CN100466372C - 具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器，其适用于使用射频的装置，例如通信系统和/广播系统中。当输入引线和/或输出引线的馈线耦合到谐振器图案时，叠层滤波器形成交叉电容耦合，从而增强了阻带的衰减特性。而且，如果输入引线和输出引线的馈线在不同层中对准，则叠层滤波器被最小化，并且通过调节馈线长度容易地控制衰减极的位置。

Description

具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器

相关申请

本申请要求于2005年2月16日提交的韩国申请第2005-12874号的优先权，将其披露的内容全部结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种用在诸如通信系统和/或广播系统等使用射频(RF)的装置上的叠层滤波器，特别是涉及这样一种叠层滤波器，当输入引线和/或输出引线的馈线耦合到谐振器图案时，其能够形成交叉电容耦合，并能够增强阻带的衰减特性，如果输入引线和输出引线的馈线在不同层中对准，其可以被最小化，并且基于馈线长度的调整，可以容易地调整衰减极的位置。

背景技术

通常，通过具有特定频带的信号的带通滤波器包括多个LC谐振器。例如，图1中描绘了现有技术的叠层滤波器。

如图1所示，现有技术的叠层滤波器被制成包括彼此层压在顶部的电介质膜薄片11A和11B。在电介质膜薄片11A和11B的内侧分别叠置电介质接地薄片12A和12B，并在电介质接地薄片上分别形成接地电极G1和G2。在电介质接地薄片12A和12B之间设置有三个电介质薄片13、14和15。电介质薄片13形成位于其两侧的输入和输出馈线13a和13b以分别连接到外部输入和输出电极。在电介质片13上形成分别与输入和输出馈线13a和13b连接的电容器图案13c和13d。

而且，电介质薄片14在其上形成第一和第二平行谐振器图案Q1和Q2，其长度相对中心频率小于λ/4。将第一和第二平行谐振器图案Q1和Q2分别进行设置以面对电容器图案13c和13d。第一和第二谐振器图案Q1和Q2以电磁互耦方式相互平行地耦合。

电介质薄片15在其上形成耦合电容器图案15a，其中耦合电容器图案15a在第一和第二谐振器图案Q1和Q2之间形成另外的电耦合。耦合电容器图案15a可以调节两极滤波器的互耦量，在阻带上形成衰减极，并控制互耦量，从而可以调节阻带的衰减极位置。

图2是图1中的现有技术叠层滤波器的等效电路图。

如图2所示，IN和OUT分别对应于输入和输出引线。C1和L1形成第一谐振器图案Q1的LC等效电路，C2和L2形成第二谐振器图案Q2的LC等效电路。C3和L3通过第一和第二谐振器图案Q1和Q2之间的电磁互耦形成LC等效电路。另外，C4是第一谐振器图案Q1与电容器图案13c之间的电容，C5是第二谐振器图案Q2与电容器图案13d之间的电容，而C6是两个第一和第二谐振器图案Q1和Q2与耦合电容器图案15a之间的电容。FL1和FL2分别对应于输入和输出馈线13a和13b。

图3是示出图1中的现有技术叠层滤波器的衰减特性曲线图，其中曲线图表示与大约为2.45GHz的中心频率fo有关的插入损失S21和反射损失S11。而且，示出了在6.8GHz的衰减极P1。

然而，在现有技术的叠层滤波器中，电容器图案13c和13d仅与第一和第二谐振器图案中的一个相应谐振器图案耦合有利于限制衰减特性的增强。而且，由于输入和输出馈线13a和13b在同一陶瓷薄片上形成，现有技术的叠层滤波器的缺陷是电容的面积和长度的调节受到限制。

图4是另一现有技术的叠层滤波器的分解透视图。

在图4中的叠层LC滤波器中，输入和输出电容器图案72和73形成于陶瓷薄片52上。这里，陶瓷薄片52上还形成耦合电容器图案62。输入电容器图案72被设置成面对电感器图案54a和54b，并由LC谐振器图案Q1的电容耦合形成。输入电容器图案72的一端连接到陶瓷薄片52左侧露出的输入电极上。输出电容器图案73被设置成面对电感器图案55a和55b，并由LC谐振器图案Q2的电容耦合形成。输出电容器图案73的一端连接到在陶瓷薄片52右侧露出的输出电极上。

