JP3972046B2 - 阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルター - Google Patents

Description

本発明は通信システムまたは／及び放送システムなどのように高周波を利用する装置に適用される積層型フィルターに関するもので、とりわけ入力端または／及び出力端のフィーディングラインが共振器パターンとクロスキャパシティブカップリング（Cross Capacitive Coupling）を形成するようにし、阻止帯域の減衰特性をより改善することができ、また入力端及び出力端のフィーディングラインを相違する層に配置する場合より小型化が可能で、フィーディングラインの長さ調節による減衰極（Attenuation Pole）の位置を容易に調節できる阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルターに関するものである。

一般に、特定周波数帯域の信号を通過させる帯域通過フィルターは複数個のＬＣ共振器を含む。一例として従来の積層フィルターの構成が図１に示してある。

図１は従来の積層型フィルターの分解斜視図である。

図１に示した従来の積層型フィルターにおいて、１１Ａ、１１Ｂは最上部及び最下部に積層される誘電体カバーシート（Cover Sheet）で、１２Ａ、１２Ｂは上記誘電体カバーシート（１１Ａ、１１Ｂ）の内側に積層され、接地電極（Ｇ１、Ｇ２）が形成された誘電体接地シートで、上記誘電体接地シート（１２Ａ、１２Ｂ）の間には３個の誘電体シート（１３、１４、１５）が積層され、上記誘電体シート（１３）の両側の外部入力電極及び出力電極と連結される入力及び出力フィーディングライン（１３ａ、１３ｂ）が上記誘電体シート（１３）に形成され、また上記入力及び出力フィーディングライン（１３ａ、１３ｂ）に各々連結されたキャパシタパターン（１３ｃ、１３ｄ）が上記誘電体シート（１３）に形成されている。

また、上記誘電体シート（１４）には中心周波数に対するλ／４より短い長さで相互並列で連結された第１及び第２共振器パターン（Ｑ１、Ｑ２）が形成され、上記第１及び第２共振器パターン（Ｑ１、Ｑ２）は上記キャパシタパターン（１３ｃ、１３ｄ）各々に対向し、上記共振器パターン（Ｑ１、Ｑ２）は相互電磁界的カップリング（Electro-Magnatic Coupling）により相互カップリング（Coupling）を形成している。

さらに、上記誘電体シート（１５）にはカップリングキャパシタパターン（１５ａ）が形成されているが、このカップリングキャパシタパターン（１５ａ）は上記第１及び第２共振器パターン（Ｑ１、Ｑ２）の間で追加的な電界カップリング（Electric Coupling）を形成する。こうして、２極フィルターの相互カップリング（Coupling）量を調節でき、これと同時に阻止帯域に減衰極を形成し、カップリング量を変更して阻止帯域減衰極の位置を調節することができる。

かかる図１の積層型フィルターの等価回路は図２に示してある。

図２に示した等価回路において、ＩＮ及びＯＵＴは各々は入力及び出力端で、Ｃ１及びＬ１は第１共振器パターン（Ｑ１）の等価ＬＣ回路で、Ｃ２及びＬ２は第２共振器パターン（Ｑ２）の等価ＬＣ回路で、Ｃ３及びＬ３は上記第１及び第２共振器パターン（Ｑ１、Ｑ２）間の電磁気的相互カップリングによる等価ＬＣ回路である。また、Ｃ４は第１共振器パターン（Ｑ１）とキャパシタパターン（１３ｃ）間のキャパシタンスに該当し、Ｃ５は第２共振器パターン（Ｑ２）とキャパシタパターン（１３ｄ）間のキャパシタンスに該当し、Ｃ６は第１及び第２共振器パターン（Ｑ１、Ｑ２）とカップリングキャパシタパターン（１５ａ）間のキャパシタンスに該当する。そして、ＦＬ１及びＦＬ２は各々入力及び出力フィーディングライン（１３ａ、１３ｂ）に該当する。

図３は図１の積層型フィルターの減衰特性グラフである。

図３の減衰特性グラフは中心周波数（ｆｏ）が約２．４５ＧＨｚにおける挿入損失（Ｓ２１）及び反射損失（Ｓ１１）を示すグラフであり、図３のグラフにおいて約６．８ＧＨｚで一つの減衰極（Ｐ１）が形成されることが分かる。

