JP2002344276A - 高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品 - Google Patents
高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品Info
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- JP2002344276A JP2002344276A JP2001147126A JP2001147126A JP2002344276A JP 2002344276 A JP2002344276 A JP 2002344276A JP 2001147126 A JP2001147126 A JP 2001147126A JP 2001147126 A JP2001147126 A JP 2001147126A JP 2002344276 A JP2002344276 A JP 2002344276A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 移動体通信機などの電子機器を小型化するこ
とができ、かつ、挿入損失が少ない高周波電力分配・合
成回路および高周波電力分配・合成部品を提供する。 【解決手段】 コンデンサパターン３５ａ，３６ａ，３
７ａはそれぞれ、広面積のグランドパターン４０と４１
の間に配置され、グランドパターン４０，４１と共に接
地用コンデンサ３５，３６，３７を形成する。接地用コ
ンデンサ３５の静電容量Ｃ１は、コンデンサパターン３
５ａとグランドパターン４０，４１との間にそれぞれ形
成された静電容量をＣ１１，Ｃ１２とすると、Ｃ１＝Ｃ
１１＋Ｃ１２の関係を有している。同様に、接地用コン
デンサ３６，３７の静電容量Ｃ２，Ｃ３も、Ｃ２＝Ｃ２
１＋Ｃ２２、Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２の関係を有してい
る。そして、Ｃ１＞Ｃ２、Ｃ２＝Ｃ３の条件を満足して
いる。
とができ、かつ、挿入損失が少ない高周波電力分配・合
成回路および高周波電力分配・合成部品を提供する。 【解決手段】 コンデンサパターン３５ａ，３６ａ，３
７ａはそれぞれ、広面積のグランドパターン４０と４１
の間に配置され、グランドパターン４０，４１と共に接
地用コンデンサ３５，３６，３７を形成する。接地用コ
ンデンサ３５の静電容量Ｃ１は、コンデンサパターン３
５ａとグランドパターン４０，４１との間にそれぞれ形
成された静電容量をＣ１１，Ｃ１２とすると、Ｃ１＝Ｃ
１１＋Ｃ１２の関係を有している。同様に、接地用コン
デンサ３６，３７の静電容量Ｃ２，Ｃ３も、Ｃ２＝Ｃ２
１＋Ｃ２２、Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２の関係を有してい
る。そして、Ｃ１＞Ｃ２、Ｃ２＝Ｃ３の条件を満足して
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波電力分配・
合成回路および高周波電力分配・合成部品に関する。
合成回路および高周波電力分配・合成部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話等の移動体通信機器に使用され
る高周波電力分配・合成部品として、従来より、特開平
７−１０６８９８号公報記載のものが知られている。図
６に示すように、この高周波電力分配・合成部品１は、
コイル用導体パターン３ａ，３ｂおよびコイル用導体パ
ターン４ａ，４ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁体シート
２と、コンデンサパターン１０ａ，１０ｂおよびグラン
ドパターン１２を表面に設けた絶縁体シート２と、コン
デンサパターン７ａ，８ａ，９ａを表面に設けた絶縁体
シート２と、グランドパターン１３を表面に設けた絶縁
体シート２等で構成されている。
る高周波電力分配・合成部品として、従来より、特開平
７−１０６８９８号公報記載のものが知られている。図
６に示すように、この高周波電力分配・合成部品１は、
コイル用導体パターン３ａ，３ｂおよびコイル用導体パ
ターン４ａ，４ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁体シート
２と、コンデンサパターン１０ａ，１０ｂおよびグラン
ドパターン１２を表面に設けた絶縁体シート２と、コン
デンサパターン７ａ，８ａ，９ａを表面に設けた絶縁体
シート２と、グランドパターン１３を表面に設けた絶縁
体シート２等で構成されている。
【０００３】コイル用導体パターン３ａと３ｂは、ビア
ホール２０を介して電気的に直列に接続され、コイル３
を構成している。コイル用導体パターン４ａと４ｂは、
ビアホール２０を介して電気的に直列に接続され、コイ
ル４を構成している。コイル３，４のインダクタンスＬ
１，Ｌ２は等しい値（Ｌ１＝Ｌ２）に設定されている。
ホール２０を介して電気的に直列に接続され、コイル３
を構成している。コイル用導体パターン４ａと４ｂは、
ビアホール２０を介して電気的に直列に接続され、コイ
ル４を構成している。コイル３，４のインダクタンスＬ
１，Ｌ２は等しい値（Ｌ１＝Ｌ２）に設定されている。
【０００４】コンデンサパターン７ａは、グランドパタ
ーン１２と１３の間に配置され、グランドパターン１
２，１３と共に接地用コンデンサ７を形成する。接地用
コンデンサ７の静電容量Ｃ１は、コンデンサパターン７
ａとグランドパターン１２，１３との間にそれぞれ形成
された静電容量をＣ１１，Ｃ１２とすると、Ｃ１＝Ｃ１
１＋Ｃ１２の関係を有している。コンデンサパターン８
ａ，９ａは、それぞれグランドパターン１３と共に接地
用コンデンサ８，９を形成する。接地用コンデンサ８，
９の静電容量Ｃ２，Ｃ３は等しい値（Ｃ２＝Ｃ３）に設
定される。
ーン１２と１３の間に配置され、グランドパターン１
２，１３と共に接地用コンデンサ７を形成する。接地用
コンデンサ７の静電容量Ｃ１は、コンデンサパターン７
ａとグランドパターン１２，１３との間にそれぞれ形成
された静電容量をＣ１１，Ｃ１２とすると、Ｃ１＝Ｃ１
１＋Ｃ１２の関係を有している。コンデンサパターン８
ａ，９ａは、それぞれグランドパターン１３と共に接地
用コンデンサ８，９を形成する。接地用コンデンサ８，
９の静電容量Ｃ２，Ｃ３は等しい値（Ｃ２＝Ｃ３）に設
