JP2006094461A - 積層型バルントランス - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は通過帯域における挿入損失特性を改善させながら、より小型化させられる積層型バルントランスに関するものである。
【解決手段】第１、第３ストリップラインをカップラーで結合し、第２、第４ストリップラインをカップラーで結合し、第３、４ストリップラインから位相が互いに逆になる第１、２平衡信号を引き出すバルントランスを積層型で具現するに、上記第３、第４ストリップラインの中間位置に導電性の無接地電極を形成し、上記第３、第４ストリップラインの磁気的結合による上記無接地電極がグラウンドを形成し、動作帯域における挿入損失を改善し、上記第１〜第４ストリップラインの上下部に位置し外部との電磁気的遮蔽を具現する接地電極中、下部面の内部接地電極を別途に形成せず実装面のグラウンドパターンを利用しインピーダンス具現及び遮蔽機能を具現し、特性の低下無く素子の厚さを減少させる。
【選択図】図６

Description

本発明は積層型バルントランスに関するもので、より詳しくは通過帯域における挿入損失特性を改善しながら、より小型化できる積層型バルントランスに関する。

バルントランスのバルン(balun)はBalance to Unbalanceの略として、上記素子は平衡信号(balanced signal)を不平衡信号(unbalanced signal)に変換したり、逆に不平衡信号を平衡信号に変換する回路または構造物から成る素子をいう。これは、例えば混合器(mixer)、増幅器(amplifier)などのような平衡入出力端を具備した素子とアンテナのような不平衡入出力端を有する素子とを連結する場合、上記平衡信号と不平衡信号間の変換を行うために必要となる。

こうしたバルントランスはＲ、Ｌ、Ｃ素子のような集中定数素子(lumped element)の組合により具現されることもでき、あるいはマイクロストリップ、ストリップライン、伝送線路(transmission line)などのような分布定数素子(Distributed element)で具現されることもでき、最近には上記バルントランスが主に利用される無線通信製品の小型化が要求されながら、素子の寸法を縮減できるようＬＴＣＣなどの工法を適用した積層型バルントランスが広く使用されている。

図１はMarchandが提案した一般的なバルントランスの基本構成を示した等価回路図として、バルントランスはλ／４（ここで、λは「１／ｆｃ（ｆｃは入出力信号の中心周波数）」である）長さを有する４個の導電性の信号ライン（１４〜１７）（以下、第１〜第４ラインという）から成るが、所定周波数の不平衡信号が入力または出力される不平衡ポート（１１）に第１ライン（１４）を連結し、上記第１ライン（１４）の他端に第２ライン（１５）を連結した後、上記第２ライン（１５）の他端はオープンさせる。そして、各々一端が接地された第３ライン（１６）と第４ライン（１７）を各々上記第１ライン（１４）と第２ライン（１５）と電気的カップリングを形成するよう平行に配し、上記第３、４ライン（１６、１７）の他端を平衡信号が入力または出力される平衡ポート（１２、１３）に連結する。

上記構成において、第１ライン（１４）と第３ライン（１６）、第２ライン（１５）と第４ライン（１７）が各々一つのカップラー(coupler)を構成する。これにより、上記不平衡ポート（１１）へ所定周波数の不平衡信号を印加すると、各ライン（１４〜１７）間に電磁気的結合が発生し、平衡ポート（１２、１３）を通して上記入力された不平衡信号と同一周波数の大きさが等しく１８０度の位相差を有する平衡信号が出力される。 逆に、大きさが等しく１８０度の位相差を有する所定周波数の平衡信号を平衡ポート（１２、１３）に印加すると、不平衡ポート（１１）から平衡信号と同一周波数の不平衡信号が出力される。

こうした等価回路を有する従来の積層型バルントランスは図２の ような外形と図３に示した内部構造で具現されていた。
即ち、従来の積層型バルントランス（２０）は直方体形状から成る誘電体ブロック（２１）と、上記誘電体ブロック（２１）の対向する両側面上に各々形成され、不平衡端子、平衡端子、接地端子などに各々設定される多数の外部電極（２３〜２８）から成る。上記例の場合、外部電極（２３）は非接続用(non connection)、外部電極（２４、２７）は接地用、外部電極（２５、２８）は平衡信号の入出力用、外部電極（２６）は不平衡信号の入出力用に設定される。

