WO2019159774A1 - バランスフィルタ - Google Patents

Abstract

通過帯域におけるコモンモード信号を減衰させる。バランスフィルタ（１）は、不平衡端子（Ｔ１）と、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と、第１平衡端子（Ｔ２１）と、第２平衡端子（Ｔ２２）と、平衡側インダクタ（Ｌ３）と、電源ライン（４）と、整合回路（５）と、を備える。不平衡側インダクタ（Ｌ２）は、不平衡端子（Ｔ１）とグランドとの間に挿入されている。平衡側インダクタ（Ｌ３）は、第１平衡端子（Ｔ２１）と第２平衡端子（Ｔ２２）との間に挿入されており、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と電磁界結合する。電源ライン（４）は、第１端（４１）が平衡側インダクタ（Ｌ３）の中央部（Ｍ１）に接続されており、第２端（４２）が直流電源（７）に接続される。整合回路（５）は、第１平衡端子（Ｔ２１）と電源ライン（４）の第２端（４２）との間の第１インピーダンスと、第２平衡端子（Ｔ２２）と電源ライン（４）の第２端（４２）との間の第２インピーダンスとを整合させる。

Description

バランスフィルタ

　本発明は、一般にバランスフィルタに関し、より詳細には、１つの不平衡端子と２つの平衡端子とを備えるバランスフィルタに関する。

　従来、１つの不平衡端子と、第１端子及び第２端子を備えた平衡端子と、不平衡側インダクタと、平衡側インダクタと、を備えたバランスフィルタが知られている（例えば、特許文献１参照）。

　不平衡側インダクタは、不平衡端子に電気的に接続されている。平衡側インダクタは、平衡端子の第１端子と第２端子との間に接続されている。平衡側インダクタの中間部分には、ＤＣフィード端子が接続されている。

国際公開第２０１７／０６８８９８号

　特許文献１に記載のバランスフィルタでは、ＤＣフィード端子を設けた場合、それぞれの平衡端子からの、平衡側インダクタにおけるＤＣフィード端子の接続点までのインダクタンス値が異なっていることがあり、平衡端子の第１端子とグランドとの間のインピーダンスと、平衡端子の第２端子とグランドとの間のインピーダンスとが整合しないことがある。その結果、通過帯域においてノイズとなる、コモンモード信号を十分に減衰させることができず、所望の入出力特性を得られないことがある、という問題があった。

　本発明の目的は、通過帯域におけるコモンモード信号を減衰させることができるバランスフィルタを提供することにある。

　本発明の一態様に係るバランスフィルタは、不平衡端子と、不平衡側インダクタと、第１平衡端子と、第２平衡端子と、平衡側インダクタと、電源ラインと、整合回路と、を備える。前記不平衡側インダクタは、前記不平衡端子とグランドとの間に挿入されている。前記平衡側インダクタは、前記第１平衡端子と前記第２平衡端子との間に挿入されており、前記不平衡側インダクタと電磁界結合する。前記電源ラインは、第１端が前記平衡側インダクタの中央部に接続されており、第２端が直流電源に接続される。前記整合回路は、前記第１平衡端子と前記電源ラインの前記第２端との間の第１インピーダンスと、前記第２平衡端子と前記電源ラインの前記第２端との間の第２インピーダンスとを整合させる。

　本発明によれば、通過帯域においてノイズとなる、コモンモード信号を減衰させることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係るバランスフィルタの回路図である。 図２は、本発明の一実施形態の第１例に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。 図３は、本発明の一実施形態の第２例に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。 図４Ａは、本発明の一実施形態の第１例に係るバランスフィルタの平衡端子側のスミスチャートである。図４Ｂは、同上のバランスフィルタの不平衡端子と平衡端子との間の周波数特性図である。 図５Ａは、本発明の一実施形態の第２例に係るバランスフィルタの平衡端子側のスミスチャートである。図５Ｂは、同上のバランスフィルタの不平衡端子と平衡端子との間の周波数特性図である。 図６Ａは、本発明の一実施形態の変形例１に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。図６Ｂは、本発明の一実施形態の変形例２に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。図６Ｃは、本発明の一実施形態の変形例３に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。図６Ｄは、本発明の一実施形態の変形例４に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。 図７Ａは、本発明の一実施形態の変形例５に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。図７Ｂは、本発明の一実施形態の変形例６に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。図７Ｃは、本発明の一実施形態の変形例７に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。図７Ｄは、本発明の一実施形態の変形例８に係るバランスフィルタの積層構造における要部の分解斜視図である。

　以下、実施形態に係るバランスフィルタについて、図面を参照して説明する。

　以下の実施形態等において参照する図２、図３、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ及び図７Ｄは、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態）
　（１）バランスフィルタの全体構成
　まず、実施形態に係るバランスフィルタ１の全体構成について、図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係るバランスフィルタ１の回路図である。

　実施形態に係るバランスフィルタ１は、例えば、スマートフォン等の通信機器において、アンテナが接続されるディバイダ（不平衡回路）とＲＦ（Radio Frequency）回路（平衡回路）との間に設けられている平衡－不平衡変換回路である。バランスフィルタ１は、ディバイダからの不平衡信号とＲＦ回路からの平衡信号との間で信号の変換を行う。バランスフィルタ１は、ここでは、ＲＦ回路からの平衡信号を不平衡信号に変換し、この不平衡信号をディバイダに出力する。

　実施形態に係るバランスフィルタ１は、図１に示すように、不平衡端子Ｔ１と、不平衡側インダクタＬ２と、第１平衡端子Ｔ２１と、第２平衡端子Ｔ２２と、平衡側インダクタＬ３と、電源ライン４と、整合回路５と、を備えている。

　不平衡側インダクタＬ２は、不平衡端子Ｔ１とグランドとの間に挿入されている。平衡側インダクタＬ３は、第１平衡端子Ｔ２１と第２平衡端子Ｔ２２との間に挿入されており、不平衡側インダクタＬ２と電磁界結合する。平衡側インダクタＬ３は、ここでは、３つの第１インダクタＬ３１、第２インダクタＬ３２及び第３インダクタＬ３３で構成されている。不平衡側インダクタＬ２は、主に、第２インダクタＬ３２と電磁界結合する。

　電源ライン４は、第１端４１が平衡側インダクタＬ３の中央部Ｍ１に電気的に接続されており、第２端４２が直流電源７に電気的に接続される。なお、本明細書等において「平衡側インダクタの中央部」とは、平衡側インダクタのうち不平衡側インダクタと電磁界結合しているインダクタのことを指す。例えば、実施形態では、第１インダクタＬ３１、第２インダクタＬ３２及び第３インダクタＬ３３を含む平衡側インダクタＬ３のうち第２インダクタＬ３２が不平衡側インダクタＬ２と電磁界結合しており、第２インダクタＬ３２が平衡側インダクタＬ３の中央部となる。この場合、電源ライン４は、第２インダクタＬ３２に電気的に接続されていれば、平衡側インダクタＬ３の中央部に電気的に接続されているといえる。電源ライン４は、直流電源７からの直流電力を平衡側インダクタＬ３に供給する。