定される。
【０００５】さらに、コンデンサパターン１０ａ〜１０
ｄは、コンデンサパターン１０ａ，１０ｂとコンデンサ
パターン８ａ，９ａとの間の静電容量Ｃ４１，Ｃ４２、
並びに、コンデンサパターン１０ｃとコンデンサパター
ン１０ｄとの間の静電容量Ｃ４３で、調整用コンデンサ
１０を構成している。すなわち、調整用コンデンサ１０
の静電容量Ｃ４は、Ｃ４＝Ｃ４１＋Ｃ４２＋Ｃ４３の関
係を有している。そして、コンデンサパターン１０ｃを
トリミングすることによって、調整用コンデンサ１０の
静電容量Ｃ４を調整し、出力間のアイソレーション特性
を変える。
ｄは、コンデンサパターン１０ａ，１０ｂとコンデンサ
パターン８ａ，９ａとの間の静電容量Ｃ４１，Ｃ４２、
並びに、コンデンサパターン１０ｃとコンデンサパター
ン１０ｄとの間の静電容量Ｃ４３で、調整用コンデンサ
１０を構成している。すなわち、調整用コンデンサ１０
の静電容量Ｃ４は、Ｃ４＝Ｃ４１＋Ｃ４２＋Ｃ４３の関
係を有している。そして、コンデンサパターン１０ｃを
トリミングすることによって、調整用コンデンサ１０の
静電容量Ｃ４を調整し、出力間のアイソレーション特性
を変える。
【０００６】より具体的には、例えば、使用周波数が
１．６ＧＨｚ帯以上の分配・合成部品１を設計する場
合、Ｌ１＝Ｌ２＝５．９ｎＨ、Ｃ１＝１．９ｐＦ、Ｃ２
＝Ｃ３＝０．４ｐＦ、Ｃ４＝０．６ｐＦ程度となる。つ
まり、Ｃ１：Ｃ２：Ｃ４＝４．７５：１：１．５の容量
比となる。
１．６ＧＨｚ帯以上の分配・合成部品１を設計する場
合、Ｌ１＝Ｌ２＝５．９ｎＨ、Ｃ１＝１．９ｐＦ、Ｃ２
＝Ｃ３＝０．４ｐＦ、Ｃ４＝０．６ｐＦ程度となる。つ
まり、Ｃ１：Ｃ２：Ｃ４＝４．７５：１：１．５の容量
比となる。
【０００７】各シート２は積み重ねられ、一体的に焼成
されることにより、図７に示すように積層体２５とされ
る。積層体２５には６個の外部電極２１〜２３、Ｇ１〜
Ｇ３が形成されている。積層体２５の底面には抵抗Ｒが
印刷され、外部電極２２と２３の間を電気的に接続して
いる。
されることにより、図７に示すように積層体２５とされ
る。積層体２５には６個の外部電極２１〜２３、Ｇ１〜
Ｇ３が形成されている。積層体２５の底面には抵抗Ｒが
印刷され、外部電極２２と２３の間を電気的に接続して
いる。
【０００８】図８に高周波電力分配・合成部品１の電気
等価回路図を示す。この分配・合成部品１は、接地用コ
ンデンサ７，８とコイル３とで構成されたπ型ＬＣ回路
と、接地用コンデンサ７，９とコイル４とで構成された
π型ＬＣ回路と、抵抗Ｒとからなるウイルキンソン型電
力２分配回路を基本回路としている。
等価回路図を示す。この分配・合成部品１は、接地用コ
ンデンサ７，８とコイル３とで構成されたπ型ＬＣ回路
と、接地用コンデンサ７，９とコイル４とで構成された
π型ＬＣ回路と、抵抗Ｒとからなるウイルキンソン型電
力２分配回路を基本回路としている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、携帯
電話等の移動体通信機器の小型化や高性能化の要求が高
くなり、内蔵素子数が少なく、挿入損失が低減された高
周波電力分配・合成部品が望まれてきている。しかし、
従来の分配・合成部品１ではこのような要求を十分満足
させることができなかった。
電話等の移動体通信機器の小型化や高性能化の要求が高
くなり、内蔵素子数が少なく、挿入損失が低減された高
周波電力分配・合成部品が望まれてきている。しかし、
従来の分配・合成部品１ではこのような要求を十分満足
させることができなかった。
【００１０】そこで、本発明の目的は、移動体通信機器
などの電子機器を小型化することができ、かつ、挿入損
失が少ない高周波電力分配・合成回路および高周波電力
分配・合成部品を提供することにある。
などの電子機器を小型化することができ、かつ、挿入損
失が少ない高周波電力分配・合成回路および高周波電力
分配・合成部品を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段と作用】前記目的を達成す
るため、本発明に係る高周波電力分配・合成回路は、
（ａ）共通端子、第１および第２個別端子と、（ｂ）前
記共通端子と前記第１個別端子の間に電気的に接続され
た、第１および第２接地用コンデンサと第１コイルから
なる第１π型ＬＣ回路と、（ｃ）前記共通端子と前記第
２個別端子の間に電気的に接続された、第１および第３
接地用コンデンサと第２コイルからなる第２π型ＬＣ回
路と、（ｄ）前記第１個別端子と前記第２個別端子との
間に電気的に接続された抵抗とを備え、（ｅ）前記第１
および第２π型ＬＣ回路と前記抵抗とでウイルキンソン
型電力２分配・合成回路が構成され、（ｆ）前記第１、
第２および第３接地用コンデンサのそれぞれが、並列接
続された二つの静電容量Ｃ１１，Ｃ１２、Ｃ２１，Ｃ２
２、Ｃ３１，Ｃ３２にて構成され、（ｇ）前記第１、第
２および第３接地用コンデンサのそれぞれの静電容量を
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３とし、前記第１および第２コイルのそ
れぞれのインダクタンスをＬ１，Ｌ２とすると、Ｃ１＝
Ｃ１１＋Ｃ１２、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２、Ｃ３＝Ｃ３１
＋Ｃ３２であり、かつ、Ｃ１＞Ｃ２、Ｃ２＝Ｃ３、Ｌ１
＝Ｌ２を満足していること、を特徴とする。より具体的
には、第１接地用コンデンサの静電容量Ｃ１を、第２接
地用コンデンサの静電容量Ｃ２の１．５倍以上２．５倍
以下に設定する。
るため、本発明に係る高周波電力分配・合成回路は、
（ａ）共通端子、第１および第２個別端子と、（ｂ）前
記共通端子と前記第１個別端子の間に電気的に接続され
た、第１および第２接地用コンデンサと第１コイルから
なる第１π型ＬＣ回路と、（ｃ）前記共通端子と前記第
２個別端子の間に電気的に接続された、第１および第３
接地用コンデンサと第２コイルからなる第２π型ＬＣ回
路と、（ｄ）前記第１個別端子と前記第２個別端子との
間に電気的に接続された抵抗とを備え、（ｅ）前記第１
および第２π型ＬＣ回路と前記抵抗とでウイルキンソン
型電力２分配・合成回路が構成され、（ｆ）前記第１、
第２および第３接地用コンデンサのそれぞれが、並列接
続された二つの静電容量Ｃ１１，Ｃ１２、Ｃ２１，Ｃ２
２、Ｃ３１，Ｃ３２にて構成され、（ｇ）前記第１、第
２および第３接地用コンデンサのそれぞれの静電容量を