しかし、かかる従来の積層型フィルターにおいて、キャパシタパターン（１３ｃ、１３ｄ）は単に第１及び第２共振器パターンの該当共振器パターンとのカップリングのみを形成するので、減衰特性の向上には限界があるといった問題点がある。また、上記入力及び出力フィーディングライン（１３ａ、１３ｂ）が同一なセラミックシートに形成され、キャパシタの面積及び長さ調整に限界があるといった問題点がある。

図４は従来の他の積層型フィルターの分解斜視図である。

図４に示したＬＣフィルター（７１）において、入力及び出力用キャパシタパターン（７２、７３）はカップリングキャパシタパターン（６２）の設けられたセラミックシート（５２）に形成される。上記入力用キャパシタパターン（７２）はインダクタパターン（５４ａ、５４ｂ）に対向しＬＣ共振器パターン（Ｑ１）にキャパシティブカップリングされる。上記入力用キャパシタパターン（７２）の一端は上記セラミックシート（５２）の左側面に露出した入力電極に連結される。上記出力用キャパシタパターン（７３）はインダクタパターン（５５ａ、５５ｂ）に対向しＬＣ共振器パターン（Ｑ２）にキャパシティブカップリングされる。上記出力用キャパシタパターン（７３）の一端は上記セラミックシート（５２）の右側面に露出した出力電極に連結される。

上記カップリングキャパシタパターン（６２）と入力及び出力用キャパシタパターン（７２、７３）は上記セラミックシート（５２）上に形成され上記インダクタパターン（５４ａ、５５ａ、５４ｂ、５５ｂ）の間に配置される。

これにより、上記カップリングキャパシタパターン（６２）と入力及び出力用キャパシタパターン（７２、７３）はインダクタ（Ｌ１、Ｌ２）の磁場（Ｈ）をほぼ遮断しないので均一な磁場（Ｈ）が生成される。これにより大きいインダクタンスを得ることができる。

ここで６０ａ、６０ｂはシールドパターンであり、５８ａ、５９ａ、５８ｂ及び５９ｂはキャパシタパターンであり、５６ａ、５７ａ、５６ｂ及び５７ｂは上記インダクタパターン（５４ａ、５５ａ、５４ｂ、５５ｂ）に連結された広幅部として定義される。

かかるフィルターに対する具体的な説明は特許文献１に開示されている。

しかし、こうした従来の積層型フィルターにおいても、図１に示した積層型フィルターと同様、上記入力及び出力用キャパシタパターンは単に各該当インダクタパターンとキャパシティブカップリングのみを形成するので、減衰特性の向上には未だ限界があるといった問題点がある。

また、上記入力及び出力用キャパシタパターンが同一なセラミックシートに形成され、キャパシタの面積及び長さ調整に限界があるといった問題点がある。
米国特許第６，４３７，６６５ Ｂ１号

本発明は上記問題点を解決するために提案されたもので、その目的は入力端または／及び出力端のフィーディングラインが共振器パターンとクロスキャパシティブカップリング（Cross Capacitive Coupling）を形成するようにして、阻止帯域の減衰特性を改善した積層型フィルターを提供することにある。

また、本発明の他の目的は入力端及び出力端のフィーディングラインを相違する層に配置させる場合、より小型化が可能で、フィーディングラインの長さ調節により減衰極の位置を容易に調節できる阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルターを提供することにある。

上記した本発明の目的を成し遂げるために、本発明の阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルターは、
複数の誘電体層と上記複数の誘電体層の外部側面に形成された入力及び出力電極とを含む積層体と、
上記複数の誘電体層中第１誘電体層に所定の間隔で互いに離隔するよう形成された複数の共振器パターンと、
上記第１誘電体層上部の第２誘電体層に形成され、上記複数の共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する第１相互キャパシタパターンと、
上記第２誘電体層に形成され上記第１相互キャパシタパターンに連結された第１一端と上記入力電極または出力電極に連結された第１他端とを有する第１フィーディングラインと、
上記第１誘電体層下部の第３誘電体層に形成され、上記複数の共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する第２相互キャパシタパターンと、
上記第３誘電体層に形成され上記第２相互キャパシタパターンと連結された第２一端と上記出力電極または入力電極に連結された第２他端とを有する第２フィーディングラインと、
上記第３誘電体層に形成され上記第２相互キャパシタパターン及び第２フィーディングラインから離隔し、上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターン各々と対向してクロスキャパシティブカップリングを形成するカップリングキャパシタパターンとを具備し、
上記第１フィーディングラインは、上記第１他端に連結された第１パターンと、上記第１一端と上記第１フィーディングラインの第１パターン間に連結され、上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターンとクロスキャパシティブカップリングを形成する第２パターンを含み、上記第１フィーディングラインの第２パターンは、上記カップリングキャパシタパターンとキャパシティブカップリングを形成するように成り、
上記第２フィーディングラインは、上記第２他端に連結された第１パターンと、上記第２一端と上記第２フィーディングラインの第１パターン間に連結され、上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターンとクロスキャパシティブカップリングを形成する第２パターンを含み、上記第１フィーディングラインの第２パターンは上記第２フィーディングラインの第２パターンとの一部とキャパシティブカップリングを形成するように成ることを特徴とする。

