合器を誘電体シートの左右に配置してもよいこ
とは言うまでもない。
【００３２】さらに、線路部が電磁結合して構成する結
合器は二つに限る必要はなく、三つ以上であってもよ
い。例えば、一対の平衡電送線路と、この一対の平衡電
送線路に電磁結合する二つの不平衡電送線路とからな
る、いわゆるデュアルバラントランスであってもよい。
あるいは、一つの不平衡電送線路と、この不平衡電送線
路に電磁結合する二対の平衡電送線路とからなるバラン
トランスであってもよい。
合器は二つに限る必要はなく、三つ以上であってもよ
い。例えば、一対の平衡電送線路と、この一対の平衡電
送線路に電磁結合する二つの不平衡電送線路とからな
る、いわゆるデュアルバラントランスであってもよい。
あるいは、一つの不平衡電送線路と、この不平衡電送線
路に電磁結合する二対の平衡電送線路とからなるバラン
トランスであってもよい。
【００３３】さらに、平衡伝送線路と不平衡伝送線路の
電磁結合はライン結合に限るものではなく、コイル結合
であってもよい。また、前記実施形態は、平衡伝送線路
３９，３９のみにバイアス電圧が印加されている例につ
いて説明したが、不平衡伝送線路３８の一端（線路部２
７の端部２７ａ）を接地端にした場合には、不平衡伝送
線路３８に電気的に接続するグランド用端子を新たに設
け、該グランド用端子にバイアス電圧を印加してもよ
い。
電磁結合はライン結合に限るものではなく、コイル結合
であってもよい。また、前記実施形態は、平衡伝送線路
３９，３９のみにバイアス電圧が印加されている例につ
いて説明したが、不平衡伝送線路３８の一端（線路部２
７の端部２７ａ）を接地端にした場合には、不平衡伝送
線路３８に電気的に接続するグランド用端子を新たに設
け、該グランド用端子にバイアス電圧を印加してもよ
い。
【００３４】また、前記実施形態は個産品の場合を例に
して説明したが、量産時の場合には複数個分のバラント
ランスを備えたマザー基板を製作し、所望のサイズに切
り出して製品とすることができる。さらに、前記実施形
態は、導体が形成された誘電体シートを積み重ねた後、
一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定さ
れない。シートは予め焼成されたものを用いてもよい。
また、以下に説明する製法によってバラントランスを製
作してもよい。印刷等の手段によりペースト状の誘電体
材料を塗布して誘電体層を形成した後、その誘電体層の
表面にペースト状の導電体材料を塗布して任意の導体を
形成する。次に、ペースト状の誘電体材料を前記導体の
上から塗布する。こうして順に重ね塗りすることによっ
て積層構造を有するバラントランスが得られる。
して説明したが、量産時の場合には複数個分のバラント
ランスを備えたマザー基板を製作し、所望のサイズに切
り出して製品とすることができる。さらに、前記実施形
態は、導体が形成された誘電体シートを積み重ねた後、
一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定さ
れない。シートは予め焼成されたものを用いてもよい。
また、以下に説明する製法によってバラントランスを製
作してもよい。印刷等の手段によりペースト状の誘電体
材料を塗布して誘電体層を形成した後、その誘電体層の
表面にペースト状の導電体材料を塗布して任意の導体を
形成する。次に、ペースト状の誘電体材料を前記導体の
上から塗布する。こうして順に重ね塗りすることによっ
て積層構造を有するバラントランスが得られる。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、シールド用端子から電気的に独立したグランド
用端子を設けているため、例えば、このグランド用端子
をバイアス端子として使用することもできる。つまり、
平衡伝送線路に接続されたグランド用端子のみにバイア
ス電圧を印加すれば、平衡伝送線路を伝搬する平衡信号
を増幅させることができる。また、バイアス用コンデン
サを内蔵することにより、このバイアス用コンデンサを
介してバイアス電圧を印加することができるので、平衡
信号の増幅を安定して行うことができる。
よれば、シールド用端子から電気的に独立したグランド
用端子を設けているため、例えば、このグランド用端子
をバイアス端子として使用することもできる。つまり、
平衡伝送線路に接続されたグランド用端子のみにバイア
ス電圧を印加すれば、平衡伝送線路を伝搬する平衡信号
を増幅させることができる。また、バイアス用コンデン
サを内蔵することにより、このバイアス用コンデンサを
介してバイアス電圧を印加することができるので、平衡
信号の増幅を安定して行うことができる。
【図１】本発明に係る積層型バラントランスの第１実施
形態を示す分解斜視図。
形態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示したバラントランスの外観を示す斜視
図。
図。
【図３】図２に示したバラントランスの電気等価回路
図。
図。
【図４】図２に示したバラントランスの作用効果を説明
するための電気回路図。
するための電気回路図。
【図５】本発明に係る積層型バラントランスの第２実施
形態を示す分解斜視図。
形態を示す分解斜視図。
【図６】図５に示したバラントランスの電気等価回路
図。
図。
【図７】従来の積層型バラントランスを示す分解斜視
図。
図。
２１，５１…積層型バラントランス
２２ａ〜２２ｋ…誘電体シート
２４，２５，２７，２８…線路部
３８…不平衡伝送線路
３９…平衡伝送線路
３０〜３２…シールド用電極
３３…バイアス用コンデンサパターン
４１…不平衡信号端子
４２ａ，４２ｂ…平衡信号端子
Ｇ１…グランド用端子（共通バイアス端子）
Ｇ２…シールド用端子
Ｃ…バイアス用コンデンサ
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の平衡伝送線路と、前記一対の平衡
伝送線路に電磁結合する一つの不平衡伝送線路と、前記
平衡伝送線路及び前記不平衡伝送線路の少なくともいず
れか一方の伝送線路に対向しているシールド用電極と、
複数の誘電体層とを少なくとも積み重ねて構成した積層
体と、 前記積層体の表面に設けられ、前記平衡伝送線路に電気
的に接続されたグランド用端子と、 前記積層体の表面に設けられ、前記シールド用電極に電
気的に接続されたシールド用端子とを備え、 前記グランド用端子とシールド用端子が電気的に独立し
ていること、 を特徴とする積層型バラントランス。 - 【請求項２】 一対の平衡伝送線路と、 前記一対の平衡伝送線路に電磁結合する一つの不平衡伝
送線路と、 前記不平衡伝送線路の一端に電気的に接続された不平衡
信号端子と、 前記一対の平衡伝送線路の一端に電気的にそれぞれ接続
された二つの平衡信号端子と、 前記一対の平衡伝送線路のそれぞれの他端に電気的に接
続された一つの共通バイアス端子と、 前記共通バイアス端子とグランドとの間に電気的に接続
されたバイアス用コンデンサと、 を備えたことを特徴とする積層型バラントランス。 - 【請求項３】 一対の平衡伝送線路と、前記一対の平衡
伝送線路に電磁結合する一つの不平衡伝送線路と、前記