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３とし、前記第１および第２コイルのそ
れぞれのインダクタンスをＬ１，Ｌ２とすると、Ｃ１＝
Ｃ１１＋Ｃ１２、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２、Ｃ３＝Ｃ３１
＋Ｃ３２であり、かつ、Ｃ１＞Ｃ２、Ｃ２＝Ｃ３、Ｌ１
＝Ｌ２を満足していること、を特徴とする。より具体的
には、第１接地用コンデンサの静電容量Ｃ１を、第２接
地用コンデンサの静電容量Ｃ２の１．５倍以上２．５倍
以下に設定する。
【００１２】以上の構成により、挿入損失が抑えられる
とともに、反射損失特性の中心周波数とアイソレーショ
ンの中心周波数のずれ量を小さくすることが可能とな
る。
とともに、反射損失特性の中心周波数とアイソレーショ
ンの中心周波数のずれ量を小さくすることが可能とな
る。
【００１３】また、本発明に係る高周波電力分配・合成
部品は、前述の特徴を有する高周波電力分配・合成回路
を、複数の絶縁体層を積み重ねて構成した積層体に内蔵
したことを特徴とする。
部品は、前述の特徴を有する高周波電力分配・合成回路
を、複数の絶縁体層を積み重ねて構成した積層体に内蔵
したことを特徴とする。
【００１４】より具体的には、第１、第２および第３接
地用コンデンサパターンと、第１および第２コイル用導
体パターンと、前記第１、第２および第３接地用コンデ
ンサパターンをそれぞれ絶縁体層を介して間に配置する
少なくとも一対のグランドパターンと、抵抗と、絶縁体
層とを少なくとも積み重ねて構成した積層体を備え、前
記第１コイル用導体パターンが構成する第１コイルのイ
ンダクタンスをＬ１とし、前記第２コイル用導体パター
ンが構成する第２コイルのインダクタンスをＬ２とする
と、条件式Ｌ１＝Ｌ２を満足し、前記第１接地用コンデ
ンサパターンと該第１接地用コンデンサパターンを間に
して両側に配置されている前記一対のグランド電極との
間にそれぞれ形成される静電容量をＣ１１，Ｃ１２と
し、前記第２接地用コンデンサパターンと該第２接地用
コンデンサパターンを間にして両側に配置されている前
記一対のグランドパターンとの間にそれぞれ形成される
静電容量をＣ２１，Ｃ２２とし、前記第３接地用コンデ
ンサパターンと該第３接地用コンデンサパターンを間に
して両側に配置されている前記一対のグランド電極との
間にそれぞれ形成される静電容量をＣ３１，Ｃ３２とす
ると、第１、第２および第３接地用コンデンサのそれぞ
れの静電容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１
２、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２、Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２であ
り、かつ、条件式Ｃ１＞Ｃ２、Ｃ２＝Ｃ３を満足し、前
記積層体の内部には、第１および第２接地用コンデンサ
と第１コイルとで構成された第１π型ＬＣ回路と、第１
および第３接地用コンデンサとで構成された第２π型Ｌ
Ｃ回路と、抵抗とからなるウイルキンソン型の電力２分
配回路を有していること、を特徴とする。
地用コンデンサパターンと、第１および第２コイル用導
体パターンと、前記第１、第２および第３接地用コンデ
ンサパターンをそれぞれ絶縁体層を介して間に配置する
少なくとも一対のグランドパターンと、抵抗と、絶縁体
層とを少なくとも積み重ねて構成した積層体を備え、前
記第１コイル用導体パターンが構成する第１コイルのイ
ンダクタンスをＬ１とし、前記第２コイル用導体パター
ンが構成する第２コイルのインダクタンスをＬ２とする
と、条件式Ｌ１＝Ｌ２を満足し、前記第１接地用コンデ
ンサパターンと該第１接地用コンデンサパターンを間に
して両側に配置されている前記一対のグランド電極との
間にそれぞれ形成される静電容量をＣ１１，Ｃ１２と
し、前記第２接地用コンデンサパターンと該第２接地用
コンデンサパターンを間にして両側に配置されている前
記一対のグランドパターンとの間にそれぞれ形成される
静電容量をＣ２１，Ｃ２２とし、前記第３接地用コンデ
ンサパターンと該第３接地用コンデンサパターンを間に
して両側に配置されている前記一対のグランド電極との
間にそれぞれ形成される静電容量をＣ３１，Ｃ３２とす
ると、第１、第２および第３接地用コンデンサのそれぞ
れの静電容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１
２、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２、Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２であ
り、かつ、条件式Ｃ１＞Ｃ２、Ｃ２＝Ｃ３を満足し、前
記積層体の内部には、第１および第２接地用コンデンサ
と第１コイルとで構成された第１π型ＬＣ回路と、第１
および第３接地用コンデンサとで構成された第２π型Ｌ
Ｃ回路と、抵抗とからなるウイルキンソン型の電力２分
配回路を有していること、を特徴とする。
【００１５】以上の構成により、小型でかつ低背の高周
波電力分配・合成部品が得られる。
波電力分配・合成部品が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波電力分
配・合成回路および高周波電力分配・合成部品の実施の
形態について添付の図面を参照して説明する。各実施形
態において、同一部品および同一部分には同じ符号を付
した。
配・合成回路および高周波電力分配・合成部品の実施の
形態について添付の図面を参照して説明する。各実施形
態において、同一部品および同一部分には同じ符号を付
した。
【００１７】［第１実施形態、図１〜図４］図１に示す
ように、高周波電力分配・合成部品３１は、コイル用導
体パターン３３ａ，３３ｂおよびコイル用導体パターン
３４ａ，３４ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁体シート３
２と、コンデンサパターン３５ａ，３６ａ，３７ａを表
面に設けた絶縁体シート３２と、グランドパターン４
０，４１をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート３２等で
構成されている。絶縁体シート３２は、セラミックの誘
