JP2004328337A - 複合フィルタ装置 - Google Patents

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義宏 宮脇
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Abstract

【課題】複数のフィルタを含む複合フィルタ装置において、フィルタ間のアイソレーションを向上する。
【解決手段】異なる誘電体層間に配設される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路を電気的に接続する接続導体とで構成されたストリップライン共振器を有するフィルタを複数個含む複合フィルタ装置において、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器の主伝送線路と副伝送線路を前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設する。
【選択図】図3

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は複数の積層型誘電体フィルタを有する複合フィルタ装置に関し、より詳細には、異なるフィルタ間の結合を抑制する構造を有する複合フィルタ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ストリップライン共振器を用いた積層型誘電体フィルタは、従来よりマイクロ波帯を利用する各種無線通信機器等に幅広く用いられており、例えば送信用フィルタと受信用フィルタとを有するデュプレクサのような、複数のフィルタを有する複合フィルタ装置も広く使用されている。
【0003】
従来の複合フィルタ装置の形態の一つとして、折り返し型ストリップライン共振器を用いたものがある(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
図4に従来の複合フィルタ装置の一例を模式的に示す。図4において、11〜15は誘電体層であり、21〜23はアース電極であり、30a〜30dは副伝送線路であり、40a〜40dは入出力電極であり、50a〜50dは主伝送線路であり、60a〜60dはビアホールであり、71〜73は外部端子電極である。
【0005】
ここで、アース電極21、22と合わせて、主伝送線路50aと副伝送線路30aとがビアホール60aよって接続されてストリップライン共振器Aが、主伝送線路50bと副伝送線路30bとがビアホール60bによって接続されてストリップライン共振器Bが、主伝送線路50cと副伝送線路30cとがビアホール60cによって接続されてストリップライン共振器Cが、主伝送線路50dと副伝送線路30dとがビアホール60dによって接続されてストリップライン共振器Dが、それぞれ構成されている。
【0006】
そして、ストリップライン共振器Aとストリップライン共振器Bとが電磁気的に結合されて送信側の積層型誘電体フィルタが、ストリップライン共振器Cとストリップライン共振器Dとが電磁気的に結合されて受信側の積層型誘電体フィルタが、それぞれ構成されている。
【0007】
更に、送信側の積層型誘電体フィルタの一方の入出力電極40aが、複合フィルタ装置10の短辺側の一方側面に形成された送信側外部端子電極71に接続されており、送信側の積層型誘電体フィルタの他方の入出力電極40bが、複合フィルタ装置10の長辺側の一方側面に形成されたアンテナ側外部端子電極72に接続されている。また、受信側の積層型誘電体フィルタの一方の入出力電極40cが、複合フィルタ装置10の長辺側の一方側面に形成されたアンテナ側外部端子電極72に接続されており、受信側の積層型誘電体フィルタの他方の入出力電極40dが、複合フィルタ装置10の短辺側の他方側面に形成された受信側外部端子電極73に接続されている。このようにして、全体でデュプレクサが構成されている。
【0008】
上述した従来の複合フィルタ装置においては、ストリップライン共振器を上記構成とすることにより、副伝送線路とアース電極との間に形成される静電容量によって共振周波数を下げることが可能となり、それによって主伝送線路の長さが短くて済むため、共振器を小型化することが出来る。
【0009】
【特許文献1】
特開2002−164710号公報 (図1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来の複合フィルタ装置においては、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器の副伝送線路が近接配置されているため、副伝送線路間で電磁気的結合が生じ、それによって、フィルタ間のアイソレーションが悪くなるという問題があった。
【0011】
例えば、通信装置の受信側周波数を通過させるフィルタと送信側周波数を通過させるフィルタとを組み合わせてデュプレクサを形成した場合、フィルタ間のアイソレーションが悪いと、送信信号が受信側に漏れるという問題が発生してしまう。
【0012】