平衡伝送線路及び前記不平衡伝送線路の少なくともいず
れか一方の伝送線路に対向しているシールド用電極と、
一対のバイアス用コンデンサパターンと、複数の誘電体
層とを少なくとも積み重ねて構成した積層体と、 前記積層体の表面に設けられ、前記平衡伝送線路及び前
記一対のバイアス用コンデンサパターンの一方のコンデ
ンサパターンに電気的に接続された共通バイアス端子
と、 前記積層体の表面に設けられ、前記シールド用電極及び
他方のコンデンサパターンに電気的に接続されたシール
ド用端子とを備え、 前記共通バイアス端子とシールド用端子が電気的に独立
していること、 を特徴とする積層型バラントランス。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002100719A JP3780414B2 (ja) | 2001-04-19 | 2002-04-03 | 積層型バラントランス |
| TW091107617A TW544973B (en) | 2001-04-19 | 2002-04-15 | Laminated balun transformer |
| AT02720473T ATE545942T1 (de) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | Laminierter symmetrieübertrager |
| EP02720473A EP1383145B1 (en) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | Laminated balun transformer |
| KR10-2002-7017308A KR100474949B1 (ko) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | 적층형 밸런 트랜스포머 |
| US10/311,752 US6768410B1 (en) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | Laminated balun transformer |
| CNB028012445A CN1270330C (zh) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | 叠层型平衡－不平衡转换器 |
| CN2005101134682A CN1747080B (zh) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | 叠层型平衡-不平衡转换器 |
| PCT/JP2002/003828 WO2002086920A1 (fr) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | Transformateur de symetriseur lamine |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-121718 | 2001-04-19 | ||
| JP2001121718 | 2001-04-19 | ||
| JP2002100719A JP3780414B2 (ja) | 2001-04-19 | 2002-04-03 | 積層型バラントランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007537A true JP2003007537A (ja) | 2003-01-10 |
| JP3780414B2 JP3780414B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=26613880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002100719A Expired - Lifetime JP3780414B2 (ja) | 2001-04-19 | 2002-04-03 | 積層型バラントランス |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6768410B1 (ja) |
| EP (1) | EP1383145B1 (ja) |
| JP (1) | JP3780414B2 (ja) |
| KR (1) | KR100474949B1 (ja) |
| CN (2) | CN1270330C (ja) |
| AT (1) | ATE545942T1 (ja) |
| TW (1) | TW544973B (ja) |
| WO (1) | WO2002086920A1 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004304615A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Tdk Corp | 高周波複合部品 |
| JP2005045447A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Tdk Corp | 積層型バンドパスフィルタ |
| JP2005130376A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Sony Corp | バラン |
| JP2005184245A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 結合装置及び高周波モジュール |
| JP2005348054A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Murata Mfg Co Ltd | 平衡型クロック信号出力回路およびこれを用いた高周波発振器 |
| US7541896B2 (en) | 2006-03-03 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Stacked resonator and filter |
| US7561012B2 (en) | 2005-07-28 | 2009-07-14 | Tdk Corporation | Electronic device and filter |
| JP2009260288A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JP2010050621A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JP2010050610A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JP2010154473A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JP2010154474A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JPWO2013145019A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-08-03 | 株式会社日立製作所 | 絶縁伝送媒体および絶縁伝送装置 |