耦合电容器图案62以及输入和输出电容器图案72和73被设置于在陶瓷薄片52上形成的电感器图案54a、55a、54b、和55b之间。

这样，由于耦合电容器图案62以及输入和输出电容器图案72和73并不会阻挡由电感器L1和L2引起的磁场H，因此磁场H均匀地产生从而可以得到较大的电感。这里，附图标号60a和60b表示屏蔽图案，附图标号58a、59a、58b和59b表示电容器图案，而附图标号56a、57a、56b和57b表示与电感器图案54a、55a、54b和55b连接的较宽宽度部分。

美国专利第6,437,665 B1号中披露了这种现有技术的滤波器。

然而，与图1中所示的叠层滤波器相似，由于美国专利第6,437,665 B1号中披露的现有技术的滤波器被构造成输入和输出电容器图案形成电容耦合，当输入和输出电容器图案分别耦合到相应的电感器图案时，这限制了衰减特性的增强。

而且，由于输入和输出电容器图案形成于同一陶瓷薄片上，因此现有技术的滤波器的缺陷是电容的面积和长度的调节受到限制。

发明内容

因此，鉴于上述问题而作出本发明，并且本发明的目的是提供一种叠层滤波器，当输入引线和/或输出引线的馈线耦合到谐振器图案时，其能够形成交叉电容耦合，并能够增强阻带的衰减特性。

此外，本发明的另一个目的是提供一种叠层滤波器，如果输入引线和输出引线的馈线在不同层中对准，其可以被最小化，并且可以基于馈线长度的调整而容易地控制衰减极的位置。

根据本发明，一个方面可以通过提供一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器来实现，该滤波器包括:叠层结构、多个谐振器图案、第一互电容器图案、第一馈线、第二互电容器图案、第二馈线、以及耦合电容器图案。叠层结构包括多个介电层以及形成于该多个介电层的外侧面上的输入和输出电极。多个谐振器图案中的每个谐振器图案都按照预定间隔，单独地形成于多个介电层中的第一介电层上。第一互电容器(mutual capacitor)图案形成于与第一介电层相邻的第二介电层上，其中第一互电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合。第一馈线形成于第二介电层上，其中第一馈线的一端连接到第一互电容器图案，而其另一端连接到输入电极或输出电极。第二互电容器图案形成于与第一介电层的一个侧面相邻的第三介电层上，其中第二互电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合。第二馈线形成于第三介电层上，其中第二馈线的一端连接到第二互电容器图案，而其另一端连接到输入电极或输出电极。耦合电容器图案形成于第三介电层上，并且与第二互电容器图案和第二馈线间隔开，其中耦合电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的两个或多个谐振器中的每一个谐振器以形成交叉电容耦合。

根据本发明，另一方面可以通过提供一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器来实现，该滤波器包括:叠层、多个谐振器图案、第一互电容器图案、第二互电容器图案、第一馈线、第二馈线、以及耦合电容器图案。叠层包括多个介电层以及形成于该多个介电层的外侧面上的输入和输出电极。多个谐振器图案中的每个谐振器图案都按照预定间隔，单独地形成于多个介电层中的第一介电层上。第一互电容器图案形成于与第一介电层的一个侧面相邻的第二介电层上，其中该第一互电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合。第二互电容器图案形成于第二介电层上，并远离第一互电容器图案，其中该第二互电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合。第一馈线形成于第二介电层上，其中该第一馈线的一端连接到第一互电容器图案，而其另一端连接到输入电极或输出电极。第二馈线形成于第二介电层上，其中该第二馈线的一端连接到第二互电容器图案，而其另一端连接到输入电极或输出电极。耦合电容器图案形成于与第一介电层的一个侧面相邻的第三介电层上，其中该耦合电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的两个或多个谐振器图案中的每一个谐振器图案，以在其间形成交叉电容耦合。

