JP2010154474A - 薄膜バラン - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜バラン1は、第1のコイル部C1及び第2のコイル部C2を備える不平衡伝送線路2と、第1のコイル部C1及び第2のコイル部C2にそれぞれ磁気結合する第3のコイル部C3及び第4のコイル部C4を備えた平衡伝送線路3を備える。第1のコイル部C1は、不平衡端子T0に接続され、第2のコイル部C2は、キャパシタD(C成分)を介して接地端子G(接地電位)に接続されている。また、第3のコイル部C3には第1の平衡端子T1が接続され、第4のコイル部C4には第2の平衡端子T2が接続されている。そして、キャパシタDは、平面視において、不平衡端子T0の外側端と接地端子Gの外側端との間の領域S1に設けられている。
【選択図】図2
Description
fr=1/{2π(L・C)1/2} …(1)、
で表される。ここで、式中、frは共振周波数を示し、L(L成分)は、不平衡伝送線路と平衡結合線路部で形成される共振回路の等価的なインダクタンスを示し、C(C成分)は、同キャパシタンスを示す。
図2〜図6は、第1実施形態の薄膜バラン1における各配線層を概略的に示す水平断面図である。これらのうち、図2は、例えばアルミナ等の絶縁性基板上に形成された配線層B1における水平断面を示し、図3は、例えばSiN等の誘電体層を介して、例えばポリイミド等の絶縁体層(以下同様)中に形成された配線層M0における水平断面を示す。また、図4〜図6は、配線層M0上に絶縁体層を介して順次形成された配線層M1,M2,M3のそれぞれにおける水平断面を示す。このように、薄膜バラン1は、絶縁性基板上に形成された薄膜多層配線層から構成されている。
図7〜図17は、本発明に係る第2A〜第2K実施形態の薄膜バラン2A〜2Kにおける配線層B1を概略的に示す水平断面図である。各図に示す如く、薄膜バラン2A〜2Kは、キャパシタDの全体が、平面視において、上述した不平衡端子T0の外側端と接地端子Gの外側端との間の領域S1で、且つ、コイル部C1及びC3に重なる領域、又は、コイル部C2及びC4に重なる領域(すなわち、領域S3の範囲外の領域)に配置されたものである。また、薄膜バラン2A〜2Kのうち、薄膜バラン2B,2D,2Iでは、キャパシタDの全体が、平面視において、上述した不平衡端子T0の内側端と接地端子Gの内側端との間の領域S2に配置されている。なお、各図示においては、キャパシタDの電極D1のみ記載したが、その電極D1に対向する配線層M0における位置に、電極D1と同形状の電極D2が形成されている。
図18〜図20は、本発明に係る第3A〜第3C実施形態の薄膜バラン3A〜3Cにおける配線層B1を概略的に示す水平断面図である。各図に示す如く、薄膜バラン3A〜3Cもまた、キャパシタDの全体が、平面視において、不平衡端子T0の内側端と接地端子Gの内側端との間の領域S2に配置されており、さらに、コイル部C1及びC3によって形成される第1の磁気結合領域と、コイル部C2,C4によって形成される第2の磁気結合領域に跨設されたものである。なお、各図示においては、キャパシタDの電極D1のみを記載したが、その電極D1に対向する配線層M0における位置に、電極D1と同形状の電極D2が形成されている。
図21は、比較例の薄膜バラン4における配線層B1を概略的に示す水平断面図である。図21に示す如く、比較例の薄膜バラン4は、キャパシタKが、平面視において、不平衡端子T0の外側端と接地端子Gの外側端との間の領域S1に範囲外の領域に配置されたものである。なお、図示においては、キャパシタKの電極K1のみを記載したが、その電極K1に対向する配線層M0における位置に、電極K1と同形状の対向電極(本発明の実施形態において電極D2に相当するもの)が形成されている。また、電極K1は、配線51によって接地端子G近傍のスルーホールPに接続されており、その対向電極は、配線52によって接地端子Gに接続されている。
以上説明した各実施形態の薄膜バラン1,2A〜2K,3A〜3C、及び、比較例の薄膜バラン4について、伝送信号の通過特性(減衰特性)をシミュレーションにより評価した結果を、図22〜図25に示す。シミュレーションにおいては、伝送信号の評価対象周波数(共振周波数fr)を2400〜2500MHzとし、この周波数範囲における減衰量が1dB未満を目標仕様とし、各薄膜バランの通過特性を評価した。
Claims (5)
- 第1の線路部及び第2の線路部を有する不平衡伝送線路と、
前記第1の線路部及び前記第2の線路部のそれぞれに対向配置され且つ磁気結合する第3の線路部及び第4の線路部を有する平衡伝送線路と、
前記第1の線路部に接続された不平衡端子と、
前記第2の線路部にC成分を介して接続された接地端子と、
前記第3の線路部に接続された第1の平衡端子と、
前記第4の線路部に接続された第2の平衡端子と、
を備えており、
前記C成分が、前記不平衡端子の外側端と前記接地端子の外側端との間の領域に設けられた、
薄膜バラン。 - 前記C成分が、前記不平衡端子の内側端と前記接地端子の内側端との間の領域に設けられた、
請求項1記載の薄膜バラン。 - 前記C成分が、前記平衡端子よりも前記不平衡端子及び前記接地端子に近い側の領域に設けられた、
請求項1又は2記載の薄膜バラン。 - 前記第1の線路部は、第1のコイル部を有し、
前記第2の線路部は、第2のコイル部を有し、
前記第3の線路部は、第3のコイル部を有し、
前記第4の線路部は、第4のコイル部を有する、
請求項1〜3のいずれか1項記載の薄膜バラン。 - 前記C成分は、前記第2の線路部コイル部に接続された第1の電極と、該第1の電極に誘電体層を介して対向配置されており且つ前記接地端子に接続された第2の電極と、を有するキャパシタを含む、
請求項4項記載の薄膜バラン。
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