また、本発明の阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルターは、
複数の誘電体層と上記複数の誘電体層の外部側面に形成された入力及び出力電極とを含む積層体と、
上記複数の誘電体層中第１誘電体層に所定の間隔で互いに離隔するよう形成された複数の共振器パターンと、
上記第１誘電体層上部の第２誘電体層に形成され、上記複数の共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する第１相互キャパシタパターンと、
上記第２誘電体層に上記第１相互キャパシタパターンと離隔するよう形成され、上記複数の共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する第２相互キャパシタパターンと、
上記第２誘電体層に形成され上記第１相互キャパシタパターンに連結された一端と上記入力電極または出力電極に連結された他端とを有する第１フィーディングラインと、
上記第２誘電体層に形成され上記第２相互キャパシタパターンに連結された一端と上記出力電極または入力電極に連結された他端とを有する第２フィーディングラインと、
上記第１誘電体層下部の第３誘電層に形成され上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターン各々と対向してクロスキャパシティブカップリングを形成するカップリングキャパシタパターンとを具備し、
上記第１フィーディングラインは、上記カップリングキャパシタパターンとキャパシティブカップリングを形成するように成ることを特徴とする。

本発明によると、通信システムまたは／及び放送システムなどのように高周波を利用する装置に適用される積層型フィルターにおいて、入力端または／及び出力端のフィーディングラインが共振器パターンとクロスキャパシティブカップリング（Cross Capacitive Coupling）を形成するようにし、阻止帯域の減衰特性をより改善させることができ、また入力端及び出力端のフィーディングラインを相違する層に配置させる場合、より小型化可能で、フィーディングラインの長さ調節により減衰極の位置を容易に調節でき阻止帯域減衰特性を改善できる効果を奏する。

また、本発明の積層型フィルターをＬＴＣＣまたはＰＣＢ基板を使用したモジュールを作製する際基板内部に内蔵化（Embedded）することにより、そのモジュールのサイズを小型化でき、個別チップ部品に代わって製品の原価競争力を確保でき、単品（Discrete）チップ型部品の具現も容易になるといった利点を有する。

以下、本発明の各実施例を添付の図を参照に詳しく説明する。

本発明に参照の図において実質的に同一な構成と機能を有する構成要素には同一符合を付する。

図５は本発明の第１実施例による積層型フィルターの分解斜視図である。

図５によると、本発明の第１実施例による積層型フィルターは、積層体（１００）、第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）、第１相互キャパシタパターン（１２１）、第１フィーディングライン（１２２）、第２相互キャパシタパターン（１３１）、第２フィーディングライン（１３２）及びカップリングキャパシタパターン（１３３）を含む。

上記積層体（１００）は、複数の誘電体層（１０１）と、上記複数の誘電体層（１０１）の外部側面に形成された入力及び出力電極（Ｅｉｎ、Ｅｏｕｔ）を含む。

上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）は、上記複数の誘電体層中第１誘電体層（１１０）に所定の間隔で互いに離隔し並んで形成される。こうした共振器パターン（１１１、１１２）の形状は特に限定されない。

上記第１相互キャパシタパターン（１２１）は、上記第１誘電体層（１１０）上部の第２誘電体層（１２０）に形成され、上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する。

上記第１フィーディングライン（１２２）は、上記第２誘電体層（１２０）に形成されその一端が上記第１相互キャパシタパターン（１２１）と連結され、その他端が上記入力電極（Ｅｉｎ）または出力電極（Ｅｏｕｔ）に連結される。

上記第２相互キャパシタパターン（１３１）は、上記第１誘電体層（１１０）下部の第３誘電体層（１３０）に形成され、上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成するようになる。

