CN103050761A

CN103050761A - 积层式平衡非平衡转换器制程

Info

Publication number: CN103050761A
Application number: CN2011103131557A
Authority: CN
Inventors: 曾斌棋; 刘国风
Original assignee: MAX ECHO Tech CORP
Current assignee: MAX ECHO Tech CORP
Priority date: 2011-10-14
Filing date: 2011-10-14
Publication date: 2013-04-17

Abstract

一种积层式平衡非平衡转换器制程：于一个下基板上制备一个第一下导电层单元，第一下导电层单元具有一个第一下绝缘层及一个第一下导线段，在第一下导电层单元上制备一个第一中导电层单元，第一中导电层单元具有一个第一中绝缘层及一个第一中导线段，第一中导电层单元是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成第一中绝缘层及第一中导线段，制备一个第一上导电层单元、第二下导电层单元、第二中导电层单元、第二上导电层单元、上基板，通过逐层制备制程不需精确对准就能生产制备，降低生产难度及成本。

Description

积层式平衡非平衡转换器制程

技术领域

本发明涉及一种平衡非平衡转换器制程，特别是涉及一种的积层式平衡非平衡转换器制程。

背景技术

在中国台湾成功大学的硕士论文「利用复合材料实现小型化半集总式低温陶瓷共烧平衡非平衡转换器」中提到了一种LTCC(LowTemperature Co-fired Ceramic)制程。此种制程是在陶瓷玻璃内加入其他材料，并于多层叠压后形成一个三度空间的结构体，此种结构体即可作为元件或基板使用。此种制程主要的步骤是先在数陶瓷生胚上进行填孔布线的动作成为陶瓷基板，接着再将所述陶瓷基板予以对准及堆叠，最后进行切割、共烧、后段制程完成成品。然而，此种制程却有着下列的缺点：

在对准及堆叠的过程中，必需要非常精密调整所述陶瓷基板的位置，否则将会导致所述陶瓷基板无法精准彼此导通。由于此种制程要求相当高的精密度，造成了在应用此制程上的困难度，大幅增加了生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种易于制备的积层式平衡非平衡转换器制程。

本发明积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于包含以下步骤：(A)制备一个下基板，(B)于该下基板上制备一个第一下导电层单元，该第一下导电层单元具有一个第一下绝缘层及一个设置于该第一下绝缘层上的第一下导线段，(C)在该第一下导电层单元上制备至少一个第一中导电层单元，该第一中导电层单元具有一个第一中绝缘层，及一个设置于该第一中绝缘层上且与该第一下导线段电连接的第一中导线段，该第一中导电层单元的制造流程是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于该穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成该第一中绝缘层及该第一中导线段，(D)在该第一中导电层单元上制备一个第一上导电层单元，该第一上导电层单元具有一个第一上绝缘层，及一个设置于该第一上绝缘层且与该第一中导线段电连接的第一上导线段，(E)于该第一上导电层单元上制备一个第二下导电层单元，该第二下导电层单元具有一个第二下绝缘层及一个设置于该第二下绝缘层上的第二下导线段，(F)在该第二下导电层单元上制备至少一个第二中导电层单元，该第二中导电层单元具有一个第二中绝缘层，及一个设置于该第二中绝缘层上且与该第二下导线段电连接的第二中导线段，该第二中导电层单元的制造流程是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于该穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成该第二中绝缘层及该第二中导线段，(G)在该第二中导电层单元上制备一个第二上导电层单元，该第二上导电层单元具有一个第二上绝缘层，及一个设置于该第二上绝缘层且与该第二中导线段电连接的第二上导线段，(H)在该第二上导电层单元上制备一个上基板，该下基板、该第一下导电层单元、该第一中导电层单元、该第一上导电层单元、该第二下导电层单元、该第二中导电层单元、该第二上导电层单元、该上基板组成一个待加工的单体，(I)在该单体上烧结四导电端，使所述导电端分别与该单体的第一下导线段、第一上导线段、第二下导线段、第二上导线段电连接。

本发明所述积层式平衡非平衡转换器制程，在该步骤(E)中，该第二下导电层单元位于该第一上导电层单元上。

本发明所述积层式平衡非平衡转换器制程，在该步骤(E)中，该第二下导电层单元位于该第一下导电层单元上，在该步骤(F)中，该第二中导电层单元位于该第一中导电层单元上，在该步骤(G)中，该第二上导电层单元位于该第一上导电层单元上。

