JP2007208688A - リング共振器型フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】リング共振器の薄型化及び小型化を実現してフィルタ全体の小型化を図ること。
【解決手段】このリング共振器型フィルタは、第１から第４のリング共振器を多層基板１０に設けている。各リング共振器は一対の導体線路(１１，１２)(１３，１４)（１５，１６）（１７，１８）を備え、一方の導体線路１１，１４，１５，１８は多層基板１０の表層１０ａに形成し、他方の導体線路１２，１３，１６，１７は内層１０ｂに形成する。一方の導体線路１１，１４，１５，１８の一部と他方の導体線路１２，１３，１６，１７の一部とを重ね合わせて配置し、両者間を導通路３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａで導通接続したものである。
【選択図】図２

Description

本発明は、各種高周波装置に用いられる高周波フィルタに係り、特にリング共振器を用いたリング共振器型フィルタに関する。

リング共振器は接地点を持たず損失が少ないという特長があり、その共振周波数はリング状伝送線路の電気長が一波長すなわち３６０゜となるように決定される。従来、複数の一波長リング共振器を平行結合するように複数配列してなるリング共振器型フィルタが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

図５は特許文献１に記載されたリング共振器型フィルタの構成図である。
３つのリング共振器１１１，１１２，１１３が隣接する共振器同士で互いに平行結合するように配列されている。各リング共振器１１１，１１２，１１３は、ループ形状伝送路を形成する導体線路の両開放端に周波数同調用のコンデンサ１１１ａ，１１２ａ，１１３ａを接続している。一端のリング共振器１１１には入出力結合用の容量素子１１４を介して入出力端子１４１が結合される。また他端のリング共振器１１３には入出力結合用の容量素子１１５を介して入出力端子１４２が結合される。かかるリング共振器型フィルタに所望の周波数特性を持たせて、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ等の高周波フィルタを構築している。

上記したリング共振器型フィルタは、各リング共振器１１１，１１２，１１３に接地を設ける必要がないため低損失（高いＱ）を実現でき、リング共振器間の結合も平行結合であるためフィルタの構造が極めて単純で、しかも良い特性を得ることもできる。また、導体線路の開放端を集中容量素子（１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ）で接続することにより、共振器長を短縮して小型化を図ることもできる。
特開昭６４−１３０３号公報

しかしながら、従来のリング共振器型フィルタは、リング共振器のループ形状伝送路にディスクリート部品からなるコンデンサを設けるため、該コンデンサの厚さにより薄型化が困難であった。また、コンデンサを設けずに基板上に導体線路だけでループ形状伝送路を形成した場合、ループ形状伝送路を一波長にするため小型化が困難であった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、薄型化及び小型化が可能なリング共振器型フィルタを提供することを目的とする。

本発明のリング共振器型フィルタは、多層基板と、前記多層基板に設けられ平行結合するように配列された複数のリング共振器と、前記多層基板に設けられ一方端に配置されたリング共振器と結合する第１の入出力端と、前記多層基板に設けられ他方端に配置されたリング共振器と結合する第２の入出力端とを備え、前記リング共振器は、前記多層基板の第一層に設けられた有端状の一方の導体線路と、前記多層基板の第二層に設けられた有端状の他方の導体線路とを備え、前記一方の導体線路の一端部及び他端部と前記他方の導体線路の一端部及び他端部とが重なり合うように配置され、前記第一層から前記第二層にかけて前記一方の導体線路及び前記他方の導体線路を含むループ形状伝送路が形成されたことを特徴とする。

この構成によれば、一方の導体線路の一端部及び他端部と他方の導体線路の一端部及び他端部とが重なり合うように配置されるので、双方の導体線路が重なり合う分だけリング共振器の幅を狭くすることができ、小型化を図ることができる。

また本発明は、上記リング共振器型フィルタにおいて、少なくとも一つのリング共振器は、一方の導体線路の一端部と他方の導体線路の一端部とを導通接続する第１の導通路と、前記一方の導体線路の他端部と前記他方の導体線路の他端部とを導通接続する第２の導通路とを具備することを特徴とする。