上記第２フィーディングライン（１３２）は、上記第３誘電体層（１３０）に形成されその一端が上記第２相互キャパシタパターン（１３１）と連結され、その他端が上記出力電極（Ｅｏｕｔ）または入力電極（Ｅｉｎ）に連結される。

上記カップリングキャパシタパターン（１３３）は、上記第３誘電層（１３０）に形成され上記第２相互キャパシタパターン（１３１）及び第２フィーディングライン（１３２）から離隔し、上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）各々と対向してクロスキャパシティブカップリングを形成するようになる。

また、本発明の阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルターは、上記第２誘電体層（１２０）上部の第４誘電体層（１４０）または上記第３誘電体層（１３０）下部の第５誘電体層（１５０）に形成された接地電極（１４１、１５１）と、上記第４誘電体層（１４０）の上部の第６誘電体層（１６０）及び上記第５誘電体層（１５０）下部の第７誘電体層（１７０）を含むことができる。ここで、上記第６誘電体層（１６０）及び第７誘電体層（１７０）はカバー層とすることができる。

一方、上記接地電極（１４１、１５１）と第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）は側面端子（Side Termination）またはバイヤホール（Via hole）によって電気的に連結されることができる。

上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）は中心周波数における長さがλ／４以下の並列結合線路形態の共振器パターンとして、これら第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）は電磁界的カップリング（Electro-Magnatic Coupling）による相互カップリング（Coupling）を形成する。上記カップリングキャパシタパターン（１３３）は、上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）各々の間に追加的なクロスキャパシティブカップリングを形成して阻止帯域における減衰極を形成でき、また２極帯域通過フィルター（2-Pole Band Pass Filter）の相互カップリング（Coupling）量を調節して阻止帯域減衰極の位置を調節することができる。かかる上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）と上記カップリングキャパシタパターン（１３３）に対する説明は本発明の各実施例に全て適用される。

上記第１相互キャパシタパターン（１２１）は上記第１フィーディングライン（１２２）の幅より広い広幅（wide width）で成り、上記第１共振器パターン（１１１）とキャパシティブカップリングを形成する。そして、上記第２相互キャパシタパターン（１３１）は上記第２フィーディングライン（１３２）の幅より広い広幅（wide width）で成り、上記第２共振器パターン（１１２）とキャパシティブカップリングを形成する。

上記第１フィーディングライン（１２２）は上記入力電極（Ｅｉｎ）または出力電極（Ｅｏｕｔ）に連結された第１パターン（１２２ａ）と、上記第１相互キャパシタパターン（１２１）と上記第１パターン（１２２ａ）との間に連結され、上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）各々と重畳するよう形成され上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）とクロスキャパシティブカップリングを形成する第２パターン（１２２ｂ）を含む。また、上記第１フィーディングライン（１２２）の第２パターン（１２２ｂ）は上記カップリングキャパシタパターン（１３３）と重畳し上記カップリングキャパシタパターン（１３３）とキャパシティブカップリングを形成する。

さらに、上記第２フィーディングライン（１３２）は上記入力電極（Ｅｉｎ）または出力電極（Ｅｏｕｔ）に連結された第１パターン（１３２ａ）と、上記第２相互キャパシタパターン（１３１）と上記第１パターン（１３２ａ）との間に連結され、上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）各々と重畳するよう形成され上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）とクロスキャパシティブカップリングを形成する第２パターン（１３２ｂ）を含む。

また、図５に示すように、本発明の第１実施例においては従来と異なって、上記第１及び第２相互キャパシタパターン（１２１、１３１）が相違する誘電体層に形成され、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）が相違する誘電体層に形成されるので、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）が形成される誘電体層の空間的余裕により、他のパターンとの電磁気的結合や使用周波数に対応する電気的な長さを有するよう多様な形状で形成されることができる。

上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）に対してより詳しく説明すると、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）各々は上記第１共振器パターン（１１１）と重畳する領域から上記第２共振器パターン（１１２）と重畳する領域まで形成される場合、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）各々は上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）の一部とクロスキャパシティブカップリングを形成する。即ち、上記第１フィーディングライン（１２２）と上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）の間に、そして上記第２フィーディングライン（１３２）と上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）の間にクロスキャパシティブカップリングが形成されることができる。