本发明所述积层式平衡非平衡转换器制程，交替实施该步骤(C)与步骤(F)，制备多个第一中导电层单元与多个第二中导电层单元，所述第一中导线段还形成于该第二下导电层单元与所述第二中导电层单元，所述第二中导线段还形成于所述第一中导电层单元与该第一上导电层单元。

本发明所述积层式平衡非平衡转换器制程，在该步骤(B)至步骤(G)中，该第一上导电层单元、所述第一中导电层单元、该第一下导电层单元、该第二上导电层单元、所述第二中导电层单元、该第二下导电层单元分别还包括一个铁心部，所述铁心部彼此沿纵方向连接形成块体状。

本发明所述积层式平衡非平衡转换器制程，在该步骤(B)至步骤(G)中，以印刷方式制备该第一上导电层单元、所述第一中导电层单元、该第一下导电层单元、该第二上导电层单元、所述第二中导电层单元、该第二下导电层单元的各导线段。

本发明所述积层式平衡非平衡转换器制程，在该步骤(B)至步骤(G)中，该印刷方式是网版印刷。

本发明所述积层式平衡非平衡转换器制程，在该步骤(I)后，还有一个步骤(J)，在该步骤(J)中，以一个金属对所述导电端进行电镀。

本发明所述积层式平衡非平衡转换器制程，在该步骤(B)至步骤(G)中，该第一下绝缘层、第一中绝缘层、第一上绝缘层、第二下绝缘层、第二中绝缘层及第二上绝缘层是以陶瓷生胚制成，该第一下导线段、第一中导线段、第一上导线段、第二下导线段、第二中导线段、第二上导线段及所述导电端是以银制成，绝缘材料是陶瓷生胚，导电材料是银。

本发明积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于包含以下步骤：(A)制备一个下基板，(B)于该下基板上制备多个第一下导电层单元，所述第一下导电层单元分别具有一个位于下基板上的第一下绝缘层及一个设置于该第一下绝缘层上的第一下导线段，(C)在所述第一下导电层单元上分别制备至少一个第一中导电层单元，所述第一中导电层单元分别具有一个第一中绝缘层，及一个设置于该第一中绝缘层上且与该第一下导线段电连接的第一中导线段，该第一中导电层单元的制造流程是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于该穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成该第一中绝缘层及该第一中导线段，(D)在所述第一中导电层单元上分别制备一个第一上导电层单元，所述第一上导电层单元分别具有一个第一上绝缘层，及一个设置于该第一上绝缘层且与该第一中导线段电连接的第一上导线段，(E)于所述第一上导电层单元上制备多个第二下导电层单元，所述第二下导电层单元分别具有一个第二下绝缘层及一个设置于该第二下绝缘层上的第二下导线段，(F)在所述第二下导电层单元上分别制备至少一个第二中导电层单元，所述第二中导电层单元分别具有一个第二中绝缘层，及一个设置于该第二中绝缘层上且与该第二下导线段电连接的第二中导线段，该第二中导电层单元的制造流程是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于该穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成该第二中绝缘层及该第二中导线段，(G)在所述第二中导电层单元上分别制备一个第二上导电层单元，所述第二上导电层单元分别具有一个第二上绝缘层，及一个设置于该第二上绝缘层且与该第二中导线段电连接的第二上导线段，(H)在所述第二上导电层单元上制备一个上基板，该下基板、所述第一下导电层单元、所述第一中导电层单元、所述第一上导电层单元、所述第二下导电层单元、所述第二中导电层单元、所述第二上导电层单元、该上基板组成一个待加工的本体，(I)将该本体沿纵方向切割成多个单体，(J)在所述单体上分别烧结四导电端，使所述导电端分别与该单体的第一下导线段、第一上导线段、第二下导线段、第二上导线段电连接。

本发明的有益效果在于：通过逐层依序制备，可轻易的对准各层使各层照设计导通，并不需要相当高精密的对准技术，藉此可大幅降低生产成本。

附图说明

图1是本发明积层式平衡非平衡转换器制程的第一较佳实施例的一个流程图；

图2是流程图，说明该第一较佳实施例接续图1的流程；

图3是该第一较佳实施例的一个立体分解图，说明由下至上的制备示意；

图4是本发明积层式平衡非平衡转换器制程的第二较佳实施例的一个立体分解图，说明由下至上的制备示意；

图5是本发明积层式平衡非平衡转换器制程的第三较佳实施例的一个立体分解图，说明由下至上的制备示意；

图6是本发明积层式平衡非平衡转换器制程的第四较佳实施例的一个流程图；

图7是流程图，说明该第四较佳实施例接续图6的流程；

图8是该第四较佳实施例的一个立体分解图，说明将一个本体切割为多个单体。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。