| CN105356858A (zh) * | 2014-08-19 | 2016-02-24 | 华为技术有限公司 | 一种巴伦及功率放大器 |
| WO2019159774A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社村田製作所 | バランスフィルタ |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3780414B2 (ja) * | 2001-04-19 | 2006-05-31 | 株式会社村田製作所 | 積層型バラントランス |
| EP1412955A1 (en) * | 2001-07-31 | 2004-04-28 | Herman Allison | Electromagnetic interference suppressor |
| KR100476561B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2005-03-17 | 삼성전기주식회사 | 적층형 발룬 트랜스포머 |
| JP3944193B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-07-11 | 太陽誘電株式会社 | バランおよびバランスフィルタおよび無線通信機器 |
| KR100649497B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-11-28 | 삼성전기주식회사 | 불평형-평형 입출력 구조의 ｆｂａｒ필터 |
| KR100568312B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 적층형 발룬 트랜스포머 |
| KR100558458B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-03-10 | 삼성전기주식회사 | 적층형 발룬 트랜스포머 |
| WO2006040869A1 (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フィルタ回路、及びそれを搭載する差動伝送システムと電源装置 |
| EP2023355B1 (en) * | 2006-06-01 | 2016-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Layered type balun transformer |
| JP4028884B1 (ja) * | 2006-11-01 | 2007-12-26 | Ｔｄｋ株式会社 | コイル部品 |
| JP4500840B2 (ja) | 2006-12-08 | 2010-07-14 | 太陽誘電株式会社 | 積層型バラン及び混成集積回路モジュール並びに積層基板 |
| WO2008101122A2 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Quantenna Communications, Inc. | Efficient balun |
| US8106739B2 (en) * | 2007-06-12 | 2012-01-31 | Advanced Magnetic Solutions United | Magnetic induction devices and methods for producing them |
| FR2953650B1 (fr) * | 2009-12-04 | 2012-12-14 | Thales Sa | Trasformateur d'impedance de puissance vhf/uhf planaire compact |
| KR101121645B1 (ko) * | 2010-03-22 | 2012-02-28 | 삼성전기주식회사 | 평면형 트랜스포머 |
| CN103050761A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-17 | 钰铠科技股份有限公司 | 积层式平衡非平衡转换器制程 |
| JP5590070B2 (ja) * | 2012-05-17 | 2014-09-17 | 株式会社村田製作所 | バランスフィルタ |
| KR101792277B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2017-11-20 | 삼성전기주식회사 | 박막형 공통 모드 필터 |
| US8964605B1 (en) | 2013-02-06 | 2015-02-24 | Quantenna Communications, Inc. | Method and apparatus for integrating a transceiver and a half-duplexing split balun |
| TWI530017B (zh) * | 2013-07-31 | 2016-04-11 | Murata Manufacturing Co | Balanced - unbalanced converter |
| KR101686989B1 (ko) | 2014-08-07 | 2016-12-19 | 주식회사 모다이노칩 | 파워 인덕터 |
| KR101681201B1 (ko) * | 2014-09-11 | 2016-12-01 | 주식회사 모다이노칩 | 파워 인덕터 |
| JP6565555B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-08-28 | Tdk株式会社 | 積層コモンモードフィルタ |
| KR101762023B1 (ko) * | 2015-11-19 | 2017-08-04 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 및 그 실장 기판 |
| US10504655B2 (en) * | 2016-12-22 | 2019-12-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composite electronic component and board having the same |
| US11271530B2 (en) | 2018-09-03 | 2022-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line transformer and amplifying circuit |