上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）間にキャパシティブカップリングが形成されるようにすることができる。そして、上記第１フィーディングライン（１２２）と上記カップリングキャパシタパターン（１３３）の間にも追加的なキャパシティブカップリング（Coupling）が形成されることができる。

先述したように、上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）と上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）間に形成されるキャパシティブカップリングと、上記第１フィーディングライン（１２２）と上記カップリングキャパシタパターン（１３３）間に形成されるキャパシティブカップリングにより、通過帯域に追加的な減衰極を形成でき、この際キャパシティブカップリング量並びに上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）の長さを調節し、阻止帯域において減衰極の位置を調節できることがわかる。

図６は図５の積層型フィルターの等価回路図である。

図６において、６２２及び６３２各々は第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）の第１パターン（１２２ａ、１３２ａ）に該当し、６１１及び６１２各々は第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）に該当し、６２１ａ及び６２１ｂは第１フィーディングライン（１２２）の第２パターン（１２２ｂ）に該当し、６３１ａ及び６３１ｂは第２フィーディングライン（１３２）の第２パターン（１３２ｂ）に該当する。

ＬＯ１及びＣ０１は相互並列結合された第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）間の電磁界結合によるインダクタンス及びキャパシタンスに該当する。

Ｃ１１は第１フィーディングライン（１２２）の第２パターン（１２２ｂ）と第２共振器パターン（１１２）間のキャパシタンスに該当し、Ｃ１２は第１フィーディングライン（１２２）の第２パターン（１２２ｂ）と第１共振器パターン（１１１）間のキャパシタンスに該当し、Ｃ１３は第１相互キャパシタパターン（１２１）と第１共振器パターン（１１１）間のキャパシタンスに該当する。

Ｃ２１は第２フィーディングライン（１３２）の第２パターン（１３２ｂ）と第１共振器パターン（１１１）間のキャパシタンスに該当し、Ｃ２２は第２フィーディングライン（１３２）の第２パターン（１３２ｂ）と第２共振器パターン（１１２）間のキャパシタンスに該当し、Ｃ２３は第２相互キャパシタパターン（１３１）と第１共振器パターン（１１１）間のキャパシタンスに該当する。

Ｃ１４及びＣ１５はカップリングキャパシタパターン（１３３）と第１共振器パターン（１１１）間及びカップリングキャパシタパターン（１３３）と第２共振器パターン（１１２）間のキャパシタンスに該当し、Ｃ２０はカップリングキャパシタパターン（１３３）と第１フィーディングライン（１２２）の第２パターン（１２２ｂ）間のキャパシタンスに該当する。

図７は図５の積層型フィルターの減衰特性グラフである。

図７において、２．４ＧＨｚの通過帯域を中心に下側に減衰極（Ｐ１１）が形成され、上側には複数の減衰極（Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４）が形成されていることがわかり、このように従来に比して、通過帯域を中心に下側及び上側において減衰特性が改善されることが分かる。

とりわけ、図５ないし図７によると、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）と上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）とのカップリング量を調節し、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）の長さを調節する場合、阻止帯域減衰極（Ｐ１１〜Ｐ１４）の位置を調節して所望の阻止帯域特性を得ることができる。

図８は図５の積層型フィルターの変形例示図であって、図８に示した積層型フィルターは図７に示した積層型フィルターとほぼ同一であるが、相互同一な構成要素には同一な参照符合を付してその説明は省略する。このことは図９及び図１０にも適用される。

図５及び図８によると、本発明の第１フィーディングライン（１２２‘）は、上記入力電極（Ｅｉｎ）または出力電極（Ｅｏｕｔ）に連結された第１パターン（１２２ａ’）と、上記第１相互キャパシタパターン（１２１）と上記第１パターン（１２２ａ‘）との間に連結され、上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）各々と重畳するよう形成され上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）とクロスキャパシティブカップリングを形成する第２パターン（１２２ｂ’）を含むが、ここで図８の第１フィーディングライン（１２２‘）の第２パターン（１２２ｂ’）は図５の第１フィーディングライン（１２２）の第２パターン（１２２ｂ）と異なって、上記第２フィーディングライン（１３２）の第２パターン（１３２ｂ）の一部とキャパシティブカップリングを形成する。

先述したような本発明の第１実施例による積層型フィルターにおいて、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）の第２パターン（１２２ｂ、１３２ｂ）は様々な形態のパターンで成ることができ、こうして上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）の第２パターン（１２２ｂ、１３２ｂ）は上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）とのクロスキャパシティブカップリング及び上記カップリングキャパシタパターン（１３３）とのキャパシティブカップリングを形成し、また上記第１及び第２フィーディングライン（１２２、１３２）の第２パターン（１２２ｂ、１３２ｂ）同士のキャパシティブカップリングを形成することができる。