この構成によれば、一方の導体線路と他方の導体線路との間を導通接続する第１の導通路及び第２の導通路がループ形状伝送路の一部を構成するので、その分だけ導体線路の長さを短縮でき、リング共振器及びフィルタ全体の小型化を図ることができる。

また本発明は、上記リング共振器型フィルタにおいて、少なくとも一つのリング共振器は、一方の導体線路の一端部と他方の導体線路の一端部とが重なり合う部分に構成した第１の容量素子と、一方の導体線路の他端部と他方の導体線路の他端部とが重なり合う部分に構成した第２の容量素子とを具備することを特徴とする。

この構成によれば、リング共振器におけるループ形状伝送路が、一方の導体線路及び他方の導体線路並びに第１、第２の容量素子で構成されるので、ループ形状伝送路の二箇所に容量素子が介在することとなり、容量を大きくすることで共振器長を短縮することができる。

また本発明は、上記リング共振器型フィルタにおいて、少なくとも一つのリング共振器は、一方の導体線路の一端部と他方の導体線路の一端部との重なり合う部分が導通路を介して導通接続され、一方の導体線路の他端部と他方の導体線路の他端部とが重なり合う部分で容量素子が構成されることを特徴とする。

この構成により、一方の導体線路の一端部と他方の導体線路の一端部とを導通接続する導通路の分だけ一方及び他方の導体線路の長さを短縮でき、かつループ形状伝送路に容量素子が介在することによりループ形状伝送路を短縮する効果も奏することができる。

また本発明は、上記リング共振器型フィルタにおいて、互いに隣接するリング共振器の一方及び他方の導体線路のうち結合すべき双方の導体線路を、前記多層基板の同層に形成したことを特徴とする。

この構成により、結合すべき導体線路を多層基板の同層に形成したことにより、リング共振器間の結合力を強くすることができ、損失の低減を図ることができる。

また本発明は、上記リング共振器型フィルタにおいて、一方の導体線路が、所定幅の直線部と、該直線部の両端部にそれぞれ形成された一対の方形部とからなり、他方の導体線路が、所定幅の直線部と、該直線部の両端部にそれぞれ形成された一対の方形部とからなり、一方の導体線路の方形部と他方の導体線路の方形部とが重なり合うことを特徴とする。

この構成により、一方の導体線路の方形部と他方の導体線路の方形部との間を導通路で導通接続する場合には導通路の長さを確保でき、容量素子を構成する場合には大きな容量を確保することができる。

本発明によれば、リング共振器型フィルタを構成する各リング共振器の薄型化及び小型化が可能で、フィルタ全体としての小型化を実現できる。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。移動体通信、ワイヤレスＬＡＮ等における送受信装置の高周波フィルタとして適用可能なリング共振器型フィルタの一実施の形態について説明する。

（実施の形態１）
図１（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態１に係るリング共振器型フィルタの構成を示す平面図であり、同図（ａ）は多層基板の表層の平面図、同図（ｂ）は該多層基板の内層の平面図である。

図１（ａ）に示すように、多層基板１０の表層１０ａに第１のリング共振器１の一方の導体パターン１１が形成されている。多層基板１０は、ガラスエポキシ又はセラミクス等の誘電体材料で形成され、多層構造となっている。第１のリング共振器１の導体パターン１１は、所定幅の直線部１１ａと、直線部１１ａの両端部に第２のリング共振器側（図中右側）に突出するように一体形成された方形状のランド１１ｂ、１１ｃとで構成されている。

図１（ｂ）に示すように、多層基板１０の内層１０ｂに第１のリング共振器１の他方の導体パターン１２が形成されている。導体パターン１２は、第２のリング共振器側（図中右側）に所定距離ずれた位置に平行に直線部１２ａが形成されている。直線部１２ａの両端部であって上記ランド１１ｂ、１１ｃに対向する領域に同形状のランド１２ｂ、１２ｃが当該直線部１２ａと一体に形成されている。第１のリング共振器１において一方及び他方の導体パターン１１、１２が、一方及び他方の導体線路となる。