そして、上記誘電体ブロック（２１）は多数の誘電体シートを多層でＬＴＣＣ工法などにより積層形成したものであって、上記積層された多数の誘電体シートには、上部から下部方向の順で上記接地用外部電極（２４、２７）に連結された第１接地電極（３０）、一端が上記不平衡信号用外部電極（２６）に連結されるλ／４長さの第１ストリップライン（３２）と、上記第１ストリップライン（３２）と平行に形成され両端が各々平衡信号用外部電極（２５）と接地用外部電極（２７）に連結されるλ／４長さの第３ストリップライン（３３）と、上記接地用外部電極（２４、２７）に連結された第２接地電極（３５）と、一端が外部電極（２３）を通して上記第１ストリップライン（３２）と連結され他端はオープンされたλ／４長さの第２ストリップライン（３７）と、上記第２ストリップライン（３７）と対称になるよう配され両端が接地用外部電極（２７）と平衡信号用外部電極（２８）に各々連結される第４ストリップライン（３８）と、上記接地用外部電極（２４、２７）に連結される第３接地電極（４０）とが形成される。

上記未説明符合３１、３４、３６、３９ は上記第１〜第４ストリップライン（３２、３３、３７、３８）を各々の外部電極（２３〜２８）に連結するためのリード電極である。

以上のように、積層型バルントランスは４個のλ／４のストリップラインを垂直方向に積層することにより小型化を図っているが、最近超小型のバルントランス素子に対するニーズが増加するにつれて、バルントランスの基本特性を維持または改善しながら素子をより小型化するため様々な研究が行われている。

本発明は上述した従来の問題点を解決するために提案されたものであって、その目的は通過帯域における挿入損失特性を改善しながら、より小型化できる積層型バルントランスを提供するものである。

上述した目的を成し遂げるための構成手段として、本発明は多数の誘電体シートが積層された誘電体ブロックと、上記誘電体ブロックの外側面に接地用、不平衡信号用、第１、２平衡信号用、及び非接続用の多数の外部電極を具備し、平衡信号を不平衡信号に相互変換するバルントランスにおいて、上記誘電体ブロックの上部面から所定距離の内部面に形成され上記接地用外部電極と連結される内部接地電極と、上記内部接地電極の下層に位置し一方の端部が上記不平衡信号用外部電極に連結される第１ストリップラインと、上記接地電極の下層に位置し上記第１ストリップラインの残りの端部にその一端が連結され他方の端部はオープン状態で形成された第２ストリップラインと、上記内部接地電極の下層に上記第１ストリップラインと平行に形成され一方の端部は上記接地用外部電極に連結され他方の端部は上記第１平衡信号用外部電極に連結される第３ストリップラインと、上記内部接地電極の下層に上記第２ストリップラインと平行に形成され、一方の端部は接地用外部電極に連結され他方の端部は上記第２平衡信号用外部電極に連結される第４ストリップラインとを具備し、上記誘電体ブロックの下部面は基板のグラウンドパターン上に実装することを特徴とする。

さらに、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記第１ストリップラインと第２ストリップラインが同一層上に形成され、第３ストリップラインと第４ストリップラインが上記第１、２ストリップラインの上層または下層の同一平面状に形成されることができる。

さらに、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記第１〜第４ストリップラインは螺旋状あるいはメアンダーライン状に形成し、素子の寸法を縮減することができる。

さらに、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記第１ストリップラインないし第４ストリップラインは誘電体ブロック内部の相異する層に各々形成することができ、この際上記相互平行な第１、３ストリップラインと、第２、４ストリップラインの間を電気的に遮蔽するよう、上記第１、３ストリップラインと第２、４ストリップラインの中間層に導電性金属物質で形成される無接地電極をさらに含むことが好ましい。