図９は図８の積層型フィルターの等価回路図である。

図９に示した等価回路は図６に示す等価回路との差違を示すが、その差違としては、図８を参照に説明したように、上記第１フィーディングライン（１２２‘）の第２パターン（１２２ｂ’）と上記第２フィーディングライン（１３２）の第２パターン（１３２ｂ）の一部の間にキャパシタンス（Ｃ３０）が形成されることである。

図１０は図８の積層型フィルターの減衰特性グラフである。

図１０において、２．４ＧＨｚの通過帯域を中心に下側にも複数の減衰極（Ｐ１０、Ｐ１１）が形成され、また上側にも複数の減衰極（Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４）が形成されることが分かる。このように、従来に比して通過帯域を中心に下側及び上側において減衰特性が改善されたことが分かる。

また、図８ないし図１０によると、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２‘、１３２）と上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）とのカップリング量を調節し、上記第１及び第２フィーディングライン（１２２’、１３２）の長さを調節する場合、結局阻止帯域減衰極（Ｐ１０〜Ｐ１４）の位置を調節でき、こうして所望の阻止帯域特性を得ることができる。

図１１は本発明の第２実施例による積層型フィルターの分解斜視図である。

図１１によると、本発明の第２実施例による積層型フィルターは、本発明の第１実施例のように、積層体（２００）、第１及び第２共振器パターン（２１１、２１２）、第１相互キャパシタパターン（２２２）、第２相互キャパシタパターン（２２１）、第１フィーディングライン（２２４）、第２フィーディングライン（２２３）及びカップリングキャパシタパターン（２３１）を含む。

上記積層体（２００）は、複数の誘電体層と、上記複数の誘電体層（２０１）の外部側面に形成された入力及び出力電極（Ｅｉｎ、Ｅｏｕｔ）を含む。

上記第１及び第２共振器パターン（２１１、２１２）は、上記複数の誘電体層中第１誘電体層（２１０）に所定の間隔で互いに離隔し並んで形成される。こうした共振器パターン（２１１、２１２）の形状は特に限定されない。

上記第１相互キャパシタパターン（２２２）は、上記第１誘電体層（２１０）上部の第２誘電体層（２２０）に形成され、上記第１及び第２共振器パターン（２１１、２１２）中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する。

上記第２相互キャパシタパターン（２２１）は、上記第２誘電体層（２２０）に形成され上記第１相互キャパシタパターン（２２２）と離隔し、上記第１及び第２共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する。

上記第１フィーディングライン（２２４）は、上記第２誘電体層（２２０）に形成されその一端が上記第１相互キャパシタパターン（２２２）に連結され、その他端が上記入力電極（Ｅｉｎ）または出力電極（Ｅｏｕｔ）に連結される。

上記第２フィーディングライン（２２３）は、上記第２誘電体層（２２０）に形成されその一端が上記第２相互キャパシタパターン（２２１）に連結され、その他端が上記出力電極（Ｅｏｕｔ）または入力電極（Ｅｉｎ）に連結される。

上記カップリングキャパシタパターン（２３１）は、上記第１誘電体層（２１０）下部の第３誘電層（２３０）に形成され上記第１及び第２共振器パターン中二つ以上の共振器パターン各々と対向してクロスキャパシティブカップリングを形成する。

また、本発明の第２実施例による積層型フィルターは、本発明の第１実施例のように、上記第２誘電体層（２２０）上部の第４誘電体層（２４０）及び上記第３誘電体層（２３０）下部の第５誘電体層（２５０）中、少なくとも一つの誘電体層に形成された接地電極（２４１、２５１）と、上記第４誘電体層（２４０）上部の第６誘電体層（２６０）及び上記第５誘電体層（２５０）下部の第７誘電体層（２７０）を含むことができる。ここで、上記第６誘電体層（２６０）及び第７誘電体層（２７０）はカバー層とされることができる。

一方、上記接地電極（２４１、２５１）と共振器パターンが側面端子（Side Termination）またはバイヤホール（Via hole）によって電気的に連結されることができる。

上記第１相互キャパシタパターン（２２２）は上記第１フィーディングライン（２２４）の幅より広い広幅（wide width）で成り、上記第１共振器パターン（２１１）とキャパシティブカップリングを形成する。そして、上記第２相互キャパシタパターン（２２１）は上記第２フィーディングライン（２２３）の幅より広い広幅（wide width）で成り、上記第２共振器パターン（２１２）とキャパシティブカップリングを形成することができる。

上記第１フィーディングライン（２２４）は上記第１及び第２共振器パターン（２１１、２１２）各々と重畳するよう形成され上記第１及び第２共振器パターン（２１１、２１２）とクロスキャパシティブカップリングを形成し、上記第１フィーディングライン（２２４）は上記カップリングキャパシタパターン（２３１）とキャパシティブカップリングを形成するよう設けられる。上記第２フィーディングライン（２２３）は上記第１及び第２共振器パターン（２１１、２１２）各々と重畳するよう形成され上記第１及び第２共振器パターン（２１１、２１２）とクロスキャパシティブカップリングを形成する。

また、上記第２フィーディングライン（２２３）は上記カップリングキャパシタパターン（２３１）と重畳し上記カップリングキャパシタパターン（２３１）とキャパシティブカップリングを形成する。

先述したような本発明の第２実施例による積層型フィルターにおいて、上記第１及び第２フィーディングライン（２２４、２２３）が様々な形態で設けられるが、その一例について図１２を参照に説明する。

図１２は図１１の積層型フィルターの変形例示図であり、図１２に示した積層型フィルターは図１１に示した積層型フィルターとほぼ同一であるが、相互同一な構成要素は同一な参照符合を使用し、その説明は省略される。

図１１及び図１２によると、上記第１相互キャパシタパターン（２２１‘）は、上記第１共振器パターン（２１１）の一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する。そして、上記第２相互キャパシタパターン（２２２’）は、上記第２共振器パターン（２１２）の一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する。

図１２の第１フィーディングライン（２２３‘）は、上記入力電極（Ｅｉｎ）または出力電極（Ｅｏｕｔ）に連結された第１パターン（２２３ａ）と、上記第１パターン（２２３ａ）に一端が連結された第２パターン（２２３ｂ）と、上記第２パターン（２２３ｂ）の他端と上記第１相互キャパシタパターン（２２１’）の間に連結された第３パターン（２２３ｃ）を含む。

ここで、上記第１フィーディングライン（２２３‘）の第１パターン（２２３ａ）は上記カップリングキャパシタパターン（２３１）と重畳して上記カップリングキャパシタパターン（２３１）とキャパシティブカップリングを形成し、上記第１フィーディングライン（２２３’）の第３パターン（２２３ｃ）は上記第１及び第２共振器パターン（１１１、１１２）各々と重畳するよう形成され上記第１及び第２共振器パターン（２１１、２１２）の一部とクロスキャパシティブカップリングを形成する。

先述したような本発明による積層型フィルターにおいては、所望の阻止帯域減衰特性を具現でき、減衰極の位置調節も容易で、とりわけこうした構造はＬＴＣＣまたは多層ＰＣＢなどを利用した内蔵型帯域通過フィルター（Embedded BPF）の具現において大変有用である。また、バルン（Balun）と共にＢａｌａｎｃｅｄ形態の素子またはモジュールなどの具現に利用される場合バルン（Balun）素子により変化する単品（discrete）帯域通過フィルターの減衰極の位置も、フィーディングラインパターンの長さまたはフィーディングラインパターンと共振器パターン間カップリング量の調節により容易に調節可能といった利点を有する。

以上に説明した本発明は先述した実施例及び添付の図により限定されるわけではなく特許請求範囲により限定され、本発明の装置は本発明の技術的思想を外れない範囲内において多様な置換、変形及び変更が可能なことは本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって自明である。

従来の積層型フィルターの分解斜視図である。 図１の積層型フィルターの等価回路図である。 図１の積層型フィルターの減衰特性グラフである。 従来の他の積層型フィルターの分解斜視図である。 本発明の第１実施例による積層型フィルターの分解斜視図である。 図５の積層型フィルターの等価回路図である。 図５の積層型フィルターの減衰特性グラフである。 図５の積層型フィルターの変形例示図である。 図８の積層型フィルターの等価回路図である。 図８の積層型フィルターの減衰特性グラフである。 本発明の第２実施例による積層型フィルターの分解斜視図である。 図１１の積層型フィルターの変形例示図である。