図２は図１に示すＡ−Ａ線矢視断面図である。同図に示すように、表層１０ａに形成されたランド１１ｃと内層１０ｂに形成されたランド１２ｃとを、導通路３１を介して導通させている。また、表層１０ａに形成されたランド１１ｂと内層１０ｂに形成されたランド１２ｂとを、導通路３１ｂ（図２では隠れていて見えない）を介して導通させている。このように、第１のリング共振器５１は、表層１０ａに形成された一方の導体パターン１１と、第２層１０ｂに形成された他方の導体パターン１２とが、導通路３１ａ，３１ｂを介して導通することにより、ループ形状伝送路を形成している。

また図１（ｂ）に示すように、内層１０ｂには第１のリング共振器１の他方の導体パターン１２に隣接して、第２のリング共振器２の一方の導体パターン１３が形成されている。この導体パターン１３は、第１のリング共振器１の導体パターン１２の直線部１２ａに対して平行に配置され磁界結合可能に形成された直線部１３ａと、この直線部１３ａの両端部であって第３のリング共振器側（図中右側）に突出するように一体形成された方形状のランド１３ｂ、１３ｃとで構成されている。

図１（ａ）に示すように、多層基板１０の表層１０ａに第２のリング共振器２の一方の導体パターン１４が形成されている。導体パターン１４は、直線部１３ａの形成位置から第３のリング共振器側（図中右側）に所定距離ずれた位置に平行に直線部１４ａが形成されている。直線部１４ａの両端部であって上記ランド１３ｂ、１３ｃに対向する領域に同形状のランド１４ｂ、１４ｃが当該直線部１４ａと一体に形成されている。図２に示すように、表層１０ａに形成されたランド１４ｃと内層１０ｂに形成されたランド１３ｃとを、導通路３２ａを介して導通させている。また、表層１０ａに形成されたランド１４ｂと内層１０ｂに形成されたランド１３ｂとを、導通路３２ｂ（図２では隠れていて見えない）を介して導通させている。このように、第１のリング共振器５１は、表層１０ａに形成された一方の導体パターン１４と、内層１０ｂに形成された他方の導体パターン１３とが、導通路３２ａ，３２ｂを介して導通することにより、ループ形状伝送路を形成している。第２のリング共振器２において一方及び他方の導体パターン１３、１４が、一方及び他方の導体線路となる。

図１（ａ）（ｂ）に示すように、第３のリング共振器３及び第４のリング共振器４も上記した第１、第２のリング共振器１，２と同様に構成されている。第３のリング共振器３は、表層１０ａに形成された一方の導体パターン１５と、内層１０ｂに形成された他方の導体パターン１６と、表層１０ａ側のランド１５ｃと内層１０ｂ側のランド１６ｃとを導通する導通路３３ａと、表層１０ａ側のランド１５ｂと内層１０ｂ側のランド１６ｂとを導通する導通路３３ｂとで形成される。また、第４のリング共振器４は、内層１０ｂに形成された他方の導体パターン１７と、表層１０ａに形成された一方の導体パターン１８と、内層１０ｂ側のランド１７ｃと表層１０ａ側のランド１８ｃとを導通する導通路３４ａと、内層１０ｂ側のランド１７ｂと表層１０ａ側のランド１８ｂとを導通する導通路３４ｂとで形成される。このように、第３のリング共振器３は、表層１０ａに形成された一方の導体パターン１５と、内層１０ｂに形成された他方の導体パターン１６とが、導通路３３ａ，３３ｂを介して導通することにより、ループ形状伝送路を形成している。第４のリング共振器４は、表層１０ａに形成された一方の導体パターン１８と、内層１０ｂに形成された他方の導体パターン１７とが、導通路３４ａ，３４ｂを介して導通することにより、ループ形状伝送路を形成している。また、第３のリング共振器３は、表層１０ａにおいて第２のリング共振器２の他方の導体パターン１４と結合し、内層１０ｂにおいて第４のリング共振器４の一方の導体パターン１７と結合する。第３及び第４のリング共振器３、４において一方及び他方の導体パターン１５、１６、１７、１８が、一方及び他方の導体線路となる。

表層１０ａにおける第１のリング共振器１側の一端には第１の入出力端２１が設けられ、第４のリング共振器４側の他端には第２の入出力端２２が設けられている。

図２に示すように、多層基板１０は、第１〜第５の誘電体層１０−１〜１０−５の５層構造で構成されている。第１の誘電体層１０−１が内層１０ａとなり、第５の誘電体層１０−５が表層となっている。多層基板１０の裏面となる第１の誘電体層１０−１の下面にはグラウンド層２３が形成されている。導通路３１〜３４は第３の誘電体層１０−３〜第５の誘電体層１０−５の間に形成されている。具体的には、各導通路（３１ａ，ｂ〜３４ａ，ｂ）は、第３の誘電体層１０−３及び第５の誘電体層（表層）１０−５に形成したスルーホールと、第４の誘電体層１０−４に形成されこれらスルーホールを導通接続する導体パターンとでそれぞれ構成されている。

以上のように構成された本実施の形態の動作について説明する。
第１の入出力端２１に高周波信号が印加されると、第１の入出力端２１と第１のリング共振器１の一方の導体線路１１とが容量結合又は磁界結合により結合する。第１のリング共振器１に伝搬した高周波信号は、一方の導体線路１１、導通路３１ａ、他方の導体線路１２、導通路３１ｂで形成されるループ形状伝送路を伝搬する。第１のリング共振器１は高周波信号がループ形状伝送路を伝搬することにより共振する。

第１のリング共振器１の共振動作に伴い、第１のリング共振器１における導体線路１２の直線部１２ａと第２のリング共振器２における導体線路２１の直線部とが磁界結合し、第２のリング共振器２に高周波信号が伝搬する。第２のリング共振器２は、第１のリング共振器１と同様の原理で共振し、第２のリング共振器２における導体線路２２の直線部と第３のリング共振器３における導体線路３１の直線部とが磁界結合する。そして、第３のリング共振器３が共振し、第３のリング共振器３の導体線路３２に結合した第２の入出力端５から特定周波数の高周波信号が出力される。

第１のリング共振器１の共振器長となる上記ループ形状伝送路は、共振周波数の一波長分の長さを要する。本実施の形態では、表層１０ａに形成した一方の導体線路１１と内層１０ｂに形成した他方の導体線路１２とを導通接続する２つの導通路３１ａ、３１ｂがループ形状伝送路に含まれる。これにより、導通路３１ａ、３１ｂの長さ分だけ導体線路１１、１２を短縮化でき、ループ形状伝送路を同層に形成する場合に比べて、リング共振器の平面的な実装面積を小さくすることができる。

しかも、導通路３１ａ、３１ｂにおいて、できる限り長い距離を確保できるようにするため、導通路３１ａ、３１ｂの中間部を、互いに対向する一方のランド（１１ｂ、１１ｃ）の一端から他方のランド（１２ｂ、１２ｃ）の他端に向けて水平方向に伸びる導体パターンで形成している。これにより、スルーホールだけで直線的に接続する場合よりも導通路部分がより長くなり、導体線路１１、１２をより短縮化できることとなる。

本実施の形態では、一方の導体線路１１の両端部にそれぞれ形成した方形状のランド（１１ｂ、１１ｃ）と他方の導体線路１２の両端部にそれぞれ形成した方形状のランド（１２ｂ、１２ｃ）とを対向配置している。すなわち、一方の導体線路１１の両端部と他方の導体線路１２の両端部とを重ね合わせるように配置しているため、ループ形状伝送路を短縮することなく、その重なり分だけリング共振器の平面的な実装面積を小さくすることができる。

また、本実施の形態では、多層基板１０にリング共振器１〜４を構築しているものの、導体パターンとスルーホールでループ形状伝送路を形成しているので、チップコンデンサ等のディスクリート容量素子を用いた場合に比べて、大幅な薄型化が実現されている。

（実施の形態２）
本実施の形態２は、容量素子を多層基板で構成し、フィルタの磁界結合を同層で行うようにしたリング共振器型フィルタの例である。本実施の形態２は、上記実施の形態１と同様に多層基板に構築した４つのリング共振器５１〜５４を配列してリング共振器型フィルタを構成している。

図３（ａ）（ｂ）は本実施の形態２に係るリング共振器型フィルタの構成を示す平面図であり、同図（ａ）は表層の平面図、同図（ｂ）は内層の平面図である。

図３（ａ）に示すように、多層基板５０の表層５０ａに第１のリング共振器５１の一方の導体パターン６１が形成されている。多層基板５０は、ガラスエポキシ又はセラミクス等の誘電体材料で形成され、多層構造となっている。第１のリング共振器５１の導体パターン６１は、所定幅の直線部６１ａと、直線部６１ａの両端部に第２のリング共振器側（図中右側）に突出するように一体形成された方形状のランド６１ｂ、６１ｃとで構成されている。

図３（ｂ）に示すように、多層基板５０の内層５０ｂに第１のリング共振器５１の他方の導体パターン６２が形成されている。導体パターン６２は、第２のリング共振器側（図中右側）に所定距離ずれた位置に平行に直線部６２ａが形成されている。直線部６２ａの両端部であって上記ランド６１ｂ、６１ｃに対向する領域に同形状のランド６２ｂ、６２ｃが当該直線部６２ａと一体に形成されている。このように、第１のリング共振器５１は、表層５０ａに形成された一方の導体パターン６１と、内層５０ｂに形成された他方の導体パターン６２と、表層５０ａのランド６１ｂと内層５０ｂのランド６２ｂとの間に形成される容量部と、表層５０ａのランド６１ｃと内層５０ｂのランド６２ｃとの間に形成される容量部とからループ形状伝送路を形成している。このループ形状伝送路は、２つの容量部を含むことになる。

また図３（ｂ）に示すように、内層５０ｂには第１のリング共振器５１の他方の導体パターン６２に隣接して、第２のリング共振器５２の他方の導体パターン６３が形成されている。この導体パターン６３は、第１のリング共振器５１の導体パターン６２の直線部６２ａに対して平行に配置され磁界結合可能に形成された直線部６３ａと、この直線部６３ａの両端部であって第３のリング共振器側（図中右側）に突出するように一体形成された方形状のランド６３ｂ、６３ｃとで構成されている。

図３（ａ）に示すように、多層基板５０の表層５０ａに第２のリング共振器５２の一方の導体パターン６４が形成されている。導体パターン６４は、直線部６３ａの形成位置から第３のリング共振器側（図中右側）に所定距離ずれた位置に平行に直線部６４ａが形成されている。直線部６４ａの両端部であって上記ランド６３ｂ、６３ｃに対向する領域に同形状のランド６４ｂ、６４ｃが当該直線部６４ａと一体に形成されている。このように、第２のリング共振器５２は、表層５０ａに形成された一方の導体パターン６４と、内層５０ｂに形成された他方の導体パターン６３と、表層５０ａのランド６４ｂと内層５０ｂのランド６３ｂとの間に形成される容量部と、表層５０ａのランド６４ｃと内層５０ｂのランド６３ｃとの間に形成される容量部とからループ形状伝送路を形成している。当該ループ形状伝送路は、第１のリング共振器５１と同様に、２つの容量部を含むことになる。