さらに、上記目的を成し遂げるための他の構成手段として、本発明は多数の誘電体シートが積層された誘電体ブロックと、上記誘電体ブロックの外側面に接地用、不平衡信号用、第１、２平衡信号用、及び非接続用の多数の外部電極を具備する積層型バルントランスにおいて、上記誘電体ブロックの上部表面から所定間隔下方に位置した下部層上に上記接地用外部電極に連結され上部方向への電気的結合を遮蔽するよう形成された内部接地電極と、上記内部接地電極の下部層に両端が上記非接続用外部電極と不平衡信号用外部電極に各々連結されるよう形成される第１ストリップラインと、上記内部接地電極の下部方向の第１ストリップラインの上部あるいは下部に隣接した層上に上記第１ストリップラインと平行し、両端部が上記接地用外部電極と第１平衡信号用外部電極に各々連結されるよう形成される第３ストリップラインと、上記誘電体ブロックの内部接地電極下部の所定の層上に一端は上記非接続用外部電極に連結され他端はオープン状態となるよう形成された第２ストリップラインと、上記誘電体ブロックの内部接地電極下部に位置し上記第２ストリップラインに隣接した所定の層上に上記第２ストリップラインと平行しその両端が接地用外部電極と第２平衡信号用外部電極に各々連結されるよう形成される第４ストリップラインと、上記第１、２ストリップラインと第２、４ストリップライン間の電気的結合を遮蔽するようその間の所定誘電体シート上に形成される無接地電極を含んで成る。

さらに、上記本発明の積層型バルントランスにおいて、上記誘電体ブロックの内部所定層に一方の端部が上記非接続用外部電極に連結され他方の端部はバイヤホールを通して上記第１ストリップラインの一方の端部まで電気的に連結されるよう形成され、上記第１ストリップラインを非接続用外部電極に連結される第１リード電極と、上記誘電体ブロックの内部所定層に一方の端部は上記第３ストリップラインにバイヤホールを通して電気的に連結され、他方の端部は上記平衡信号用外部電極に連結されるよう形成され、上記第３ストリップラインを平衡信号用外部電極に電気的に連結する第２リード電極と、上記誘電体ブロックの内部所定層に一方の端部はバイヤホールを通して上記第２ストリップラインに電気的に連結され他方の端部は上記平衡信号用外部電極に連結されるよう形成され、上記第２ストリップラインを非接続用外部電極に連結させる第３リード電極と、上記誘電体ブロックの内部所定層に一方の端部はバイヤホールを通して第４ストリップラインに電気的に連結され他方の端部は上記第２平衡信号用外部電極に連結されるよう形成され、上記第４ストリップラインを第２平衡信号用外部電極に連結させる第４リード電極とをさらに含む。

さらに、本発明の積層型バルントランスは所定基板のグラウンドパターン上に上記誘電体ブロックの下部面がボンディングされ、上記基板のグラウンドパターンを下部接地電極に利用することを特徴とする。

上述したように、本発明の積層型バルントランスは積層数や工程数の増加無しで動作特性、とりわけ挿入損失を改善でき、さらに特性の低下無しで素子の厚さを減らす効果を奏する。

以下、本発明の好ましき実施例を添付した図を参照しながら詳しく説明する。下記説明及び添付の図において本発明の旨を不要に曇らしかねない公知の機能及び構成に対する詳細な説明は省くことにする。

上述したように、本発明は積層型バルントランスにおいて、信号ラインの連結構造または配置の変更に特徴があるものではなく、上記信号ライン間の遮蔽及びインピーダンスマッチングのために形成される接地電極の変形により素子の寸法の縮減と共に特性改善効果を図るものであって、その基本的な等価回路は上記図１に示すように具現することもでき、従来に周知される他回路構成で連結することもできる。

以下の実施例においては、上記図１に示したような等価回路で表されるバルントランスを例に挙げる。

図４は本発明による積層型バルントランスの外形を示した斜視図である。

上記図４に示したように、本発明の積層型バルントランス（４０）は多数の誘電体シートをＬＴＣＣ工法で積層して成る直方体状の誘電体ブロック（４１）と、上記誘電体ブロック（４１）の対向する両側面上に形成され接地、不平衡信号の入出力、平衡信号の入出力などのために設定された多数の外部電極（４２〜４７）とで成る。こうした外部形態は一般の積層型バルントランスと同一な構造である。したがって、本発明の積層型バルントランスは外部電極の増加あるいは配置や構造の変更無く、一般に利用される積層型バルントランスと同一な外形から成ることで、設計及び配置の面において使用者の便宜を図れる。 上記実施例において、外部電極（４２）は非接続(non-connected)用、外部電極（４３、４６）は接地用、外部電極（４４、４７）は第１、２平衡信号の入出力用、外部電極（４５）は不平衡信号の入出力用に設定する。