附图说明

通过以下结合附图所作的详细说明，本发明的上述及其它目的、特征和其它优点可以更好地理解，在附图中:

图1是现有技术的叠层滤波器的分解透视图；

图2是图1中的现有技术的叠层滤波器的等效电路图；

图3是图1中的现有技术的叠层滤波器的衰减特性曲线图；

国4是另一种现有技术的叠层滤波器的分解透视图；

图5是根据本发明的第一实施例的分解透视图；

图6是图5中的叠层滤波器的等效电路图；

图7是图5中的叠层滤波器的衰减特性曲线图；

图8是示出了图5中的叠层滤波器的改进的视图；

图9是图8中的叠层滤波器的等效电路图；

图10是图8中的叠层滤波器衰减特性曲线图；

图11是根据本发明的第二实施例的叠层滤波器分解透视图；以及

图12是图11中所示的叠层滤波器的一种改进。

具体实施方式

现在，结合附图，详细描述本发明的优选实施例。在附图中，相同或相似的元件，用相同的附图标号表示，即使它们描绘于不同的图中。

图5是根据本发明第一实施例的分解透视图。

参照图5，本发明第一实施例的叠层滤波器包括叠层结构100、第一和第二谐振器图案111和112、第一互电容器图案121、第一馈线122、第二互电容器图案131、第二馈线132、以及耦合电容器图案133。

叠层结构100包括多个介电层101以及位于该多个介电层101外侧面上的输入和输出电极Ein和Eout。

第一和第二谐振器图案111和112被设置在第一介电层110上，其中第一和第二谐振器图案111和112并行地形成并彼此隔开预定距离。虽然根据本发明的第一和第二谐振器图案111和112按照图5中描绘的方式来实施，但是它们的形状并不受限于此。

第一互电容器图案121形成于与第一介电层110的一侧相邻的第二介电层120上，并且设置成面对第一和第二谐振器图案111和112中的一个或多个的一部分，以在其间形成电容耦合。

第一馈线122形成于第二介电层120上，并且其一端连接到第一互电容器图案121，其另一端连接到输入电极Ein或输出电极Eout。

第二互电容器图案131形成于与第一介电层110的一侧相邻的第三介电层130上，并被设置成面对第一和第二谐振器图案111和112中的一个或多个谐振器图案的一部分，以在其间形成电容耦合。

第二馈线132形成于第三介电层130上，并且其一端连接到第二互电容器图案131，而其另一端连接到输出电极Eout或输入电极Ein。

耦合电容器图案133形成于第三介电层130上，并且与第二电容器图案131和第二馈线132分开预定距离。耦合电容器图案133被设置成面对第一和第二谐振器图案111和112中的每一个上，以在其间形成电容耦合。

根据本发明的叠层滤波器包括形成于第四介电层140和/或第五介电层150上的接地电极141和151，其中第四介电层140与第二介电层120的一个侧面相邻，而第五介电层150与第三介电层130的一个侧面相邻，以及第六和第七介电层160和170，其中第六介电层160与第四介电层140相邻，而第七介电层170与第五介电层150相邻。而且，第六和第七介电层160和170可以起到覆盖层的作用。

在另一方面，接地电极141和151通过侧面端接或通孔连接到谐振器图案上。

第一和第二谐振器图案111和112具有形状如并联布线的谐振器图案，其长度小于中心频率的λ/4。第一和第二谐振器图案111和112通过其间的电磁耦合而彼此互耦。而且，在耦合电容器图案133和每个相应的第一和第二谐振器图案111和112之间形成另外的交叉电容耦合，从而可以在阻带处形成衰减极。另外，耦合电容器图案133控制两极带通滤波器的互耦量，从而可以调节阻带衰减极的位置。这样，将第一和第二谐振器图案111和112以及耦合电容器图案133应用到本发明的所有实施例中。