図３（ａ）（ｂ）に示すように、第３のリング共振器５３及び第４のリング共振器５４も上記した第１、第２のリング共振器５１，５２と同様に構成されている。第３のリング共振器５３は、表層５０ａに形成された一方の導体パターン６５と、内層５０ｂに形成された他方の導体パターン６６と、表層５０ａ側のランド６５ｂ、６５ｃと内層５０ｂ側のランド６６ｂ，６６ｃとの間に形成される容量部とで形成される。また、第４のリング共振器５４は、内層５０ｂに形成された他方の導体パターン６７と、表層５０ａに形成された一方の導体パターン６８と、内層５０ｂ側のランド６７ｂ，６７ｃと表層５０ａ側のランド６８ｂ、６８ｃとの間に形成される容量部とで形成される。第３のリング共振器５３は、表層５０ａにおいて第２のリング共振器５２の他方の導体パターン６４と結合し、内層５０ｂにおいて第４のリング共振器５４の一方の導体パターン６７と結合する。

表層５０ａにおける第１のリング共振器５１側の一端には第１の入出力端７１が設けられ、第４のリング共振器５４側の他端には第２の入出力端７２が設けられている。

図４は図３に示すＢ−Ｂ線矢視断面図である。多層基板５０は、第１〜第３の誘電体層５０−１〜５０−３の３層構造で構成されていて、第１の誘電体層５０−１の下面にグラウンド層７３が形成されている。なお、本実施の形態では、第１の誘電体層５０−１を内層５０ａ、第３の誘電体層５０−３を表層５０ａと呼んでいる。同図に示すように、各リング共振器５１〜５４は、表層５０ａ側に形成した導体パターン（６１，６４，６５，６８）と内層５０ｂ側に形成した導体パターン（６２，６３，６６，６７）とはランド部分が第２の誘電体層５０−２を挟んで重なり合うように配置されており、その間に図４（ｂ）に示すように容量部Ｃを形成している。

次に、以上のように構成された本実施の形態の動作について説明する。
第１のリング共振器５１では、表層５０ａに形成された一方の導体パターン６１と内層５０ｂに形成された他方の導体パターン６２とランド間（６１ｂ，６２ｂ）（６１ｃ，６２ｃ）に形成された容量部とからなるループ形状伝送路が形成され、表層５０ａと内層５０ｂとに分かれて形成された一対の導体パターン６１，６２のインダクタ成分（Ｌ）とランド間（６１ｂ，６２ｂ）（６１ｃ，６２ｃ）に形成された２箇所の容量部の容量成分（Ｃ）とから決まる共振周波数にて共振する。

また、第１のリング共振器５１と第２のリング共振器５２とは内層５０ｂにおいて磁界結合する。これにより、隣接するループ形状伝送路が同一層において結合するので、電磁結合の結合力が強化される。その結果、第１のリング共振器５１の他方の導体パターン６２の直線部６２ａから第２のリング共振器５２の一方の導体パターン６３の直線部６３ａに高周波信号が効率よく伝搬する。そして、第２のリング共振器５２において上記同様に共振する。さらに、第２のリング共振器５２と第３のリング共振器５３とが表層５０ａにおいて磁界結合し、第２のリング共振器５２から第３のリング共振器５３へ高周波信号が伝搬して第３のリング共振器５３が共振する。第３のリング共振器５３が共振すると、内層５０ｂにおいて第３のリング共振器５３と第４のリング共振器５４とが磁界結合し、第４のリング共振器５４が共振する。その結果、特定周波数の信号が表層５０ａに形成された第２の入出力端７２から取り出される。

このような本実施の形態によれば、各リング共振器５１〜５４において、表層側のランド（６１ｂ，６４ｂ，６５ｂ，６８ｂ）と内層側のランド（６２ｃ，６３ｃ，６６ｃ，６７ｃ）とを重ね合わせるように配置するので、ランドが重なった分だけリング共振器におけるループ形状伝送路の平面的な占有面積を小さくでき、リング共振器それぞれの小型化が図られる。