電体粉末や磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したもの
をシート状にしたものである。各絶縁体シート３２のシ
ート厚は所定の寸法に設定されている。
ように、高周波電力分配・合成部品３１は、コイル用導
体パターン３３ａ，３３ｂおよびコイル用導体パターン
３４ａ，３４ｂをそれぞれ表面に設けた絶縁体シート３
２と、コンデンサパターン３５ａ，３６ａ，３７ａを表
面に設けた絶縁体シート３２と、グランドパターン４
０，４１をそれぞれ表面に設けた絶縁体シート３２等で
構成されている。絶縁体シート３２は、セラミックの誘
電体粉末や磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したもの
をシート状にしたものである。各絶縁体シート３２のシ
ート厚は所定の寸法に設定されている。
【００１８】コイル用導体パターン３３ａと３３ｂは、
絶縁体シート３２に設けたビアホール４５を介して電気
的に直列に接続され、コイル３３を構成している。コイ
ル用導体パターン３４ａと３４ｂは、ビアホール４５を
介して電気的に直列に接続され、コイル３４を構成して
いる。コイル３３，３４のインダクタンスＬ１，Ｌ２は
等しい値（Ｌ１＝Ｌ２）に設定されている。
絶縁体シート３２に設けたビアホール４５を介して電気
的に直列に接続され、コイル３３を構成している。コイ
ル用導体パターン３４ａと３４ｂは、ビアホール４５を
介して電気的に直列に接続され、コイル３４を構成して
いる。コイル３３，３４のインダクタンスＬ１，Ｌ２は
等しい値（Ｌ１＝Ｌ２）に設定されている。
【００１９】コンデンサパターン３５ａは、広面積のグ
ランドパターン４０と４１の間に配置され、グランドパ
ターン４０，４１と共に接地用コンデンサ３５を形成す
る。接地用コンデンサ３５の静電容量Ｃ１は、コンデン
サパターン３５ａとグランドパターン４０，４１との間
にそれぞれ形成された静電容量をＣ１１，Ｃ１２とする
と、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１２の関係を有している。コンデ
ンサパターン３６ａは、グランドパターン４０と４１の
間に配置され、グランドパターン４０，４１と共に接地
用コンデンサ３６を形成する。接地用コンデンサ３６の
静電容量Ｃ２は、コンデンサパターン３６ａとグランド
パターン４０，４１との間にそれぞれ形成された静電容
量をＣ２１，Ｃ２２とすると、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２の
関係を有している。コンデンサパターン３７ａは、グラ
ンドパターン４０と４１の間に配置され、グランドパタ
ーン４０，４１と共に接地用コンデンサ３７を形成す
る。接地用コンデンサ３７の静電容量Ｃ３は、コンデン
サパターン３７ａとグランドパターン４０，４１との間
にそれぞれ形成された静電容量をＣ３１，Ｃ３２とする
と、Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２の関係を有している。接地用
コンデンサ３６，３７の静電容量Ｃ２，Ｃ３は等しい値
（Ｃ２＝Ｃ３）に設定されている。
ランドパターン４０と４１の間に配置され、グランドパ
ターン４０，４１と共に接地用コンデンサ３５を形成す
る。接地用コンデンサ３５の静電容量Ｃ１は、コンデン
サパターン３５ａとグランドパターン４０，４１との間
にそれぞれ形成された静電容量をＣ１１，Ｃ１２とする
と、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１２の関係を有している。コンデ
ンサパターン３６ａは、グランドパターン４０と４１の
間に配置され、グランドパターン４０，４１と共に接地
用コンデンサ３６を形成する。接地用コンデンサ３６の
静電容量Ｃ２は、コンデンサパターン３６ａとグランド
パターン４０，４１との間にそれぞれ形成された静電容
量をＣ２１，Ｃ２２とすると、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２の
関係を有している。コンデンサパターン３７ａは、グラ
ンドパターン４０と４１の間に配置され、グランドパタ
ーン４０，４１と共に接地用コンデンサ３７を形成す
る。接地用コンデンサ３７の静電容量Ｃ３は、コンデン
サパターン３７ａとグランドパターン４０，４１との間
にそれぞれ形成された静電容量をＣ３１，Ｃ３２とする
と、Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２の関係を有している。接地用
コンデンサ３６，３７の静電容量Ｃ２，Ｃ３は等しい値
（Ｃ２＝Ｃ３）に設定されている。
【００２０】コイル用導体パターン３３ａ〜３４ｂ、コ
ンデンサパターン３５ａ〜３７ａおよびグランドパター
ン４０，４１は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、
フォトリソグラフィ法等の方法により形成され、Ａｇ−
Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ等の材料からなる。
ンデンサパターン３５ａ〜３７ａおよびグランドパター
ン４０，４１は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、
フォトリソグラフィ法等の方法により形成され、Ａｇ−
Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ等の材料からなる。
【００２１】各シート３２は積み重ねられ、一体的に焼
成されることにより、図２に示すように矩形体状の積層
体５０とされる。積層体５０には６個の外部電極５１〜
５３，Ｇ１〜Ｇ３が形成されている。これらの外部電極
５１〜５３，Ｇ１〜Ｇ３はスパッタリング法、蒸着法、
塗布法、印刷法等の方法によって形成され、Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｕ合金などの材料からなる。
成されることにより、図２に示すように矩形体状の積層
体５０とされる。積層体５０には６個の外部電極５１〜
５３，Ｇ１〜Ｇ３が形成されている。これらの外部電極
５１〜５３，Ｇ１〜Ｇ３はスパッタリング法、蒸着法、