次に、図５及び図６は本発明による積層型バルントランスの実施形態を具体的に示した分解斜視図である。

先ず、本発明による積層型バルントランスの第１実施形態は４個のλ／４ストリップラインを積層形成する際、カップラーを成す両ストリップライン対の間に、電気的遮蔽のために無接地電極パターンを形成する方式で具現される。

図５を参照しながらより具体的に説明すると、本発明の第１実施形態による積層型バルントランス（５０）は上部から下部方向の順で下記のような導電性パターンを具備する。

積層型バルントランス（５０）の上部層に該当する第１層の誘電体シートには如何なる導電性パターンも形成されない。

次いで、その下部に位置した第２層の誘電体シートには上記接地用外部電極（４３、４６）に連結され、直方形状から成り上部方向へ電気的遮蔽及びインピーダンスの基準線を提供する第１接地電極（５１）が形成される。

次いで、その下部に位置する第３層の誘電体シートには、一方の端部が上記非接続用外部電極（４２）に連結され他方の端部には電気的連結のためのバイヤホール（５２ａ）が形成された第１リード電極（５２）が形成される。

第４層の誘電体シートには、上記第１リード電極（５２）のバイヤホール（５２ａ）に一方の端部が接続され他方の端部は上記不平衡信号用外部電極（４５）に連結される螺旋状あるいはメアンダーライン形態から成る第１ストリップライン（５３）が印刷される。

さらに、第５層の誘電体シートには上記第１ストリップライン（５３）と平行に螺旋状あるいはメアンダーライン形状から成り一方の端部が上記接地用外部電極（４６）に連結され他方の端部には下部層に連結されるバイヤホール（５４ａ）が形成された第３ストリップライン（５４）が形成される。

次に、第６層の誘電体シートには上記バイヤホール（５４ａ）にその一方の端部が接し、他方の端部は平衡信号用外部電極（４４）に連結されるよう形成され、上記第３ストリップライン（５４）の他端を平衡信号用外部電極（４４）に電気的に連結する第２リード電極（５５）が形成される。

第７層の誘電体シートには上記第１、３ストリップライン（５３、５４）と下部層との電気的遮蔽を行うよう誘電体シートの全表面をカバーする直方形状から成る無接地電極（５６）が形成される。

第８層の誘電体シートには一方の端部に下部層と連結されるバイヤホール（５７ａ）が形成され、他方の端部は上記平衡信号用外部電極（４７）に連結される第３リード電極（５７）が形成され、第９層の誘電体シートには一方の端部が上記バイヤホール（５７ａ）と接続され他方の端部は接地用外部電極（４６）に連結される螺旋またはメアンダーライン形態の第４ストリップライン（５８）が形成され、その下部の第１０層には一方の端部にバイヤホール（５９ａ）が形成され他方の端部はオープン状態で上記第４ストリップライン（５８）と平行な螺旋状あるいはメアンダーライン形態から成る第２ストリップライン（５９）が形成され、その下部の第１１層誘電体シートには上記第２ストリップライン（５９）のバイヤホール（５９ａ）に一方の端部が接し、他方の端部は上記非接続用外部電極（４２）に連結される第４リード電極（６０）が形成され、その下部の第１２層誘電体シートには上記接地用外部電極（４３、４６）に接続される直方形状の第３接地電極（６１）が形成され、第１３層には導電性パターンが形成されない誘電体シートが配される。

上記構成された積層型バルントランスにおいて、第１ストリップライン（５３）は図１に示す等価回路の符合１４の信号ライン、第２ストリップライン（５９）は符合１５の信号ライン、第３ストリップライン（５４）は符合１６の信号ライン、第４ストリップライン（５８）は符合１７の信号ラインに各々対応する。