　整合回路５は、第１平衡端子Ｔ２１と電源ライン４の第２端４２との間の第１インピーダンスと、第２平衡端子Ｔ２２と電源ライン４の第２端４２との間の第２インピーダンスとを整合させる。第１インピーダンスは、ここでは、平衡側インダクタＬ３の第１インダクタＬ３１、第２インダクタＬ３２の一部及び電源ライン４を通る、第１平衡端子Ｔ２１から電源ライン４の第２端４２までの電路のインピーダンスである。第２インピーダンスは、ここでは、平衡側インダクタＬ３の第３インダクタＬ３３、第２インダクタＬ３２の一部及び電源ライン４を通る、第２平衡端子Ｔ２２から電源ライン４の第２端４２までの電路のインピーダンスである。本明細書等において「インピーダンスが整合する」とは、第１インピーダンスの虚数部が第２インピーダンスの虚数部よりも大きい場合に、第１インピーダンスの虚数部に対する第２インピーダンスの虚数部の比率が０．５以上で、かつ１以下であること、あるいは、第２インピーダンスの虚数部が第１インピーダンスの虚数部よりも大きい場合に、第２インピーダンスの虚数部に対する第１インピーダンスの虚数部の比率が０．５以上で、かつ１以下であることをいう。詳細については、「（４）バランスフィルタの特性」の欄で説明する。

　（２）バランスフィルタの詳細
　次に、実施形態に係るバランスフィルタ１の詳細について、図１を参照して説明する。実施形態に係るバランスフィルタ１は、不平衡側回路２と、平衡側回路３と、を備えている。

　（２．１）不平衡側回路
　不平衡側回路２は、図１に示すように、不平衡端子Ｔ１と、不平衡側インダクタＬ２と、ローパスフィルタ２１と、を備えている。

　ローパスフィルタ２１は、例えば、π型のローパスフィルタである。ローパスフィルタ２１は、インダクタＬ１と、２つのキャパシタＣ１，Ｃ２と、を含んでいる。インダクタＬ１の一端は、不平衡端子Ｔ１に電気的に接続されており、インダクタＬ１の他端は、不平衡側インダクタＬ２の一端に電気的に接続されている。不平衡側インダクタＬ２の他端は、グランドに電気的に接続されている。言い換えると、不平衡側インダクタＬ２は、不平衡端子Ｔ１とグランドとの間に挿入（接続）されている。

　キャパシタＣ１は、不平衡端子Ｔ１とグランドとの間に挿入（接続）されている。キャパシタＣ２は、インダクタＬ１及び不平衡側インダクタＬ２の接続点とグランドとの間に挿入（接続）されている。言い換えると、キャパシタＣ２は、不平衡側インダクタＬ２と並列に電気的に接続されている。不平衡側インダクタＬ２とキャパシタＣ２とは、第１ＬＣ並列共振回路を構成している。

　実施形態に係るバランスフィルタ１では、ローパスフィルタ２１によって、任意に選択した周波数（通過帯域）の信号のみを通過させることができる。

　（２．２）平衡側回路
　平衡側回路３は、図１に示すように、第１平衡端子Ｔ２１と、第２平衡端子Ｔ２２と、平衡側インダクタＬ３と、４つのキャパシタＣ４～Ｃ７と、を備えている。

　平衡側インダクタＬ３は、第１平衡端子Ｔ２１と第２平衡端子Ｔ２２との間に挿入（接続）されている。平衡側インダクタＬ３は、ここでは、３つの第１インダクタＬ３１、第２インダクタＬ３２及び第３インダクタＬ３３で構成されている。第１インダクタＬ３１の一端は、第１平衡端子Ｔ２１に電気的に接続されており、第１インダクタＬ３１の他端は、第２インダクタＬ３２の一端に電気的に接続されている。第２インダクタＬ３２の他端は、第３インダクタＬ３３の一端に電気的に接続されており、第３インダクタＬ３３の他端は、第２平衡端子Ｔ２２に電気的に接続されている。言い換えると、第１インダクタＬ３１、第２インダクタＬ３２及び第３インダクタＬ３３は、第１平衡端子Ｔ２１と第２平衡端子Ｔ２２との間において直列に電気的に接続されている。

　本明細書等において「電磁界結合」とは、静電結合及び磁界結合の両方を含む概念である。不平衡側インダクタＬ２と平衡側インダクタＬ３が「電磁界結合する」とは、バランスフィルタ１の動作時において、電磁界結合可能に配置されていることを指す。実施形態では、不平衡側インダクタＬ２は、主に、平衡側インダクタＬ３の第２インダクタＬ３２と電磁界結合するように構成されている。ここで、不平衡側インダクタＬ２と平衡側インダクタＬ３との間に生じる容量が０．５３６［μＣ／ｍ^２］以上であれば、不平衡側インダクタＬ２と平衡側インダクタＬ３とが電磁界結合しているといえる。なお、平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４（後述する）との電磁界結合、及び不平衡側インダクタＬ２と整合用インダクタＬ４との電磁界結合についても同様である。

　キャパシタＣ４は、第１インダクタＬ３１及び第２インダクタＬ３２の接続点と、第２インダクタＬ３２及び第３インダクタＬ３３の接続点との間に挿入（接続）されている。キャパシタＣ５は、第１平衡端子Ｔ２１と第２平衡端子Ｔ２２との間に挿入（接続）されている。平衡側インダクタＬ３（第１インダクタＬ３１、第２インダクタＬ３２、第３インダクタＬ３３）とキャパシタＣ４，５とは、第２ＬＣ並列共振回路を構成している。そして、第２ＬＣ並列共振回路は、上述の第１ＬＣ並列共振回路と協働して、バンドパスフィルタを構成している。このバンドパスフィルタは、任意に選択した周波数（通過帯域）の信号のみを、不平衡端子Ｔ１と第１平衡端子Ｔ２１及び第２平衡端子Ｔ２２との間で通過させる。

　キャパシタＣ６は、第１平衡端子Ｔ２１とグランドとの間に挿入（接続）されている。キャパシタＣ７は、第２平衡端子Ｔ２２とグランドとの間に挿入（接続）されている。これらのキャパシタＣ６，Ｃ７は、ノイズフィルタとして機能し、第１平衡端子Ｔ２１及び第２平衡端子Ｔ２２から入力される平衡信号に含まれるノイズを除去する。なお、実施形態では、キャパシタＣ６を通る、第１平衡端子Ｔ２１からグランドまでのインピーダンスと、キャパシタＣ７を通る、第２平衡端子Ｔ２２からグランドまでのインピーダンスとが同値であるとする。

　平衡側回路３は、電源ライン４と、整合回路５と、を更に備えている。

　電源ライン４の第１端４１は、平衡側インダクタＬ３（厳密には第２インダクタＬ３２）の中央部Ｍ１に電気的に接続されており、電源ライン４の第２端４２は、整合回路５に電気的に接続されている。

　整合回路５は、図１に示すように、整合用インダクタＬ４と、電源端子Ｔ３と、を含んでいる。整合用インダクタＬ４の一端は、電源ライン４に電気的に接続されており、整合用インダクタＬ４の他端は、電源端子Ｔ３に電気的に接続されている。電源端子Ｔ３には、直流電源７が電気的に接続される。言い換えると、整合回路５の整合用インダクタＬ４は、平衡側インダクタＬ３の中央部Ｍ１に電気的に接続されている電源ライン４と直流電源７との間に挿入（接続）されている。

　整合用インダクタＬ４は、信号変換時において平衡側インダクタＬ３と電磁界結合するように構成されている。また、整合用インダクタＬ４は、信号変換時において不平衡側インダクタＬ２とも電磁界結合するように構成されている。すなわち、整合用インダクタＬ４は、信号変換時において不平衡側インダクタＬ２及び平衡側インダクタＬ３の両方と電磁界結合するように構成されている。

　このバランスフィルタ１では、電源ライン４を介して供給される直流電源７からの直流電力によって、不平衡端子Ｔ１から出力される不平衡信号の強度を高めることができる。

　（３）バランスフィルタの構造
　（３．１）第１例
　次に、実施形態の第１例に係るバランスフィルタ１の構造について、図２を参照して説明する。図２は、実施形態の第１例に係るバランスフィルタ１の積層構造における要部の分解斜視図である。図２では、バランスフィルタ１を構成する複数の絶縁体層６のうち、２つの第１絶縁体層６１と、２つの第２絶縁体層６２と、１つの第３絶縁体層６３と、１つの第４絶縁体層６４とを図示し、それ以外の絶縁体層６については図示を省略している。

　第１例に係るバランスフィルタ１は、図２に示すように、２つの第１絶縁体層６１、２つの第２絶縁体層６２、１つの第３絶縁体層６３及び１つの第４絶縁体層６４を含む複数の絶縁体層６を第１方向Ｄ１に積層した積層構造を有している。第１例では、第１方向Ｄ１が、複数の絶縁体層６の積層方向（以下、「積層方向Ｄ１」ともいう）である。複数の絶縁体層６の各々の材料は、例えば、セラミックである。

　第１絶縁体層６１、第２絶縁体層６２、第３絶縁体層６３及び第４絶縁体層６４の各々は、板状である。第１絶縁体層６１、第２絶縁体層６２、第３絶縁体層６３及び第４絶縁体層６４の各々は、積層方向Ｄ１からの平面視において長方形状である。

　第１絶縁体層６１、第２絶縁体層６２、第３絶縁体層６３及び第４絶縁体層６４の各々は、第１主面６０Ａ及び第２主面６０Ｂを有している。第１主面６０Ａと第２主面６０Ｂとは、積層方向Ｄ１において互いに反対側に位置している。

　第１絶縁体層６１の第１主面６０Ａ上には、第１導体部６１０が設けられている。第１導体部６１０は、ここでは、特定形状の第１導体パターンを含む第１導体層である。第１導体部６１０の材料は、例えば、銅、銀、又はこれらの合金である。さらに、第１導体部６１０の材料は、アルミニウム、鉄、ニッケル、モリブデン、又はこれらの合金であってもよい。一方（図２中の上側）の第１絶縁体層６１の第１導体部６１０は、積層方向Ｄ１からの平面視において、中心から外側に向けて右回り（時計回り）に矩形状に折り曲げられたような形状である。他方（図２中の下側）の第１絶縁体層６１の第１導体部６１０は、積層方向Ｄ１からの平面視において、中心から外側に向けて左回り（反時計回り）に矩形状に折り曲げられたような形状である。２つの第１導体部６１０の巻き数は１巻きである。２つの第１導体部６１０は、積層方向Ｄ１に沿って設けられたビア電極により電気的に接続されており、不平衡側インダクタＬ２を構成している。言い換えると、不平衡側インダクタＬ２は、第１絶縁体層６１の第１主面６０Ａ上に設けられている第１導体部６１０を有している。

　第２絶縁体層６２の第１主面６０Ａ上には、第２導体部６２０が設けられている。第２導体部６２０は、ここでは、特定形状の第２導体パターンを含む第２導体層である。第２導体部６２０の材料は、例えば、銅、銀、又はこれらの合金である。各第２絶縁体層６２の第２導体部６２０は、積層方向Ｄ１からの平面視において、矩形枠状である。２つの第２導体部６２０の巻き数は１巻きである。２つの第２導体部６２０は、積層方向Ｄ１に沿って設けられたビア電極により電気的に接続されており、平衡側インダクタＬ３を構成している。言い換えると、平衡側インダクタＬ３は、第２絶縁体層６２の第１主面６０Ａ上に設けられている第２導体部６２０を有している。

　第３絶縁体層６３の第１主面６０Ａ上には、第３導体部６３０が設けられている。第３導体部６３０は、ここでは、特定形状の第３導体パターンを含む第３導体層である。第３導体部６３０の材料は、例えば、銅、銀、又はこれらの合金である。第３絶縁体層６３の第３導体部６３０は、積層方向Ｄ１からの平面視において、略Ｌ字状である。第３導体部６３０は、積層方向Ｄ１に沿って形成されたビア電極により一方（図２中の下側）の第２導体部６２０に電気的に接続されており、整合用インダクタＬ４を構成している。言い換えると、整合用インダクタＬ４は、第３絶縁体層６３の第１主面６０Ａ上に設けられている第３導体部６３０を有している。また、第３導体部６３０は、平衡側インダクタＬ３に電気的に接続されており、電源ライン４としても機能する。すなわち、実施形態では、整合用インダクタＬ４と電源ライン４とが、第３導体部６３０によって一体に形成されている。

　第４絶縁体層６４の第２主面６０Ｂ上には、複数の第４導体部６４０が設けられている。複数の第４導体部６４０は、上述の不平衡端子Ｔ１、第１平衡端子Ｔ２１、第２平衡端子Ｔ２２及び電源端子Ｔ３と一対一に対応している。言い換えると、不平衡端子Ｔ１、第１平衡端子Ｔ２１及び第２平衡端子Ｔ２２の各々は、第４絶縁体層６４の第２主面６０Ｂ上に設けられている第４導体部６４０を有している。

　第１例に係るバランスフィルタ１では、図２に示すように、積層方向Ｄ１において、第１主面６０Ａが上側、第２主面６０Ｂが下側となる向きで、下側から、第４絶縁体層６４、第３絶縁体層６３、一方の第１絶縁体層６１、一方の第２絶縁体層６２、他方の第２絶縁体層６２、他方の第１絶縁体層６１の順に並んでいる。

　図２の例では、２つの第１絶縁体層６１のうちの一方（下側）の第１絶縁体層６１と、２つの第２絶縁体層６２のうちの一方（下側）の第２絶縁体層６２とが、積層方向Ｄ１において互いに隣接する第１積層部６５１を構成している。また、２つの第１絶縁体層６１のうちの他方（上側）の第１絶縁体層６１と、２つの第２絶縁体層６２のうちの他方（上側）の第２絶縁体層６２とが、積層方向Ｄ１において互いに隣接する第２積層部６５２を構成している。

　そして、第１例に係るバランスフィルタ１では、積層方向Ｄ１において、下側から、第４絶縁体層６４、第３絶縁体層６３、第１積層部６５１、第２積層部６５２の順に並んでいる。言い換えると、バランスフィルタ１では、積層方向Ｄ１において、第１積層部６５１の第２導体部６２０と第２積層部６５２の第２導体部６２０とが隣接しており、かつ第３導体部６３０が第１積層部６５１の第１導体部６１０に隣接している。さらに言い換えると、バランスフィルタ１では、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、第３導体部６３０、第１積層部６５１の第１導体部６１０、第１積層部６５１の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第１導体部６１０の順に並んでいる。

　なお、以下の説明において、第１積層部６５１及び第２積層部６５２を特に区別する必要がない場合には、第１積層部６５１及び第２積層部６５２の各々を「積層部６５」ともいう。

　本明細書等において「隣接する」とは、積層方向Ｄ１における２つの導体部間に、他の回路素子（例えば、キャパシタ等）を構成する導体部が存在しないことを指す。例えば、図２において、第１積層部６５１を構成する第１絶縁体層６１と第２絶縁体層６２との間に他の絶縁体層６が存在する場合を想定する。この場合、他の絶縁体層６の導体部が、積層方向Ｄ１からの平面視において第１導体部６１０及び第２導体部６２０と重ならない位置にあれば、第１絶縁体層６１（第１導体部６１０）と第２絶縁体層６２（第２導体部６２０）とが隣接しているといえる。但し、導体部間を電気的に接続するビア電極は、導体部間の電磁界結合に与える影響が小さいため、積層方向Ｄ１からの平面視において導体部と重なる位置にビア電極が設けられていてもよい。

　（３．２）第２例
　次に、実施形態の第２例に係るバランスフィルタ１の構造について、図３を参照して説明する。図３は、実施形態の第２例に係るバランスフィルタ１の積層構造における要部の分解斜視図である。図３では、バランスフィルタ１を構成する複数の絶縁体層６のうち、２つの第１絶縁体層６１と、２つの第２絶縁体層６２と、１つの第３絶縁体層６３と、１つの第４絶縁体層６４とを図示し、それ以外の絶縁体層６については図示を省略している。また、第２例に係るバランスフィルタ１では、第３絶縁層６３の第１主面６０Ａ上に設けられている第３導体部６３０の形状が第１例に係るバランスフィルタ１と異なっているだけで、それ以外の構成については同様であり、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

　第２例に係るバランスフィルタ１は、図３に示すように、２つの第１絶縁体層６１、２つの第２絶縁体層６２、１つの第３絶縁体層６３及び１つの第４絶縁体層６４を含む複数の絶縁体層６を第１方向（積層方向）Ｄ１に積層した積層構造を有している。

　第２例に係るバランスフィルタ１では、第３導体部６３０の形状は、積層方向Ｄ１からの平面視において略Ｕ字状である。

　（４）バランスフィルタの特性
　次に、バランスフィルタ１の特性について、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明する。ここで、実施形態に係るバランスフィルタ１の通過帯域は、例えば、９１５［ＭＨｚ］である。

　（４．１）第１例
　図４Ａは、第１例に係るバランスフィルタ１の平衡端子側のスミスチャートである。図４Ｂは、第１例に係るバランスフィルタ１の不平衡端子と平衡端子との間の周波数特性図である。図４Ａにおける実線は、第１平衡端子Ｔ２１と電源ライン４の第２端４２との間の第１インピーダンスを示し、図４Ａにおける破線は、第２平衡端子Ｔ２２と電源ライン４の第２端４２との間の第２インピーダンスを示している。図４Ｂにおける実線は、ノイズとなるコモンモード信号を示している。

　第１例では、第１インピーダンスは、図４Ａ中の点Ｐ１の値であり、具体的には、１０．１２６＋ｊ２４．９２４［Ω］である。また、第２インピーダンスは、図４Ａ中の点Ｐ２の値であり、具体的には、２０．９０８＋ｊ１３．１７７［Ω］である。この場合、図４Ｂから、バランスフィルタ１の通過帯域（９１５［ＭＨｚ］）におけるコモンモード信号が１３［ｄＢ］程度減衰していることが分かる。

　第１例に係るバランスフィルタ１では、電源ライン４を、例えばＬ字状に引き回すことで、整合用インダクタＬ４の機能を実現している。

　ここで、第１インピーダンスと第２インピーダンスとが整合しているか否かを判断する場合に、第１インピーダンスに対する第２インピーダンスの比率に基づいて判断することができ、上記比率は、各インピーダンスの虚数部分から求められる。

　第１例では、第１インピーダンスの虚数部分が２４．９２４であり、第２インピーダンスの虚数部分が１３．１７７である。したがって、第１インピーダンスに対する第２インピーダンスの比率は、０．５３（１３．１７７／２４．９２４）となる。この場合、図４Ｂに示すように、バランスフィルタ１の通過帯域におけるコモンモード信号が減衰しており、第１インピーダンスと第２インピーダンスとが整合しているといえる。つまり、第１インピーダンスに対する第２インピーダンスの比率が０．５以上であれば、第１インピーダンスと第２インピーダンスとが整合しているといえる。

　（４．２）第２例
　図５Ａは、第２例に係るバランスフィルタ１の平衡端子側のスミスチャートである。図５Ｂは、第２例に係るバランスフィルタ１の不平衡端子と平衡端子との間の周波数特性図である。図５Ａにおける実線は、第１平衡端子Ｔ２１と電源ライン４の第２端４２との間の第１インピーダンスを示し、図５Ａにおける破線は、第２平衡端子Ｔ２２と電源ライン４の第２端４２との間の第２インピーダンスを示している。図５Ｂにおける実線は、ノイズとなるコモンモード信号を示している。

　第２例では、第１インピーダンスは、図５Ａ中の点Ｐ１の値であり、具体的には、３０．２４７＋ｊ３４．２２９［Ω］である。また、第２インピーダンスは、図５Ａ中の点Ｐ２の値であり、具体的には、２４．２８５＋ｊ２９．１１９［Ω］である。この場合、図５Ｂから、バランスフィルタ１の通過帯域（９１５［ＭＨｚ］）におけるコモンモード信号が２７［ｄＢ］程度減衰していることが分かる。この場合、第１例と比較して、通過帯域におけるコモンモード信号の減衰量が増加しており、フィルタ特性が向上している。これは、第２例における第１インピーダンスと第２インピーダンスとのインピーダンス差（図５Ａ参照）が、第１例（図４Ａ参照）よりも小さいことに依る。

　第２例に係るバランスフィルタ１では、電源ライン４を、例えばＵ字状にループさせて形成している。これにより、第１例に係るバランスフィルタ１よりも大きなインダクタンスを有する整合用インダクタＬ４を実現することができる。

　第２例では、第１インピーダンスの虚数部分が３４．２２９であり、第２インピーダンスの虚数部分が２９．１１９である。したがって、第１インピーダンスに対する第２インピーダンスの比率は、０．８５（２９．１１９／３４．２２９）となる。この場合も、第１インピーダンスに対する第２インピーダンスの比率が０．５以上であり、第１インピーダンスと第２インピーダンスとが整合しているといえる。また、この場合には、第１例と比較して、通過帯域におけるコモンモード信号の減衰量が増加しており、そのため第１インピーダンスに対する第２インピーダンスの比率は、０．８５以上であることが好ましい。

　（５）効果
　実施形態に係るバランスフィルタ１は、不平衡端子Ｔ１と、不平衡側インダクタＬ２と、第１平衡端子Ｔ２１と、第２平衡端子Ｔ２２と、平衡側インダクタＬ３と、電源ライン４と、整合回路５と、を備える。不平衡側インダクタＬ２は、不平衡端子Ｔ１とグランドとの間に挿入されている。平衡側インダクタＬ３は、第１平衡端子Ｔ２１と第２平衡端子Ｔ２２との間に挿入されており、不平衡側インダクタＬ２と電磁界結合する。電源ライン４は、第１端４１が平衡側インダクタＬ３の中央部Ｍ１に接続されており、第２端４２が直流電源７に接続される。整合回路５は、第１平衡端子Ｔ２１と電源ライン４の第２端４２との間の第１インピーダンスと、第２平衡端子Ｔ２２と電源ライン４の第２端４２との間の第２インピーダンスとを整合させる。

　実施形態に係るバランスフィルタ１では、第１インピーダンスと第２インピーダンスとを整合させる整合回路５を備えている。そのため、平衡側インダクタＬ３に直流電源７からの直流電力を供給する場合であっても、第１インピーダンスと第２インピーダンスとを整合させることができる。その結果、バランスフィルタ１の通過帯域においてノイズとなる、コモンモード信号を減衰させることができ、所望の入出力特性を得ることができる。

　また、実施形態に係るバランスフィルタ１では、整合回路５は、電源ライン４に接続されている整合用インダクタＬ４を含む。整合用インダクタＬ４は、平衡側インダクタＬ３と電磁界結合する。この構成によれば、通過帯域におけるコモンモード信号をより効果的に減衰させることができる。

　また、実施形態に係るバランスフィルタ１では、不平衡側インダクタＬ２は、更に、整合用インダクタＬ４と電磁界結合する。この構成によれば、不平衡側インダクタＬ２と整合用インダクタＬ４とが電磁界結合していない場合と比較して、フィルタの通過特性を向上させることができる。

　また、実施形態に係るバランスフィルタ１は、少なくとも１つの第１絶縁体層６１、少なくとも１つの第２絶縁体層６２、及び少なくとも１つの第３絶縁体層６３を含む複数の絶縁体層６を備える積層構造を有する。複数の絶縁体層６の各々は、複数の絶縁体層６の積層方向Ｄ１において互いに反対側に位置する第１主面６０Ａ及び第２主面６０Ｂを有する。不平衡側インダクタＬ２は、第１絶縁体層６１の第１主面６０Ａ上に設けられている第１導体部６１０を有する。平衡側インダクタＬ３は、第２絶縁体層６２の第１主面６０Ａ上に設けられている第２導体部６２０を有する。整合用インダクタＬ４は、第３絶縁体層６３の第１主面６０Ａ上に設けられている第３導体部６３０を有する。第１絶縁体層６１と第２絶縁体層６２とは、積層方向Ｄ１において互いに隣接する積層部６５を構成する。バランスフィルタ１では、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５の第１導体部６１０又は第２導体部６２０に隣接している。この構成によれば、平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができ、その結果、第１インピーダンスと第２インピーダンスとを整合させることができる。特に、バランスフィルタ１を積層構造にすることにより、平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を調整可能な状態にすることができる、という利点もある。

　また、実施形態に係るバランスフィルタ１では、複数の絶縁体層６は、２つの第１絶縁体層６１と、２つの第２絶縁体層６２と、１つの第３絶縁体層６３と、を含む。不平衡側インダクタＬ２は、２つの第１絶縁体層６１の第１主面６０Ａ上に一対一に対応して設けられている２つの第１導体部６１０を有する。平衡側インダクタＬ３は、２つの第２絶縁体層６２の第１主面６０Ａ上に一対一に対応して設けられている２つの第２導体部６２０を有する。バランスフィルタ１は、積層部６５として、２つの第１絶縁体層６１の一方と２つの第２絶縁体層６２の一方とで構成される第１積層部６５１と、２つの第１絶縁体層６１の他方と２つの第２絶縁体層６２の他方とで構成される第２積層部６５２と、を備える。バランスフィルタ１では、積層方向Ｄ１において、第１積層部６５１の第２導体部６２０と第２積層部６５２の第２導体部６２０とが隣接し、かつ第３導体部６３０が第１積層部６５１の第１導体部６１０又は第２積層部６５２の第１導体部６１０に隣接している。この構成によれば、２層構造のバランスフィルタ１において、不平衡側インダクタＬ２と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができる。

　また、実施形態に係るバランスフィルタ１では、複数の絶縁体層６は、第４絶縁体層６４を更に含む。不平衡端子Ｔ１、第１平衡端子Ｔ２１及び第２平衡端子Ｔ２２は、第４絶縁体層６４の第２主面６０Ｂ上に設けられている第４導体部６４０を有する。バランスフィルタ１では、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から第３導体部６３０、第１積層部６５１の第１導体部６１０、第１積層部６５１の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第１導体部６１０の順に並んでいる。この構成によれば、２層構造のバランスフィルタ１において、不平衡側インダクタＬ２と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができる。

　（６）変形例
　（６．１）変形例１～４
　変形例１～４に係るバランスフィルタ１Ａ～１Ｄについて、図６Ａ～図６Ｄを参照して説明する。なお、図６Ａ～図６Ｄでは、第１導体部６１０、第２導体部６２０及び第３導体部６３０のみを図示しており、第１絶縁体層６１、第２絶縁体層６２、第３絶縁体層６３及び第４絶縁体層６４の図示を省略している。

　まず、変形例１に係るバランスフィルタ１Ａについて、図６Ａを参照して説明する。上述の実施形態では、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が第１積層部６５１の第１導体部６１０に隣接している。これに対して、バランスフィルタ１Ａのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が第２積層部６５２の第１導体部６１０に隣接していてもよい（図６Ａ参照）。言い換えると、バランスフィルタ１Ａのように、積層方向Ｄ１において、第１積層部６５１の第２導体部６２０と第２積層部６５２の第２導体部６２０とが隣接し、かつ第３導体部６３０が第２積層部６５２の第１導体部６１０に隣接していてもよい。さらに言い換えると、バランスフィルタ１Ａのように、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、第１積層部６５１の第１導体部６１０、第１積層部６５１の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第１導体部６１０、第３導体部６３０の順に並んでいてもよい。この構成であっても、不平衡側インダクタＬ２と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができる。

　次に、変形例２に係るバランスフィルタ１Ｂについて、図６Ｂを参照して説明する。上述の実施形態では、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が第１積層部６５１の下側に位置している。これに対して、バランスフィルタ１Ｂのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が第１積層部６５１と第２積層部６５２との間に位置していてもよい（図６Ｂ参照）。言い換えると、バランスフィルタ１Ｂのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が第１積層部６５１の第２導体部６２０及び第２積層部６５２の第２導体部６２０に隣接していてもよい。さらに言い換えると、バランスフィルタ１Ｂのように、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、第１積層部６５１の第１導体部６１０、第１積層部６５１の第２導体部６２０、第３導体部６３０、第２積層部６５２の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第１導体部６１０の順に並んでいてもよい。この構成であっても、２層構造のバランスフィルタ１Ｂにおいて、平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができる。

　次に、変形例３に係るバランスフィルタ１Ｃについて、図６Ｃを参照して説明する。上述の実施形態では、積層方向Ｄ１において、第１積層部６５１が下側、第２積層部６５２が上側である。これに対して、バランスフィルタ１Ｃのように、積層方向Ｄ１において、第２積層部６５２が下側、第１積層部６５１が上側であってもよい（図６Ｃ参照）。言い換えると、バランスフィルタ１Ｃのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５（第１積層部６５１又は第２積層部６５２）の第２導体部６２０に隣接していてもよい。さらに言い換えると、バランスフィルタ１Ｃのように、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、第３導体部６３０、第２積層部６５２の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第１導体部６１０、第１積層部６５１の第１導体部６１０、第１積層部６５１の第２導体部６２０の順に並んでいてもよい。この構成であっても、平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができ、その結果、第１インピーダンスと第２インピーダンスとを整合させることができる。

　次に、変形例４に係るバランスフィルタ１Ｄについて、図６Ｄを参照して説明する。上述の変形例３では、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が第２積層部６５２の下側に位置している。これに対して、バランスフィルタ１Ｄのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が第１積層部６５１の上側に位置していてもよい（図６Ｄ参照）。言い換えると、バランスフィルタ１Ｄのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５（第１積層部６５１又は第２積層部６５２）の第２導体部６２０に隣接していてもよい。さらに言い換えると、バランスフィルタ１Ｄのように、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、第２積層部６５２の第２導体部６２０、第２積層部６５２の第１導体部６１０、第１積層部６５１の第１導体部６１０、第１積層部６５１の第２導体部６２０、第３導体部６３０の順に並んでいてもよい。この構成であっても、平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができ、その結果、第１インピーダンスと第２インピーダンスとを整合させることができる。

　（６．２）変形例５～８
　変形例５～８に係るバランスフィルタ１Ｅ～１Ｈについて、図７Ａ～図７Ｄを参照して説明する。なお、図７Ａ～図７Ｄでは、第１導体部６１０、第２導体部６２０及び第３導体部６３０のみを図示しており、第１絶縁体層６１、第２絶縁体層６２、第３絶縁体層６３及び第４絶縁体層６４の図示を省略している。

　まず、変形例５に係るバランスフィルタ１Ｅについて、図７Ａを参照して説明する。上述の実施形態及び変形例１～４では、第１導体部６１０及び第２導体部６２０がそれぞれ２つであるが、第１導体部６１０及び第２導体部６２０はそれぞれ１つであってもよい。バランスフィルタ１Ｅは、図７Ａに示すように、積層部６５を備えている。積層部６５は、積層方向Ｄ１において互いに隣接する第１導体部６１０（第１絶縁体層６１）と第２導体部６２０（第２絶縁体層６２）とで構成されている。そして、バランスフィルタ１Ｅでは、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５の第１導体部６１０に隣接している。言い換えると、バランスフィルタ１Ｅでは、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、第３導体部６３０、第１導体部６１０、第２導体部６２０の順に並んでいる。この構成であっても、不平衡側インダクタＬ２と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができる。

　次に、変形例６に係るバランスフィルタ１Ｆについて、図７Ｂを参照して説明する。上述の変形例５では、積層方向Ｄ１において、第１導体部６１０が下側、第２導体部６２０が上側である。これに対して、バランスフィルタ１Ｆのように、積層方向Ｄ１において、第２導体部６２０が下側、第１導体部６１０が上側であってもよい（図７Ｂ参照）。言い換えると、バランスフィルタ１Ｆのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５の第１導体部６１０に隣接していてもよい。さらに言い換えると、バランスフィルタ１Ｆのように、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、積層部６５の第２導体部６２０、積層部６５の第１導体部６１０、第３導体部６３０の順に並んでいてもよい。この構成であっても、不平衡側インダクタＬ２と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができる。

　次に、変形例７に係るバランスフィルタ１Ｇについて、図７Ｃを参照して説明する。上述の変形例５，６では、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５の第１導体部６１０に隣接している。これに対して、バランスフィルタ１Ｇのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５の第２導体部６２０に隣接していてもよい（図７Ｃ参照）。言い換えると、バランスフィルタ１Ｇのように、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、第３導体部６３０、積層部６５の第２導体部６２０、積層部６５の第１導体部６１０の順に並んでいてもよい。この構成であっても、平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができ、その結果、第１インピーダンスと第２インピーダンスとを整合させることができる。

　次に、変形例８に係るバランスフィルタ１Ｈについて、図７Ｄを参照して説明する。上述の変形例５では、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５の下側に位置している。これに対して、バランスフィルタ１Ｈのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５の上側に位置していてもよい（図７Ｄ参照）。言い換えると、バランスフィルタ１Ｈのように、積層方向Ｄ１において、第３導体部６３０が積層部６５の第２導体部６２０に隣接していてもよい。さらに言い換えると、バランスフィルタ１Ｈのように、積層方向Ｄ１において、第４絶縁体層６４の第１主面６０Ａに近い側から、積層部６５の第１導体部６１０、積層部６５の第２導体部６２０、第３導体部６３０の順に並んでいてもよい。この構成であっても、平衡側インダクタＬ３と整合用インダクタＬ４との電磁界結合を強めることができ、その結果、第１インピーダンスと第２インピーダンスとを整合させることができる。

　（６．３）その他の変形例
　上述の実施形態等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態等の変形例を列挙する。

　上述の実施形態では、第３絶縁体層６３が１つの場合を例示したが、第３絶縁体層６３は１つに限らず、２つ以上であってもよい。例えば、図２に示す積層構造において２つの第３絶縁体層６３を備えている場合を想定する。この場合、積層方向Ｄ１における対称性を考慮して、第１積層部６５１及び第２積層部６５２の両側にそれぞれ第３絶縁体層６３を配置することが好ましい。また、２つの第３絶縁体層６３のうちの一方が、積層方向Ｄ１において、第１積層部６５１と第２積層部６５２との間に配置されていてもよい。

　上述の実施形態では、第１絶縁体層６１及び第２絶縁体層６２がそれぞれ１つ又は２つである場合を例示したが、第１絶縁体層６１及び第２絶縁体層６２はそれぞれ３つ以上であってもよい。また、第１絶縁体層６１と第２絶縁体層６２とは同数でなくてもよく、第１絶縁体層６１は、第２絶縁体層６２より多くてもよいし、少なくてもよい。

　上述の実施形態では、ローパスフィルタ２１がπ型のローパスフィルタである場合を例示したが、ローパスフィルタ２１は、π型に限らず、例えば、Ｔ型であってもよいし、Ｌ型であってもよい。

　上述の実施形態では、バランスフィルタ１の通過帯域が９１５ＭＨｚである場合を例示したが、バランスフィルタ１の通過帯域は９１５ＭＨｚに限らず、例えば、３００ＭＨｚ～３ＧＨｚの範囲に含まれていればよい。

　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。

　第１の態様に係るバランスフィルタ（１；１Ａ～１Ｈ）は、不平衡端子（Ｔ１）と、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と、第１平衡端子（Ｔ２１）と、第２平衡端子（Ｔ２２）と、平衡側インダクタ（Ｌ３）と、電源ライン（４）と、整合回路（５）と、を備える。不平衡側インダクタ（Ｌ２）は、不平衡端子（Ｔ１）とグランドとの間に挿入されている。平衡側インダクタ（Ｌ３）は、第１平衡端子（Ｔ２１）と第２平衡端子（Ｔ２２）との間に挿入されており、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と電磁界結合する。電源ライン（４）は、第１端（４１）が平衡側インダクタ（Ｌ３）の中央部（Ｍ１）に接続されており、第２端（４２）が直流電源（７）に接続される。整合回路（５）は、第１平衡端子（Ｔ２１）と電源ライン（４）の第２端（４２）との間の第１インピーダンスと、第２平衡端子（Ｔ２２）と電源ライン（４）の第２端（４２）との間の第２インピーダンスとを整合させる。

　第１の態様によれば、通過帯域においてノイズとなる、コモンモード信号を減衰させることができる。

　第２の態様に係るバランスフィルタ（１；１Ａ～１Ｈ）では、第１の態様において、整合回路（５）は、電源ライン（４）に接続されている整合用インダクタ（Ｌ４）を含む。整合用インダクタ（Ｌ４）は、平衡側インダクタ（Ｌ３）と電磁界結合する。

　第２の態様によれば、通過帯域においてノイズとなる、コモンモード信号をより効果的に減衰させることができる。

　第３の態様に係るバランスフィルタ（１；１Ａ～１Ｈ）では、第２の態様において、整合用インダクタ（Ｌ４）は、更に、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と電磁界結合する。

　第３の態様によれば、整合用インダクタ（Ｌ４）が不平衡側インダクタ（Ｌ２）と電磁界結合していない場合と比較して、フィルタの通過特性を向上させることができる。

　第４の態様に係るバランスフィルタ（１；１Ａ～１Ｈ）は、第２又は３の態様において、少なくとも１つの第１絶縁体層（６１）、少なくとも１つの第２絶縁体層（６２）、及び少なくとも１つの第３絶縁体層（６３）を含む複数の絶縁体層（６）を備える積層構造を有する。複数の絶縁体層（６）の各々は、複数の絶縁体層（６）の積層方向（Ｄ１）において互いに反対側に位置する第１主面（６０Ａ）及び第２主面（６０Ｂ）を有する。不平衡側インダクタ（Ｌ２）は、第１絶縁体層（６１）の第１主面（６０Ａ）上に設けられている第１導体部（６１０）を有する。平衡側インダクタ（Ｌ３）は、第２絶縁体層（６２）の第１主面（６０Ａ）上に設けられている第２導体部（６２０）を有する。整合用インダクタ（Ｌ４）は、第３絶縁体層（６３）の第１主面（６０Ａ）上に設けられている第３導体部（６３０）を有する。第１絶縁体層（６１）と第２絶縁体層（６２）とは、積層方向（Ｄ１）において互いに隣接する積層部（６５）を構成する。バランスフィルタ（１；１Ａ～１Ｈ）では、積層方向（Ｄ１）において、第３導体部（６３０）が積層部（６５）の第１導体部（６１０）又は第２導体部（６２０）に隣接している。

　第４の態様によれば、平衡側インダクタ（Ｌ３）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めることができ、その結果、第１インピーダンスと第２インピーダンスとを整合させることができる。

　第５の態様に係るバランスフィルタ（１Ｅ；１Ｆ）では、第４の態様において、複数の絶縁体層（６）は、１つの第１絶縁体層（６１）と、１つの第２絶縁体層（６２）と、１つの第３絶縁体層（６３）と、を含む。バランスフィルタ（１Ｅ；１Ｆ）では、積層方向（Ｄ１）において、第３導体部（６３０）が積層部（６５）の第１導体部（６１０）に隣接している。

　第５の態様によれば、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタ（Ｌ３）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めることができる。

　第６の態様に係るバランスフィルタ（１Ｅ）では、第５の態様において、複数の絶縁体層（６）は、第４絶縁体層（６４）を更に含む。不平衡端子（Ｔ１）、第１平衡端子（Ｔ２１）及び第２平衡端子（Ｔ２２）の各々は、第４絶縁体層（６４）の第２主面（６０Ｂ）上に設けられている第４導体部（６４０）を有する。バランスフィルタ（１Ｅ）では、積層方向（Ｄ１）において、第４絶縁体層（６４）の第１主面（６０Ａ）に近い側から第３導体部（６３０）、第１導体部（６１０）、第２導体部（６２０）の順に並んでいる。

　第６の態様によれば、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタ（Ｌ３）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めることができる。

　第７の態様に係るバランスフィルタ（１；１Ａ）では、第４の態様において、複数の絶縁体層（６）は、２つの第１絶縁体層（６１）と、２つの第２絶縁体層（６２）と、１つの第３絶縁体層（６３）と、を含む。不平衡側インダクタ（Ｌ２）は、２つの第１絶縁体層（６１）の第１主面（６０Ａ）上に一対一に対応して設けられている２つの第１導体部（６１０）を有する。平衡側インダクタ（Ｌ３）は、２つの第２絶縁体層（６２）の第１主面（６０Ａ）上に一対一に対応して設けられている２つの第２導体部（６２０）を有する。バランスフィルタ（１；１Ａ）は、積層部（６５）として、２つの第１絶縁体層（６１）の一方と２つの第２絶縁体層（６２）の一方とで構成される第１積層部（６５１）と、２つの第１絶縁体層（６１）の他方と２つの第２絶縁体層（６２）の他方とで構成される第２積層部（６５２）と、を備える。バランスフィルタ（１；１Ａ）では、積層方向（Ｄ１）において、第１積層部（６５１）の第２導体部（６２０）と第２積層部（６５２）の第２導体部（６２０）とが隣接し、かつ第３導体部（６３０）が第１積層部（６５１）の第１導体部（６１０）又は第２積層部（６５２）の第１導体部（６１０）に隣接している。

　第７の態様によれば、２層構造のバランスフィルタ（１；１Ａ）において、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタ（Ｌ３）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めることができる。

　第８の態様に係るバランスフィルタ（１）では、第７の態様において、複数の絶縁体層（６）は、第４絶縁体層（６４）を更に含む。不平衡端子（Ｔ１）、第１平衡端子（Ｔ２１）及び第２平衡端子（Ｔ２２）は、第４絶縁体層（６４）の第２主面（６０Ｂ）上に設けられている第４導体部（６４０）を有する。バランスフィルタ（１）では、積層方向（Ｄ１）において、第４絶縁体層（６４）の第１主面（６０Ａ）に近い側から第３導体部（６３０）、第１積層部（６５１）の第１導体部（６１０）、第１積層部（６５１）の第２導体部（６２０）、第２積層部（６５２）の第２導体部（６２０）、第２積層部（６５２）の第１導体部（６１０）の順に並んでいる。

　第８の態様によれば、２層構造のバランスフィルタ（１）において、不平衡側インダクタ（Ｌ２）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めながら平衡側インダクタ（Ｌ３）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めることができる。

　第９の態様に係るバランスフィルタ（１Ｂ）では、第４の態様において、複数の絶縁体層（６）は、２つの第１絶縁体層（６１）と、２つの第２絶縁体層（６２）と、１つの第３絶縁体層（６３）と、を含む。不平衡側インダクタ（Ｌ２）は、２つの第１絶縁体層（６１）の第１主面（６０Ａ）上に一対一に対応して設けられている２つの第１導体部（６１０）を有する。平衡側インダクタ（Ｌ３）は、２つの第２絶縁体層（６２）の第１主面（６０Ａ）上に一対一に対応して設けられている２つの第２導体部（６２０）を有する。バランスフィルタ（１Ｂ）は、積層部（６５）として、２つの第１絶縁体層（６１）の一方と２つの第２絶縁体層（６２）の一方とで構成される第１積層部（６５１）と、２つの第１絶縁体層（６１）の他方と２つの第２絶縁体層（６２）の他方とで構成される第２積層部（６５２）と、を備える。バランスフィルタ（１Ｂ）では、積層方向（Ｄ１）において、第３導体部（６３０）が第１積層部（６５１）の第２導体部（６２０）及び第２積層部（６５２）の第２導体部（６２０）に隣接している。

　第９の態様によれば、２層構造のバランスフィルタ（１Ｂ）において、平衡側インダクタ（Ｌ３）と整合用インダクタ（Ｌ４）との電磁界結合を強めることができる。

　第２～９の態様に係る構成については、バランスフィルタ（１；１Ａ～１Ｈ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ　バランスフィルタ
２　不平衡側回路
３　平衡側回路
４　電源ライン
４１　第１端
４２　第２端
５　整合回路
６　絶縁体層
６０Ａ　第１主面
６０Ｂ　第２主面
６１　第１絶縁体層
６１０　第１導体部
６２　第２絶縁体層
６２０　第２導体部
６３　第３絶縁体層
６３０　第３導体部
６４　第４絶縁体層
６４０　第４導体部
６５　積層部
６５１　第１積層部
６５２　第２積層部
Ｄ１　第１方向（積層方向）
Ｌ２　不平衡側インダクタ
Ｌ３　平衡側インダクタ
Ｌ３１　第１インダクタ
Ｌ３２　第２インダクタ
Ｌ３３　第３インダクタ
Ｌ４　整合用インダクタ
Ｍ１　中央部
Ｔ１　不平衡端子
Ｔ２１　第１平衡端子
Ｔ２２　第２平衡端子

Claims (9)

1. 　不平衡端子と、
   　前記不平衡端子とグランドとの間に挿入されている不平衡側インダクタと、
   　第１平衡端子と、
   　第２平衡端子と、
   　前記第１平衡端子と前記第２平衡端子との間に挿入されており、前記不平衡側インダクタと電磁界結合する平衡側インダクタと、
   　第１端が前記平衡側インダクタの中央部に接続されており、第２端が直流電源に接続される電源ラインと、
   　前記第１平衡端子と前記電源ラインの前記第２端との間の第１インピーダンスと、前記第２平衡端子と前記電源ラインの前記第２端との間の第２インピーダンスとを整合させる整合回路と、を備える、
   　バランスフィルタ。
2. 　前記整合回路は、前記電源ラインに接続されている整合用インダクタを含み、
   　前記整合用インダクタは、前記平衡側インダクタと電磁界結合する、
   　請求項１に記載のバランスフィルタ。
3. 　前記整合用インダクタは、更に、前記不平衡側インダクタと電磁界結合する、
   　請求項２に記載のバランスフィルタ。
4. 　少なくとも１つの第１絶縁体層、少なくとも１つの第２絶縁体層、及び少なくとも１つの第３絶縁体層を含む複数の絶縁体層を備える積層構造を有し、
   　前記複数の絶縁体層の各々は、前記複数の絶縁体層の積層方向において互いに反対側に位置する第１主面及び第２主面を有し、
   　前記不平衡側インダクタは、前記第１絶縁体層の前記第１主面上に設けられている第１導体部を有し、
   　前記平衡側インダクタは、前記第２絶縁体層の前記第１主面上に設けられている第２導体部を有し、
   　前記整合用インダクタは、前記第３絶縁体層の前記第１主面上に設けられている第３導体部を有し、
   　前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層とは、前記積層方向において互いに隣接する積層部を構成し、
   　前記積層方向において、前記第３導体部が前記積層部の前記第１導体部又は前記第２導体部に隣接している、
   　請求項２又は３に記載のバランスフィルタ。
5. 　前記複数の絶縁体層は、１つの前記第１絶縁体層と、１つの前記第２絶縁体層と、１つの前記第３絶縁体層と、を含み、
   　前記積層方向において、前記第３導体部が前記積層部の前記第１導体部に隣接している、
   　請求項４に記載のバランスフィルタ。
6. 　前記複数の絶縁体層は、第４絶縁体層を更に含み、
   　前記不平衡端子、前記第１平衡端子及び前記第２平衡端子の各々は、前記第４絶縁体層の前記第２主面上に設けられている第４導体部を有し、
   　前記積層方向において、前記第４絶縁体層の前記第１主面に近い側から前記第３導体部、前記第１導体部、前記第２導体部の順に並んでいる、
   　請求項５に記載のバランスフィルタ。
7. 　前記複数の絶縁体層は、２つの前記第１絶縁体層と、２つの前記第２絶縁体層と、１つの前記第３絶縁体層と、を含み、
   　前記不平衡側インダクタは、前記２つの第１絶縁体層の前記第１主面上に一対一に対応して設けられている２つの前記第１導体部を有し、
   　前記平衡側インダクタは、前記２つの第２絶縁体層の前記第１主面上に一対一に対応して設けられている２つの前記第２導体部を有し、
   　前記積層部として、前記２つの第１絶縁体層の一方と前記２つの第２絶縁体層の一方とで構成される第１積層部と、前記２つの第１絶縁体層の他方と前記２つの第２絶縁体層の他方とで構成される第２積層部と、を備え、
   　前記積層方向において、前記第１積層部の前記第２導体部と前記第２積層部の前記第２導体部とが隣接し、かつ前記第３導体部が前記第１積層部の前記第１導体部又は前記第２積層部の前記第１導体部に隣接している、
   　請求項４に記載のバランスフィルタ。
8. 　前記複数の絶縁体層は、第４絶縁体層を更に含み、
   　前記不平衡端子、前記第１平衡端子及び前記第２平衡端子は、前記第４絶縁体層の前記第２主面上に設けられている第４導体部を有し、
   　前記積層方向において、前記第４絶縁体層の前記第１主面に近い側から前記第３導体部、前記第１積層部の前記第１導体部、前記第１積層部の前記第２導体部、前記第２積層部の前記第２導体部、前記第２積層部の前記第１導体部の順に並んでいる、
   　請求項７に記載のバランスフィルタ。
9. 　前記複数の絶縁体層は、２つの前記第１絶縁体層と、２つの前記第２絶縁体層と、１つの前記第３絶縁体層と、を含み、
   　前記不平衡側インダクタは、前記２つの第１絶縁体層の前記第１主面上に一対一に対応して設けられている２つの前記第１導体部を有し、
   　前記平衡側インダクタは、前記２つの第２絶縁体層の前記第１主面上に一対一に対応して設けられている２つの前記第２導体部を有し、
   　前記積層部として、前記２つの第１絶縁体層の一方と前記２つの第２絶縁体層の一方とで構成される第１積層部と、前記２つの第１絶縁体層の他方と前記２つの第２絶縁体層の他方とで構成される第２積層部と、を備え、
   　前記積層方向において、前記第３導体部が前記第１積層部の前記第２導体部及び前記第２積層部の前記第２導体部に隣接している、
   　請求項４に記載のバランスフィルタ。

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