また、表層側のランド（６１ｂ，６４ｂ，６５ｂ，６８ｂ）と内層側のランド（６２ｃ，６３ｃ，６６ｃ，６７ｃ）との間に容量部を形成するので、ループ形状伝送路の２箇所に容量素子が設けられることとなり、ループ形状伝送路に容量素子を１つ設ける場合に比べて、大幅に共振器長を短縮でき、フィルタ全体の小型化を実現できる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形実施可能である。例えば、実施の形態１に示す一対の導体線路を導通路経由で導通接続するリング共振器（１〜４）と実施の形態２に示す一対の導体線路の間に容量素子を構成するリング共振器（５１〜５４）とを組み合わせフィルタを構成することもできる。

また、一方の導体線路の一端部と他方の導体線路の一端部との重なり合う部分が導通路を介して導通接続され、一方の導体線路の他端部と他方の導体線路の他端部とが重なり合う部分で容量素子が構成されるようにしても良い。

本発明は、リング共振器を結合してなる高周波フィルタに適用可能である。

（ａ）本発明の実施の形態１に係るリング共振器型フィルタの表層の平面図、（ｂ）内層の平面図 （ａ）図１に示すＡ−Ａ線矢視断面図、（ｂ）同図（ａ）の部分拡大図 （ａ）本発明の実施の形態２に係るリング共振器型フィルタの表層の平面図、（ｂ）内層の平面図 （ａ）図１に示すＢ−Ｂ線矢視断面図、（ｂ）同図（ａ）の部分拡大図 従来のリング共振器型フィルタの構成図

符号の説明

１、５１ 第１のリング共振器
２、５２ 第２のリング共振器
３、５３ 第３のリング共振器
４、５４ 第４のリング共振器
１１〜１８、６１〜６８ 導体線路
２１、７１ 第１の入出力端
２２、７２ 第２の入出力端
１０、５０ 多層基板
１０ａ、５０ａ 表層
１０ｂ、５０ｂ 内層

Claims (6)

1. 多層基板と、前記多層基板に設けられ平行結合するように配列された複数のリング共振器と、前記多層基板に設けられ一方端に配置されたリング共振器と結合する第１の入出力端と、前記多層基板に設けられ他方端に配置されたリング共振器と結合する第２の入出力端とを備え、
   前記リング共振器は、
   前記多層基板の第一層に設けられた有端状の一方の導体線路と、
   前記多層基板の第二層に設けられた有端状の他方の導体線路と、
   を備え、
   前記一方の導体線路の一端部及び他端部と前記他方の導体線路の一端部及び他端部とが重なり合うように配置され、前記第一層から前記第二層にかけて前記一方の導体線路及び前記他方の導体線路を含むループ形状伝送路が形成されたことを特徴とするリング共振器型フィルタ。
2. 少なくとも一つのリング共振器は、一方の導体線路の一端部と他方の導体線路の一端部とを導通接続する第１の導通路と、前記一方の導体線路の他端部と前記他方の導体線路の他端部とを導通接続する第２の導通路とを具備することを特徴とする請求項１記載のリング共振器型フィルタ。
3. 少なくとも一つのリング共振器は、一方の導体線路の一端部と他方の導体線路の一端部とが重なり合う部分に構成した第１の容量素子と、一方の導体線路の他端部と他方の導体線路の他端部とが重なり合う部分に構成した第２の容量素子とを具備することを特徴とする請求項１記載のリング共振器型フィルタ。
4. 少なくとも一つのリング共振器は、一方の導体線路の一端部と他方の導体線路の一端部との重なり合う部分が導通路を介して導通接続され、一方の導体線路の他端部と他方の導体線路の他端部とが重なり合う部分で容量素子が構成されることを特徴とする請求項１記載のリング共振器型フィルタ。
5. 互いに隣接するリング共振器の一方及び他方の導体線路のうち結合すべき双方の導体線路を、前記多層基板の同層に形成したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のリング共振器型フィルタ。
6. 一方の導体線路が、所定幅の直線部と、該直線部の両端部にそれぞれ形成された一対の方形部とからなり、
   他方の導体線路が、所定幅の直線部と、該直線部の両端部にそれぞれ形成された一対の方形部とからなり、
   一方の導体線路の方形部と他方の導体線路の方形部とが重なり合うことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のリング共振器型フィルタ。
   

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