したがって、上記説明したように、第１ストリップライン（５３）と第３ストリップライン（５４）、第２ストリップライン（５９）と第４ストリップライン（５８）が各々カップラーのように作用する。この際、上記無接地電極（５６）は上記第１、３ストリップライン（５３、５４）によるカップラーと、上記第２、４ストリップライン（５９、５８）によるカップラー間の電磁気的結合を防止しようとその間を遮蔽する。同時に、第１接地電極（５１）と第２接地電極（６１）は各々誘電体ブロック（４１）の上下部に位置して内部ストリップライン（５３、５４、５８、５９）が一定のインピーダンスで動作するようにする。

上記第１ストリップライン（５３）と第３ストリップライン（５４）は第１接地電極（５１）と無接地電極（５６）の 間に平行に配して、第２ストリップライン（５９）と第４ストリップライン（５８）は無接地電極（５６）と第２接地電極（６１）の間に平行に配する。この際、無接地電極（５６）を挟んで第３ストリップライン（５４）と第４ストリップライン（５９）がその上下に配されなければならない。

こうして、上記無接地電極（５６）は接地されてはいないが、上記位相が逆となる信号を発生させる第３ストリップライン（５４）と第４ストリップライン（５８）の中間位置に所定の導電性金属で形成されることにより、上記無接地電極（５６）は０電位を有する。 したがって、上記無接地電極（５６）は接地用外部電極（４３、４６）に連結させ強制的に０電位を形成しなくても、接地電極のように機能する。

同時に、上記無接地電極（５６）を第３、４ストリップライン（５４、５８）の間に形成することにより、動作周波数帯域における挿入損失をより減少させられる。実際図３に示した従来の構造と対比してみると、０．５ｄＢ以上の挿入損失改善効果を奏した。

したがって、上記本発明による積層型バルントランスは工程数、または積層数を増加すること無く、バルントランスの動作特性を改善させられる。

さらに、本発明の第２実施形態は、上記誘電体ブロックの内部に形成された接地電極中下部、即ち実装方向に位置する接地電極を除去し、バルントランスの実装面に位置する基板のグラウンドパターンを上記第２接地電極（６１）に代用することで、特性の低下なくバルントランスの厚さを減らせる効果を得ようとするものである。

図６は上記本発明の第２実施形態による積層型バルントランスを示した誘電体ブロックの分解斜視図である。

上記図６に示す積層型バルントランスは図５の実施形態に対比してみると、実装方向に対応する下部層に形成された第２接地電極（６１）が除去された点を除いては、その他の構成は同一である。

より具体的に説明すれば、上記第２実施形態の積層型バルントランス（６０）は上記接地用外部電極（４３、４６）に連結され直方形状で成り上部方向へ電気的遮蔽及びインピーダンスの基準線を提供する第１接地電極（５１）と、その下部に位置し一方の端部が上記非接続用外部電極（４２）に連結され他方の端部には電気的連結のためのバイヤホール（５２ａ）が形成された第１リード電極（５２）と、上記第１リード電極（５２）のバイヤホール（５２ａ）に一方の端部が接続され他方の端部は上記不平衡信号用外部電極（４５）に連結される螺旋状あるいはメアンダーライン形態で成る第１ストリップライン（５３）と、上記第１ストリップライン（５３）と平行に螺旋状あるいはメアンダーライン形態で成り一方の端部が上記接地用外部電極（４６）に連結され他方の端部には下部層へ連結されるバイヤホール（５４ａ）が形成された第３ストリップライン（５４）と、上記バイヤホール（５４ａ）にその一方の端部が接し、残りの端部は平衡信号用外部電極（４４）に連結されるよう形成され、上記第３ストリップライン（５４）の他端を平衡信号用外部電極（４４）に電気的に連結する第２リード電極（５５）と、上記第３ストリップライン（５４）の下部所定位置に該当する誘電体シートの全表面をカバーし外部電極（４２〜４７）とは連結されないよう形成された無接地電極（５６）と、上記無接地電極（５６）の下部方向に位置し一方の端部に下部層と連結されるバイヤホール（５７ａ）が形成され、他方の端部は上記平衡信号用外部電極（４７）に連結される第３リード電極（５７）と、上記無接地電極（５６）の所定間隔下方に位置し一方の端部が上記バイヤホール（５７ａ）と接続され他方の端部は接地用外部電極（４６）に連結される第４ストリップライン（５８）と、一方の端部にバイヤホール（５９ａ）が形成され他方の端部はオープン状態で上記上記第４ストリップライン（５８）と平行な螺旋状あるいはメアンダーライン形態で成る第２ストリップライン（５９）と、上記第２ストリップライン（５９）のバイヤホール（５９ａ）に一方の端部が接し、他方の端部は上記非接続用外部電極（４２）に連結される第４リード電極（６０）を具備する。