塗布法、印刷法等の方法によって形成され、Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｃｕ合金などの材料からなる。
【００２２】積層体５０の手前側に形成された外部電極
５１は、コイル用導体パターン３３ａ，３４ａおよびコ
ンデンサパターン３５ａに電気的に接続しており、共通
端子として機能する。積層体５０の奥側に形成された外
部電極５２は、コイル用導体パターン３３ｂおよびコン
デンサパターン３６ａに電気的に接続しており、第１個
別端子として機能する。外部電極５３は、コイル用導体
パターン３４ｂおよびコンデンサパターン３７ａに電気
的に接続しており、第２個別端子として機能する。外部
電極Ｇ１〜Ｇ３は、グランドパターン４０，４１に電気
的に接続し、グランド端子として機能する。
５１は、コイル用導体パターン３３ａ，３４ａおよびコ
ンデンサパターン３５ａに電気的に接続しており、共通
端子として機能する。積層体５０の奥側に形成された外
部電極５２は、コイル用導体パターン３３ｂおよびコン
デンサパターン３６ａに電気的に接続しており、第１個
別端子として機能する。外部電極５３は、コイル用導体
パターン３４ｂおよびコンデンサパターン３７ａに電気
的に接続しており、第２個別端子として機能する。外部
電極Ｇ１〜Ｇ３は、グランドパターン４０，４１に電気
的に接続し、グランド端子として機能する。
【００２３】さらに、積層体５０の上面には、第１個別
端子５２と第２個別端子５３の間を電気的に接続する抵
抗Ｒが印刷されている。なお、抵抗Ｒはチップ部品であ
ってもよい。こうして、図３に示すような回路を有した
高周波電力分配・合成部品３１を得ることができる。例
えば、この部品３１の寸法は、長さＬが１．６ｍｍ、幅
Ｗが０．８ｍｍ、高さＴが０．７ｍｍである。本第１実
施形態では、抵抗Ｒを積層体５０が形成された後に印刷
しているが、予め抵抗Ｒを印刷したシート３２を上面に
設けて積み重ねてもよい。
端子５２と第２個別端子５３の間を電気的に接続する抵
抗Ｒが印刷されている。なお、抵抗Ｒはチップ部品であ
ってもよい。こうして、図３に示すような回路を有した
高周波電力分配・合成部品３１を得ることができる。例
えば、この部品３１の寸法は、長さＬが１．６ｍｍ、幅
Ｗが０．８ｍｍ、高さＴが０．７ｍｍである。本第１実
施形態では、抵抗Ｒを積層体５０が形成された後に印刷
しているが、予め抵抗Ｒを印刷したシート３２を上面に
設けて積み重ねてもよい。
【００２４】以上の構成からなる高周波電力分配・合成
部品３１は、共通端子５１と第１個別端子５２との間
に、接地用コンデンサ３５，３６およびコイル３３から
なる第１π型ＬＣ回路が電気的に接続されている。共通
端子５１と第２個別端子５３との間に、接地用コンデン
サ３５，３７およびコイル３４からなる第２π型ＬＣ回
路が電気的に接続されている。そして、この第１および
第２π型ＬＣ回路と抵抗Ｒとでウイルキンソン型電力２
分配・合成回路が構成されている。
部品３１は、共通端子５１と第１個別端子５２との間
に、接地用コンデンサ３５，３６およびコイル３３から
なる第１π型ＬＣ回路が電気的に接続されている。共通
端子５１と第２個別端子５３との間に、接地用コンデン
サ３５，３７およびコイル３４からなる第２π型ＬＣ回
路が電気的に接続されている。そして、この第１および
第２π型ＬＣ回路と抵抗Ｒとでウイルキンソン型電力２
分配・合成回路が構成されている。
【００２５】この電力分配・合成部品３１は、一つの高
周波信号を二つの高周波信号に分配する分配器として使
用したり、あるいは、二つの高周波信号を一つの高周波
信号に合成する合成器として使用できる。そして、電力
分配・合成部品３１は、コイル３３，３４と接地用コン
デンサ３５〜３７との間に広面積のグランドパターン４
０が配置されているので、コイル３３，３４からの輻射
損が低減し、挿入損失を抑えることができる。さらに、
コンデンサパターン３５ａ〜３７ａがグランドパターン
４０，４１に対して積層ずれを起こしても、グランドパ
ターン４０，４１が広面積であるので、静電容量Ｃ１１
〜Ｃ３２の変動が少なく、グランドパターン４０，４１
の電位ずれ（位相ずれ、インピーダンスずれ）を抑える
ことができる。
周波信号を二つの高周波信号に分配する分配器として使
用したり、あるいは、二つの高周波信号を一つの高周波
信号に合成する合成器として使用できる。そして、電力
分配・合成部品３１は、コイル３３，３４と接地用コン
デンサ３５〜３７との間に広面積のグランドパターン４
０が配置されているので、コイル３３，３４からの輻射
損が低減し、挿入損失を抑えることができる。さらに、
コンデンサパターン３５ａ〜３７ａがグランドパターン
４０，４１に対して積層ずれを起こしても、グランドパ
ターン４０，４１が広面積であるので、静電容量Ｃ１１
〜Ｃ３２の変動が少なく、グランドパターン４０，４１
の電位ずれ（位相ずれ、インピーダンスずれ）を抑える
ことができる。
【００２６】また、全てのコンデンサパターン３５ａ〜
３７ａの上下に絶縁体シート３２を介してグランドパタ
ーン４０，４１を積層しているため、積層体５０の内部
に静電容量Ｃ１１〜Ｃ３２が効率良く形成され、電力分
配・合成部品３１を低背化することができる。
３７ａの上下に絶縁体シート３２を介してグランドパタ
ーン４０，４１を積層しているため、積層体５０の内部
に静電容量Ｃ１１〜Ｃ３２が効率良く形成され、電力分
配・合成部品３１を低背化することができる。
【００２７】ところで、本第１実施形態は、コイル３３
と３４が絶縁体シート３２の積み重ね方向に対して垂直
な方向に（横に）並べて配置されている構造を採用して
いる。しかし、このような構造の場合、コイル３３と３
４が電磁結合して、挿入損失特性が劣化したり、反射損
失特性の中心周波数とアイソレーションの中心周波数の
ずれ量が大きくなったり、電力分配・合成部品３１の使
用可能な帯域（例えば、反射損失、あるいは、アイソレ
ーションが２０ｄＢの帯域）が狭くなったりすることが
ある。
と３４が絶縁体シート３２の積み重ね方向に対して垂直
な方向に（横に）並べて配置されている構造を採用して
いる。しかし、このような構造の場合、コイル３３と３
４が電磁結合して、挿入損失特性が劣化したり、反射損
失特性の中心周波数とアイソレーションの中心周波数の
ずれ量が大きくなったり、電力分配・合成部品３１の使
用可能な帯域（例えば、反射損失、あるいは、アイソレ
ーションが２０ｄＢの帯域）が狭くなったりすることが
ある。