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、フィルタ間のアイソレーションを向上させることができる複合フィルタ装置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の複合フィルタ装置は、複数個の誘電体層を積層してなる積層体の両主面にアース電極を被着させるとともに、前記積層体の内部に、少なくとも2個のストリップライン共振器からなるフィルタを複数個、並設した複合フィルタ装置において、前記ストリップライン共振器は、異なる誘電体層間に配設される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路を電気的に接続する接続導体とを含んで構成されており、且つ、前記複数個のフィルタは、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器の主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されていることを特徴とするものである。
【0014】
また、本発明の複合フィルタ装置は、前記隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器のうち、前記積層体の一主面側に位置する一方のストリップライン共振器の副伝送線路が、他方のストリップライン共振器の主伝送線路に比し前記一主面のアース電極側に近づけて配置されていることを特徴とするものである。
【0015】
更に、本発明の複合フィルタ装置は、前記アース電極が更に誘電体層によって被覆されていることを特徴とするものである。
【0016】
【作用】
本発明によれば、複数個のフィルタは、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器の主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されている。よって、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器の副伝送線路同士が離れて配置されることになり、副伝送線路同士の電磁気的結合を抑制でき、フィルタ間のアイソレーションを改善することができる。
【0017】
また、本発明によれば、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器のうち、前記積層体の一主面側に位置する一方のストリップライン共振器の副伝送線路が、他方のストリップライン共振器の主伝送線路に比し前記一主面のアース電極側に近づけて配置されている。よって、副伝送線路とアース電極とが近接配置されることによって小型の副伝送線路でアース電極との間に大きな静電容量を形成することができ、主伝送線路の長さを短縮できるため、ストリップライン共振器並びにそれを含む複合フィルタ装置を小型に構成することが可能となる。
【0018】
更に、本発明によれば、前記アース電極が更に誘電体層によって被覆されている。よって、複合フィルタ装置のアース電極が、複合フィルタ装置を搭載する回路基板のホット電位の電極などへ不本意に接触することを有効に防止することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
【0020】
図1は本発明の一実施形態に係る複合フィルタ装置を模式的に示す外観斜視図、図2は図1のP―P‘線断面図、図3は本発明の一実施形態に係る複合フィルタ装置を模式的に示す分解斜視図である。
【0021】
これらの図に示す複合フィルタ装置1は、片面に導電性材料から成る電極層を印刷等により被着した未焼成のグリーンシート等からなる誘電体層を積層して焼成した後に、アース電極や外部端子電極とする導体膜を被着して焼成することによって作成される。
【0022】
図3において符号11〜17は誘電体層であり、誘電体セラミック材料と、低温焼成化を可能とする酸化物や低融点ガラス材料とから構成される。誘電体セラミック材料としては、例えば、BaO−TiO系、Ca−TiO系、MgO−TiO系などがあり、低温焼成化するための酸化剤としては、BiVO、CuO、LiO、B等がある。形状を小さくするためには高誘電率のものが良く、比誘電率が15〜20の材料が好適に用いられる。各誘電体層の厚みとしては例えば、50μm〜300μm程度とされる。
【0023】
厚み方向の最下部に配置される誘電体層11の上面にはアース電極21が、厚み方向最上部に配置される誘電体層17の上面にはアース電極22が、それぞれ被着されている。誘電体層11の上に配置される誘電体層12の上面には副伝送線路30a、30bが、誘電体層17の下に配置される誘電体層16の上面には副伝送線路30c、30dが被着され、それぞれアース電極との間で静電容量が形成されている。誘電体層12の上に配置される誘電体層13の上面には入出力電極40a、40bが、誘電体層16の下に配置される誘電体層15の上面には入出力電極40c、40dが被着されている。そして、入出力電極40a、40b、40c、40dと、副伝送線路30a、30b、30c、30dとの間で、それぞれ入出力容量が形成されている。誘電体層13と誘電体層15との間に配置される誘電体層14の上面には、主伝送線路50a、50b、50c、50dが被着されている。主伝送線路50a、50b、50c、50dの一方端部は複合フィルタ装置1の長辺側の一方側面に引き出されており、長辺側一方側面に形成されたアース電極23によって、アース電極21、22と電気的に接続されている。また、主伝送線路50a、50b、50c、50dの他方端部付近にはそれぞれビアホール60a、60b、60c、60dが接続されており、該ビアホール60a、60b、60c、60dによって、副伝送線路30a、30b、30c、30dにそれぞれ接続されている。
【0024】