上記第２実施形態の積層型バルントランスは下部の第２接地電極（６１）が除去されることにより、上記第２接地電極（６１）から下部面までの高さに該当するだけの厚さが減少する。より具体的に、誘電体ブロック（４１）内に導電性パターンを積層形成する際、上下に隣接した導電性パターン間には所定間隔が維持されなければならない。したがって、上記第２ストリップライン（５９）と第２接地電極（６１）間には所定間隔が必要で、第２接地電極（６１）もやはり実装面から所定間隔離れなければならない。この際、上記第２接地電極（６１）を除去することにより、上記第２接地電極（６１）から誘電体ブロックの下部表面までの厚さが除去されるのである。

この際、上記誘電体ブロック（６０）の下部面は実装面であって、所定印刷回路基板上にボンディングされるが、この際、通常の実装面にはグラウンドパターンが形成される。したがって、本発明による積層型バルントランスをそのまま所定回路基板の実装位置に装着する場合、該実装面のグラウンドパターンが接地電極として機能し、第２接地電極（６１）無しでも一定のインピーダンス特性を示し、その結果、所定の動作特性が維持される。以上に説明したように、第２実施形態の積層型バルントランス（６０）を基板に実装後、動作特性を測定したところ、従来に比して大差がなく、しかも図３の従来の構造に比して、０．５（ｄＢ）ほど挿入損失が改善された。

したがって、上記図６に示すように、積層型バルントランスを具現しても、動作特性の変化が無いことが分かる。

一方、上述した本発明の説明においては具体的な実施例に関して説明したが、上記に限らず様々な変形が本発明の範囲を外れることなく可能である。

一般的なバルントランスの等価回路図である。 従来の積層型バルントランスの外形図である。 図２に示した従来の積層型バルントランスの内部構造を示した分解斜視図である。 本発明による積層型バルントランスの外形を示した斜視図？である。 本発明による積層型バルントランスの第１実施形態を示した分解斜視図である。 本発明による積層型バルントランスの第３実施形態を示した分解斜視図である。

符号の説明

５０、６０ 積層型バルントランス
５１、６１ 第１、第２接地電極
５６ 無接地電極
５２、５５、５７、６０ 第１〜第４リード電極
５２ａ、５４ａ、５７ａ、５９ａ バイヤホール
５３、５４、５８、５９ ストリップライン

Claims (10)