【００２８】そこで、接地用コンデンサ３５の静電容量
Ｃ１を、接地用コンデンサ３６，３７の静電容量Ｃ２，
Ｃ３より大きく設定している。より具体的には、接地用
コンデンサ３５の静電容量Ｃ１を、接地用コンデンサ３
６（３７）の静電容量Ｃ２（Ｃ３）の１．５倍以上２．
５倍以下に設定する。このため、本第１実施形態では、
コンデンサパターン３５ａ〜３７ａとグランドパターン
４０とのそれぞれの間隔を等距離とし、コンデンサパタ
ーン３５ａ〜３７ａとグランドパターン４１とのそれぞ
れの間隔を等距離とし、かつ、コンデンサパターン３５
ａの面積をコンデンサパターン３６ａ（３７ａ）の面積
の１．５倍以上２．５倍以下に設定している。これによ
り、挿入損失特性の劣化や、反射損失特性の中心周波数
とアイソレーションの中心周波数のずれ量を小さくする
ことができる。
Ｃ１を、接地用コンデンサ３６，３７の静電容量Ｃ２，
Ｃ３より大きく設定している。より具体的には、接地用
コンデンサ３５の静電容量Ｃ１を、接地用コンデンサ３
６（３７）の静電容量Ｃ２（Ｃ３）の１．５倍以上２．
５倍以下に設定する。このため、本第１実施形態では、
コンデンサパターン３５ａ〜３７ａとグランドパターン
４０とのそれぞれの間隔を等距離とし、コンデンサパタ
ーン３５ａ〜３７ａとグランドパターン４１とのそれぞ
れの間隔を等距離とし、かつ、コンデンサパターン３５
ａの面積をコンデンサパターン３６ａ（３７ａ）の面積
の１．５倍以上２．５倍以下に設定している。これによ
り、挿入損失特性の劣化や、反射損失特性の中心周波数
とアイソレーションの中心周波数のずれ量を小さくする
ことができる。
【００２９】図４は、電力分配・合成部品３１の反射損
失特性とアイソレーション特性を示すグラフである。図
４において、実線５５は、反射損失特性を示し、実線５
６はアイソレーション特性を示す。図４（ａ）はＣ１＝
２．０×Ｃ２の場合、図４（ｂ）はＣ１＝１．９×Ｃ２
の場合である。図４（ｂ）の方が中心周波数のずれ量が
より小さくなっている。Ｃ１とＣ２（Ｃ３）の関係はＣ
１がＣ２（Ｃ３）の１．５倍以上２．５倍以下に設定し
ているが、より好ましくは１．５倍以上２．０倍以下で
ある。
失特性とアイソレーション特性を示すグラフである。図
４において、実線５５は、反射損失特性を示し、実線５
６はアイソレーション特性を示す。図４（ａ）はＣ１＝
２．０×Ｃ２の場合、図４（ｂ）はＣ１＝１．９×Ｃ２
の場合である。図４（ｂ）の方が中心周波数のずれ量が
より小さくなっている。Ｃ１とＣ２（Ｃ３）の関係はＣ
１がＣ２（Ｃ３）の１．５倍以上２．５倍以下に設定し
ているが、より好ましくは１．５倍以上２．０倍以下で
ある。
【００３０】［第２実施形態、図５］図５に示すよう
に、第２実施形態の高周波電力分配・合成部品６１は、
コンデンサパターン３５ａとコンデンサパターン３６
ａ，３７ａとを異なる絶縁体シート３２に設けたもので
ある。
に、第２実施形態の高周波電力分配・合成部品６１は、
コンデンサパターン３５ａとコンデンサパターン３６
ａ，３７ａとを異なる絶縁体シート３２に設けたもので
ある。
【００３１】コンデンサパターン３５ａは、広面積のグ
ランドパターン４０と４１の間に配置され、グランドパ
ターン４０，４１と共に接地用コンデンサ３５を形成す
る。接地用コンデンサ３５の静電容量Ｃ１は、コンデン
サパターン３５ａとグランドパターン４０，４１との間
にそれぞれ形成された静電容量をＣ１１，Ｃ１２とする
と、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１２の関係を有している。コンデ
ンサパターン３６ａは、グランドパターン４１と４２の
間に配置され、グランドパターン４１，４２と共に接地
用コンデンサ３６を形成する。接地用コンデンサ３６の
静電容量Ｃ２は、コンデンサパターン３６ａとグランド
パターン４１，４２との間にそれぞれ形成された静電容
量をＣ２１，Ｃ２２とすると、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２の
関係を有している。コンデンサパターン３７ａは、グラ
ンドパターン４１と４２の間に配置され、グランドパタ
ーン４１，４２と共に接地用コンデンサ３７を形成す
る。接地用コンデンサ３７の静電容量Ｃ３は、コンデン
サパターン３７ａとグランドパターン４１，４２との間
にそれぞれ形成された静電容量をＣ３１，Ｃ３２とする
と、Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２の関係を有している。
ランドパターン４０と４１の間に配置され、グランドパ
ターン４０，４１と共に接地用コンデンサ３５を形成す
る。接地用コンデンサ３５の静電容量Ｃ１は、コンデン
サパターン３５ａとグランドパターン４０，４１との間
にそれぞれ形成された静電容量をＣ１１，Ｃ１２とする
と、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１２の関係を有している。コンデ
ンサパターン３６ａは、グランドパターン４１と４２の
間に配置され、グランドパターン４１，４２と共に接地
用コンデンサ３６を形成する。接地用コンデンサ３６の
静電容量Ｃ２は、コンデンサパターン３６ａとグランド
パターン４１，４２との間にそれぞれ形成された静電容
量をＣ２１，Ｃ２２とすると、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２の
関係を有している。コンデンサパターン３７ａは、グラ
ンドパターン４１と４２の間に配置され、グランドパタ
ーン４１，４２と共に接地用コンデンサ３７を形成す
る。接地用コンデンサ３７の静電容量Ｃ３は、コンデン
サパターン３７ａとグランドパターン４１，４２との間
にそれぞれ形成された静電容量をＣ３１，Ｃ３２とする
と、Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２の関係を有している。
【００３２】以上の構成からなる電力分配・合成部品６
１は、前記第１実施形態の電力分配・合成部品３１と同
様の作用効果を奏する。
１は、前記第１実施形態の電力分配・合成部品３１と同
様の作用効果を奏する。
【００３３】［他の実施形態］なお、本発明に係る高周
波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品
は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範