第一互电容器图案121比第一馈线122宽，以形成与第一谐振器图案111相关的电容耦合。而且，第二互电容器图案131比第二馈线132宽，从而当第二互电容器图案131耦合到第二谐振电容器图案112时，形成电容耦合。

第一馈线122包括与输入电极Ein或输出电极Eout连接的第一图案122a，以及将第一图案122a连接到第一互电容器图案121的第二图案122b。第二图案122b被设置成与第一和第二谐振器图案111和112中每一个相叠置，由于第二图案122b与第一和第二谐振器图案111和112耦合，从而形成电容耦合。而且，第一馈线122的第二图案122b与耦合电容器图案133叠置，以形成与耦合电容器图案133相关的电容耦合。

而且，第二馈线132包括与输入和输出电极Ein和Eout连接的第一图案132a，以及将第一图案132a连接到第二互电容器图案131的第二图案132b。第二图案132b被设置成与第一和第二谐振器图案111和112中的每个相叠置，从而当第二图案132b与第一和第二谐振器图案111和112耦合时形成电容耦合。

如图5所示，与现有技术的叠层滤波器不同的是，本发明的第一实施例被实施成使得第一和第二互电容器图案121和131在不同介电层形成，并且第一和第二馈线122和132也在不同介电层形成，从而在其上具有第一和第二馈线122和132的介电层上产生空隙。因此，其可以各种方式与其它图案形成电耦合或具有与使用频率相对应的电气长度。

更特别地，如果各第一和第二馈线122和132从与第一谐振器图案111叠置的区域到与第二谐振器图案112叠置的区域形成，则当第一和第二馈线122和132与部分第一和第二谐振器图案111和112耦合时，第一和第二馈线122和132形成交叉电容耦合。即，交叉电容耦合形成于第一馈线122与第一和第二谐振器图案111和112之间，以及第二馈线132与第一和第二谐振器图案111和112之间。

在另一方面，第一和第二馈线122和132通过电容耦合而进行耦合。而且，在第一馈线与耦合电容图案133之间形成另外的电容耦合。

如上所述，由于第一和第二谐振器图案111和112之间和第一和第二馈线之间的电容耦合，以及在第一馈线122和耦合电容图案133之间形成的电容耦合，在通带可以产生另外的衰减极。这里，很容易可以认识到，由于电容耦合的量以及第一和第二馈线122和132的长度可以调节，因此阻带的衰减极位置可以调节。

图6是图5中的叠层滤波器的等效电路。

附图标号622和623分别对应于第一和第二馈线122和132的第一图案122a和132a。附图标号611和612对应于第一和第二谐振器图案111和112。附图标号621a和621b对应于第一馈线122的第二图案122b，而附图标号631a和631b对应于第二馈线132的第二图案132b。

L01和C01分别对应于由彼此并行耦合的第一和第二谐振器图案111和112之间的电磁耦合产生的电感和电容。

C11对应于第一馈线122的第二图案122b与第二谐振器图案112之间的电容，C12对应于第一馈线122的第二图案122b与第一谐振器图案111之间的电容，而C13对应于互电容器图案121与第一谐振器图案111之间的电容。

C21表示第二馈线132的第二图案132b与第一谐振器图案111之间的电容，C22表示第二馈线132的第二图案132b与第二谐振器图案112之间的电容，而C23指示第二互电容器图案131与第一谐振器图案111之间的电容。

C14表示耦合器图案133与第一谐振器图案111之间的电容。C15表示耦合电容器图案133与第二谐振器图案112之间的电容。C20表示耦合电容器图案133与第一馈线122的第二图案122b之间的电容。

图7是图5中的叠层滤波器的衰减特性曲线图。

衰减极P11形成于通带2.4GHz以下的频率，而多个衰减极P12、P13和P14形成于通带2.4GHz以上的频率。这样与现有技术相比，本发明改善了衰减特性，使得衰减极在通带上和下的频率上发生。