ここで、アース電極21、22と合わせて、主伝送線路50aとビアホール60aと副伝送線路30aとによってストリップライン共振器Aが、主伝送線路50bとビアホール60bと副伝送線路30bとによってストリップライン共振器Bが、主伝送線路50cとビアホール60cと副伝送線路30cとによってストリップライン共振器Cが、主伝送線路50dとビアホール60dと副伝送線路30dとによってストリップライン共振器Dが、それぞれ構成されている。
【0025】
そして、ストリップライン共振器Aとストリップライン共振器Bとが電磁気的に結合されて送信側の積層型誘電体フィルタが、ストリップライン共振器Cとストリップライン共振器Dとが電磁気的に結合されて受信側の積層型誘電体フィルタが、それぞれ構成されている。
【0026】
更に、送信側の積層型誘電体フィルタの一方の入出力電極40aが、複合フィルタ装置1の短辺側の一方側面に形成された送信側外部端子電極71に接続されており、送信側の積層型誘電体フィルタの他方の入出力電極40bが、複合フィルタ装置1の長辺側の他方側面に形成されたアンテナ側外部端子電極72に接続されている。また、受信側の積層型誘電体フィルタの一方の入出力電極40cが、複合フィルタ装置1の長辺側の他方側面に形成されたアンテナ側外部端子電極72に接続されており、受信側の積層型誘電体フィルタの他方の入出力電極40dが、複合フィルタ装置1の短辺側の他方側面に形成された受信側外部端子電極73に接続されている。このようにして、全体でデュプレクサが構成されている。
【0027】
尚、上記各種電極は、例えば、Ag単体、Ag−Pd、Ag−Pt、Cu単体などのような、AgやCuを主成分とする導電性材料からなる。
【0028】
このような本実施形態の複合フィルタ装置においては、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器であるストリップライン共振器Bとストリップライン共振器Cとの間で、副伝送線路の主伝送線路に対する積層方向における位置が、上下逆転されている。すなわち、ストリップライン共振器Bにおいては副伝送線路30bが主伝送線路50bの下側に配設されているのに対し、ストリップライン共振器Cにおいては副伝送線路30cが主伝送線路50cの上側に配設されている。よって、副伝送線路30bと30cとが離れて配置されることになるため両者の間の電磁気的結合を小さくすることができ、これによって、送信側の積層型誘電体フィルタと受信側の積層型誘電体フィルタとの間のアイソレーションを向上させることが可能となり、送信信号の受信側への漏洩を抑制することができる。
【0029】
また、各SL共振器のQ値を高めるためには主伝送線路50a、50b、50c、50dとアース電極21、22との間の間隔が大きい方が望ましく、副伝送線路30a、30b、30c、30dとアース電極21、22及び入出力電極40a、40b、40c、40dとの間の間隔が小さい方が小型の形状で大きな静電容量が形成できる。よって、誘電体層12、13、16、17は相対的に薄く形成され、誘電体層14、15は相対的に厚く形成される。また、主伝送線路50a、50b、50c、50dは、厚み方向においてアース電極21とアース電極22との間のほぼ中央に配置される。
【0030】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更・改良などが可能である。
【0031】
上述の実施形態においては、隣接するフィルタのストリップライン共振器が複合フィルタ装置の同一側面でアース電位に接続される構造としたが、複合フィルタ装置の異なる側面でアース電位に接続される構造としても構わない。隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器が複合フィルタ装置の異なる側面でアース電位に接続される構造とすることにより、ストリップライン共振器の解放端側に位置する副伝送線路同士の距離が更に離れることによって電界による結合を更に小さくできる。更に、ストリップライン共振器の短絡端同士の距離が離れることによって磁界による結合を小さくできるため、ストリップライン共振器間の電磁気的結合を更に小さくすることができ、フィルタ間のアイソレーションを向上することができる。
【0032】
また、上述の実施形態においては、一つの積層型誘電体フィルタを構成する複数のストリップライン共振器が複合フィルタ装置の同一側面でアース電位に接続される、いわゆるコムライン型としたが、複合フィルタ装置の対向する側面にてアース電位に接続されるインターデジタル型としても構わない。
【0033】
更に、上述の実施形態においては、ストリップライン共振器の主伝送線路を、複合フィルタ装置の側面に形成したアース電極に接続することによって接地する構造としたが、主伝送線路の一方端部付近にビアホール若しくはスルーホールの一方端部を接続し、ビアホール若しくはスルーホールの他方端部をアース電位となる電極に接続することによって接地する構造としてもよい。
【0034】
また更に、上述の実施形態においては、主伝送線路と副伝送線路とをビアホールで接続する構造としたが、スルーホールで接続してもよいし、複合フィルタ装置の側面に形成した端面電極によって接続する構造としても構わない。
【0035】
更にまた、上述の実施形態においては、チップ状の複合フィルタ装置を例にとって説明したが、例えば、上述した構成をモジュール基板内に備えた複合フィルタ装置にも本発明が適用可能であることは言うまでもない。
【0036】
【実施例】