| US11522503B2 (en) | 2018-09-03 | 2022-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line transformer and amplifying circuit |
| JP2020038957A (ja) * | 2018-09-03 | 2020-03-12 | 株式会社村田製作所 | 伝送線路トランス及び増幅回路 |
| JP7434948B2 (ja) * | 2020-01-31 | 2024-02-21 | Tdk株式会社 | 積層型バラン |
| CN111193483A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-05-22 | 安徽安努奇科技有限公司 | 巴伦电路结构和巴伦器件 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421050B2 (ja) * | 1974-05-25 | 1979-07-27 | ||
| JPS6249212A (ja) | 1985-08-28 | 1987-03-03 | Ono Sokki Co Ltd | 静電容量式変位検出器 |
| JPS6249212U (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-26 | ||
| JP2773617B2 (ja) | 1993-12-17 | 1998-07-09 | 株式会社村田製作所 | バルントランス |
| JPH07254512A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-10-03 | Matsushita Electric Works Ltd | インダクタンス及びトランス |
| JP2840814B2 (ja) | 1995-01-09 | 1998-12-24 | 株式会社村田製作所 | チップ型トランス |
| US5615091A (en) * | 1995-10-11 | 1997-03-25 | Biochem International, Inc. | Isolation transformer for medical equipment |
| US5644272A (en) * | 1996-03-05 | 1997-07-01 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | High frequency balun provided in a multilayer substrate |
| JP2990652B2 (ja) | 1996-03-22 | 1999-12-13 | 株式会社村田製作所 | 積層型バルントランス |
| JP3832165B2 (ja) * | 1997-01-28 | 2006-10-11 | 松下電器産業株式会社 | ポリマｐｔｃサーミスタ |
| JPH11214943A (ja) | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | バルントランス |
| JP4306849B2 (ja) | 1998-12-22 | 2009-08-05 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層形バルントランス |
| JP3780414B2 (ja) * | 2001-04-19 | 2006-05-31 | 株式会社村田製作所 | 積層型バラントランス |
| US6483415B1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-19 | Industrial Technology Research Institute | Multi-layer LC resonance balun |
-
2002
- 2002-04-03 JP JP2002100719A patent/JP3780414B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-15 TW TW091107617A patent/TW544973B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-04-17 EP EP02720473A patent/EP1383145B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-17 WO PCT/JP2002/003828 patent/WO2002086920A1/ja active IP Right Grant
- 2002-04-17 CN CNB028012445A patent/CN1270330C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-17 CN CN2005101134682A patent/CN1747080B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-17 US US10/311,752 patent/US6768410B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-17 AT AT02720473T patent/ATE545942T1/de active
- 2002-04-17 KR KR10-2002-7017308A patent/KR100474949B1/ko active IP Right Grant
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004304615A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Tdk Corp | 高周波複合部品 |
| JP2005045447A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Tdk Corp | 積層型バンドパスフィルタ |
| JP2005130376A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Sony Corp | バラン |
| JP2005184245A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 結合装置及び高周波モジュール |
| JP2005348054A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Murata Mfg Co Ltd | 平衡型クロック信号出力回路およびこれを用いた高周波発振器 |
| US7561012B2 (en) | 2005-07-28 | 2009-07-14 | Tdk Corporation | Electronic device and filter |