特别是，参照图5至图7，如果调节第一和第二馈线122和132与第一和第二谐振器图案111和112之间的耦合量，以及，如果调节第一和第二馈线122和132的长度，则可以控制阻带的衰减极P11至P14的位置以获得阻带特性。

图8是示出图5中的叠层滤波器的改进的视图。即，图8中的改进的叠层滤波器比图5中所示的叠层滤波器小。因此，图8中所用的附图标号与图7中同一元件的附图标号相同。因而，这些相同的元件将不再详细描述。而且，这种情况对图9和图10也是这样。

参照图5至图8，第一馈线122′包括与输入电极Ein或输出电极Eout连接的第一图案122a′，以及将第一图案122a′连接到第一互电容器图案121的第二图案122b′。第二图案122b′形成与第一和第二谐振器图案111和112中的每一个叠置，以形成与第一和第二谐振器图案111和112相关的电容耦合。与图5中所示的第一馈线122的第二图案122b不同，图8中的第一馈线122′的第二图案122b′耦合到第二馈线132的第二图案132b的一部分上。

如上所述，在根据本发明的第一实施例的叠层滤波器中，第一和第二馈线122和132的第二图案122b和132b可以用不同类型的图案来实施。以这些图案为基础，第二图案122b和132b由于第二图案122b和132b耦合到第一和第二谐振器图案111和112而形成交叉电容耦合，并且由于第二图案122b和132b耦合到耦合电容器图案133而形成电容耦合。而且，第二电容122b和132b在它们之间形成电容耦合。

图9是图8中的叠层滤波器的等效电路。

该等效电路除电容C30以外，与图6中的等效电路相类似。更特别地，参照图8，图9中的等效电路图具有由第一馈线122′的第二图案122b′与第二馈线132的一部分第二图案132b之间产生的电容C30。

图10是示出图8中的叠层滤波器的衰减特性的曲线图。

衰减极P10和P11以通带2.4GHz以下的频率形成，而多个衰减极P12、P13和P14以通带2.4GHz以上的频率形成。这样，与现有技术相比，本发明改善了衰减特性，使得衰减极以通带以上和以下的频率产生。

另外，参照图8至图10，如果调整第一和第二馈线122′和132与第一和第二谐振器图案111和112之间的耦合量，并且，如果调整第一和第二馈线122′和132的长度，则可以控制阻带的衰减极P10至P14的位置，以获得阻带特性。

图11是根据本发明的第二实施例的叠层滤波器的分解透视图。

参见图11，本发明第二实施例的叠层滤波器包括叠层200、第一和第二谐振器图案211和212、第一和第二互电容器图案222和221、第一和第二馈线224和223、以及耦合电容器图案231。

叠层结构200包括多个介电层201，以及位于多个介电层201多侧面上的输入和输出电极Ein和Eout。

第一和第二谐振器图案211和212位于第一介电层210上，其中第一和第二谐振器图案211和212平行形成且彼此间隔开预定距离。尽管根据本发明的第一和第二谐振器图案211和212按照图11所描绘的那样进行实施，但它们的形状并不局限于此。

第一互电容器图案222形成于与第一介电层的一个侧面相邻的第二介电层上，并且被设置成面对第一和第二谐振器图案211和212中的一个或多个图案的一部分，以在其间形成电容耦合。

第二互电容器图案221形成于第二介电层220上并远离第一互电容器图案222预定距离。第二互电容器图案221被设置成面对第一和第二谐振器图案211和212中的一个或多个谐振器图案的一部分，以在其间形成电容耦合。

第一馈线224形成于第二介电层220上，并且在其一个端部与第一互电容器图案222相连，而在另一端部与输入电极Ein和输出电极Eout相连。

第二馈线223形成于第二介电层220上，并且在其一个端部与第二互电容器图案221相连，而在另一端部与输出电极Eout和输入电极Ein相连。

耦合电容器图案231形成于与第一介电层210相邻的第三介电层230上，波那构且被设置成面对第一和第二谐振器图案211和212中的一个或多个谐振器图案的每一个，以在其间形成电容耦合。

与本发明的第一实施例相似，根据本发明第二实施例的叠层滤波器包括形成于第四介电层240和/或第五介电层250上的接地电极241和251，其中第四介电层240与第二介电层220的一个侧面相邻，而第五介电层250与第三介电层230相邻，以及第六和第七介电层260和270，其中第六介电层260与第四介电层240相邻，而第七介电层250与第五介电层230相邻。而且，第六和第七介电层260和270可以起到覆盖层的作用。

在另一方面，接地电极241和251通过侧面端接或通孔连接到谐振器图案。

第一互电容器图案222比第一馈线224宽，从而当第一互电容器图案222耦合到第一谐振器图案211时形成电容耦合。同时，第二互电容器图案221比第二馈线223宽，从而当第二互电容器图案211耦合到第二谐振器图案212时形成电容耦合。

第一馈线224形成叠置在第一和第二谐振器图案211和212中的每一个上，从而在第一馈线224耦合到第一和第二谐振器图案211和212上时形成交叉电容耦合。而且，当第一馈线224耦合到耦合电容器图案231时第一馈线224形成电容耦合。第二馈线223形成叠置在第一和第二谐振器图案211和212中的每一个上，从而在第二馈线223耦合到第一和第二谐振器图案211和212上时形成交叉电容耦合。

而且，第二馈线223与耦合电容器图案231叠置，以在第二馈线223耦合到耦合电容器图案时形成电容耦合。

如上所述，在根据本发明第二实施例的叠层滤波器中，第一和第二馈线224和223可实施成各种形状，图1中示出了其中的一种。

图12是图11中的叠层滤波器的改进。即，图12中的改进的叠层滤波器与图11中所示的叠层滤波器相似。因此，图12中使用的标号与图11中同一元件所用的标号相同。因此，相同的元件不再详细描述。

参见图11和图12，第一互电容器图案221′被设置成面对第一谐振器图案211的一部分以形成电容耦合。第二互电容器图案222′被设置成面对第二谐振器图案212的一部分以形成电容耦合。

图12中的第一馈线包括连接到输出电极Ein或输出电极Eout的第一图案223a、连接到第一图案223a一端的第二图案223b、以及连接在第二图案223b另一端与第一互电容器图案221′之间的第三图案223c。

第一馈线223′的第一图案223a与耦合电容器图案231叠置，从而当第一图案耦合到耦合电容器图案231时形成电容耦合。第一馈线223′的第三图案223c与第一和第二谐振器图案111和112中的每一个叠置，从而当第三图案223c耦合到第一和第二谐振器图案211和212的一部分时形成交叉电容耦合。

如上所述，根据本发明的叠层滤波器的优点是可以在所需的阻带实现衰减特性，并且衰减极的位置可以容易地调整，从而其可以有效地应用到使用LTCD或多层PCB等的嵌入式带通滤波器上。而且，当根据本发明的叠层滤波器应用到具有平衡-不平衡变换元件的平衡式元件或模块等上时，由平衡-不平衡变换元件改变的分立带通滤波器的衰减位置以及馈线图案的长度可以容易地调整，并且馈线图案与谐振器图案之间的耦合量可以容易地调整。

根据本发明的叠层滤波器可以适用于使用射频的装置，例如通信系统和/或广播系统上，从而输入引线和/或输出引线可以形成与谐振图案相关联的交叉电容耦合，从而改进的阻带的衰减特性。另外，如果输入和输出引线的馈线设置在不同层上，则叠层滤波器可以减小尺寸，并且衰减极的位置可以通过调节引线长度来控制，从而增强阻带的衰减特性。

而且，根据本发明的叠层滤波器在制造成使用LTCC或PCB时，其可以被嵌入电路板中，从而可以相对减小模块尺寸。另外，根据本发明的叠层滤波器可以节省成本，因为其在系统中可以单独地替换。另外，其可以容易地用分立芯片来实现。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器，包括：

叠层结构，包括第一、第二和第三介电层以及形成于所述第一、第二和第三介电层的外侧面上的输入和输出电极；

多个谐振器图案，每个谐振器图案都按照预定间隔，单独地形成于所述第一介电层上；

第一互电容器图案，形成于与所述第一介电层相邻的第二介电层上，所述第一互电容器图案面对所述多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合；

第一馈线，形成于所述第二介电层上，所述第一馈线的一端连接到所述第一互电容器图案，而其另一端连接到所述输入电极或所述输出电极；

第二互电容器图案，形成于与所述第一介电层的一个侧面相邻的所述第三介电层上，所述第二互电容器图案面对所述多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合；

第二馈线，形成于所述第三介电层上，所述第二馈线的一端连接到所述第二互电容器图案，而其另一端连接到所述输入电极或所述输出电极；以及

耦合电容器图案，形成于所述第三介电层上，并与所述第二互电容器图案和所述第二馈线间隔开，所述耦合电容器图案面对所述多个谐振器图案中的两个或多个谐振器中的每一个以形成交叉电容耦合，

其中，所述第一馈线包括：

第一图案，连接到所述输入电极或所述输出电极；和

第二图案，连接在所述第一互电容器图案与所述第一图案之间，当所述第二图案耦合到所述多个谐振器中的两个或多个谐振器图案时，所述第二图案形成交叉电容耦合。

2.根据权利要求1所述的滤波器，还包括接地电极，形成于与所述第二介电层的一个侧面相邻的介电层和/或与所述第三介电层的一个侧面相邻的介电层上。

3.根据权利要求1所述的滤波器，其中，当所述第二图案耦合到所述耦合电容器图案时，所述第一馈线的第二图案形成电容耦合。

4.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述第二馈线包括：

第一图案，连接到所述输入电极或所述输出电极；以及

第二图案，连接在所述第二互电容器图案与所述第二馈线的所述第一图案之间，当所述第二图案耦合到所述多个谐振器的两个或多个谐振器图案时，所述第二图案形成交叉电容耦合。

5.根据权利要求4所述的滤波器，其中，当所述第一馈线的第二图案耦合到所述第二馈线的一部分第二图案时，所述第一馈线的第二图案形成电容耦合。

6.一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器，包括：

叠层，包括第一、第二和第三介电层以及形成于所述第一、第二和第三介电层的外侧面上的输入和输出电极；

多个谐振器图案，每个谐振器图案都按照预定间隔，单独地形成于所述第一介电层上；

第一互电容器图案，形成于与所述第一介电层的一个侧面相邻的所述第二介电层上，所述第一互电容器图案面对所述多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合；

第二互电容器图案，形成于所述第二介电层上，并远离所述第一互电容器图案，所述第二互电容器图案面对所述多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合；

第一馈线，形成于所述第二介电层上，所述第一馈线的一端连接到所述第一互电容器图案，而其另一端连接到所述输入电极或所述输出电极；

第二馈线，形成于所述第二介电层上，所述第二馈线的一端连接到所述第二互电容器图案，而另一端连接到所述输入电极或所述输出电极；以及

耦合电容器图案，形成于与所述第一介电层的一个侧面相邻的第三介电层上，所述耦合电容器图案面对所述多个谐振器图案中的两个或多个谐振器中的每一个，以在其间形成交叉电容耦合，

其中，当所述第一馈线耦合到所述多个谐振器的两个或多个谐振器图案时，所述第一馈线形成交叉电容耦合。

7.根据权利要求6所述的滤波器，还包括接地电极，形成于与所述第二介电层的一个侧面相邻的介电层和/或与所述第三介电层的一个侧面相邻的介电层上。

8.根据权利要求6所述的滤波器，其中，当所述第二馈线耦合到所述多个谐振器中的两个或多个谐振器图案时，所述第二馈线形成交叉电容耦合。

9.根据权利要求6所述的滤波器，其中，当所述第一馈线被耦合到所述耦合电容器图案时，所述第一馈线形成电容耦合。

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