1. 多数の誘電体シートが積層された誘電体ブロックと、上記誘電体ブロックの外側面に接地用、不平衡信号用、第１、２平衡信号用、及び非接続用の多数、外部電極を具備して、平衡信号を不平衡信号に相互変換するバルントランスにおいて、
   上記誘電体ブロックの上部面から所定距離の内部面に形成され上記接地用外部電極と連結される内部接地電極と、
   上記内部接地電極の下層に位置し一方の端部が上記不平衡信号用外部電極に連結される第１ストリップラインと、
   上記接地電極の下層に位置し上記第１ストリップラインの残りの端部にその一端が連結され他方の端部はオープン状態で形成された第２ストリップラインと、
   上記内部接地電極の下層に上記第１ストリップラインと平行に形成され一方の端部は上記接地用外部電極に連結され他方の端部は上記第１平衡信号用外部電極に連結される第３ストリップラインと、
   上記内部接地電極の下層に上記第２ストリップラインと平行に形成され、一方の端部は接地用外部電極に連結され他方の端部は上記第２平衡信号用外部電極に連結される第４ストリップラインとが誘電体ブロックの内部に所定間隔で積層されて成り、
   上記誘電体ブロックの下部面を基板のグラウンドパターン上に実装する形態で具現されることを特徴とする積層型バルントランス。
2. 上記第１ストリップラインと第２ストリップラインが同一層上に形成され、第３ストリップラインと第４ストリップラインが上記第１、２ストリップラインの上層または下層の同一平面状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
3. 上記第１〜第４ストリップラインは螺旋状あるいはメアンダーライン状であることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
4. 上記第１ストリップラインないし第４ストリップラインは誘電体ブロック内部の相異する層に各々形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
5. 上記第３ストリップラインと、第４ストリップラインの間を電気的に遮蔽するよう、上記第３ストリップラインと第４ストリップラインの中間層に導電性金属物質から成る無接地電極をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の積層型バルントランス。
6. 上記第１ストリップラインと第２ストリップラインは上記非接続用外部電極を通して相互電気的に連結されることを特徴とする請求項４に記載の積層型バルントランス。
7. 多数の誘電体シートが積層された誘電体ブロックと、上記誘電体ブロックの外側面に接地用、不平衡信号用、第１、２平衡信号用、及び非接続用の多数の外部電極を具備する積層型バルントランスにおいて、
   上記誘電体ブロックの上部表面から所定間隔下方に位置した下部層上の上記接地用外部電極に連結され上部方向への電気的結合を遮蔽するよう形成された内部接地電極と、
   上記内部接地電極の下部層に両端が上記非接続用外部電極と不平衡信号用外部電極に各々連結されるよう形成される第１ストリップラインと、
   上記内部接地電極の下部方向の第１ストリップラインの上部あるいは下部に隣接した層上に上記第１ストリップラインと平行し、両端部が上記接地用外部電極と第１平衡信号用外部電極に各々連結されるよう形成される第３ストリップラインと、
   上記誘電体ブロックの内部接地電極下部に位置しその両端が接地用外部電極と第２平衡信号用外部電極に各々連結されるよう形成される第４ストリップラインと、
   上記誘電体ブロックの内部接地電極下部の所定の層上に上記第４ストリップラインと平行し一端は上記非接続用外部電極に連結され他端はオープン状態となるよう形成された第２ストリップラインと、
   上記第３ストリップラインと第４ストリップラインとの中間層上に導電性金属物質で形成される無接地電極と、
   を含むことを特徴とする積層型バルントランス。
8. 上記誘電体ブロックの内部所定層に一方の端部が上記非接続用外部電極に連結され他方の端部はバイヤホールを通して上記第１ストリップラインの一方の端部まで電気的に連結されるよう形成され、上記第１ストリップラインを非接続用外部電極に連結第１リード電極と、
   上記誘電体ブロックの内部所定層に一方の端部は上記第３ストリップラインにバイヤホールを通して電気的に連結され、他方の端部は上記平衡信号用外部電極に連結されるよう形成され、上記第３ストリップラインを平衡信号用外部電極に電気的に連結する第２リード電極と、
   上記誘電体ブロックの内部所定層に一方の端部はバイヤホールを通して第４ストリップラインに電気的に連結され他方の端部は上記第２平衡信号用外部電極に連結されるよう形成され、上記第４ストリップラインを第２平衡信号用外部電極に連結させる第３リード電極と、
   上記誘電体ブロックの内部所定層に一方の端部はバイヤホールを通して上記第２ストリップラインに電気的に連結され他方の端部は上記平衡信号用外部電極に連結されるよう形成され、該第２ストリップラインを非接続用外部電極に連結させる第４リード電極と、
   をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の積層型バルントランス。
9. 上記第１ストリップラインないし第４ストリップラインは螺旋状あるいはメアンダーライン形態から成ることを特徴とする請求項７に記載の積層型バルントランス。
10. 上記積層型バルントランスは、所定基板のグラウンドパターン上に上記誘電体ブロックの下部面が接するよう実装され、上記基板のグラウンドパターンを下部接地電極に用いることを特徴とする請求項７に記載の積層型バルントランス。

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