参阅图1、图2与图3，本发明积层式平衡非平衡转换器制程的第一较佳实施例包含以下步骤：

在一个步骤100中，制备一个下基板1。

在一个步骤101中，于该下基板1上以网版印刷方式制备一个第一下导电层单元2，该第一下导电层单元2具有一个第一下绝缘层21，及一个以网版印刷方式制备设置于该第一下绝缘层21上的第一下导线段22。

在一个步骤102中，在该第一下导电层单元2上以网版印刷方式制备至少一个第一中导电层单元3，在本第一较佳实施例中，该第一中导电层单元3的数量为一个，该第一中导电层单元3具有一个第一中绝缘层31，及一个以网版印刷方式制备设置于该第一中绝缘层31上且与该第一下导线段22电连接的第一中导线段32。

该第一中导电层单元3的制造流程是先将绝缘材料300挖开一个穿孔301，接着将导电材料400设置于该穿孔301内，也就是部分对应位于穿孔301上方的导电材料400将于穿孔301形成第一中导线段32，绝缘材料300及导电材料400分别形成该第一中绝缘层31及该第一中导线段32。

在一个步骤103中，在该第一中导电层单元3上以网版印刷方式制备一个第一上导电层单元4，该第一上导电层单元4具有一个第一上绝缘层41，及一个以网版印刷方式制备设置于该第一上绝缘层41且与该第一中导线段32连接的第一上导线段42，其制造方法与第一中导电层单元3的制造方法相同，故不再赘述。

在一个步骤104中，于该第一上导电层单元4上以网版印刷方式制备一个第二下导电层单元5，该第二下导电层单元5具有一个第二下绝缘层51，及一个以网版印刷方式制备设置于该第二下绝缘层51上的第二下导线段52。

在一个步骤105中，在该第二下导电层单元5上以网版印刷方式制备一个第二中导电层单元6，该第二中导电层单元6具有一个第二中绝缘层61，及一个以网版印刷方式制备设置于该第二中绝缘层61上且与该第二下导线段52电连接的第二中导线段62。

该第二中导电层单元6的制造流程是先将绝缘材料300挖开一个穿孔301，接着将导电材料400设置于该穿孔301内，绝缘材料300及导电材料400分别形成该第二中绝缘层61及该第二中导线段62。

在一个步骤106中，在该第二中导电层单元6上以网版印刷方式制备一个第二上导电层单元7，该第二上导电层单元7具有一个第二上绝缘层71，及一个以网版印刷方式制备设置于该第二上绝缘层71且与该第二中导线段62电连接的第二上导线段72，其制造方法与第一中导电层单元3的制造方法相同，故不再赘述。

在一个步骤107中，在该第二上导电层单元7上制备一个上基板8，该下基板1、该第一下导电层单元2、该第一中导电层单元3、该第一上导电层单元4、该第二下导电层单元5、该第二中导电层单元6、该第二上导电层单元7、该上基板8组成一个待加工的单体500。

在一个步骤108中，在该单体500上烧结四个导电端9，使所述导电端9分别与该单体500的第一下导线段22、第一上导线段42、第二下导线段52、第二上导线段72电连接，并以金属对所述导电端9进行电镀。

值得一提的是，该第一下绝缘层21、第一中绝缘层31、第一上绝缘层41、第二下绝缘层51、第二中绝缘层61及第二上绝缘层71是以陶瓷生胚制成，该第一下导线段22、第一中导线段32、第一上导线段42、第二下导线段52、第二中导线段62、第二上导线段72及所述导电端9是以银制成，绝缘材料300是陶瓷生胚，导电材料400是银，更进一步说明的是，该步骤107对该单体500烧结使该单体500结晶化，也就是，使上下堆叠的陶瓷生胚烧结成为一体式玻璃陶瓷。

此外，值得一提的是，该第一下绝缘层21与该下基板1也能够呈一体状。

参阅图4，本发明积层式平衡非平衡转换器制程的第二较佳实施例与该第一较佳实施例构件与组装方式大致相同，不同处在于该第二较佳实施例中，在该步骤104中，该第二下导电层单元5位于该第一下导电层单元2上，在该步骤105中，该第二中导电层单元6位于该第一中导电层单元3上，在该步骤106中，该第二上导电层单元7位于该第一上导电层单元4上，更进一步说明的是，在本第二较佳实施例中，交替实施该步骤102与步骤104，制备多个第一中导电层单元3与多个第二中导电层单元6，所述第一中导线段32还形成于该第二下导电层单元5与所述第二中导电层单元6，所述第二中导线段62还形成于所述第一中导电层单元3与该第一上导电层单元4。