囲内で種々に変更することができる。例えば、コイル用
導体パターンの形状は任意であり、渦巻状の他に、蛇行
状、直線状であってもよい。
波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品
は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範
囲内で種々に変更することができる。例えば、コイル用
導体パターンの形状は任意であり、渦巻状の他に、蛇行
状、直線状であってもよい。
【００３４】また、前記実施形態は個産品の場合を例に
して説明したが、量産時の場合には複数個分の高周波電
力分配・合成部品を備えたマザー基板を製作し、所望の
サイズに切り出して製品とすることができる。さらに、
前記実施形態は、導体が形成された誘電体シートを積み
重ねた後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこ
れに限定されない。シートは予め焼成されたものを用い
てもよい。また、以下に説明する製法によって高周波電
力分配・合成部品を製作してもよい。印刷等の手段によ
りペースト状の誘電体材料を塗布して誘電体層を形成し
た後、その誘電体層の表面にペースト状の導電体材料を
塗布して任意の導体を形成する。次に、ペースト状の誘
電体材料を前記導体の上から塗布する。こうして順に重
ね塗りすることによって積層構造を有する高周波電力分
配・合成部品が得られる。
して説明したが、量産時の場合には複数個分の高周波電
力分配・合成部品を備えたマザー基板を製作し、所望の
サイズに切り出して製品とすることができる。さらに、
前記実施形態は、導体が形成された誘電体シートを積み
重ねた後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこ
れに限定されない。シートは予め焼成されたものを用い
てもよい。また、以下に説明する製法によって高周波電
力分配・合成部品を製作してもよい。印刷等の手段によ
りペースト状の誘電体材料を塗布して誘電体層を形成し
た後、その誘電体層の表面にペースト状の導電体材料を
塗布して任意の導体を形成する。次に、ペースト状の誘
電体材料を前記導体の上から塗布する。こうして順に重
ね塗りすることによって積層構造を有する高周波電力分
配・合成部品が得られる。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、移動体通信機などの電子機器を小型化すること
ができ、かつ、挿入損失が少ない高周波電力分配・合成
回路および高周波電力分配・合成部品を得ることができ
る。
よれば、移動体通信機などの電子機器を小型化すること
ができ、かつ、挿入損失が少ない高周波電力分配・合成
回路および高周波電力分配・合成部品を得ることができ
る。
【００３６】また、第１接地用コンデンサの静電容量
を、第２又は第３接地用コンデンサの静電容量の１．５
倍以上２．５倍以下に設定することで、インピーダンス
が最適化され、挿入損失が抑えられ、反射損失特性の中
心周波数とアイソレーションの中心周波数のずれ量を小
さくできる。従って、電力分配・合成部品として使用で
きる帯域幅が広がり、より一層高性能、高品質化が可能
になる。
を、第２又は第３接地用コンデンサの静電容量の１．５
倍以上２．５倍以下に設定することで、インピーダンス
が最適化され、挿入損失が抑えられ、反射損失特性の中
心周波数とアイソレーションの中心周波数のずれ量を小
さくできる。従って、電力分配・合成部品として使用で
きる帯域幅が広がり、より一層高性能、高品質化が可能
になる。
【００３７】さらに、コンデンサパターンを絶縁体層を
介してグランドパターンにて挟むことにより、コイルか
らの輻射損が低減し、挿入損失を抑えることができる。
さらに、コンデンサパターンがグランドパターンに対し
て積層ずれを起こしても、グランドパターンが広面積で
あるので、静電容量の変動が少なく、グランドパターン
の電位ずれ（位相ずれ、インピーダンスずれ）を抑える
ことができる。
介してグランドパターンにて挟むことにより、コイルか
らの輻射損が低減し、挿入損失を抑えることができる。
さらに、コンデンサパターンがグランドパターンに対し
て積層ずれを起こしても、グランドパターンが広面積で
あるので、静電容量の変動が少なく、グランドパターン
の電位ずれ（位相ずれ、インピーダンスずれ）を抑える
ことができる。
【００３８】また、全てのコンデンサパターンの上下に
絶縁体シートを介してグランドパターンを積層している
ため、積層体の内部に静電容量が効率良く形成され、電
力分配・合成部品を低背化することができる。
絶縁体シートを介してグランドパターンを積層している
ため、積層体の内部に静電容量が効率良く形成され、電
力分配・合成部品を低背化することができる。
【図１】本発明に係る高周波電力分配・合成部品の第１
実施形態を示す分解斜視図。
実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示されている高周波電力分配・合成部品
の外観を示す斜視図。
の外観を示す斜視図。
【図３】図１に示されている高周波電力分配・合成部品
の電気等価回路図。
の電気等価回路図。
【図４】図１に示されている高周波電力分配・合成部品
の反射損失特性とアイソレーション特性を示すグラフ。
の反射損失特性とアイソレーション特性を示すグラフ。
【図５】本発明に係る高周波電力分配・合成部品の第２
実施形態を示す分解斜視図。
実施形態を示す分解斜視図。
【図６】従来の高周波電力分配・合成部品を示す分解斜
視図。
視図。
【図７】図６に示されている高周波電力分配・合成部品
の外観を示す斜視図。
の外観を示す斜視図。
【図８】図６に示されている高周波電力分配・合成部品
の電気等価回路図。
の電気等価回路図。
３１，６１…高周波電力分配・合成部品 ３２…絶縁体シート ３３，３４…コイル ３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ…コイル用導体パター
ン ３５，３６，３７…接地用コンデンサ ３５ａ，３６ａ，３７ａ…コンデンサパターン ４０，４１，４２…グランドパターン ５１…共通端子 ５２，５３…個別端子 Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…静電容量 Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ３１，Ｃ３２…静