次に、図3に示す本発明の複合フィルタ装置と図4に示す従来の複合フィルタ装置について、フィルタ間のアイソレーション調べるための電磁場解析を行った実験例を示す。どちらの複合フィルタ装置においても、アンテナ側外部端子電極を特性インピーダンス(50Ω)に接続した状態で、送信側外部端子電極から入力した信号が受信側外部端子電極にどれだけ漏洩するかを調べた。その結果を図5に示す。尚、図5において、縦軸は周波数であり、横軸は送信側外部端子電極から入力した信号に対する受信側外部端子電極から出力された信号の比を対数表示したものである。また、80が本発明の複合フィルタ装置のデータであり、90が従来例の複合フィルタ装置のデータである。
【0037】
図5から明らかなように、本発明の複合フィルタ装置は広い周波数範囲に渡って従来例の複合フィルタ装置に比較してフィルタ間のアイソレーションが向上しており、特に高周波側で顕著になっている。
【0038】
これは、図3に示す本発明の複合フィルタ装置では、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器の主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されている為、ストリップライン共振器の解放端側である副伝送線路同士の間の距離が大きくなり、副伝送線路同士の電界による結合が小さくなった効果が大きい為と考えられる。
【0039】
【発明の効果】
本発明によれば、複数個のフィルタは、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器の主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されているので、フィルタ間のアイソレーションを改善することができる。
【0040】
また、本発明によれば、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器のうち、前記積層体の一主面側に位置する一方のストリップライン共振器の副伝送線路が、他方のストリップライン共振器の主伝送線路に比し前記一主面のアース電極側に近づけて配置されているので、共振器を小型化することができる。
【0041】
更に、本発明によれば、前記アース電極が更に誘電体層によって被覆されているので、複合フィルタ装置のアース電極が、複合フィルタ装置を搭載する回路基板のホット電位の電極などへ不本意に接触することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る複合フィルタ装置を模式的に示す外観斜視図である。
【図2】図1のP―P’線断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る複合フィルタ装置を模式的に示す分解斜視図である。
【図4】従来の複合フィルタ装置を模式的に示す分解斜視図である。
【図5】本発明の複合フィルタ装置と従来例の複合フィルタ装置における、フィルタ間のアイソレーションを示す図である。
【符号の説明】
1:複合フィルタ装置
11〜17:誘電体層
21〜23:アース電極
30a〜30d:副伝送線路
40a〜40d:入出力電極
50a〜50d:主伝送線路
60a〜60d:ビアホール
71:送信側外部端子電極
72:アンテナ側外部端子電極
73:受信側外部端子電極

Claims (3)

  1. 複数個の誘電体層を積層してなる積層体の両主面にアース電極を被着させるとともに、前記積層体の内部に、少なくとも2個のストリップライン共振器からなるフィルタを複数個、並設した複合フィルタ装置において、
    前記ストリップライン共振器は、異なる誘電体層間に配設される主伝送線路及び副伝送線路と、両伝送線路を電気的に接続する接続導体とを含んで構成されており、且つ、前記複数個のフィルタは、隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器の主伝送線路と副伝送線路とが前記積層体の積層方向に上下逆の位置関係にて配設されていることを特徴とする複合フィルタ装置。
  2. 前記隣接するフィルタ間で隣合うストリップライン共振器のうち、前記積層体の一主面側に位置する一方のストリップライン共振器の副伝送線路が、他方のストリップライン共振器の主伝送線路に比し前記一主面のアース電極側に近づけて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の複合フィルタ装置。
  3. 前記アース電極が更に誘電体層によって被覆されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の複合フィルタ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7262675B2 (en) 2005-02-16 2007-08-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Laminated filter with improved stop band attenuation

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US7262675B2 (en) 2005-02-16 2007-08-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Laminated filter with improved stop band attenuation

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