更进一步说明的是，为了使第二中绝缘层单元6的第二中导线段62可与下方另一第二中绝缘层单元6的第二中导线段62电连接，第一中绝缘层32还得另外开设一开孔，并于该开孔中另外填塞导电材料，以制作电连接上下两第二中导线段62的导线。同样，为使第一中绝缘层单元3的第一中导线段32可与下方另一第一中绝缘层单元3的第一中导线段32电连接，第二中绝缘层61也要另外开设一开孔，并于该开孔中另外填塞导电材料，以制作电连接上下两第一中导线段32的导线。

参阅图5，本发明积层式平衡非平衡转换器制程的第三较佳实施例与该第二较佳实施例构件与组装方式大致相同，不同处在于该第三较佳实施例中，在该步骤101至步骤106中，该第一下导电层单元2、所述第一中导电层单元3、该第一上导电层单元4、该第二下导电层单元5、所述第二中导电层单元6、该第二下导电层单元7分别还包括一个铁心部600，所述铁心部600彼此沿纵方向连接形成块体状。

也就是说，该第一下导电层单元2、所述第一中导电层单元3、该第一上导电层单元4、该第二下导电层单元5、所述第二中导电层单元6、该第二下导电层单元7分别还包括该铁心部600，而通过该步骤101至步骤106，所述铁心部600彼此沿纵方向连接形成块体状。

参阅图6、图7与图8，本发明积层式平衡非平衡转换器制程的第四较佳实施例与该第一较佳实施例构件与组装方式大致相同，不同处在于该第四较佳实施例中，自步骤201至步骤207是在一个下基板1上一次同时制备多个分别位于该下基板1上的第一下导电层单元2，再于所述第一下导电层单元2分别依序制备堆叠第一中导电层单元3、第一上导电层单元4、第二下导电层单元5、第二中导电层单元6与第二上导电层单元7，再制备一叠置于所述第二上导电层7上的上基板8，组成待加工的一个本体700，接着，在一个步骤208中，将该本体700切割成多个单体500，并对所述单体500进行烧结使其结晶化。最后，再于步骤209对各单体500分别烧结四个导电端(图未示)。

综上所述，通过逐层制备的方式制作平衡非平衡转换器，可避免如习知技术一般进行高精密度对准作业，不需精确对准就能生产制备，藉此，可大幅减低生产的困难度，节省生产成本，故确实能达成本发明的目的。

Claims

1.一种积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于包含以下步骤：(A)制备一个下基板，(B)于该下基板上制备一个第一下导电层单元，该第一下导电层单元具有一个第一下绝缘层及一个设置于该第一下绝缘层上的第一下导线段，(C)在该第一下导电层单元上制备至少一个第一中导电层单元，该第一中导电层单元具有一个第一中绝缘层，及一个设置于该第一中绝缘层上且与该第一下导线段电连接的第一中导线段，该第一中导电层单元的制造流程是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于该穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成该第一中绝缘层及该第一中导线段，(D)在该第一中导电层单元上制备一个第一上导电层单元，该第一上导电层单元具有一个第一上绝缘层，及一个设置于该第一上绝缘层且与该第一中导线段电连接的第一上导线段，(E)制备一个第二下导电层单元，该第二下导电层单元具有一个第二下绝缘层及一个设置于该第二下绝缘层上的第二下导线段，(F)在该第二下导电层单元上制备至少一个第二中导电层单元，该第二中导电层单元具有一个第二中绝缘层，及一个设置于该第二中绝缘层上且与该第二下导线段电连接的第二中导线段，该第二中导电层单元的制造流程是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于该穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成该第二中绝缘层及该第二中导线段，(G)在该第二中导电层单元上制备一个第二上导电层单元，该第二上导电层单元具有一个第二上绝缘层，及一个设置于该第二上绝缘层且与该第二中导线段电连接的第二上导线段，(H)在该第二上导电层单元上制备一个上基板，该下基板、该第一下导电层单元、该第一中导电层单元、该第一上导电层单元、该第二下导电层单元、该第二中导电层单元、该第二上导电层单元、该上基板组成一个待加工的单体，(I)在该单体上烧结四导电端，使所述导电端分别与该单体的第一下导线段、第一上导线段、第二下导线段、第二上导线段电连接。