電容量 Ｌ１，Ｌ２…インダクタンス Ｒ…抵抗
ン ３５，３６，３７…接地用コンデンサ ３５ａ，３６ａ，３７ａ…コンデンサパターン ４０，４１，４２…グランドパターン ５１…共通端子 ５２，５３…個別端子 Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…静電容量 Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２，Ｃ３１，Ｃ３２…静
電容量 Ｌ１，Ｌ２…インダクタンス Ｒ…抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】 共通端子、第１および第２個別端子と、 前記共通端子と前記第１個別端子の間に電気的に接続さ
れた、第１および第２接地用コンデンサと第１コイルか
らなる第１π型ＬＣ回路と、 前記共通端子と前記第２個別端子の間に電気的に接続さ
れた、第１および第３接地用コンデンサと第２コイルか
らなる第２π型ＬＣ回路と、 前記第１個別端子と前記第２個別端子との間に電気的に
接続された抵抗とを備え、 前記第１および第２π型ＬＣ回路と前記抵抗とでウイル
キンソン型電力２分配・合成回路が構成され、 前記第１、第２および第３接地用コンデンサのそれぞれ
が、並列接続された二つの静電容量Ｃ１１，Ｃ１２、Ｃ
２１，Ｃ２２、Ｃ３１，Ｃ３２にて構成され、 前記第１、第２および第３接地用コンデンサのそれぞれ
の静電容量をＣ１，Ｃ２，Ｃ３とし、前記第１および第
２コイルのそれぞれのインダクタンスをＬ１，Ｌ２とす
ると、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１２、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２、
Ｃ３＝Ｃ３１＋Ｃ３２であり、かつ、Ｃ１＞Ｃ２、Ｃ２
＝Ｃ３、Ｌ１＝Ｌ２を満足していること、 を特徴とする高周波電力分配・合成回路。 - 【請求項２】 前記第１接地用コンデンサの静電容量Ｃ
１が、前記第２接地用コンデンサの静電容量Ｃ２の１．
５倍以上２．５倍以下であることを特徴とする請求項１
に記載の高周波電力分配・合成回路。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２のいずれかに記載
の高周波電力分配・合成回路を、複数の絶縁体層を積み
重ねて構成した積層体に内蔵したことを特徴とする高周
波電力分配・合成部品。 - 【請求項４】 第１、第２および第３接地用コンデンサ
パターンと、第１および第２コイル用導体パターンと、
前記第１、第２および第３接地用コンデンサパターンを
それぞれ絶縁体層を介して間に配置する少なくとも一対
のグランドパターンと、抵抗と、絶縁体層とを少なくと
も積み重ねて構成した積層体を備え、 前記第１コイル用導体パターンが構成する第１コイルの
インダクタンスをＬ１とし、前記第２コイル用導体パタ
ーンが構成する第２コイルのインダクタンスをＬ２とす
ると、条件式Ｌ１＝Ｌ２を満足し、 前記第１接地用コンデンサパターンと該第１接地用コン
デンサパターンを間にして両側に配置されている前記一
対のグランド電極との間にそれぞれ形成される静電容量
をＣ１１，Ｃ１２とし、前記第２接地用コンデンサパタ
ーンと該第２接地用コンデンサパターンを間にして両側
に配置されている前記一対のグランドパターンとの間に
それぞれ形成される静電容量をＣ２１，Ｃ２２とし、前
記第３接地用コンデンサパターンと該第３接地用コンデ
ンサパターンを間にして両側に配置されている前記一対
のグランド電極との間にそれぞれ形成される静電容量を
Ｃ３１，Ｃ３２とすると、第１、第２および第３接地用
コンデンサのそれぞれの静電容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が、
Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１２、Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２、Ｃ３＝
Ｃ３１＋Ｃ３２であり、かつ、条件式Ｃ１＞Ｃ２、Ｃ２
＝Ｃ３を満足し、 前記積層体の内部には、第１および第２接地用コンデン
サと第１コイルとで構成された第１π型ＬＣ回路と、第
１および第３接地用コンデンサとで構成された第２π型
ＬＣ回路と、抵抗とからなるウイルキンソン型の電力２
分配回路を有していること、 を特徴とする高周波電力分配・合成部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147126A JP2002344276A (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147126A JP2002344276A (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002344276A true JP2002344276A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18992656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001147126A Pending JP2002344276A (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002344276A (ja) |
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| JP2008252215A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Soshin Electric Co Ltd | ドハティ増幅器用合成器 |
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-
2001
- 2001-05-16 JP JP2001147126A patent/JP2002344276A/ja active Pending
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