符号の説明

１００、２００ 積層体
１０１、２０１ 誘電体層
１１０、２１０ 第１誘電体層
１１１、２１１ 第１共振器パターン
１１２、２１２ 第２共振器パターン
１２０、２２０ 第２誘電体層
１２１、２２２ 第１相互キャパシタパターン
１２２、２２４ 第１フィーディングライン
１３０、２３０ 第３誘電体層
１３１、２２１ 第２相互キャパシタパターン
１３２、２２３ 第２フィーディングライン
１３３、２３１ カップリングキャパシタパターン

Claims (6)

1. 複数の誘電体層と上記複数の誘電体層の外部側面に形成された入力及び出力電極とを含む積層体と、
   上記複数の誘電体層中第１誘電体層に所定の間隔で互いに離隔するよう形成された複数の共振器パターンと、
   上記第１誘電体層上部の第２誘電体層に形成され、上記複数の共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する第１相互キャパシタパターンと、
   上記第２誘電体層に形成され上記第１相互キャパシタパターンに連結された第１一端と上記入力電極または出力電極に連結された第１他端とを有する第１フィーディングラインと、
   上記第１誘電体層下部の第３誘電体層に形成され、上記複数の共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する第２相互キャパシタパターンと、
   上記第３誘電体層に形成され上記第２相互キャパシタパターンと連結された第２一端と上記出力電極または入力電極に連結された第２他端とを有する第２フィーディングラインと、
   上記第３誘電体層に形成され上記第２相互キャパシタパターン及び第２フィーディングラインから離隔し、上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターン各々と対向してクロスキャパシティブカップリングを形成するカップリングキャパシタパターンとを具備し、
   上記第１フィーディングラインは、上記第１他端に連結された第１パターンと、上記第１一端と上記第１フィーディングラインの第１パターン間に連結され、上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターンとクロスキャパシティブカップリングを形成する第２パターンを含み、上記第１フィーディングラインの第２パターンは、上記カップリングキャパシタパターンとキャパシティブカップリングを形成するように成り、
   上記第２フィーディングラインは、上記第２他端に連結された第１パターンと、上記第２一端と上記第２フィーディングラインの第１パターン間に連結され、上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターンとクロスキャパシティブカップリングを形成する第２パターンを含み、上記第１フィーディングラインの第２パターンは上記第２フィーディングラインの第２パターンとの一部とキャパシティブカップリングを形成するように成ることを特徴とする阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルター。
2. 上記第２誘電体層上部の誘電体層及び／または上記第３誘電体層下部の誘電体層に形成された接地電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルター。
3. 複数の誘電体層と上記複数の誘電体層の外部側面に形成された入力及び出力電極とを含む積層体と、
   上記複数の誘電体層中第１誘電体層に所定の間隔で互いに離隔するよう形成された複数の共振器パターンと、
   上記第１誘電体層上部の第２誘電体層に形成され、上記複数の共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する第１相互キャパシタパターンと、
   上記第２誘電体層に上記第１相互キャパシタパターンと離隔するよう形成され、上記複数の共振器パターン中一つ以上の共振器パターンの一部と互いに対向してキャパシティブカップリングを形成する第２相互キャパシタパターンと、
   上記第２誘電体層に形成され上記第１相互キャパシタパターンに連結された一端と上記入力電極または出力電極に連結された他端とを有する第１フィーディングラインと、
   上記第２誘電体層に形成され上記第２相互キャパシタパターンに連結された一端と上記出力電極または入力電極に連結された他端とを有する第２フィーディングラインと、
   上記第１誘電体層下部の第３誘電層に形成され上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターン各々と対向してクロスキャパシティブカップリングを形成するカップリングキャパシタパターンとを具備し、
   上記第１フィーディングラインは、上記カップリングキャパシタパターンとキャパシティブカップリングを形成するように成ることを特徴とする阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルター。
4. 上記第２誘電体層上部の誘電体層及び／または上記第３誘電体層下部の誘電体層に形成された接地電極をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルター。
5. 上記第１フィーディングラインは、上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターンとクロスキャパシティブカップリングを形成するよう成ることを特徴とする請求項４に記載の阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルター。
6. 上記第２フィーディングラインは、上記複数の共振器パターン中二つ以上の共振器パターンとクロスキャパシティブカップリングを形成するように成ることを特徴とする請求項３または５に記載の阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルター。

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