| US7541896B2 (en) | 2006-03-03 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Stacked resonator and filter |
| JP2009260288A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JP2010050621A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JP2010050610A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JP2010154473A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JP2010154474A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tdk Corp | 薄膜バラン |
| JPWO2013145019A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-08-03 | 株式会社日立製作所 | 絶縁伝送媒体および絶縁伝送装置 |
| CN105356858A (zh) * | 2014-08-19 | 2016-02-24 | 华为技术有限公司 | 一种巴伦及功率放大器 |
| CN105356858B (zh) * | 2014-08-19 | 2018-05-11 | 华为技术有限公司 | 一种巴伦及功率放大器 |
| WO2019159774A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社村田製作所 | バランスフィルタ |
| US11171622B2 (en) | 2018-02-13 | 2021-11-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Balanced filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1383145B1 (en) | 2012-02-15 |
| KR100474949B1 (ko) | 2005-03-10 |
| EP1383145A4 (en) | 2009-08-19 |
| CN1461488A (zh) | 2003-12-10 |
| WO2002086920A1 (fr) | 2002-10-31 |
| US6768410B1 (en) | 2004-07-27 |
| ATE545942T1 (de) | 2012-03-15 |
| KR20030025247A (ko) | 2003-03-28 |
| CN1747080A (zh) | 2006-03-15 |
| CN1270330C (zh) | 2006-08-16 |
| CN1747080B (zh) | 2010-05-05 |
| TW544973B (en) | 2003-08-01 |
| JP3780414B2 (ja) | 2006-05-31 |
| EP1383145A1 (en) | 2004-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3780414B2 (ja) | 積層型バラントランス | |
| JP3800121B2 (ja) | 積層型バラントランス | |
| JP2990652B2 (ja) | 積層型バルントランス | |
| JP3520411B2 (ja) | 結合線路を用いた高周波部品 | |
| US7468640B2 (en) | Balanced splitter | |
| JP4710174B2 (ja) | バランス型ｌｃフィルタ | |
| JP4034787B2 (ja) | 積層型バルントランス | |
| JPH11214943A (ja) | バルントランス | |
| JP4783996B2 (ja) | 積層型複合バラントランス | |
| JP4586282B2 (ja) | 積層型バラントランス | |
| JP2002217036A (ja) | 高周波複合回路及び高周波複合部品 | |
| JP4423830B2 (ja) | 積層型方向性結合器 | |
| JP3414327B2 (ja) | 積層型バルントランス | |
| JP2002344276A (ja) | 高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品 | |
| JP4360044B2 (ja) | 積層型方向性結合器 | |
| JP4803295B2 (ja) | 積層型方向性結合器 | |
| JP2002343643A (ja) | 積層型バラントランス | |
| JP4360045B2 (ja) | 積層型方向性結合器 | |
| JP2002280864A (ja) | 電力２分配回路及び電力２分配部品 | |
| KR100381545B1 (ko) | 적층형 방향성 결합기 | |
| JP4691853B2 (ja) | 積層型ｌｃ複合部品 | |
| JP2002100910A (ja) | ラットレース形ハイブリッド | |
| JP2003069314A (ja) | 方向性結合器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051228 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060207 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060220 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3780414 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090317 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110317 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110317 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120317 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120317 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130317 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130317 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140317 Year of fee payment: 8 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |