TWI676354B - 平衡濾波器 - Google Patents
平衡濾波器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI676354B TWI676354B TW108104629A TW108104629A TWI676354B TW I676354 B TWI676354 B TW I676354B TW 108104629 A TW108104629 A TW 108104629A TW 108104629 A TW108104629 A TW 108104629A TW I676354 B TWI676354 B TW I676354B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- balanced
- inductor
- conductor portion
- terminal
- laminated
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 220
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 219
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 35
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 35
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 35
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 241000880621 Ascarina lucida Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F19/00—Fixed transformers or mutual inductances of the signal type
- H01F19/04—Transformers or mutual inductances suitable for handling frequencies considerably beyond the audio range
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/09—Filters comprising mutual inductance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
本發明之平衡濾波器使通帶中之共模訊號衰減。平衡濾波器(1)具備不平衡端子(T1)、不平衡側電感器(L2)、第1平衡端子(T21)、第2平衡端子(T22)、平衡側電感器(L3)、電源線(4)、及匹配電路(5)。不平衡側電感器(L2)係插入至不平衡端子(T1)與接地之間。平衡側電感器(L3)係插入至第1平衡端子(T21)與第2平衡端子(T22)之間，與不平衡側電感器(L2)電磁耦合。電源線(4)係第1端(41)連接於平衡側電感器(L3)之中央部(M1)，第2端(42)連接於直流電源(7)。匹配電路(5)使第1平衡端子(T21)與電源線(4)之第2端(42)之間的第1阻抗和第2平衡端子(T22)與電源線(4)之第2端(42)之間的第2阻抗匹配。
Description
本發明通常係關於一種平衡濾波器，更詳細而言，係關於一種具備1個不平衡端子與2個平衡端子之平衡濾波器。
先前已知有一種平衡濾波器，其具備：1個不平衡端子；平衡端子，其具備第1端子及第2端子；不平衡側電感器；及平衡側電感器(例如，參照專利文獻1)。
不平衡側電感器係電性連接於不平衡端子。平衡側電感器係連接於平衡端子之第1端子與第2端子之間。於平衡側電感器之中間部分連接有DC饋電端子。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2017/068898號
於專利文獻1所記載之平衡濾波器中，於設置有DC饋電端子之情形時，存在來自各平衡端子之至平衡側電感器中之DC饋電端子之連接點為止的電感值不同之情況，而存在平衡端子之第1端子與接地之間之阻抗和平衡端
子之第2端子與接地之間之阻抗不匹配之情況。其結果為存在如下問題：於通帶中成為雜訊；有時無法使共模訊號充分地衰減，而無法獲得所需之輸入輸出特性。
本發明之目的在於提供一種可使通帶中之共模訊號衰減之平衡濾波器。
本發明之一態樣之平衡濾波器具備不平衡端子、不平衡側電感器、第1平衡端子、第2平衡端子、平衡側電感器、電源線、及匹配電路。上述不平衡側電感器係插入至上述不平衡端子與接地之間。上述平衡側電感器係插入至上述第1平衡端子與上述第2平衡端子之間，與上述不平衡側電感器電磁耦合。上述電源線係第1端連接於上述平衡側電感器之中央部，第2端連接於直流電源。上述匹配電路使上述第1平衡端子與上述電源線之上述第2端之間之第1阻抗和上述第2平衡端子與上述電源線之上述第2端之間之第2阻抗匹配。
根據本發明，可使於通帶中成為雜訊之共模訊號衰減。
1、1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H‧‧‧平衡濾波器
2‧‧‧不平衡側電路
3‧‧‧平衡側電路
4‧‧‧電源線
41‧‧‧第1端
42‧‧‧第2端
5‧‧‧匹配電路
6‧‧‧絕緣體層
60A‧‧‧第1主面
60B‧‧‧第2主面
61‧‧‧第1絕緣體層
610‧‧‧第1導體部
62‧‧‧第2絕緣體層
620‧‧‧第2導體部
63‧‧‧第3絕緣體層
630‧‧‧第3導體部
64‧‧‧第4絕緣體層
640‧‧‧第4導體部
65‧‧‧積層部
651‧‧‧第1積層部
652‧‧‧第2積層部
D1‧‧‧第1方向(積層方向)
L2‧‧‧不平衡側電感器
L3‧‧‧平衡側電感器
L31‧‧‧第1電感器
L32‧‧‧第2電感器
L33‧‧‧第3電感器
L4‧‧‧匹配用電感器
M1‧‧‧中央部
T1‧‧‧不平衡端子
T21‧‧‧第1平衡端子
T22‧‧‧第2平衡端子
圖1係本發明之一實施形態之平衡濾波器之電路圖。
圖2係本發明之一實施形態之第1例的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。
圖3係本發明之一實施形態之第2例的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。
圖4A係本發明之一實施形態之第1例的平衡濾波器之平衡端子側之史密斯
圖(Smith chart)。圖4B係上述平衡濾波器之不平衡端子與平衡端子之間之頻率特性圖。
圖5A係本發明之一實施形態之第2例的平衡濾波器之平衡端子側之史密斯圖。圖5B係上述平衡濾波器之不平衡端子與平衡端子之間之頻率特性圖。
圖6A係本發明之一實施形態之變形例1的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。圖6B係本發明之一實施形態之變形例2的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。圖6C係本發明之一實施形態之變形例3的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。圖6D係本發明之一實施形態之變形例4的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。
圖7A係本發明之一實施形態之變形例5的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。圖7B係本發明之一實施形態之變形例6的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。圖7C係本發明之一實施形態之變形例7的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。圖7D係本發明之一實施形態之變形例8的平衡濾波器之積層構造中之重要部分之分解立體圖。
以下，參照圖式對實施形態之平衡濾波器進行說明。
以下之實施形態等中所參照之圖2、圖3、圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖7A、圖7B、圖7C及圖7D均為示意圖，圖中之各構成要素之大小或厚度各自之比不限於必須反映實際之尺寸比。
(實施形態)
(1)平衡濾波器之整體構成
首先，參照圖1對實施形態之平衡濾波器1之整體構成進行說明。圖1係實施形態之平衡濾波器1之電路圖。
實施形態之平衡濾波器1例如係於智慧型手機等通訊機器中設置於連接天線之分配器(不平衡電路)與RF(Radio Frequency，無線射頻)電路(平衡電路)之間之平衡-不平衡轉換電路。平衡濾波器1於來自分配器之不平衡訊號與來自RF電路之平衡訊號之間進行訊號之轉換。此處，平衡濾波器1將來自RF電路之平衡訊號轉換為不平衡訊號，並將該不平衡訊號向分配器輸出。
實施形態之平衡濾波器1如圖1所示，具備不平衡端子T1、不平衡側電感器L2、第1平衡端子T21、第2平衡端子T22、平衡側電感器L3、電源線4、及匹配電路5。
不平衡側電感器L2係插入至不平衡端子T1與接地之間。平衡側電感器L3係插入至第1平衡端子T21與第2平衡端子T22之間，與不平衡側電感器L2電磁耦合。此處，平衡側電感器L3係由第1電感器L31、第2電感器L32及第3電感器L33之3個所構成。不平衡側電感器L2主要與第2電感器L32電磁耦合。
電源線4係第1端41電性連接於平衡側電感器L3之中央部M1，第2端42電性連接於直流電源7。再者，於本說明書等中，所謂「平衡側電感器之中央部」係指平衡側電感器中與不平衡側電感器電磁耦合之電感器。例如，於實施形態中，包含第1電感器L31、第2電感器L32及第3電感器L33之平衡側電感器L3中，第2電感器L32與不平衡側電感器L2電磁耦合，第2電感器L32成為平衡側電感器L3之中央部。於該情形時，電源線4若電性連接於第2電感器L32，則認為其電性連接於平衡側電感器L3之中央部。電源線4將來自直流電源7之直流電向平衡側電感器L3供給。
匹配電路5係使第1平衡端子T21與電源線4之第2端42之間之第1阻抗和第2平衡端子T22與電源線4之第2端42之間之第2阻抗匹配。此處，第1阻抗係通過平衡側電感器L3之第1電感器L31、第2電感器L32之一部分及電源線4之自第1平衡端子T21至電源線4之第2端42為止之電路之阻抗。此處，第2阻抗
係通過平衡側電感器L3之第3電感器L33、第2電感器L32之一部分及電源線4之自第2平衡端子T22至電源線4之第2端42為止之電路之阻抗。於本說明書等中，所謂「阻抗匹配」，於第1阻抗之虛數部大於第2阻抗之虛數部之情形時，係指第2阻抗之虛數部相對於第1阻抗之虛數部之比率為0.5以上且1以下，或於第2阻抗之虛數部大於第1阻抗之虛數部之情形時，第1阻抗之虛數部相對於第2阻抗之虛數部之比率為0.5以上且1以下。詳細內容於「(4)平衡濾波器之特性」一欄進行說明。
(2)平衡濾波器之詳細
其次，參照圖1對實施形態之平衡濾波器1之詳細進行說明。實施形態之平衡濾波器1具備不平衡側電路2、及平衡側電路3。
(2.1)不平衡側電路
不平衡側電路2如圖1所示，具備不平衡端子T1、不平衡側電感器L2、及低通濾波器21。
低通濾波器21例如為π型之低通濾波器。低通濾波器21包含電感器L1、及2個電容器C1、C2。電感器L1之一端係電性連接於不平衡端子T1，電感器L1之另一端係電性連接於不平衡側電感器L2之一端。不平衡側電感器L2之另一端係電性連接於接地。換言之，不平衡側電感器L2係插入(連接)至不平衡端子T1與接地之間。
電容器C1係插入(連接)至不平衡端子T1與接地之間。電容器C2係插入(連接)至電感器L1及不平衡側電感器L2之連接點與接地之間。換言之，電容器C2係與不平衡側電感器L2電性並聯。不平衡側電感器L2與電容器C2構成第1LC並聯共振電路。
於實施形態之平衡濾波器1中，可藉由低通濾波器21僅使任意選擇之頻率(通帶)之訊號通過。
(2.2)平衡側電路
平衡側電路3如圖1所示，具備第1平衡端子T21、第2平衡端子T22、平衡側電感器L3、及4個電容器C4~C7。
平衡側電感器L3係插入(連接)至第1平衡端子T21與第2平衡端子T22之間。此處，平衡側電感器L3係由第1電感器L31、第2電感器L32及第3電感器L33之3個所構成。第1電感器L31之一端電性連接於第1平衡端子T21，第1電感器L31之另一端電性連接於第2電感器L32之一端。第2電感器L32之另一端電性連接於第3電感器L33之一端，第3電感器L33之另一端電性連接於第2平衡端子T22。換言之，第1電感器L31、第2電感器L32及第3電感器L33係於第1平衡端子T21與第2平衡端子T22之間電性串聯。
於本說明書等中，所謂「電磁耦合」係包含靜電耦合及磁耦合之兩者之概念。所謂不平衡側電感器L2與平衡側電感器L3「電磁耦合」係指於平衡濾波器1之動作時可以電磁耦合之方式配置。於實施形態中，不平衡側電感器L2主要以與平衡側電感器L3之第2電感器L32電磁耦合之方式構成。此處，若不平衡側電感器L2與平衡側電感器L3之間產生之電容為0.536[μC/m2]以上，則認為不平衡側電感器L2與平衡側電感器L3電磁耦合。再者，平衡側電感器L3與匹配用電感器L4(下文說明)之電磁耦合、及不平衡側電感器L2與匹配用電感器L4之電磁耦合亦相同。
電容器C4係插入(連接)至第1電感器L31及第2電感器L32之連接點與第2電感器L32及第3電感器L33之連接點之間。電容器C5係插入(連接)至第1平衡端子T21與第2平衡端子T22之間。平衡側電感器L3(第1電感器L31、第2電感器L32、第3電感器L33)與電容器C4、C5構成第2LC並聯共振電路。並且，第2LC並聯共振電路與上述第1LC並聯共振電路協動而構成帶通濾波器。該帶通濾波器僅使任意選擇之頻率(通帶)之訊號於不平衡端子T1與第
1平衡端子T21及第2平衡端子T22之間通過。
電容器C6係插入(連接)至第1平衡端子T21與接地之間。電容器C7係插入(連接)至第2平衡端子T22與接地之間。該等電容器C6、C7作為雜訊濾波器發揮功能，而將自第1平衡端子T21及第2平衡端子T22輸入之平衡訊號所含之雜訊去除。再者，於實施形態中，通過電容器C6之第1平衡端子T21至接地之阻抗與通過電容器C7之第2平衡端子T22至接地之阻抗設為相同值。
平衡側電路3進而具備電源線4、及匹配電路5。
電源線4之第1端41係電性連接於平衡側電感器L3(嚴格而言為第2電感器L32)之中央部M1，電源線4之第2端42係電性連接於匹配電路5。
匹配電路5如圖1所示，包含匹配用電感器L4、及電源端子T3。匹配用電感器L4之一端係電性連接於電源線4，匹配用電感器L4之另一端係電性連接於電源端子T3。於電源端子T3電性連接直流電源7。換言之，匹配電路5之匹配用電感器L4係插入(連接)至電性連接於平衡側電感器L3之中央部M1之電源線4與直流電源7之間。
匹配用電感器L4係以於訊號轉換時與平衡側電感器L3電磁耦合之方式構成。又，匹配用電感器L4係以於訊號轉換時亦與不平衡側電感器L2電磁耦合之方式構成。即，匹配用電感器L4係以於訊號轉換時與不平衡側電感器L2及平衡側電感器L3之兩者電磁耦合之方式構成。
於該平衡濾波器1中，藉由經由電源線4供給之來自直流電源7之直流電，可提高自不平衡端子T1輸出之不平衡訊號之強度。
(3)平衡濾波器之構造
(3.1)第1例
其次，參照圖2對實施形態之第1例之平衡濾波器1之構造進行說明。圖2係實施形態之第1例之平衡濾波器1的積層構造中之重要部分之分解立體圖。於圖
2中，構成平衡濾波器1之複數個絕緣體層6中，圖示2個第1絕緣體層61、2個第2絕緣體層62、1個第3絕緣體層63、及1個第4絕緣體層64，除此以外之絕緣體層6省略圖示。
第1例之平衡濾波器1如圖2所示，具有將包含2個第1絕緣體層61、2個第2絕緣體層62、1個第3絕緣體層63及1個第4絕緣體層64之複數個絕緣體層6沿第1方向D1積層而成之積層構造。於第1例中，第1方向D1係複數個絕緣體層6之積層方向(以下亦稱為「積層方向D1」)。複數個絕緣體層6各自之材料例如為陶瓷。
第1絕緣體層61、第2絕緣體層62、第3絕緣體層63及第4絕緣體層64分別為板狀。第1絕緣體層61、第2絕緣體層62、第3絕緣體層63及第4絕緣體層64分別於自積層方向D1之俯視下為長方形狀。
第1絕緣體層61、第2絕緣體層62、第3絕緣體層63及第4絕緣體層64分別具有第1主面60A及第2主面60B。第1主面60A與第2主面60B於積層方向D1上位於互相相反之側。
於第1絕緣體層61之第1主面60A上設置有第1導體部610。此處，第1導體部610係含有特定形狀之第1導體圖案之第1導體層。第1導體部610之材料例如為銅、銀、或該等之合金。進而，第1導體部610之材料亦可為鋁、鐵、鎳、鉬、或該等之合金。其中一(圖2中之上側)第1絕緣體層61之第1導體部610係如於自積層方向D1之俯視下自中心向外側右旋(順時針)地彎折為矩形狀之形狀。另一(圖2中之下側)第1絕緣體層61之第1導體部610係如於自積層方向D1之俯視下自中心向外側左旋(逆時針)地彎折為矩形之形狀。2個第1導體部610之捲繞數為1圈。2個第1導體部610藉由沿積層方向D1設置之通孔電極而電性連接，構成不平衡側電感器L2。換言之，不平衡側電感器L2具有設置於第1絕緣體層61之第1主面60A上之第1導體部610。
於第2絕緣體層62之第1主面60A上設置有第2導體部620。此處，第2導體部620係含有特定形狀之第2導體圖案之第2導體層。第2導體部620之材料例如為銅、銀、或該等之合金。各第2絕緣體層62之第2導體部620於自積層方向D1之俯視下為矩形框狀。2個第2導體部620之捲繞數為1圈。2個第2導體部620藉由沿積層方向D1設置之通孔電極而電性連接，構成平衡側電感器L3。換言之，平衡側電感器L3具有設置於第2絕緣體層62之第1主面60A上之第2導體部620。
於第3絕緣體層63之第1主面60A上設置有第3導體部630。此處，第3導體部630係含有特定形狀之第3導體圖案之第3導體層。第3導體部630之材料例如為銅、銀、或該等之合金。第3絕緣體層63之第3導體部630於自積層方向D1之俯視下為大致L字形。第3導體部630藉由沿積層方向D1形成之通孔電極而電性連接於一(圖2中之下側)第2導體部620，構成匹配用電感器L4。換言之，匹配用電感器L4具有設置於第3絕緣體層63之第1主面60A上之第3導體部630。又，第3導體部630係電性連接於平衡側電感器L3，亦作為電源線4發揮功能。即，於實施形態中，匹配用電感器L4與電源線4係藉由第3導體部630而一體地形成。
於第4絕緣體層64之第2主面60B上設置有複數個第4導體部640。複數個第4導體部640與上述不平衡端子T1、第1平衡端子T21、第2平衡端子T22及電源端子T3一對一地對應。換言之，不平衡端子T1、第1平衡端子T21及第2平衡端子T22分別具有設置於第4絕緣體層64之第2主面60B上之第4導體部640。
於第1例之平衡濾波器1中，如圖2所示，於積層方向D1上，在第1主面60A成為上側、第2主面60B成為下側之方向上，自下側起依序排列有第4絕緣體層64、第3絕緣體層63、一第1絕緣體層61、一第2絕緣體層62、另一第
2絕緣體層62、另一第1絕緣體層61。
於圖2之例中，2個第1絕緣體層61中之一(下側)第1絕緣體層61與2個第2絕緣體層62中之一(下側)第2絕緣體層62構成積層方向D1上互相鄰接之第1積層部651。又，2個第1絕緣體層61中之另一(上側)第1絕緣體層61與2個第2絕緣體層62中之另一(上側)第2絕緣體層62構成積層方向D1上互相鄰接之第2積層部652。
另外，於第1例之平衡濾波器1中，於積層方向D1上，自下側起依序排列有第4絕緣體層64、第3絕緣體層63、第1積層部651、第2積層部652。換言之，於平衡濾波器1中，於積層方向D1上，第1積層部651之第2導體部620與第2積層部652之第2導體部620鄰接，且第3導體部630鄰接於第1積層部651之第1導體部610。進而換言之，於平衡濾波器1中，於積層方向D1上，自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起，依序排列有第3導體部630、第1積層部651之第1導體部610、第1積層部651之第2導體部620、第2積層部652之第2導體部620、第2積層部652之第1導體部610。
再者，於以下之說明中，於無需特別區別第1積層部651及第2積層部652之情形時，亦將第1積層部651及第2積層部652分別稱為「積層部65」。
於本說明書等中，所謂「鄰接」係指於積層方向D1上之2個導體部間不存在構成其他電路元件(例如，電容器等)之導體部。例如，假定圖2中於構成第1積層部651之第1絕緣體層61與第2絕緣體層62之間存在其他絕緣體層6之情形。於該情形時，若其他絕緣體層6之導體部位於自積層方向D1之俯視下與第1導體部610及第2導體部620重疊之位置，則認為第1絕緣體層61(第1導體部610)與第2絕緣體層62(第2導體部620)鄰接。但由於將導體部間電性連接之通孔電極對導體部間之電磁耦合造成之影響較小，故而亦可於自積層方
向D1之俯視下與導體部重疊之位置設置有通孔電極。
(3.2)第2例
其次，參照圖3對實施形態之第2例之平衡濾波器1之構造進行說明。圖3係實施形態之第2例之平衡濾波器1的積層構造中之重要部分之分解立體圖。於圖3中，圖示構成平衡濾波器1之複數個絕緣體層6中之2個第1絕緣體層61、2個第2絕緣體層62、1個第3絕緣體層63、及1個第4絕緣體層64，除此以外之絕緣體層6省略圖示。又，於第2例之平衡濾波器1中，僅設置於第3絕緣層63之第1主面60A上之第3導體部630之形狀與第1例之平衡濾波器1不同，除此以外之構成相同，而對相同之構成要素標註相同之符號而省略說明。
第2例之平衡濾波器1如圖3所示，具有將包含2個第1絕緣體層61、2個第2絕緣體層62、1個第3絕緣體層63及1個第4絕緣體層64之複數個絕緣體層6沿第1方向(積層方向)D1積層而成之積層構造。
於第2例之平衡濾波器1中，第3導體部630之形狀於自積層方向D1之俯視下為大致U字形。
(4)平衡濾波器之特性
其次，參照圖4A、圖4B、圖5A及圖5B對平衡濾波器1之特性進行說明。此處，實施形態之平衡濾波器1之通帶例如為915[MHz]。
(4.1)第1例
圖4A係第1例之平衡濾波器1之平衡端子側之史密斯圖。圖4B係第1例之平衡濾波器1之不平衡端子與平衡端子之間之頻率特性圖。圖4A中之實線表示第1平衡端子T21與電源線4之第2端42之間之第1阻抗，圖4A中之虛線表示第2平衡端子T22與電源線4之第2端42之間之第2阻抗。圖4B中之實線表示成為雜訊之共模訊號。
於第1例中，第1阻抗為圖4A中之點P1之值，具體而言，為
10.126+j24.924[Ω]。又，第2阻抗為圖4A中之點P2之值，具體而言，為20.908+j13.177[Ω]。於該情形時，根據圖4B可知，平衡濾波器1之通帶(915[MHz])中之共模訊號衰減13[dB]左右。
於第1例之平衡濾波器1中，藉由將電源線4引繞為例如L字形，而實現匹配用電感器L4之功能。
此處，於判斷第1阻抗與第2阻抗是否匹配之情形時，可基於第2阻抗相對於第1阻抗之比率進行判斷，上述比率可根據各阻抗之虛數部分求出。
於第1例中，第1阻抗之虛數部分為24.924，第2阻抗之虛數部分為13.177。因此，第2阻抗相對於第1阻抗之比率成為0.53(13.177/24.924)。於該情形時，如圖4B所示，平衡濾波器1之通帶中之共模訊號衰減，可認為第1阻抗與第2阻抗匹配。亦即，若第2阻抗相對於第1阻抗之比率為0.5以上，則認為第1阻抗與第2阻抗匹配。
(4.2)第2例
圖5A係第2例之平衡濾波器1之平衡端子側之史密斯圖。圖5B係第2例之平衡濾波器1之不平衡端子與平衡端子之間之頻率特性圖。圖5A中之實線表示第1平衡端子T21與電源線4之第2端42之間之第1阻抗，圖5A中之虛線表示第2平衡端子T22與電源線4之第2端42之間之第2阻抗。圖5B中之實線表示成為雜訊之共模訊號。
於第2例中，第1阻抗為圖5A中之點P1之值，具體而言，為30.247+j34.229[Ω]。又，第2阻抗為圖5A中之點P2之值，具體而言，為24.285+j29.119[Ω]。於該情形時，根據圖5B可知，平衡濾波器1之通帶(915[MHz])中之共模訊號衰減27[dB]左右。於該情形時，與第1例相比，通帶中之共模訊號之衰減量增加，濾波器特性提高。其原因在於第2例中之第1阻抗與第2阻抗之
阻抗差(參照圖5A)小於第1例(參照圖4A)。
於第2例之平衡濾波器1中，使電源線4繞成例如U字形而形成。藉此，可實現具有大於第1例之平衡濾波器1之電感之匹配用電感器L4。
於第2例中，第1阻抗之虛數部分為34.229，第2阻抗之虛數部分為29.119。因此，第2阻抗相對於第1阻抗之比率成為0.85(29.119/34.229)。於該情形時，第2阻抗相對於第1阻抗之比率亦為0.5以上，可認為第1阻抗與第2阻抗匹配。又，於該情形時，與第1例相比，通帶中之共模訊號之衰減量增加，因此第2阻抗相對於第1阻抗之比率較佳為0.85以上。
(5)效果
實施形態之平衡濾波器1具備不平衡端子T1、不平衡側電感器L2、第1平衡端子T21、第2平衡端子T22、平衡側電感器L3、電源線4、及匹配電路5。不平衡側電感器L2係插入至不平衡端子T1與接地之間。平衡側電感器L3係插入至第1平衡端子T21與第2平衡端子T22之間，與不平衡側電感器L2電磁耦合。電源線4係第1端41連接於平衡側電感器L3之中央部M1，第2端42連接於直流電源7。匹配電路5使第1平衡端子T21與電源線4之第2端42之間之第1阻抗和第2平衡端子T22與電源線4之第2端42之間之第2阻抗匹配。
於實施形態之平衡濾波器1中，具備使第1阻抗與第2阻抗匹配之匹配電路5。因此，即便於向平衡側電感器L3供給來自直流電源7之直流電之情形時，亦可使第1阻抗與第2阻抗匹配。其結果，可使於平衡濾波器1之通帶中成為雜訊之共模訊號衰減，而可獲得所需之輸入輸出特性。
又，於實施形態之平衡濾波器1中，匹配電路5包含連接於電源線4之匹配用電感器L4。匹配用電感器L4與平衡側電感器L3電磁耦合。藉由該構成，可更有效地使通帶中之共模訊號衰減。
又，於實施形態之平衡濾波器1中，不平衡側電感器L2進而與
匹配用電感器L4電磁耦合。藉由該構成，和不平衡側電感器L2與匹配用電感器L4不電磁耦合之情形相比，可提高濾波器之通過特性。
又，實施形態之平衡濾波器1具有具備複數個絕緣體層6之積層構造，該複數個絕緣體層6包含至少1個第1絕緣體層61、至少1個第2絕緣體層62、及至少1個第3絕緣體層63。複數個絕緣體層6分別具有於複數個絕緣體層6之積層方向D1上位於互相相反之側之第1主面60A及第2主面60B。不平衡側電感器L2具有設置於第1絕緣體層61之第1主面60A上之第1導體部610。平衡側電感器L3具有設置於第2絕緣體層62之第1主面60A上之第2導體部620。匹配用電感器L4具有設置於第3絕緣體層63之第1主面60A上之第3導體部630。第1絕緣體層61與第2絕緣體層62構成積層方向D1上互相鄰接之積層部65。於平衡濾波器1中，於積層方向D1上，第3導體部630鄰接於積層部65之第1導體部610或第2導體部620。藉由該構成，可增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合，其結果，可使第1阻抗與第2阻抗匹配。尤其是亦具有如下優點：藉由將平衡濾波器1製成積層構造，可使平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合成為可調整之狀態。
又，於實施形態之平衡濾波器1中，複數個絕緣體層6包含2個第1絕緣體層61、2個第2絕緣體層62、及1個第3絕緣體層63。不平衡側電感器L2具有於2個第1絕緣體層61之第1主面60A上一對一地對應設置之2個第1導體部610。平衡側電感器L3具有於2個第2絕緣體層62之第1主面60A上一對一地對應設置之2個第2導體部620。平衡濾波器1具備由2個第1絕緣體層61之其中一者與2個第2絕緣體層62之其中一者構成之第1積層部651、及由2個第1絕緣體層61之另一者與2個第2絕緣體層62之另一者構成之第2積層部652作為積層部65。於平衡濾波器1中，於積層方向D1上，第1積層部651之第2導體部620與第2積層部652之第2導體部620鄰接，且第3導體部630鄰接於第1積層部651之第1導體部
610或第2積層部652之第1導體部610。藉由該構成，於2層構造之平衡濾波器1中，可一面增強不平衡側電感器L2與匹配用電感器L4之電磁耦合，一面增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合。
又，於實施形態之平衡濾波器1中，複數個絕緣體層6進而包含第4絕緣體層64。不平衡端子T1、第1平衡端子T21及第2平衡端子T22具有設置於第4絕緣體層64之第2主面60B上之第4導體部640。於平衡濾波器1中，於積層方向D1上，自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起依序排列有第3導體部630、第1積層部651之第1導體部610、第1積層部651之第2導體部620、第2積層部652之第2導體部620、第2積層部652之第1導體部610。藉由該構成，於2層構造之平衡濾波器1中，可一面增強不平衡側電感器L2與匹配用電感器L4之電磁耦合，一面增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合。
(6)變形例
(6.1)變形例1~4
參照圖6A~圖6D對變形例1~4之平衡濾波器1A~1D進行說明。再者，於圖6A~圖6D中，僅圖示第1導體部610、第2導體部620及第3導體部630，而省略第1絕緣體層61、第2絕緣體層62、第3絕緣體層63及第4絕緣體層64之圖示。
首先，參照圖6A對變形例1之平衡濾波器1A進行說明。於上述實施形態中，於積層方向D1上，第3導體部630鄰接於第1積層部651之第1導體部610。與此相對，如平衡濾波器1A所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可鄰接於第2積層部652之第1導體部610(參照圖6A)。換言之，如平衡濾波器1A所示，於積層方向D1上，亦可為第1積層部651之第2導體部620與第2積層部652之第2導體部620鄰接，且第3導體部630鄰接於第2積層部652之第1導體部610。進而換言之，如平衡濾波器1A所示，於積層方向D1上，亦可為自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起依序排列有第1積層部651之第1導體部610、
第1積層部651之第2導體部620、第2積層部652之第2導體部620、第2積層部652之第1導體部610、第3導體部630。即便為該構成，亦可一面增強不平衡側電感器L2與匹配用電感器L4之電磁耦合，一面增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合。
其次，參照圖6B對變形例2之平衡濾波器1B進行說明。於上述實施形態中，於積層方向D1上，第3導體部630位於第1積層部651之下側。與此相對，如平衡濾波器1B所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可位於第1積層部651與第2積層部652之間(參照圖6B)。換言之，如平衡濾波器1B所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可鄰接於第1積層部651之第2導體部620及第2積層部652之第2導體部620。進而換言之，如平衡濾波器1B所示，於積層方向D1上，亦可為自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起依序排列有第1積層部651之第1導體部610、第1積層部651之第2導體部620、第3導體部630、第2積層部652之第2導體部620、第2積層部652之第1導體部610。即便為該構成，於2層構造之平衡濾波器1B中，亦可增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合。
其次，參照圖6C對變形例3之平衡濾波器1C進行說明。於上述實施形態中，於積層方向D1上，第1積層部651為下側，第2積層部652為上側。與此相對，如平衡濾波器1C所示，於積層方向D1上，亦可為第2積層部652為下側，第1積層部651為上側(參照圖6C)。換言之，如平衡濾波器1C所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可鄰接於積層部65(第1積層部651或第2積層部652)之第2導體部620。進而換言之，如平衡濾波器1C所示，於積層方向D1上，亦可為自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起依序排列有第3導體部630、第2積層部652之第2導體部620、第2積層部652之第1導體部610、第1積層部651之第1導體部610、第1積層部651之第2導體部620。即便為該構成，亦可
增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合，其結果，可使第1阻抗與第2阻抗匹配。
其次，參照圖6D對變形例4之平衡濾波器1D進行說明。於上述變形例3中，於積層方向D1上，第3導體部630係位於第2積層部652之下側。與此相對，如平衡濾波器1D所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可位於第1積層部651之上側(參照圖6D)。換言之，如平衡濾波器1D所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可鄰接於積層部65(第1積層部651或第2積層部652)之第2導體部620。進而換言之，如平衡濾波器1D所示，於積層方向D1上，亦可為自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起依序排列有第2積層部652之第2導體部620、第2積層部652之第1導體部610、第1積層部651之第1導體部610、第1積層部651之第2導體部620、第3導體部630。即便為該構成，亦可增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合，其結果，可使第1阻抗與第2阻抗匹配。
(6.2)變形例5~8
參照圖7A~圖7D對變形例5~8之平衡濾波器1E~1H進行說明。再者，於圖7A~圖7D中，僅圖示第1導體部610、第2導體部620及第3導體部630，而省略第1絕緣體層61、第2絕緣體層62、第3絕緣體層63及第4絕緣體層64之圖示。
首先，參照圖7A對變形例5之平衡濾波器1E進行說明。於上述實施形態及變形例1~4中，第1導體部610及第2導體部620分別為2個，但第1導體部610及第2導體部620亦可分別為1個。平衡濾波器1E如圖7A所示，具備積層部65。積層部65係由積層方向D1上互相鄰接之第1導體部610(第1絕緣體層61)與第2導體部620(第2絕緣體層62)所構成。並且，於平衡濾波器1E中，於積層方向D1上，第3導體部630係鄰接於積層部65之第1導體部610。換言之，於平衡濾波器1E中，於積層方向D1上，自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之
側起依序排列有第3導體部630、第1導體部610、第2導體部620。即便為該構成，亦可一面增強不平衡側電感器L2與匹配用電感器L4之電磁耦合，一面增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合。
其次，參照圖7B對變形例6之平衡濾波器1F進行說明。於上述變形例5中，於積層方向D1上，第1導體部610為下側，第2導體部620為上側。與此相對，如平衡濾波器1F所示，於積層方向D1上，亦可為第2導體部620為下側，第1導體部610為上側(參照圖7B)。換言之，如平衡濾波器1F所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可鄰接於積層部65之第1導體部610。進而換言之，如平衡濾波器1F所示，於積層方向D1上，亦可為自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起依序排列有積層部65之第2導體部620、積層部65之第1導體部610、第3導體部630。即便為該構成，亦可一面增強不平衡側電感器L2與匹配用電感器L4之電磁耦合，一面增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合。
其次，參照圖7C對變形例7之平衡濾波器1G進行說明。於上述變形例5、6中，於積層方向D1上，第3導體部630係鄰接於積層部65之第1導體部610。與此相對，如平衡濾波器1G所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可鄰接於積層部65之第2導體部620(參照圖7C)。換言之，如平衡濾波器1G所示，於積層方向D1上，亦可為自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起依序排列有第3導體部630、積層部65之第2導體部620、積層部65之第1導體部610。即便為該構成，亦可增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合，其結果，可使第1阻抗與第2阻抗匹配。
其次，參照圖7D對變形例8之平衡濾波器1H進行說明。於上述變形例5中，於積層方向D1上，第3導體部630位於積層部65之下側。與此相對，如平衡濾波器1H所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可位於積層部
65之上側(參照圖7D)。換言之，如平衡濾波器1H所示，於積層方向D1上，第3導體部630亦可鄰接於積層部65之第2導體部620。進而換言之，如平衡濾波器1H所示，於積層方向D1上，亦可為自靠近第4絕緣體層64之第1主面60A之側起依序排列有積層部65之第1導體部610、積層部65之第2導體部620、第3導體部630。即便為該構成，亦可增強平衡側電感器L3與匹配用電感器L4之電磁耦合，其結果，可使第1阻抗與第2阻抗匹配。
(6.3)其他變形例
上述實施形態等僅為本發明之各種實施形態之一。關於上述實施形態等，只要可達成本發明之目的，則可根據設計等進行各種變更。以下，列舉上述實施形態等之變形例。
於上述實施形態中，已例示第3絕緣體層63為1個之情形，但第3絕緣體層63並不限於1個，亦可為2個以上。例如，假定圖2所示之積層構造中具備2個第3絕緣體層63之情形。於該情形時，考慮到積層方向D1上之對稱性，較佳為於第1積層部651及第2積層部652之兩側分別配置第3絕緣體層63。又，亦可為2個第3絕緣體層63中之一者於積層方向D1上配置於第1積層部651與第2積層部652之間。
於上述實施形態中，已例示第1絕緣體層61及第2絕緣體層62分別為1個或2個之情形，但第1絕緣體層61及第2絕緣體層62亦可分別為3個以上。又，第1絕緣體層61與第2絕緣體層62亦可不為相同數量，第1絕緣體層61可多於第2絕緣體層62，亦可少於第2絕緣體層62。
於上述實施形態中，已例示低通濾波器21為π型之低通濾波器之情形，但低通濾波器21並不限於π型，例如亦可為T型，亦可為L型。
於上述實施形態中，已例示平衡濾波器1之通帶為915MHz之情形，但平衡濾波器1之通帶並不限於915MHz，例如包含於300MHz~3GHz之
範圍內即可。
(彙總)
由以上所說明之實施形態等揭示以下之態樣。
第1態樣之平衡濾波器(1；1A~1H)具備不平衡端子(T1)、不平衡側電感器(L2)、第1平衡端子(T21)、第2平衡端子(T22)、平衡側電感器(L3)、電源線(4)、及匹配電路(5)。不平衡側電感器(L2)係插入至不平衡端子(T1)與接地之間。平衡側電感器(L3)係插入至第1平衡端子(T21)與第2平衡端子(T22)之間，與不平衡側電感器(L2)電磁耦合。
電源線(4)係第1端(41)連接於平衡側電感器(L3)之中央部(M1)，第2端(42)連接於直流電源(7)。匹配電路(5)使第1平衡端子(T21)與電源線(4)之第2端(42)之間之第1阻抗和第2平衡端子(T22)與電源線(4)之第2端(42)之間之第2阻抗匹配。
根據第1態樣，可使於通帶中成為雜訊之共模訊號衰減。
於第2態樣之平衡濾波器(1；1A~1H)中，係第1態樣中匹配電路(5)包含連接於電源線(4)之匹配用電感器(L4)。匹配用電感器(L4)與平衡側電感器(L3)電磁耦合。
根據第2態樣，可更有效地使於通帶中成為雜訊之共模訊號衰減。
於第3態樣之平衡濾波器(1；1A~1H)中，係第2態樣中匹配用電感器(L4)進而與不平衡側電感器(L2)電磁耦合。
根據第3態樣，與匹配用電感器(L4)不與不平衡側電感器(L2)電磁耦合之情形相比，可提高濾波器之通過特性。
第4態樣之平衡濾波器(1；1A~1H)係第2或3態樣中具有具備複數個絕緣體層(6)之積層構造，該複數個絕緣體層(6)包含至少1個第1絕
緣體層(61)、至少1個第2絕緣體層(62)、及至少1個第3絕緣體層(63)。複數個絕緣體層(6)分別具有於複數個絕緣體層(6)之積層方向(D1)上位於互相相反之側之第1主面(60A)及第2主面(60B)。不平衡側電感器(L2)具有設置於第1絕緣體層(61)之第1主面(60A)上之第1導體部(610)。平衡側電感器(L3)具有設置於第2絕緣體層(62)之第1主面(60A)上之第2導體部(620)。匹配用電感器(L4)具有設置於第3絕緣體層(63)之第1主面(60A)上之第3導體部(630)。第1絕緣體層(61)與第2絕緣體層(62)構成積層方向(D1)上互相鄰接之積層部(65)。於平衡濾波器(1；1A~1H)中，於積層方向(D1)上，第3導體部(630)鄰接於積層部(65)之第1導體部(610)或第2導體部(620)。
根據第4態樣，可增強平衡側電感器(L3)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合，其結果，可使第1阻抗與第2阻抗匹配。
於第5態樣之平衡濾波器(1E；1F)中，係第4態樣中複數個絕緣體層(6)包含1個第1絕緣體層(61)、1個第2絕緣體層(62)、及1個第3絕緣體層(63)。於平衡濾波器(1E；1F)中，於積層方向(D1)上，第3導體部(630)鄰接於積層部(65)之第1導體部(610)。
根據第5態樣，可一面增強不平衡側電感器(L2)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合，一面增強平衡側電感器(L3)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合。
於第6態樣之平衡濾波器(1E)中，係第5態樣中複數個絕緣體層(6)進而包含第4絕緣體層(64)。不平衡端子(T1)、第1平衡端子(T21)及第2平衡端子(T22)分別具有設置於第4絕緣體層(64)之第2主面(60B)上之第4導體部(640)。於平衡濾波器(1E)中，於積層方向(D1)上，自靠近第4絕緣體層(64)之第1主面(60A)之側起依序排列有第3導體部
(630)、第1導體部(610)、第2導體部(620)。
根據第6態樣，可一面增強不平衡側電感器(L2)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合，一面增強平衡側電感器(L3)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合。
於第7態樣之平衡濾波器(1；1A)中，係第4態樣中複數個絕緣體層(6)包含2個第1絕緣體層(61)、2個第2絕緣體層(62)、及1個第3絕緣體層(63)。不平衡側電感器(L2)具有於2個第1絕緣體層(61)之第1主面(60A)上一對一地對應設置之2個第1導體部(610)。平衡側電感器(L3)具有於2個第2絕緣體層(62)之第1主面(60A)上一對一地對應設置之2個第2導體部(620)。平衡濾波器(1；1A)具備由2個第1絕緣體層(61)之其中一者與2個第2絕緣體層(62)之其中一者所構成之第1積層部(651)、及由2個第1絕緣體層(61)之另一者與2個第2絕緣體層(62)之另一者所構成之第2積層部(652)作為積層部(65)。於平衡濾波器(1；1A)中，於積層方向(D1)上，第1積層部(651)之第2導體部(620)與第2積層部(652)之第2導體部(620)鄰接，且第3導體部(630)鄰接於第1積層部(651)之第1導體部(610)或第2積層部(652)之第1導體部(610)。
根據第7態樣，於2層構造之平衡濾波器(1；1A)中，可一面增強不平衡側電感器(L2)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合，一面增強平衡側電感器(L3)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合。
於第8態樣之平衡濾波器(1)中，係第7態樣中複數個絕緣體層(6)進而包含第4絕緣體層(64)。不平衡端子(T1)、第1平衡端子(T21)及第2平衡端子(T22)具有設置於第4絕緣體層(64)之第2主面(60B)上之第4導體部(640)。於平衡濾波器(1)中，於積層方向(D1)上，自靠近第4絕緣體層(64)之第1主面(60A)之側起依序排列有第3導體部(630)、第1
積層部(651)之第1導體部(610)、第1積層部(651)之第2導體部(620)、第2積層部(652)之第2導體部(620)、第2積層部(652)之第1導體部(610)。
根據第8態樣，於2層構造之平衡濾波器(1)中，可一面增強不平衡側電感器(L2)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合，一面增強平衡側電感器(L3)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合。
於第9態樣之平衡濾波器(1B)中，係第4態樣中複數個絕緣體層(6)包含2個第1絕緣體層(61)、2個第2絕緣體層(62)、及1個第3絕緣體層(63)。不平衡側電感器(L2)具有於2個第1絕緣體層(61)之第1主面(60A)上一對一地對應設置之2個第1導體部(610)。平衡側電感器(L3)具有於2個第2絕緣體層(62)之第1主面(60A)上一對一地對應設置之2個第2導體部(620)。平衡濾波器(1B)具備由2個第1絕緣體層(61)之其中一者與2個第2絕緣體層(62)之其中一者所構成之第1積層部(651)、及由2個第1絕緣體層(61)之另一者與2個第2絕緣體層(62)之另一者所構成之第2積層部(652)作為積層部(65)。於平衡濾波器(1B)中，於積層方向(D1)上，第3導體部(630)鄰接於第1積層部(651)之第2導體部(620)及第2積層部(652)之第2導體部(620)。
根據第9態樣，於2層構造之平衡濾波器(1B)中，可增強平衡側電感器(L3)與匹配用電感器(L4)之電磁耦合。
關於第2~9態樣之構成，並非為平衡濾波器(1；1A~1H)所必需之構成，可適當省略。
Claims (9)
- 一種平衡濾波器，其具備：不平衡端子；不平衡側電感器，其插入至上述不平衡端子與接地之間；第1平衡端子；第2平衡端子；平衡側電感器，其插入至上述第1平衡端子與上述第2平衡端子之間，與上述不平衡側電感器電磁耦合；電源線，其第1端連接於上述平衡側電感器之中央部，第2端連接於直流電源；及匹配電路，其使上述第1平衡端子與上述電源線之上述第2端之間的第1阻抗和上述第2平衡端子與上述電源線之上述第2端之間的第2阻抗匹配。
- 如請求項1所述之平衡濾波器，其中上述匹配電路包含連接於上述電源線之匹配用電感器，上述匹配用電感器與上述平衡側電感器電磁耦合。
- 如請求項2所述之平衡濾波器，其中上述匹配用電感器進而與上述不平衡側電感器電磁耦合。
- 如請求項2或3所述之平衡濾波器，其具有具備複數個絕緣體層之積層構造，該複數個絕緣體層包含至少1個第1絕緣體層、至少1個第2絕緣體層、及至少1個第3絕緣體層，上述複數個絕緣體層分別具有於上述複數個絕緣體層之積層方向上位於互相相反之側之第1主面及第2主面，上述不平衡側電感器具有設置於上述第1絕緣體層之上述第1主面上之第1導體部，上述平衡側電感器具有設置於上述第2絕緣體層之上述第1主面上之第2導體部，上述匹配用電感器具有設置於上述第3絕緣體層之上述第1主面上之第3導體部，上述第1絕緣體層與上述第2絕緣體層構成上述積層方向上互相鄰接之積層部，於上述積層方向上，上述第3導體部鄰接於上述積層部之上述第1導體部或上述第2導體部。
- 如請求項4所述之平衡濾波器，其中上述複數個絕緣體層包含1個上述第1絕緣體層、1個上述第2絕緣體層、及1個上述第3絕緣體層，於上述積層方向上，上述第3導體部鄰接於上述積層部之上述第1導體部。
- 如請求項5所述之平衡濾波器，其中上述複數個絕緣體層進而包含第4絕緣體層，上述不平衡端子、上述第1平衡端子及上述第2平衡端子分別具有設置於上述第4絕緣體層之上述第2主面上之第4導體部，於上述積層方向上，自靠近上述第4絕緣體層之上述第1主面之側起依序排列有上述第3導體部、上述第1導體部、上述第2導體部。
- 如請求項4所述之平衡濾波器，其中上述複數個絕緣體層包含2個上述第1絕緣體層、2個上述第2絕緣體層、及1個上述第3絕緣體層，上述不平衡側電感器具有於上述2個第1絕緣體層之上述第1主面上一對一地對應設置之2個上述第1導體部，上述平衡側電感器具有於上述2個第2絕緣體層之上述第1主面上一對一地對應設置之2個上述第2導體部，作為上述積層部，而具備由上述2個第1絕緣體層之其中一者與上述2個第2絕緣體層之其中一者所構成之第1積層部、及由上述2個第1絕緣體層之另一者與上述2個第2絕緣體層之另一者所構成之第2積層部，於上述積層方向上，上述第1積層部之上述第2導體部與上述第2積層部之上述第2導體部鄰接，且上述第3導體部鄰接於上述第1積層部之上述第1導體部或上述第2積層部之上述第1導體部。
- 如請求項7所述之平衡濾波器，其中上述複數個絕緣體層進而包含第4絕緣體層，上述不平衡端子、上述第1平衡端子及上述第2平衡端子具有設置於上述第4絕緣體層之上述第2主面上之第4導體部，於上述積層方向上，自靠近上述第4絕緣體層之上述第1主面之側起依序排列有上述第3導體部、上述第1積層部之上述第1導體部、上述第1積層部之上述第2導體部、上述第2積層部之上述第2導體部、上述第2積層部之上述第1導體部。
- 如請求項4所述之平衡濾波器，其中上述複數個絕緣體層包含2個上述第1絕緣體層、2個上述第2絕緣體層、及1個上述第3絕緣體層，上述不平衡側電感器具有於上述2個第1絕緣體層之上述第1主面上一對一地對應設置之2個上述第1導體部，上述平衡側電感器具有於上述2個第2絕緣體層之上述第1主面上一對一地對應設置之2個上述第2導體部，作為上述積層部，而具備由上述2個第1絕緣體層之其中一者與上述2個第2絕緣體層之其中一者所構成之第1積層部、及由上述2個第1絕緣體層之另一者與上述2個第2絕緣體層之另一者所構成之第2積層部，於上述積層方向上，上述第3導體部鄰接於上述第1積層部之上述第2導體部及上述第2積層部之上述第2導體部。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018023546 | 2018-02-13 | ||
| JPJP2018-023546 | 2018-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201937849A TW201937849A (zh) | 2019-09-16 |
| TWI676354B true TWI676354B (zh) | 2019-11-01 |
Family
ID=67621021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108104629A TWI676354B (zh) | 2018-02-13 | 2019-02-12 | 平衡濾波器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11171622B2 (zh) |
| TW (1) | TWI676354B (zh) |
| WO (1) | WO2019159774A1 (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI500263B (zh) * | 2012-05-17 | 2015-09-11 | Murata Manufacturing Co | 平衡濾波器 |
| TW201725592A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-07-16 | Murata Manufacturing Co | 平衡濾波器 |
| TWI599168B (zh) * | 2015-09-29 | 2017-09-11 | 村田製作所股份有限公司 | LC parallel resonator and laminated band-pass filter |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3758157B2 (ja) * | 2001-04-04 | 2006-03-22 | 日立金属株式会社 | Ｒｆ段モジュール |
| JP3780414B2 (ja) * | 2001-04-19 | 2006-05-31 | 株式会社村田製作所 | 積層型バラントランス |
| US20030114129A1 (en) * | 2001-12-17 | 2003-06-19 | Jerng Albert C. | System and method for a radio frequency receiver front end utilizing a balun to couple a low-noise amplifier to a mixer |
| JP2005005881A (ja) | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Tdk Corp | 通信線路の平衡化回路および電力線通信回路 |
| KR20090014795A (ko) * | 2007-08-07 | 2009-02-11 | 삼성전기주식회사 | 발룬 트랜스포머 |
| TWI504055B (zh) * | 2010-10-21 | 2015-10-11 | Murata Manufacturing Co | Laminated filter |
| US8436695B2 (en) * | 2010-12-01 | 2013-05-07 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Imbalance detection and reduction for wideband balun |
-
2019
- 2019-02-06 WO PCT/JP2019/004169 patent/WO2019159774A1/ja active Application Filing
- 2019-02-12 TW TW108104629A patent/TWI676354B/zh active
-
2020
- 2020-07-17 US US16/931,488 patent/US11171622B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI500263B (zh) * | 2012-05-17 | 2015-09-11 | Murata Manufacturing Co | 平衡濾波器 |
| TWI599168B (zh) * | 2015-09-29 | 2017-09-11 | 村田製作所股份有限公司 | LC parallel resonator and laminated band-pass filter |
| TW201725592A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-07-16 | Murata Manufacturing Co | 平衡濾波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11171622B2 (en) | 2021-11-09 |
| TW201937849A (zh) | 2019-09-16 |
| US20200350885A1 (en) | 2020-11-05 |
| WO2019159774A1 (ja) | 2019-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5817795B2 (ja) | 高周波モジュール | |
| TWI442624B (zh) | Laminated bandpass filter | |
| US6414567B2 (en) | Duplexer having laminated structure | |
| TWI500263B (zh) | 平衡濾波器 | |
| US6954116B2 (en) | Balanced-unbalanced converting circuit and laminated balanced-unbalanced converter | |
| JPH03262313A (ja) | バンドパスフィルタ | |
| JP2002057543A (ja) | 積層型ｌｃ部品 | |
| US7262675B2 (en) | Laminated filter with improved stop band attenuation | |
| JP3570361B2 (ja) | 積層型ｌｃ複合部品 | |
| US9013249B2 (en) | Electronic component | |
| WO2015022839A1 (ja) | 電力分配器 | |
| US6417745B1 (en) | LC filter with a coupling capacitor formed by shared first and second capacitor patterns | |
| WO2015059963A1 (ja) | 複合ｌｃ共振器および帯域通過フィルタ | |
| US8324981B2 (en) | Composite balun | |
| JP4345680B2 (ja) | ２ポート型非可逆回路素子及び通信装置 | |
| US10276913B2 (en) | Directional coupler | |
| JPWO2013069498A1 (ja) | Ｌｃフィルタ回路及び高周波モジュール | |
| TWI676354B (zh) | 平衡濾波器 | |
| US10276912B2 (en) | Directional coupler | |
| JP2003087074A (ja) | 積層型フィルタ | |
| US11368135B2 (en) | High-frequency module | |
| JP2001267141A (ja) | ローパスフィルタ | |
| JP2007110271A (ja) | 平衡−不平衡変換回路及びこれを用いた高周波部品 | |
| US11316492B2 (en) | Balun | |
| JP4195568B2 (ja) | 積層型電子部品 |