2.根据权利要求1所述的积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于：在该步骤(E)中，该第二下导电层单元位于该第一上导电层单元上。

3.根据权利要求1所述的积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于：在该步骤(E)中，该第二下导电层单元位于该第一下导电层单元上，在该步骤(F)中，该第二中导电层单元位于该第一中导电层单元上，在该步骤(G)中，该第二上导电层单元位于该第一上导电层单元上。

4.根据权利要求3所述的积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于：交替实施该步骤(C)与步骤(F)，制备多个第一中导电层单元与多个第二中导电层单元，所述第一中导线段还形成于该第二下导电层单元与所述第二中导电层单元，所述第二中导线段还形成于所述第一中导电层单元与该第一上导电层单元。

5.根据权利要求4所述的积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于：在该步骤(B)至步骤(G)中，该第一上导电层单元、所述第一中导电层单元、该第一下导电层单元、该第二上导电层单元、所述第二中导电层单元、该第二下导电层单元分别还包括一个铁心部，所述铁心部彼此沿纵方向连接形成块体状。

6.根据权利要求1所述的积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于：在该步骤(B)至步骤(G)中，以印刷方式制备该第一上导电层单元、所述第一中导电层单元、该第一下导电层单元、该第二上导电层单元、所述第二中导电层单元、该第二下导电层单元的各导线段。

7.根据权利要求6所述的积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于：在该步骤(B)至步骤(G)中，该印刷方式是网版印刷。

8.根据权利要求1所述的积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于：在该步骤(I)后，还有一个步骤(J)，在该步骤(J)中，以一个金属对所述导电端进行电镀。

9.根据权利要求1所述的积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于：在该步骤(B)至步骤(G)中，该第一下绝缘层、第一中绝缘层、第一上绝缘层、第二下绝缘层、第二中绝缘层及第二上绝缘层是以陶瓷生胚制成，该第一下导线段、第一中导线段、第一上导线段、第二下导线段、第二中导线段、第二上导线段及所述导电端是以银制成，绝缘材料是陶瓷生胚，导电材料是银。

10.一种积层式平衡非平衡转换器制程，其特征在于包含以下步骤：(A)制备一个下基板，(B)于该下基板上制备多个第一下导电层单元，所述第一下导电层单元分别具有一个位于下基板上的第一下绝缘层及一个设置于该第一下绝缘层上的第一下导线段，(C)在所述第一下导电层单元上分别制备至少一个第一中导电层单元，所述第一中导电层单元分别具有一个第一中绝缘层，及一个设置于该第一中绝缘层上且与该第一下导线段电连接的第一中导线段，该第一中导电层单元的制造流程是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于该穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成该第一中绝缘层及该第一中导线段，(D)在所述第一中导电层单元上分别制备一个第一上导电层单元，所述第一上导电层单元分别具有一个第一上绝缘层，及一个设置于该第一上绝缘层且与该第一中导线段电连接的第一上导线段，(E)于所述第一上导电层单元上制备多个第二下导电层单元，所述第二下导电层单元分别具有一个第二下绝缘层及一个设置于该第二下绝缘层上的第二下导线段，(F)在所述第二下导电层单元上分别制备至少一个第二中导电层单元，所述第二中导电层单元分别具有一个第二中绝缘层，及一个设置于该第二中绝缘层上且与该第二下导线段电连接的第二中导线段，该第二中导电层单元的制造流程是先将绝缘材料挖开一个穿孔，接着将导电材料设置于该穿孔内，绝缘材料及导电材料分别形成该第二中绝缘层及该第二中导线段，(G)在所述第二中导电层单元上分别制备一个第二上导电层单元，所述第二上导电层单元分别具有一个第二上绝缘层，及一个设置于该第二上绝缘层且与该第二中导线段电连接的第二上导线段，(H)在所述第二上导电层单元上制备一个上基板，该下基板、所述第一下导电层单元、所述第一中导电层单元、所述第一上导电层单元、所述第二下导电层单元、所述第二中导电层单元、所述第二上导电层单元、该上基板组成一个待加工的本体，(I)将该本体沿纵方向切割成多个单体，(J)在所述单体上分别烧结四导电端，使所述导电端分别与该单体的第一下导线段、第一上导线段、第二下导线段、第二上导线段电连接。